「capacitance effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an improved control method and an improved control device of a power semiconductor switch capable of minimizing the effect of parasitic capacitance.例文帳に追加

寄生容量の影響を最少化させることのできる、パワー半導体スイッチの改良された制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor by which on-state resistance and off capacitance are reduced and a device breakdown voltage is improved, and provide a photo relay using the transistor.例文帳に追加

オン抵抗及びオフ容量の低減、並びに素子耐圧の向上が可能な電界効果トランジスタ及びそれを用いたフォトリレーを提供する。 - 特許庁

To prevent interception of wireless signals due to low impedance of a gaseous discharge element in case of discharge by surge invasion and to prevent deterioration of voltage standing wave ratio(VSWR) and loss characteristics by the effect of capacitance between electrodes of the gaseous discharge element.例文帳に追加

この方式では内部導体とがサージ侵入による放電時、ガス放電素子が低インピーダンス化し、無線信号を遮断する。 - 特許庁

This can reduce stray capacitance that occurs between the connection parts 16a and 16b and the connection parts 16c and 16d to enhance a noise rejection effect.例文帳に追加

これにより、接続部１６ａ，１６ｂと接続部１６ｃ，１６ｄとの間に生じる浮遊容量を減少し、ノイズ除去効果を高めることができる。 - 特許庁

To provide a junction gate field effect transistor having a reduced parasitic capacitance in a gate electrode and an satisfactory high-frequency characteristic.例文帳に追加

ゲート電極に寄生する寄生静電容量の容量が小さく、良好な高周波特性を示す接合ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which high-speed operation of a field effect transistor formed by using an n type GaN substrate is realized by reduction of parasitic capacitance.例文帳に追加

寄生容量低減によって、ｎ型ＧａＮ基板を用いて形成される電界効果トランジスタの高速動作を可能とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

Additionally, even if a horizontal section 31 is provided at the upper end section of the first radiation conductor 3, the capacitance increases, so that the similar effect can be expected.例文帳に追加

また、第１の放射導体３の上端部に水平部３１を付設しても、そのキャパシタンスが大きくなるので同様の効果が期待できる。 - 特許庁

To eliminate an adverse effect of parasitic capacitance, and reliably detect human contact, in a structure of installing a sensor plate on a silicon substrate by a conductive film.例文帳に追加

シリコン基板上に導電膜によりセンサ板を設ける構造において、寄生容量の影響を無くし、人体の接触を確実に検知可能とする。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor wherein operational efficiency and speed can be increased by applying a gate voltage efficiently to make the capacitance component small.例文帳に追加

ゲート電圧を効率的に印加し、キャパシタンス成分を小さくすることにより、高効率化、高速化を図ることが可能な電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

Buffers 8, 13 branch the received signal to respective circuits while decreasing the effect of the input capacitance of a video amplifier 16 on a correction circuit 10.例文帳に追加

バッファ８、１３は、補正回路１０に対してビデオアンプ１６の入力容量の影響を少なくしつつ、入力信号をそれぞれの回路に分岐する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent parasitic bipolar effects caused by board floating effect and besides can reduce the gate capacitance.例文帳に追加

基板浮遊効果による寄生バイポーラ効果を防止し、且つ、ゲート容量の低減を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable obtaining proper isolation characteristic, even when a high-frequency signal is inputted in which off-capacitance of a field effect transistor that becomes a problem.例文帳に追加

電界効果トランジスタのオフ容量が問題となる高周波信号が入力される場合でも、良好なアイソレーション特性が得られるようにする。 - 特許庁

When the very thin activated carbon fiber is used, the subsidiary conductive material itself having a large capacitance has an effect in increasing even the capacity.例文帳に追加

また、極細活性炭素繊維を用いる場合には導電補助材自体が大きな静電容量を持つことで容量をも増加させる効果を有する。 - 特許庁

To provide a technology for maintaining the capacitance-coupling effect between the source electrode and the data line of a liquid crystal display device in a thin film transistor array structure.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ構造について、液晶表示装置のソース電極とデータラインとの間のキャパシタンスカップリング効果を維持する技術を提供する。 - 特許庁

To provide an insulated gate type semiconductor device which reduces gate-collector capacitance without hindering an on-voltage caused by an injection enhancement effect.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置において、インジェクション・エンハンスメント効果による低オン電圧化を妨げることなく、ゲート−コレクタ間容量を低減させること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic material and a piezoelectric actuator, which have high displacement characteristics, are little affected by a pyroelectric effect, and assure a short capacitance stabilization time.例文帳に追加

高い変位特性を有し、焦電効果の影響が小さく、静電容量安定化時間が短い圧電磁器材料および圧電アクチュエータを提供すること。 - 特許庁

Moreover, candidates of the link extension position and candidates of the link capacitance extension position are extracted, the former during-failure hop-length competitiveness reduction effect is compared with the latter during-failure number-of-flows competitiveness reduction effect and by selecting the more effective one, link extension and link capacitance extension position selections are simultaneously performed.例文帳に追加

