bl -を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 960件
The operation plan of the required number of transfer cranes TC in a container yard CY constituted of the required number of lanes L which are respectively constituted of the required number of cargo blocks BL is made based on inference like retrieval under a prescribed constraint condition, and the most efficient operation plan fulfilling the constraint condition is selected so that the transfer cranes TC can be operated.例文帳に追加
所要数の貨物ブロックＢＬからなるレーンＬを所要数備えるコンテナヤードＣＹにおけるトランスファクレーンＴＣの運用計画であって、所要数のトランスファクレーンＴＣの運用計画を所定の制約条件の下に探索的推論により行い、前記制約条件を満足する運用計画中で最も効率的なものを選択してトランスファクレーンＴＣを運用するものである。 - 特許庁
While the drive circuit carries a current to the storage element through the access transistor by applying a voltage between the bit line BL and the plate line in the first operation of writing and erasure of data to the memory cell MC, applies a voltage opposite to the voltage in the first operation between the well and the plate line PL in the second operation of the writing and the erasure of the data.例文帳に追加
駆動回路は、メモリセルＭＣへのデータの書き込みと消去の一方（第１動作）でビット線ＢＬとプレート線との間に電圧を印加することによって前記アクセストランジスタを介して前記記憶素子に電流を流し、データの書き込みと消去の他方（第２動作）においては、第１動作での前記電圧と逆向きの電圧を前記ウェルと前記プレート線ＰＬとの間に印加する。 - 特許庁
The resistance change memory device includes a number of memory cells, each having two transistors parallel connected between the first node and connection node and a variable resistance element at least in two different resistance states with its one end connected to the connection node, and arranged in a matrix consisting of a first axis and a second axis; and a number of bit lines BL.例文帳に追加
抵抗変化型メモリ装置は、第１ノードと接続ノードとの間に並列接続された２つのトランジスタと、一端を接続ノードと接続され且つ抵抗値が異なる少なくとも２つの状態を有する抵抗変化素子と、を各々が具備し、第１軸および第２軸からなる行列状に配置された複数のメモリセルＭＣと、複数のビット線ＢＬと、を含んでいる。 - 特許庁
In procedure of reading out data written in a ferroelectric capacitor CFe of a ferroelectric memory cell MFe, first voltage for increasing quantity of polarization of the ferroelectric capacitor CFe is applied to the ferroelectric capacitor CFe, after that, a series of read-out voltage for inducing a potential in accordance with the data in a bit line BL is applied to the ferroelectric capacitor CFe.例文帳に追加
強誘電体メモリセルＭＦｅの強誘電体キャパシタＣＦｅに書き込まれたデータを読み出す手順において、強誘電体キャパシタＣＦｅの分極量を増加させるための第１の電圧を、強誘電体キャパシタＣＦｅに印加し、そのあとに、上記データに応じた電位をビットラインＢＬに誘起させるための一連の読み出し電圧を、強誘電体キャパシタＣＦｅに印加する。 - 特許庁
This ink, containing a polycarbonate resin as a binder, contains at least one special colorant selected from among a luminous pigment, a BL pigment, a phosphorescent pigment, a photochromic pigment, a holographic pigment, a pearl pigment, an alumina flake pigment coated with a metal oxide, a silica flake pigment, and a liquid crystal pigment comprising an oriented three-dimensional cross-linked substance having a liquid crystal structure having a chiral phase.例文帳に追加
ポリカーボネート樹脂をバインダーとするインキにおいて、蓄光顔料、ＢＬ顔料、蛍光顔料、フォトクロミック染料、ホログラフィック顔料、パール顔料、金属酸化物でコートされたアルミナフレーク顔料、シリカフレーク顔料、キラル相を有する液晶構造を有する配向三次元架橋物質からなる液晶顔料からから選ばれた、少なくとも一種類の色材を含んでなる。 - 特許庁
