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capacitance elementsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 268



例文

Accordingly, the multilayer printed wiring board can be miniaturized if the same number of the capacitance elements 70 are mountd as that of the capacitance elements of the conventional multilayer printed wiring board.例文帳に追加

従って、同じ数のキャパシタンス素子70であれば多層プリント配線板を小型化することができる。 - 特許庁

The MEMS type capacitance detecting elements 120 are arranged on vertical and lateral sides of the electrostatic capacity type capacitance detecting elements 110, and the electrostatic capacity type capacitance detecting elements 110 are arranged on vertical and lateral sides of the MEMS type capacitance detecting elements 120.例文帳に追加

静電容量式容量検出素子110の上下左右に、MEMS式容量検出素子120が配置され、MEMS式容量検出素子120の上下左右に、静電容量式容量検出素子110が配置される。 - 特許庁

The second coupling circuit (40) cross-couples the other capacitance element (22) of each of the two capacitance elements by using two resistance elements (41, 42).例文帳に追加

第2の結合回路(40)は、当該2つの容量素子の他方(22)どうしを2つの抵抗素子(41,42)でクロス結合する。 - 特許庁

Capacitance elements C1-C4 are arranged on a semiconductor substrate, and a series circuit of the capacitance elements C1, C2 and a series circuit of the capacitance elements C3, C4 are connected in parallel between electric potentials V1, V2.例文帳に追加

半導体基板上に容量素子C1〜C4が配置され、容量素子C1,C2の直列回路と容量素子C3,C4の直列回路とが電位V1,V2間に並列に接続されている。 - 特許庁

例文

To improve the reliability of a semiconductor device having capacitance elements.例文帳に追加

容量素子を有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁


例文

An electrostatic capacitance of the ESD protection elements is equal to or lower than 0.35 pF.例文帳に追加

静電気対策素子の静電容量は0.35pF以下である。 - 特許庁

This capacitance detector is equipped with capacitance detection elements disposed in rows and columns, row lines RL for selecting capacitance detection elements disposed in each line, and output lines OL for outputting signals from capacitance detection elements disposed in each column.例文帳に追加

行列状に配置された静電容量検出素子、各行に配置された静電容量検出素子を選択するための行線RL、各列に配置された静電容量検出素子からの信号を出力するための出力線OLを備える。 - 特許庁

A control voltage is applied to the voltage controlled capacitance elements VC1-VC4.例文帳に追加

電圧制御型容量素子VC1〜VC4に制御電圧を印加する。 - 特許庁

The pipeline A/D converter 1 selects and sets one or a plurality of capacitance elements among a plurality of capacitance elements as an SCF capacitance of each pipe stage 10.例文帳に追加

パイプラインA/D変換器1は、各パイプステージ10のSCF容量として、1つまたは複数の容量素子を、複数の容量素子の中から選択して設定可能なように構成されている。 - 特許庁

例文

A varactor diode and a MOS varactor can be used as variable capacitance elements.例文帳に追加

可変容量素子として、バラクタダイオードとMOSバラクタを用いることができる。 - 特許庁

例文

To make it possible to efficiently integrate capacitor elements and to make it easy to cope with a capacitance difference, in a capacitor device composed of many capacitor elements to provide a necessary capacitance.例文帳に追加

多数の蓄電要素から所要容量に構成される蓄電装置において、蓄電要素を効率よく集積化でき、かつ容量違いに対応しやすくする。 - 特許庁

To provide an electrode for electrochemical elements having excellent capacitance and rate characteristics.例文帳に追加

容量特性及びレート特性に優れた電気化学素子用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance element wherein parasitic resistance among variable capacitance elements formed on a silicon IC is reduced.例文帳に追加

シリコンIC上に構成されたそれぞれの可変容量素子間の寄生抵抗を小さくした可変容量素子を提供する。 - 特許庁

To integrate capacitor elements with large capacitance and stable capacitance values on a semiconductor substrate using a multilayer wiring structure.例文帳に追加

多層配線構造を使って、キャパシタンスが大きく、かつキャパシタンス値が安定なキャパシタ素子を半導体基板上に集積化する。 - 特許庁

MIM (Metal Insulator Metal) capacitance elements formed by comblike patterns of wiring M2 to M6 are arranged on the upper part of the capacitance element C1, and connected in parallel with the capacitance element C1.例文帳に追加

容量素子C1の上部に配線M2〜M6の櫛型のパターンにより形成したMIM型の容量素子を配置し、これを容量素子C1と並列に接続する。 - 特許庁

Each wire pair forms capacitance elements 6, 6', 6".例文帳に追加

各ワイヤの対6a,6b;6a',6b';6a",6b"は、静電容量要素6,6',6"を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode for electrochemical elements having excellent capacitance and cycle characteristics.例文帳に追加

容量特性及びサイクル特性に優れた電気化学素子用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be manufactured with provision of capacitance elements and fuse elements without addition of any photolithography process.例文帳に追加