さらに、リンク増設箇所の候補とリンク容量増設箇所の候補を抽出し、前者の障害時フロー長倍率低減効果と後者の障害時フロー数倍率低減効果を比較し、より効果の大きな方を選択することで、リンク増設とリンク容量増設箇所の選定を同時に行う。 - 特許庁

To provide a system and method for measuring a circuit that detects parasitic capacitance, corrects its effect, and obtains a true circuit characteristic, in measuring the circuit where the measurement value is varied by the parasitic capacitance occurring in a measuring environment.例文帳に追加

測定環境において生じる寄生容量により測定値が変動する回路の測定において、寄生容量を検出してその影響を補正し、真の回路特性を得る回路測定システム及び回路測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating process, in which a low resistance, high operation speed insulated gate field-effect transistor capable of reducing parasitic capacitance is realized.例文帳に追加

低抵抗でかつ寄生容量を低減し得る高速動作の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which influence of threshold value variation (approximation effect) caused by parasitic capacitance between adjacent memory cells can be removed.例文帳に追加

隣接するメモリセル間の寄生容量によって生じるしきい値変動（近接効果）の影響を排除することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To form a low-resistance fine electrode for reducing an electric field between the gate and the drain without causing an increase in capacitance, in a field effect transistor and its manufacturing method.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ及びその製造方法に関し、容量の増加を招かず、ゲート−ドレイン間に低抵抗な微細な電界緩和用電極を設ける。 - 特許庁

To provide a touch panel and a display device, having high responsiveness and high accuracy of detecting touch coordinates by suppressing effect of parasitic capacitance of detection wirings and a detection circuit.例文帳に追加

検出回路および検出配線の寄生容量の影響を抑制し、応答性およびタッチ座標の検出精度の高いタッチパネルおよび表示装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit such as a memory having an electrode and interconnection decreasing parasitic capacitance between source/drain of a MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor) and a logic circuit embedded with the memory.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン間の寄生容量を減少させる電極および配線を有したメモリや、メモリ混載のロジック等の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a laser beam machine capable of coping with high speed laser beam machining by suppressing an effect on a capacitance caused by plasma generation.例文帳に追加

本発明の目的は、プラズマの発生が静電容量に与える影響を抑えることで、より高速レーザ加工に対応できるレーザ加工装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a means for canceling an effect of capacitance which a ultrasonic oscillator constituting a ultrasonic speaker has as a dielectric and efficiently driving the oscillator.例文帳に追加

超音波スピーカを構成する超音波振動子が誘電体として持つ静電容量の効果を打ち消して、当該振動子を効率良く駆動する手段を提供する。 - 特許庁

To improve vertical stripes in a selector-drive liquid crystal display device by reducing a difference of the effect of coupling resulting from a parasitic capacitance between signal lines.例文帳に追加

セレクタ駆動方式の液晶表示装置において、信号線間における寄生容量に起因するカップリングの影響の差を緩和して、縦スジの改善を実現する。 - 特許庁

To provide a wiring board in which the effect of a parasitic capacitance between an electrode pad and a face conductor can be reduced effectively and thereby entire impedance matching can be realized easily.例文帳に追加

電極パッドと面導体との寄生キャパシタンスの影響を効果的に縮小でき、全体のインピーダンス整合を容易に実現できる配線基板を提供する。 - 特許庁

Since the linear characteristic region is free from the influence of the flicker by the effect of parasitic capacitance, photographing can be performed while eliminating the influence of the flicker even if the flicker occurs.例文帳に追加

線形特性領域では寄生容量の作用でフリッカの影響を受けないので、フリッカが発生してもその影響を除去して撮影を行うことができる。 - 特許庁

To enable a semiconductor device, such as a MOS-FET (metal-oxide semiconductor-field effect transistor) having a small capacitance between a gate and a drain to be manufactured, through a simple process.例文帳に追加

単純な工程によりゲート−ドレイン間容量が小さいＭＯＳ−ＦＥＴ等の半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dual-gate field effect transistor (DGFET) structure which can noticeably reduce the parasitic capacitance under its source/drain region, and its manufacturing method.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域下の寄生容量を顕著に低減できる二重ゲート型電界効果トランジスタ（ＤＧＦＥＴ）構造体およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, increase of capacitance between the counter electrodes 42 and the earthing plates 61 is avoided, and a desired spark suppression effect by the high-resistance resin sheet 60 is exerted.例文帳に追加

その結果、対向電極（42）とアース板（61）との間における静電容量の増大が回避され、高抵抗樹脂シート（60）による所期のスパーク抑制効果が発揮される。 - 特許庁

To provide an illuminating device capable of obtaining an excellent photographing effect regardless of inconvenience such as drop of voltage capacitance of a main capacitor in multi-light emission by a xenon tube.例文帳に追加

