「beam mark」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SKID MARK REDUCING DEVICE FOR WALKING BEAM TYPE FURNACE例文帳に追加

ウォーキングビーム式加熱炉におけるスキッドマーク低減装置 - 特許庁

TARGET MARK MEMBER, WAFER STAGE, AND ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

ターゲットマーク部材、ウェハステージおよび電子ビーム露光装置 - 特許庁

STANDARD MARK FOR CHARGED PARTICLE BEAM, AND MANUFACTURE OF CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE STANDARD MARK例文帳に追加

荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 - 特許庁

ALIGNMENT MARK, RETICLE FOR CHARGED PARTICLE BEAM ALIGNER AND CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSING METHOD例文帳に追加

アライメントマーク、荷電粒子線露光装置用レチクル及び荷電粒子線露光方法 - 特許庁

I need an emergency transporter lock, two to beam up on my mark.例文帳に追加

緊急転送の用意を頼む 私の座標の2名だ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

ELECTRON BEAM LITHOGRAPHIC METHOD AND MACHINE, AND MARK RECORDING METHOD例文帳に追加

電子線描画方法およびその装置並びにマーク記録方法 - 特許庁

TARGET MARK MEMBER, ITS MANUFACTURING METHOD AND ELECTRON BEAM EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

ターゲットマーク部材、その製造方法および電子ビーム露光装置 - 特許庁

When a detected mark image coincides with a reference mark image, it is recognized as a mark and accurate position detection of a mark is executed by an electron beam at the position.例文帳に追加

検出マーク像が基準マーク像と一致すれば、マークと認識し、この位置で電子ビームによるマークの正確に位置検出が実行される。 - 特許庁

FORGERY PREVENTING SHEET WITH DISCRIMINATING MARK FORMED BY DIFFERENT ANGLE IRRADIATION OF LASER BEAM例文帳に追加

レーザ異角度照射による識別マーク付き偽造防止用シート - 特許庁

To improve an alignment mark detection accuracy in an electron beam exposure.例文帳に追加

電子ビーム露光における、アライメントマーク検出精度を向上する。 - 特許庁

The reflection body changes the direction of the beam to a mark to be read.例文帳に追加

反射体は、読取るべき印に向けて、ビームの方向を変える。 - 特許庁

DOT MARK SHAPE BY LASER BEAM, ITS MARKING DEVICE AND METHOD例文帳に追加

レーザビームによるドットマーク形態と、そのマーキング装置及びマーキング方法 - 特許庁

The reproduction power of a light beam is controlled on the basis of each amplitude value of the 2T mark and the 8T mark.例文帳に追加

各２Ｔマーク及び８Ｔマークの振幅値に基づいて光ビームの再生パワーを制御する。 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING METHOD, POSITION DETECTING METHOD FOR REFERENCE MARK FOR CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING, AND CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE例文帳に追加

荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING MARK AND MANUFACTURE OF ELECTRON BEAM DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マーク検出方法、電子線装置及び半導体デバイス製造方法 - 特許庁

When θ is not zero and the projecting mark 2, the recessed mark 3 and the line 4 are inclined as shown in (a), the projecting mark 2 is irradiated with the electron beam 1 first, and the recessed mark 3 is irradiated with the electron beam 1 later.例文帳に追加

θが０でなく（ａ）に示すように、凸マーク２、凹マーク３と線４が傾いている場合、凸マーク２の方が先に電子ビーム１の照射を受け、凹マーク３が遅れて電子ビーム１の照射を受ける。 - 特許庁

The focused ion beam device detects the mark with a mark detecting view magnification lower than a view magnification when registering the mark, before processing the processed pattern, calculates a degree of displacement while comparing the position of the registered mark with the position of the detected mark, and detects the mark again after shifting an ion beam deflection region to restore the view magnification into that when registering the mark.例文帳に追加

加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE AND METHOD FOR DETECTING REFERENCE MARK IN CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE例文帳に追加

