「capacitance effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field-effect transistor having a T-shaped gate electrode, together with its manufacturing method which has a reduced source resistance, a reduced gate resistance, and a reduced gate capacitance while keeping a sufficient gate breakdown voltage, and which can be manufactured with high accuracy and a high yield.例文帳に追加

ソース抵抗およびゲート抵抗を低減し、十分なゲート耐圧を保ちつつ、ゲート容量を低減し、高精度にかつ歩留りよく形成することができるＴ型ゲート電極を備えた電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

Moreover, this can jointly have the inflow checking effect of the thunder change and the signal deterioration preventive function in the case where the power line is used as a signal line, by connecting a ZnO element 71 and a discharge tube 72 in series, thereby making them function as a surge absorber which is small in capacitance.例文帳に追加

また、ＺｎＯ素子７１及び放電管７２を直列接続することで、続流の遮断能力を持ちつつ静電容量の小さいサージアブソーバとして機能させ、雷サージの流入抑止効果と、電源線を信号線とした場合の信号劣化防止能力を合わせ持つことができる。 - 特許庁

To provide an oscillation circuit capable of realizing stable oscillation of the oscillation circuit by reducing the effect of parasitic resistance and parasitic capacitance of a vibrator on the resonance characteristic (Q value, gain, etc.), with improved measurement accuracy of a vibration type sensor, and to provide the vibration type sensor using the same.例文帳に追加

振動子の寄生抵抗や寄生容量による共振特性（Ｑ値やゲイン等）への影響を低減して、発振回路の安定した発振を実現し得ると共に、振動式センサの測定精度を向上させ得る発振回路およびそれを用いた振動式センサを提供する。 - 特許庁

The capacitive element group can be connected with specified capacitive elements having a capacitance set to eliminate the effect of at least parasitic capacitance of the capacitive element group.例文帳に追加

半導体装置は、複数の単位容量素子Ｃｕで構成される容量素子群Ｃ４〜Ｃ６を有する半導体装置において、容量素子群の上部電極７の全体の外周に、容量素子群の各単位容量素子の下部電極の取り出し電極８を配設しており、容量素子群には所定の容量素子が接続可能であり、所定の容量素子は、少なくとも容量素子群の寄生容量の影響を除去すべく、容量値が設定されてなる。 - 特許庁

For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.例文帳に追加

例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor memory and a manufacturing method thereof, whereby the parasitic capacitance between a gate electrode and source can be reduced to thereby reduce the charge consumption at the gate electrode, avoid lowering the operating speed, and reduce the power consumption.例文帳に追加

ゲ−ト電極とソ−スとの間に形成される寄生容量を小さくすることができ、そのため、ゲ−ト電極の電荷の消費量を低減させ、動作速度の低下を防止し、消費電力の低減をはかることができる電界効果型半導体メモリ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To perform high-performance static elimination by high frequency and high voltage, and also reduce effect of capacitance between an output end of a self-oscillation booster circuit and a destaticizing electrode, thereby a cable length can be extended and adjustment for balancing between positive ions and negative ions can be performed sufficiently.例文帳に追加

高周波高電圧による性能の高い除電が行えるのは勿論のこと、自励発振昇圧回路の出力端と除電電極との間の静電容量による影響を低減して、ケーブル長の延長を可能にすること、およびプラス・マイナスのイオンバランス調整を充分に行えるようにする。 - 特許庁

As a result, the fluctuation signal is generated in the simple composition, a lighting condition is changed in response to movement of the human body M to enhance the illumination effect, and the stray capacitance is generated in any part around the electrode portion 2, so that the detection range and the detection place for generating the fluctuation signal are designed freely.例文帳に追加

これにより、簡単な構成で揺らぎ信号を発生でき、人体Ｍの動きに応じて照明の状態を変化させて照明の演出性を高め、また、浮遊容量を電極部２の周りのどこででも発生でき、揺らぎ信号を発生させるための検知範囲や検知場所を自由に設計できる。 - 特許庁

In a semiconductor device, a shortest width 11 which is present in the top surface of its lower electrode 6 has a value such that the effect of the dishing caused by a CMP method falls within the tolerance range, and other widths which are present in the top surface of its lower electrode 6 have lengths such that they can realize the planar area, capable of holding required capacitance value.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、下部電極６の上面における最短幅１１がＣＭＰ法によるディッシングの影響が許容範囲内となる値を有しており、下部電極６の上面における他の幅は、必要な容量値を保持可能な平面積を実現する長さを有している。 - 特許庁