A titanium silicide film 22 is formed through a silicon film 21 on an impurity semiconductor region 11 of a memory cell selecting MISFETQs where a bit line BL is formed, and a plug 20 formed inside a connection hole 19 is made of a metal film, so that the bulk resistance and contact resistance of a plug 20 are reduce with no erosion of a semiconductor substrate 1 by the titanium silicide film 22.例文帳に追加
ビット線ＢＬが形成されるメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱｓの不純物半導体領域１１上にシリコン膜２１を介してチタンシリサイド膜２２を形成し、接続孔１９の内部に形成されるプラグ２０を金属膜で構成することによって、半導体基板１をチタンシリサイド膜２２で侵食することなく、プラグ２０のバルク抵抗およびコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁
The ink uses a polycarbonate resin as its binder and contains at least one color material selected from luminous pigments, BL pigments, fluorescent pigments, photochromic dyes, holographic pigments, pearl pigments, metal oxide coated alumina flake pigments, silica flake pigments, and liquid crystal pigments comprising an oriented three dimensional crossliked material with a chiral phased liquid crystal structure.例文帳に追加
ポリカーボネート樹脂をバインダーとするインキにおいて、蓄光顔料、ＢＬ顔料、蛍光顔料、フォトクロミック染料、ホログラフィック顔料、パール顔料、金属酸化物でコートされたアルミナフレーク顔料、シリカフレーク顔料、キラル相を有する液晶構造を有する配向三次元架橋物質からなる液晶顔料からから選ばれた、少なくとも一種類の色材を含んでなる。 - 特許庁
A determination engine 33 of the FTP proxy server 30 is connected to a URL storage database, a reputation database, a black list database, and a white list database, and determines whether a file is allowed to be uploaded to the web server according to URL reliability information with the reference to any one of a URL information extracted by a URL extraction engine 32, a reputation database DB2, a black list database BL, or a white list database WL.例文帳に追加
ＦＴＰプロキシサーバ３０は、判定エンジン３３が、ＵＲＬ格納データベースと、レピュテーションデータベース、ブラックリストデータベース、ホワイトリストデータベースと接続され、ＵＲＬ抽出エンジン３２で抽出されたＵＲＬ情報と、レピュテーションデータベースＤＢ２と、ブラックリストデータベースＢＬと、ホワイトリストデータベースＷＬのいずれかを参照して、ＵＲＬの信頼度情報をもとにファイルのウェブサーバへのアップロードの可否を行なう。 - 特許庁
Preferably, the sucrose fatty acid ester-based emulsifier to be added is selected from such ones as not to lower the viscosity value of the sucrose fatty acid ester-based emulsifier-containing chocolate undiluted solution at 40°C measured with a BL-form rotary viscosimeter than the viscosity value of the chocolate undiluted solution further added lecithin having the same weight as that of the sucrose fatty acid ester-based emulsifier instead thereof.例文帳に追加
好ましくは、前記ショ糖脂肪酸エステル系乳化剤は、該ショ糖脂肪酸エステル系乳化剤を添加したチョコレート原液の４０℃におけるＢＬ形回転式粘度計で測定した粘度値を、該ショ糖脂肪酸エステル系乳化剤に換えて同重量のレシチンを更に添加したチョコレート原液の当該粘度値より低下させることのないショ糖脂肪酸エステル系乳化剤より選択される。 - 特許庁
The deblocking filtering method comprises steps for: determining a present block and its neighboring block on which deblocking filtering will be performed; judging whether the present block and the neighboring block have been coded by the intra BL mode; determining a deblocking filter strength according to the result of the judgment; and performing the deblocking filtering with respect to a boundary between the present block and the neighboring block according to the deblocking filter strength.例文帳に追加
デブロックフィルタリングを行う現在ブロックとその隣接ブロックとを決定する段階と、現在ブロックと隣接ブロックとがイントラＢＬモードでコーディングされたか否かを判断する段階と、判断された結果によってデブロックフィルタ強度を決定する段階と、デブロックフィルタ強度によって現在ブロックと隣接ブロックとの境界に対してデブロックフィルタリングを行う段階よりなるデブロックフィルタリング方法。 - 特許庁
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