荷電粒子ビーム応用装置、および荷電粒子ビーム応用装置における基準マークの検出方法 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure device capable of detecting an alignment mark and an inspection mark of high SN ratio.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比の高いアライメントマークや検査マークの検出を行える荷電粒子線露光装置を提供する。 - 特許庁

The central beam (L2Z) projects the light mark (ML) in the shape of a line, and the marginal beam (L2R) projects the light mark (MP) in the shape of a point.例文帳に追加

中心ビーム（Ｌ２Ｚ）により光学マーク（ＭＬ）を直線状に投射し，周辺ビーム（Ｌ２Ｒ）によりスポット状の光学マーク（ＭＰ）を投射する。 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING MARK FOR ALIGNMENT IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

荷電粒子線露光装置における位置合わせ用マークの検出方法 - 特許庁

A beam limiting opening 5 is disposed under a knife edge-like reference mark 1.例文帳に追加

ナイフエッジ状基準マーク１の下にはビーム制限開口５が配置されている。 - 特許庁

CM≤1.0 is specified when (clock mark length C1)/(beam spot diameter D1)=CM is defined.例文帳に追加

（クロックマーク長Ｃ１）／（ビームスポット径Ｄ１）＝ＣＭとしたときに、ＣＭ≦１．０とする。 - 特許庁

The optical system receives the radiation beam, produces an alignment beam, directs the alignment beam to a mark located on an object, receives alignment radiation back from the mark, and transmits the received radiation.例文帳に追加

光学システムは、放射ビームを受光し、アライメントビームを生成し、アライメントビームをオブジェクト上に位置するマークに誘導し、そのマークから戻るアライメント放射を受光し、受光した放射を伝送する。 - 特許庁

To realize an electron-beam drawing method and its device, which can prevent casting of electron beam on a part, excepting a mark during mark detection and effectively use a material to be drawn.例文帳に追加

マーク検出時に、マーク以外の部分への電子ビームの照射を防止し、被描画材料の有効活用が図れる電子ビーム描画方法および装置を実現する。 - 特許庁

The first line laser 51 irradiates a first line laser beam 61 on an engraved mark face 3, and the second line laser 52 irradiates a second line laser beam 62 on the engraved mark face 3.例文帳に追加

第一ラインレーザー５１は、第一ラインレーザー光６１を刻印面３に照射し、第二ラインレーザー５２は、第二ラインレーザー光６２を刻印面３に照射する。 - 特許庁

Thereby, when the recording mark M is erased, the recording mark M is irradiated with the laser beam in a range wider than that when reproduced.例文帳に追加

これにより、記録マークＭの消去時には、再生時よりも広い範囲において、レーザ光が記録マークＭに照射される。 - 特許庁

To provide an engraved mark inspection apparatus enabling a laser beam irradiated on a bottom face of an engraved mark groove to be imaged surely while ensuring imaging brightness of the laser beam irradiated on both oblique faces of the engraved mark groove.例文帳に追加

刻印溝の両斜面に照射されたレーザー光の撮像明度を確保しつつ、前記刻印溝の底面に照射されたレーザー光を確実に撮像することができる刻印検査装置を提供する。 - 特許庁

This is an electron beam exposing device to radiate the electron beams to a specimen, and has an electron beam generating part to generate the electron beam and has a current detecting part to detect the current of the electron beam with a mark part which is smaller than the area of the cross section of the electron beam in the specimen, by the electron beam radiated to the mark part.例文帳に追加

試料に電子ビームを照射する電子ビーム露光装置であって、電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、試料における電子ビームの断面の面積より小さいマーク部を有し、マーク部に電子ビームが照射されることにより、電子ビームの電流を検出する電流検出部とを備える。 - 特許庁

REFERENCE MARK STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE, AND CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

基準マーク構造体、その製造方法及びそれを用いた荷電粒子線露光装置 - 特許庁

The laser beam can be scanned through a scanner (25) to control the pitch of the mark (28).例文帳に追加

スキャナ（２５）を介してレーザ光を走査することができ、マーク（２８）のピッチを制御する。 - 特許庁

A mark 15 for electron beam detection is formed on a conductive base film 15b.例文帳に追加

