「active element」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Element driving transistors TFT 2a and 2b are formed in parallel between a power supply line 16 and an organic EL element 60 and the active layers 12 of the TFT 2a and 2b are spaced apart from each other in the scanning direction of laser for polycrystallization annealing.例文帳に追加

電源ライン１６と有機ＥＬ素子６０との間に素子駆動用トランジスタＴＦＴ２ａ、２ｂを並列して形成し、このＴＦＴ２ａ，２ｂの能動層１２は、これを多結晶化アニールするためのレーザの走査方向に互いに離間する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

To deteriorate an element basic characteristic such as an increase of current density and deterioration of inner quantum efficiency, by diffusing a Zn acceptor from a p-type clad layer to a region near an active layer by thermal history in a wafer process in a semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子では、ウエハプロセス工程での熱履歴によってｐ型クラッド層から活性層近傍領域までＺｎアクセプタが拡散することにより、電流密度が増大、内部量子効率が低下する等、素子基本特性が劣化する。 - 特許庁

To provide a radio-active mineral-containing composition consisting essentially of a rare element mineral easily obtainable at a low cost, containing other useful minerals to be mixed with the rare element mineral to have various kinds of effects similar to hokutolite and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

容易にかつ低コストで入手可能である希元素鉱物を主成分として、これに他の有用鉱物を混合させて北投石と同様な各種効能を有する放射性鉱物含有の組成物、及びこの製造方法を提供する。 - 特許庁

The device has a semiconductor chip 11 where an active element, which is subjected to flip-chip connection with other circuit element, is formed in a front side of a semiconductor substrate 12, and a substrate plate 22 where a rear side of the semiconductor substrate 12 of the semiconductor chip 11 is mounted.例文帳に追加

他の回路素子とフリップチップ接続される能動素子が半導体基板１２の表面側に形成された半導体チップ１１と、この半導体チップ１１の半導体基板１２の裏面側が搭載された基板プレート２２とを具備している。 - 特許庁

In some embodiments, the optical element may be elongated or shaped to direct a portion of light emitted by the active region in a direction substantially perpendicular to a central axis of the semiconductor light emitting device and the optical element.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、光学部材は、活性領域によって放射された光の一部分を半導体発光素子及び光学部材の中心軸線と実質的に垂直な方向に向けるように伸長するか又は成形することができる。 - 特許庁

A signal processing circuit 23a, 23b corresponding to the light receiving element 21a, 21b produces an active output when a decision is made that the object 3 exists within a specified distance range based on the position of the receiving light spot on the light receiving element 21a, 21b.例文帳に追加

各受光素子２１ａ，２１ｂに対応する信号処理回路２３ａ，２３ｂは、各受光素子２１ａ，２１ｂの受光スポットの位置に基づいて検知対象物３が規定の距離範囲内に存在するときに出力をアクティブにする。 - 特許庁

At the internal part of a piezoelectric element substrate 55 formed by laminating a piezoelectric material and electrode material by turns, a low-rigidity part 59 consisting of a hollow part is provided at the opposite side of a pressure chamber 52 of a piezoelectric active part 58 composed of a single-layer piezoelectric element.例文帳に追加

圧電材料と電極材料を交互に積層させて形成される圧電体基板５５の内部には、単層の圧電体から成る圧電活性部５８の圧力室５２と反対側に空洞部から成る低剛性部５９が設けられている。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element which is improved in crystallinity of a semiconductor layer containing In in an active layer while relaxing heat treatment conditions of a p-type layer of the group III nitride-based compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子のｐ型層の熱処理条件を緩和しつつ活性層中のＩｎを含む半導体層の結晶性を向上させたIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN group semiconductor light-emitting element including an active layer containing In and reducing a quantum efficiency in a large injection current state, and also to provide a method for manufacturing the GaN group semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