Accordingly, the parasitic capacitance having an effect on the charge/discharge of the source signal line affects only the source signal line from the output of a source driver to the pixel selected to be written to the pixel, so that the power consumption due to the charge/discharge of the source signal line is decreased to thereby achieve low power consumption.例文帳に追加

それにより、ソース信号線の充放電に影響する寄生容量が、ソースドライバの出力から画素への書込みが選択されている画素までのソース信号線にしか影響しなくなり、ソース信号線の充放電による消費電力の増大を小さくし低消費電力化を図ることができる。 - 特許庁

A liquid crystal device 100 has a side light shield layer 7a perpendicular to a support substrate 10d, formed along both width-directional ends of a lattice-shaped non-display area 100c where a scan line 3a, a capacitance line 5b, a data line 6a and a field effect transistor 30 are formed on the support substrate 10d.例文帳に追加

液晶装置１００では、支持基板１０ｄにおいて、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０が形成されている格子状の非表示領域１００ｃの幅方向の両端部に沿って、支持基板１０ｄに対して垂直な側部遮光層７ａが形成されている。 - 特許庁

To prevent a noise applied to a controller and an adverse effect on a control such as a malfunction in a current zero-cross detection due to a distortion in a detection of an output current if there is a capacitive component such as a stray capacitance at an output of a voltage inverter impossible to control a waveform.例文帳に追加

電圧形インバータ、特に波形の制御が不可能な電圧形インバータの出力に浮遊静電容量などの容量成分が存在する場合に、出力電流の検出に歪みが生じることで、制御装置にノイズを重畳し、電流ゼロクロス検出の誤動作などの制御への悪影響を防止する。 - 特許庁

Since the transistor 102 is turned ON, a potential at the source of the transistor 102 is increased but a potential between the gate and the source is held by capacitance between the gate and the source of the transistor 102 and since the gate of the transistor 102 is floating, a potential at the gate of the transistor 102 is also increased by a capacitive coupling effect.例文帳に追加

トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。 - 特許庁

Furthermore, since the parts (conductive layers 1a and 1b) of the loops formed on an underlying interlayer insulation film between both inductors have an equal length and the parts (conductive layers 2a and 2b) formed on an overlying interlayer insulation film also have an equal length, an external parasitic capacitance has an equal effect on both inductors.例文帳に追加

更に、両インダクタの間で、ループの長さのうち下層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層１ａ及び１ｂ）の長さが互いに等しく、上層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層２ａ及び２ｂ）の長さも互いに等しいため、外部からの寄生容量等の影響は両インダクタに等しく作用する。 - 特許庁

The output sections have a field effect transistor 19 having a gate electrostatic capacitance connected to the signal lines so as to be connected in series to the capacitor 15 and an output circuit 20 for outputting the signal corresponding to the information according to the switching action of this transistor 19 so as to make the switching action corresponding to the change in the charge quantities.例文帳に追加

出力部は、前記電荷量の変化に対応したスイッチング動作をなすべく前記キャパシタと直列的に接続されるように信号線に接続されたゲート静電容量を備える電界効果トランジスタ１９と、該トランジスタのスイッチング動作に応じて前記情報に対応した信号を出力する出力回路２０とを備える。 - 特許庁

An integration circuit comprising a resistance arranged at a connector connection detection part and the capacitance of the HDMI cable itself measures variation in rise time of a signal when a pulse signal is output from the connection detection part by the connection detection part to obtain the effect of detecting whether the cable is connected.例文帳に追加

本発明では、コネクタ接続検出部に配置した抵抗と、ＨＤＭＩケーブル自身の静電容量とで構成される積分回路によって、接続検出部からパルス信号を出力した際の信号の立ち上がり時間の変化を接続検出部で計測することで、ケーブルの接続の有無を検出するという効果を奏するものである。 - 特許庁

To enable for a control device to be adopted in a vehicle gauge which instructs in accordance with a pulse signal to normally maintain an waveform of the pulse signal without influenced by a temporary cutoff of a power voltage when the pulse signal is at a high level even if a field-effect transistor with high input impedance is effectively utilized and a condenser with small capacitance is used.例文帳に追加

パルス信号に応じて指示する車両用計器に採用する制御装置において、入力インピーダンスの高い電界効果型トランジスタを有効に活用して、小さな静電容量のコンデンサを用いても、パルス信号のハイレベル中に電源電圧の一時的遮断が生じたときこれに影響されることなくパルス信号の波形を正常に維持するようにすることを目的とする。 - 特許庁