電子ビーム検出用マーク１５は、導電性の基膜１５ｂ上に形成されている。 - 特許庁

FIDUCIAL MARK, CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM HAVING THE SAME AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

フィデュシャルマーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 - 特許庁

A part of a track is irradiated with a recording optical beam by an optical beam irradiation means to form an optical mark to be visible.例文帳に追加

光ビーム照射手段により、トラックの一部に記録用光ビームを照射させ、視覚可能である光学マークを形成する。 - 特許庁

The position of the mark 120 is confirmed through scanning, using the convergent ion beam from the medium facing surface to perform working, using the convergent ion beam.例文帳に追加

このマーク120を媒体対向面から、集束イオンビームでスキャンして位置を確認して集束イオンビームで加工を行う。 - 特許庁

SUBSTRATE FRONT AND BACK SURFACE MARK POSITION MEASURING METHOD, SUBSTRATE FRONT AND BACK SURFACE MARK POSITION MEASURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF RETICLE FOR ELECTRON BEAM PROJECTION EXPOSURE例文帳に追加

基板表裏面マーク位置測定方法、基板表裏面マーク位置測定装置及び電子線投影露光用レチクルの製造方法 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system which can minimize fogging at the periphery of an alignment mark caused by beam irradiation upon detection of the positioning mark or the pollution of the mark caused by resist removal during alignment of the electron beam lithography system.例文帳に追加

本発明は電子線描画装置におけるアライメントで、位置合わせマーク検出時のビーム照射により引き起こされる位置合わせマーク周辺部でのかぶりや位置合わせマーク部でのレジスト剥離により汚染を極力抑える事が可能な電子線描画装置を提供する事にある。 - 特許庁

The mask 10' is moved so that a mark 101 for lighting beam adjustment is positioned in a target lighting position of the lighting beam IB, and irradiation of the electron beam IB is performed to the mask 10'.例文帳に追加

照明ビームＩＢの目標照明位置に照明ビーム調整用マーク１０１が位置するようにマスク１０´を移動し、マスク１０´に電子線ＩＢを照射する。 - 特許庁

To reduce the light intensity of a laser beam required to form a recording mark.例文帳に追加

本発明は、記録マークを形成するのに必要となるレーザ光の光強度を低下させる。 - 特許庁

To provide a method for detecting a correct mark position in an electron beam exposure system or the like.例文帳に追加

電子線露光装置等において、正確なマーク位置検出を可能とする方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING FOCUS MARK, AND ELECTRON BEAM IRRADIATION TYPE OPTICAL MASTER DISK EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加

フォーカスマーク作成方法及びその装置並びに電子ビーム照射型光ディスク原盤露光装置 - 特許庁

When a wavelength of the reproducing laser beam is defined as λ and the number of openings in an optical laser beam irradiation system is defined as NA, the recording mark stream includes at least the recording marks of which a mark length is < 0.37λ/NA.例文帳に追加

再生レーザービームの波長をλ、レーザービーム照射光学系の開口数をＮＡとしたとき、記録マーク列は、マーク長が０．３７λ／ＮＡ未満である記録マークを少なくとも含む。 - 特許庁

An interference film 3d changing the reflectance and the phase of a laser beam reflected by a mark and a non-mark is provided on the surface on the surface side irradiated with the laser beam of a recording film 3c.例文帳に追加

記録膜３ｃのレーザ光照射面側の表面に、マークと非マークとにより反射されるレーザ光の反射率及びその反射光の位相を変化させる干渉膜３ｄを設ける。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus which can mark with a laser beam having a reduced beam quantity without changing laser conditions at a cutting time.例文帳に追加

切断加工時のレーザ条件を変えることなく、光量の減少したレーザ光でマーキング加工ができるレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁

In this case, hoods 7, 6 which shield a mark member 5 on a reticle stage 3, and the mark peripheral region of the reticle are arranged more adjacent to the charged particle beam side than the reticle 1.例文帳に追加

レチクル１よりも荷電粒子ビーム源側に、レチクルステージ３上のマーク部材５やレチクルのマーク周辺領域を遮蔽するフード７、６を設けた。 - 特許庁