Ｉｎを含む活性層を備えるＧａＮ系半導体発光素子において、注入電流が大きい場合における量子効率の低下を軽減することができるＧａＮ系半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The emitter extraction electrodes 21 are located on both sides of the polycrystalline silicon film 7 which is continuously formed from above the element isolation film 3 on a side over the active region 2a to the top of the element isolation film 3 on the opposite side.例文帳に追加

ここで、エミッタ引き出し電極２１は、一方の素子分離膜３の上から活性領域２ａの上を通って反対側の素子分離膜３の上にまで連続して設けられた多結晶シリコン膜７の両側に配置されている。 - 特許庁

The electrode includes a plurality of electrode elements 320 each including a current collector 300 divided into a plurality of pieces and an active material layer 340 formed on each of the divided current collectors; and a conductive element 330 connecting the current collectors of the electrode element 320.例文帳に追加

複数に分割された集電体３００と分割された集電体上にそれぞれ形成された活物質層３４０とを含む複数の電極要素３２０と、電極要素の集電体を連結する導電要素３３０と、を有する。 - 特許庁

Particularly, the original plate for printing a lithographic plate comprises metal compound particles carrying metal fine pieces precipitated on the surface by irradiating with an active light in the presence of a metal salt of a metal element having an ionization tendency of a later sequence (noble) than that of a hydrogen element.例文帳に追加

特に、水素元素よりもイオン化傾向が後順位（貴）である金属元素の金属塩の存在下に活性光を照射して表面に析出した金属微小片を担持した金属化合物粒子を含有する平版印刷用原板。 - 特許庁

To provide a substrate for a flat panel display (FDP) which is light in weight, is hardly crackable, and has performance to sufficiently prevent the permeation of substances to active substances, such as moisture and oxygen, and can be bent, a display device, an organic electroluminescence element, and a liquid crystal display element.例文帳に追加

軽量で、割れにくく、水分、酸素等の活性物質に対し、充分な物質透過防止性能を有し、曲げることも可能なフラットパネルディスプレー（ＦＤＰ）用基板、表示装置、有機エレクトロルミネセンス素子および液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a pair of substrates (1, 2) disposed facing each other and a semiconductor element (12) directly joined on the substrate (2), wherein a portion other than the active surface (12a) of the surfaces of the semiconductor element (12) is covered with a light-shielding member (16).例文帳に追加

対向配置した一対の基板（１、２）と、基板（２）上に直接に接合した半導体素子（１２）とを有する液晶表示装置であり、半導体素子（１２）の面のうち能動面（１２ａ）以外の部分を遮光部材（１６）で覆う。 - 特許庁

To provide a high-speed optical modulation element of which the overall length is made longer to reduce the production cost by facilitating handling, working, and a production process and of which the length of an element active part is made shorter to improve the frequency band.例文帳に追加

ハンドリング、加工、製造プロセスを容易にし、製造コストを低減するために、全素子長を長くすることができ、また、周波数帯域を向上させるために、素子活性部の長さを短くすることができる高速な光変調素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for a storage element having an active material layer reaching an end of a collector, and composed by restraining damage (chipping-off or the like), to provide its manufacturing method and device, and to provide a storage element composed by using the electrode.例文帳に追加

集電体の端部に至る活物質層を有するとともにその活物質層の損傷（欠落等）が抑制された蓄電素子用電極、その製造方法、その製造装置、ならびにその電極を用いて構成された蓄電素子を提供する。 - 特許庁

In the device, the optical element may be elongated or formed to direct a portion of light emitted by the active region in a direction substantially perpendicular to a central axis of the semiconductor light emitting device and optical element.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、光学部材は、活性領域によって放射された光の一部分を半導体発光素子及び光学部材の中心軸線と実質的に垂直な方向に向けるように伸長するか又は成形することができる。 - 特許庁

Excitation light 36 of 810 nm from the semiconductor laser element 31 is converged to the semiconductor element 23 by a converging lens and is effectively absorbed by light confinement layers 14, 16 and a multi-quantum well active layer 15 of the semiconductor element 23 and laser light 37 of wave-length of about 980 nm is output.例文帳に追加