容量素子及びヒューズ素子を有し、フォトリソグラフィ工程を追加することなく製造可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Fixed capacitance elements C3 and C4 are connected in series with signal side ends of distributed constant LC resonance circuits D1 and D2, and connected in parallel with variable capacitance elements C1 and C2.例文帳に追加

分布定数型LC共振回路D1,D2の信号側端部に固定容量素子C3,C4を直列的に接続し、可変容量素子C1,C2を並列的に接続している。 - 特許庁

To reduce parasitic capacitance of a plurality of capacitance elements and improve relative accuracy in a semiconductor device where a plurality of capacitive elements are formed on an element isolating insulation film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜上に複数の容量素子が形成された半導体装置において、複数の容量素子の寄生容量を低減するとともに、相対精度の向上を図る。 - 特許庁

The capacitance elements 60 and 61 have capacitance reducing the parasitic capacitance between the input terminal and the output terminal of each of the semiconductor switch elements 20b and 20d at a frequency being N times of the clock frequency of the pulsed signal supplied to the semiconductor switch elements 20b and 20d.例文帳に追加

キャパシタンス素子60,61は、半導体スイッチ素子20b、20dの各々の入力端子と出力端子間の寄生容量を、半導体スイッチ素子20b、20dに供給されるパルス状信号のクロック周波数のN倍の周波数において低減する容量を有する。 - 特許庁

To efficiently configure elements while improving reliability in decoupling capacitance.例文帳に追加

デカップリング容量の信頼性向上を図りつつ、効率的な素子配置を行えるようにすること。 - 特許庁

Large load is applied to the signal line because many elements are connected to the signal line and therefore parasitic capacitance is high.例文帳に追加

該信号線には接続されている素子が多く寄生容量が大きいため高負荷である。 - 特許庁

The antenna circuit includes inductance elements L1 and L2 that are magnetically coupled together as radiation elements, an LC series resonance circuit that includes an inductance element L1 and capacitance elements C1a and C1b, and an LC series resonance circuit that includes an inductance element L2 and capacitance elements C2a and C2b.例文帳に追加

放射素子として互いに磁気結合するインダクタンス素子L1,L2を備え、インダクタンス素子L1とキャパシタンス素子C1a,C1bとからなるLC直列共振回路と、インダクタンス素子L2とキャパシタンス素子C2a,C2bとからなるLC直列共振回路を含むアンテナ回路。 - 特許庁

The capacitance elements C10 to C13 have different absolute values of capacitance and are provided so as to cover the frequency range intended by a designer.例文帳に追加

静電容量素子C10〜C13は、容量の絶対値が異なるもので構成され、設計者が意図する周波数範囲をカバーするよう設ける。 - 特許庁

The capacitance values of all capacitance elements C1-C8 are the same, and when the number of transistors to be turned on is increased, an output load capacity value is increased.例文帳に追加

静電容量素子C1〜C8は、静電容量値がすべて同じとなっており、ONするトランジスタが増えていくと出力負荷容量値が大きくな。 - 特許庁

The capacitance C_3 of capacitive elements for storing electric charges used by each drive circuit 7 in the output circuit 4 is the same for all the capacitive elements.例文帳に追加

出力回路4内の各駆動回路7で用いる電荷蓄積用の容量素子の値C_3は全ての容量素子において同じである。 - 特許庁

To provide an electrode for electrochemical elements capable of charging and discharging at a high speed and configuring electrochemical elements with a high capacitance.例文帳に追加

高速での充放電が可能でかつ高容量の電気化学素子を構成することができる電気化学素子用電極を提供する。 - 特許庁

Each secondary integrator (100_I, 100_Q) includes an operational amplifier (10), four resistance elements (11 to 14), and three capacitance elements (21 to 23).例文帳に追加

各2次積分器(100_I、100_Q)は、演算増幅器(10)と、4つの抵抗素子(11〜14)と、3つの容量素子(21〜23)とを備えている。 - 特許庁

An inter-resistance element parasitic capacitance value calculation unit 16 selects out of the resistance database two resistance elements sharing a common section capable of generating parasitic capacitance, calculates the parasitic capacitance value between the resistance elements, and stores the value in a parasitic capacitance list wherein the value and the nodes are coordinated with each other.例文帳に追加

抵抗素子間寄生容量値算出部16は、抵抗データベースから寄生容量を発生させる共通区間を有する二つの抵抗素子を選択して抵抗素子間の寄生容量値を算出し、算出した寄生容量値と前記ノードとを関連付けて寄生容量リストに保存する。 - 特許庁

A laminated demultiplexer is provided with a high-pass filter circuit equipped with first to third capacitance elements and a first inductance element; a first low-pass filter circuit equipped with fourth to sixth capacitance elements and a second inductance element; and a second low pass filter circuit equipped with seventh and eight capacitance elements and a third inductance element.例文帳に追加