キセノン管によるマルチ発光に際し、メインコンデンサの電圧容量低下等の不都合に関わらず、良好な撮影効果を得ることができる照明装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the short channel effect in forming pocket regions on a semiconductor substrate without increasing the junction capacitance between a source-drain diffusion region and the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板にポケット領域を形成する場合に、ソース・ドレイン用拡散領域と半導体基板間の接合容量を増大させることなく、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

From an extending auxiliary capacitance line 52 orthogonal to the signal line, plural shield electrodes 53 with a shielding effect are staying and each of them is extending along the signal line.例文帳に追加

信号線と直交して延びる補助容量線５２からは、静電遮蔽性を有する複数のシールド電極５３が延在し、それぞれ信号線に沿って延びている。 - 特許庁

The capacitance value of the hold capacitor is determined on the basis of the gate capacitance value of the correcting transistor and the amount of the charge flowing into the hold capacitor during the voltage variation of a pulse voltage line is appropriately set, whereby the effect of the variation in the threshold value of the driving TFT on the driving current can be effectively reduced.例文帳に追加

保持容量の容量値を補正トランジスタのゲート容量値に基づいて決定し、パルス電圧ラインの電圧変化の際に保持容量に流れ込む電荷量を適切に設定し、駆動ＴＦＴのしきい値変動の駆動電流への影響を効果的に減少できる。 - 特許庁

To solve a problem that the capacitance is shifted from a specified value due to the effect of an excessive capacitance being formed at the outer circumferential edge part as the wiring board incorporating a capacitive element is reduced in size and profile even if variation in the facing area of a capacitive element electrode layer is suppressed.例文帳に追加

容量素子内蔵配線基板の小型化・低背化に伴い、容量素子電極層の対向する面積の変化を抑えたとしても外周縁部分で生じる余分な静電容量成分の影響のため、静電容量値が所定の値からずれてしまう。 - 特許庁

To increase operation speed by effectively restraining a short channel effect and reducing capacitance of a drain or a source and a gate, in order to realize micronization and large scale integration of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの微細化と大規模な集積化を図る上で、短チャンネル効果を効果的に抑制し、ドレインあるいはソースとゲートとの容量を低減させて動作速度を高める。 - 特許庁

To provide a capacitance type acceleration sensor of high sensitivity which is so designed that it cancels the effect in the Z-axis direction with the Coulomb force and detects accurately the acceleration in the horizontal direction.例文帳に追加

Ｚ軸方向の影響をクーロン力により打ち消して、水平方向の加速度を正確に検出するようにした高感度の静電容量型加速度センサを提供すること。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device which can prevent an increase in the parasitic capacitance of a field effect transistor while eliminating a problem with lift-off performance or the erosion of a T-shaped gate electrode.例文帳に追加

リフトオフ性の問題やＴ型ゲート電極の侵食が無く、電界効果トランジスタの寄生容量の増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To form more micro-projections and recessed parts on the surface of a silicon than in the conventional method, and to make a capacitor electrode to have large capacitance and to manufacture various quantum effect element.例文帳に追加

本発明の課題はシリコン表面に従来法以上に微細な凹凸を形成し、キャパシタ電極の高容量化及び種々の量子効果素子の製造を可能にすることである。 - 特許庁

To provide a capacitance sensor that suppresses the effect on other electronic equipment caused by the noise produced from a detecting electrode, and to provide a proximity sensor for a vehicle using that sensor.例文帳に追加

検出電極からの発生するノイズによる他の電子機器の影響を抑制することができる静電容量センサ及びそれを用いた車両用近接センサを提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion apparatus which can reduce an effect of a noise caused from a parasitic capacitance and can write by a simply composed writing circuit of a low power consumption.例文帳に追加

寄生容量によるノイズの影響を低減することが可能であり、また、簡素な構成で低消費電力の読み出し回路で読み出し可能な光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To improve low-frequency characteristics by omitting coupling capacitance, to prevent pop noise from being generated, and to eliminate the adverse effect of variation in automobile battery voltage.例文帳に追加

結合容量を省略して、低域周波数特性を向上させることができ、且つポップノイズの発生を防止できると共に、自動車バッテリ電圧の変動による悪影響を排除すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor structure which has a reduction in the overlap capacitance between a gate electrode and source/drain regions and in the resistance of a channel coupling that is set by a manufacturing process.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン領域の間のオーバラップ容量を低減し製造プロセスにより設定されるチャネル連結部の抵抗も低減した電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

In the acceleration detecting sensor 2, when an electrostatic capacitance of the variable condenser 8 varies due to an effect of acceleration, the variation is output in the converting circuit 10 via the fixed electrode 6.例文帳に追加

加速度検出センサ２では、加速度が作用して可変コンデンサ８の静電容量が変化すると、固定電極６を通してその変化が変換回路１０に出力される。 - 特許庁