半導体レーザ素子31からの８１０ｎｍの励起光36は、集光レンズにより面発光型半導体素子23に集光され、面発光型半導体素子23の光閉じ込め層14、16および多重量子井戸活性層15により効率よく吸収されて、波長約９８０ｎｍのレーザ光37が出力される。 - 特許庁

The semiconductor laser module comprises a submount 9, a semiconductor laser element 5 provided on the submount 9, and a submount 3 provided on the semiconductor laser element 5 wherein the semiconductor laser element 5 has an active layer 11a provided on a surface layer facing the submount 9, and the submount 9 has a coefficient of thermal expansion larger than that of the submount 3.例文帳に追加

サブマウント９と、サブマウント９上に設けられた半導体レーザ素子５と、半導体レーザ素子５上に設けられたサブマウント３とを備え、半導体レーザ素子５は、サブマウント９に面している表層に設けられた活性層１１ａを有し、サブマウント９の方がサブマウント３よりも熱膨張係数が大きい。 - 特許庁

In the active matrix liquid crystal display device, shapes and dimensions of a drain electrode 40" and a source electrode 50" are formed so that a channel width W and a channel gap L of each TFT element are made constant although the gate-source parasitic capacitance Cgs of a TFT element disposed apart from the position of a gate driver is larger than that of a TFT element disposed near.例文帳に追加

ゲートライバの位置から遠くに配置されたＴＦＴ素子のゲート・ソース寄生容量Cgsが近くに配置されたＴＦＴ素子のそれよりも大きくするが、ＴＦＴ素子各々のチャネル幅ＷとチャネルギャップＬが一定となるようドレイン電極とソース電極の形状・寸法を形成している。 - 特許庁

As a result, distortion is not applied to the inside of the semiconductor laser element 2, the generation of crystal defect is suppressed in the inside of the element, more specifically, immediately below a ridge stripe provided inside the semiconductor laser element 2 and in the vicinity of an active layer near the ridge stripe, so that boding work can be executed stably and unfailingly.例文帳に追加

その結果、半導体レーザ素子２の内部に歪が加わらず、そのため素子内部、特に半導体レーザ素子２の内部に設けられるリッジストライプの真下およびリッジストライプ近傍の活性層近傍での結晶欠陥の発生を抑制することが可能となり、安定かつ確実にボンディング作業を行なうことが可能となる。 - 特許庁

To solve the problem that it is difficult to directly mount a current inductive type recording element and a magnetoresistance type reproduction element in a conventional active head slider because the built-in of wiring for recording/reproducing and wiring for actuator control is required in a small moving part in order to move a recording and reproducing element by using a minute actuator.例文帳に追加

従来のアクティブヘッドスライダでは、微小アクチュエータによって記録再生素子を動かそうとすると、小さな可動部に記録再生用の配線およびアクチュエータ制御用の配線を組み込む必要があり、現状のインダクティブ型記録素子および磁気抵抗型再生素子をそのまま搭載することは困難である。 - 特許庁

The electrode metal foil is obtained by forming the cross-section of the active substance adhering area of the electrode metal foil element 11 into a waveform progressing in one direction indicated by an arrow mark on the surface of electrode metal foil element 11 while the cross-section is alternately folded in the direction crossing the surface of electrode metal foil element 11.例文帳に追加

電極用金属箔素材１１の、活物質付着領域の断面形状を、その電極用金属箔素材１１面に交差する方向において交互に折返しつつ電極用金属箔素材１１面上を一方向イに進む波形に形成して電極用金属箔を得る。 - 特許庁

To attain a selfluminous display device which can suppress variation of the threshold voltage of a transistor for controlling the current of a light emitting element and variation of the light emission threshold voltage of the light emitting element to thereby suppress variation in the luminance of the light emitting element, in the pixel driving circuit of a selfluminous display device using an active matrix method.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式による自発光型表示装置の画素駆動回路において、発光素子の電流を制御するトランジスタの閾値電圧のばらつき、及び発光素子の発光閾値電圧のばらつきを抑制して、発光素子の輝度ばらつきのない自発光型表示装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electrochemical element electrode material which allows for production of an electrochemical element combining a low internal resistance and a high capacity, especially allows for production of an electrochemical element electrode having a uniform active material layer in roll forming at high forming speed, and to provide an electrode formed of that electrode material.例文帳に追加

低い内部抵抗と高い容量とを兼ね備えた電気化学素子を得ることができ、特にロール成形において均一な活物質層を有する電気化学素子電極を高い成形速度で得ることが可能な電気化学素子電極材料、及び該電極材料によって形成された電極を提供する。 - 特許庁

The electrooptical apparatus of an active matrix type, a manufacturing method therefor, and the electronic equipment equipped with such an electrooptical apparatus are provided, wherein the magnetoresistive element is provided as a switching element for nonlinearly driving an electrooptical material, the magnetoresistive element being positioned between a data line and a pixel electrode of the electrooptical apparatus.例文帳に追加

アクティブマトリクス方式の電気光学装置、その製造方法、およびそのような電気光学装置を備えた電子機器であって、電気光学装置のデータ線と、画素電極との間に位置して、電気光学材料を非線形的に駆動するためのスイッチング素子として、磁気抵抗効果素子を備える。 - 特許庁

In the active matrix type electrooptical device, and in the case of constructing a nonlinear element 5 as a pixel switching element and the storage capacitor 9, a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for the capacitor are formed by tantalum with oxygen, and an insulating layer 71 for the element and an insulating layer 72 for the capacitor are formed with an anodized film of the tantalum with oxygen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。 - 特許庁

The positive electrode active material is a surface protective layer comprising a core containing sulfur compound, and at least one compound selected from among the hydroxide of a coating element formed on the core, the oxyhydroxide of the coating element, the oxycarbonate of the coating element, and the hydroxycarbonate of the coating element.例文帳に追加

リチウム硫黄二次電池用正極活物質及びその製造方法に関し、この正極活物質は、硫黄化合物を含むコア、及び前記コアの上に形成されたコーティング元素のヒドロキシド、コーティング元素のオキシヒドロキシド、コーティング元素のオキシカーボネート及びコーティング元素のヒドロキシカーボネートからなる群より選択される少なくとも一つの化合物を含む表面保護層である。 - 特許庁

A photoelectric converter comprises: a silicon substrate 1; a photoelectric converting element 5; an antireflection film 9 for preventing incident light from being reflected by a light receiving surface of the photoelectric converting element 5; an element isolation region 2 including an insulator for isolating the photoelectric converting element 5; an interlayer insulating film; multiple transistors; and conductive members electrically connected to active regions of the transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。 - 特許庁

With this method, a liquid crystal material derived from a liquid crystal material for an active matrix is made reusable, and the method is effective in reducing an environmental load brought about by the discarded liquid crystal display element.例文帳に追加

本願発明の方法により、アクティブマトリクス用液晶材料からの液晶材料の再使用も可能となり、廃棄液晶表示素子による環境負荷の低減に有効である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a bump electrode, which does not break down a semiconductor element at the lower part of an active surface when packaging such as by a thermocompression bonding, and method of manufacturing it.例文帳に追加

熱圧着等による実装において、能動面下部の半導体素子を破壊しないようなバンプ電極を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A region consisting of an intrinsic semiconductor which does not include impurities is made to be the active layer (channel region) of the thin film transistor and the region added with impurities is made to be the electrically conductive element of the transistor.例文帳に追加

不純物を含まない真性半導体からなる領域を薄膜トランジスタの活性層（チャネル領域）とし、不純物を添加された領域を導電要素とする。 - 特許庁

To provide an active element array board capable of preventing a short circuit between packaged terminals even if a thick interlayer insulating film is used, without changing tact in manufacturing, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

生産タクトを変えることなく、厚い層間絶縁膜を用いても実装端子間でのショートを防止することができるアクティブ素子アレイ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection circuit capable of detecting leak of retaining capacity, defects of an active element and wiring with high precision, and to provide an inspection method of a circuit and a matrix type display device.例文帳に追加

保持容量のリーク、能動素子や配線の欠陥を高精度に検出することができる検査回路及び回路の検査方法並びにマトリックス型表示装置を提供する。 - 特許庁

A surface light emitting type semiconductor laser element chip, having a resonator structure including reflecting mirrors which are provided in the upper part and the lower part of an active layer emitting light, is specified as a laser chip.例文帳に追加

レーザチップは、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

By specifying and designing this pattern gap L, the overlap between the bend of the active area and the gate pattern is avoided so that the difference between element characteristics and a designed value may become large.例文帳に追加

このパターン間隔Ｌを規定して設計することにより，アクティブ領域の湾曲部がゲートパターンに重ならず，素子特性と設計値との差異が大きくなるのを防ぐことができる。 - 特許庁

The light emitting section of the semiconductor light emitting element is constituted by successively growing an n-type lower clad layer 12, an active layer 13, and a p-type upper clad layer 14 on an n-type GaAs substrate 11 by the MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型下部クラッド層１２、活性層１３、p型上部クラッド層１４を順次成長させて発光部を構成する。 - 特許庁

A sub power supply circuit 22 is active to start supplying power to a light-receiving unit 20 and a microcomputer 21, which receives a power-on main signal to turn on a main power supply switch element 4.例文帳に追加

副電源回路２２が作動して受光ユニット２０およびマイコン２１に電源供給を開始し、電源オンメイン信号を受信することによって主電源スイッチ素子４をオンする。 - 特許庁

The element 10 is produced by laminating successively on the substrate 1 the reflecting layer 2, the cavity spacer layer 3, the active layer 4, the cavity spacer layer 5, the reflecting layer 6, the selectively oxidized layer 7, and the contact layer 8.例文帳に追加

反射層２、共振器スペーサー層３と、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、順次、基板１上に積層される。 - 特許庁

Since the active region of the second element is formed by avoiding the border surface between the support substrate and the second semiconductor layer, the leak current is suppressed, thereby enhancing the characteristic of the device.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

Accordingly, the crystal defect that might otherwise be introduced in the semiconductor substrate 2 and an active layer 12 due to strain etc., can be restrained, resulting in suppression of the degradation of light emission characteristics of a semiconductor laser element 1.例文帳に追加

したがって、歪み等によって半導体基板２や活性層１２に結晶欠陥が生じることを抑え、半導体レーザ素子１の発光特性の劣化を抑止できる。 - 特許庁

A negative electrode current collector 12 made of a metallic material such as Cu is formed by plating so as to cover negative an electrode active material particle 11 containing Sn as a constituent element.例文帳に追加

構成元素としてＳｎを含む負極活物質粒子１１を覆うように、鍍金により、Ｃｕなどの金属材料よりなる負極集電体１２が形成されている。 - 特許庁

Points and a surface area for supplying an electric charge to an opposite substrate are made richer on a scanning signal supplying end side than on the center side of an another substrate having at least an active element.例文帳に追加

対向基板に対する電荷供給ポイント及び面積を、少なくともアクティブ素子を有するもう一方の基板における中央より走査信号供給端側に多くする。 - 特許庁

According to above processes, the silicon-based active substance material powder and the matrix can be firmly combined, without an element little directly affecting a cell reaction, such as a binder.例文帳に追加

以上の操作によると、シリコン系活物質材料粉末とマトリクスとの間には結着材などの電池反応などに直接影響の少ない要素を介することなく強固に結合できる。 - 特許庁