積層型分波器が,第1〜第3のキャパシタンス素子と,第1のインダクタンス素子と,を備えるハイパスフィルタ回路と,第4〜第6のキャパシタンス素子と,第2のインダクタンス素子と,を備える第1のローパスフィルタ回路と,第7,第8のキャパシタンス素子および第3のインダクタンス素子と,を備える第2のローパスフィルタ回路と,を具備する。 - 特許庁

To provide an antenna system whose height is easily reduced while using a chip antenna arranged with variable capacitance elements.例文帳に追加

可変容量素子を配設したチップアンテナを用いつつ低背化が容易なアンテナ装置を提供すること。 - 特許庁

The m×n capacitance elements are placed like houndstooth check when seeing the pressure detector in plane.例文帳に追加

m×n個の静電容量素子は、圧力検知部を平面的に見て、千鳥状に配置されている。 - 特許庁

The differentiators 1 are provided with capacitance elements connected between the buffers B1,... and the adders 2.例文帳に追加

微分器1には、出力バッファB1、…と加算器2との間に接続された容量素子が設けられている。 - 特許庁

To provide a logic circuit, an A/D converter circuit and the like with a little elements utilizing a capacitance coupling circuit.例文帳に追加

容量結合回路を利用して少ない素子数で論理回路,AD変換回路等を提供する。 - 特許庁

The capacitor has capacitance elements C_1-C_4 formed on an insulation film 12 covering the surface of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上に容量素子C_1〜C_4を形成する。 - 特許庁

To repair a short circuit defect between auxiliary capacitance elements without damaging pixel electrodes.例文帳に追加

補助容量素子間の短絡不良を画素電極に損傷を与えることなく修復可能にする。 - 特許庁

In the insulating film layer, the conductive patterns b are each formed, and they are capacitance elements C and inductive elements L to form a two-stage LC filter.例文帳に追加

絶縁膜層にはそれぞれ導体パターンbを形成し、それらは容量素子Cおよび誘導素子Lとし、2段のLCフィルタの構成にする。 - 特許庁

To provide an electromechanical conversion device capable of reducing crosstalk between electromechanical conversion elements by reducing capacitance between the elements.例文帳に追加

電気機械変換エレメント間の静電容量を低減して、エレメント間の信号のクロストークを低減することができる電気機械変換装置を提供する。 - 特許庁

To set the capacitance of a snubber capacitor used in common for a two semiconductor switching elements to a value which is identical to the capacitance of the snubber capacitor having a larger capacitance, when an independent snubber circuit is provided to each semiconductor switching element.例文帳に追加

2つの半導体スイッチング素子に共通で使用されるスナバコンデンサの容量を、各半導体スイッチング素子に独立したスナバ回路を設けたときの容量が大きい方のスナバコンデンサの容量と同等とする。 - 特許庁

To the capacitance element side of the resistance element connected between individual resistance elements at the closest position the capacitance element, a switching element composed of, for example, transistors is connected.例文帳に追加

各抵抗素子間及び最も容量素子に近い位置に接続された抵抗素子の容量素子側には、例えばトランジスタからなるスイッチ素子が接続されている。 - 特許庁

The adjacently laminated capacitance lines CpL1-CpL4 and the interlayer insulating layers among the capacitance lines CpL1-CpL4 compose the capacitive elements Cp1-Cp3.例文帳に追加

隣接して積層された容量線CpL1〜CpL4及びそれら容量線CpL1〜CpL4間の層間絶縁層は、容量素子Cp1〜Cp3を構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plurality of capacitive elements narrow in a capacitance distribution and low in ESR at the same time.例文帳に追加

容量分布が狭くESRの低いコンデンサ素子を複数個同時に製造する方法を提供する。 - 特許庁

When a pixel pitch is kept as before, it is easy to increase the number of circuit elements and the capacitance value.例文帳に追加

従前の画素ピッチを維持する場合は回路素子数の増加や容量値の増加が容易に可能となる。 - 特許庁

To easily manufacture a semiconductor substrate which can securely be reduced in the parasitic capacitance when elements are provided.例文帳に追加

素子が設けられた場合の寄生容量を確実に低減できる半導体基板を容易に作製できる。 - 特許庁

Driving elements for respective pixels 35 are connected with signal lines 31, power source lines 32, scanning lines 33 and capacitance lines 38.例文帳に追加

各画素35用の駆動素子を、信号線31、電源線32、走査線33、容量線38で接続する。 - 特許庁

The capacitance elements C_1-C_4 are divided into a first group G_1 including C_1, C_3, and a second group G_2 including C_2, C_4.例文帳に追加

容量素子C_1〜C_4を、C_1,C_3を含む第1群G_1と、C_2,C_4を含む第2群G_2とに分ける。 - 特許庁

The first coupling circuit (30) cross-couples one capacitance element (23) of each of two serially connected capacitance elements (22 and 23) that are inserted between inverting inputs and outputs of the operational amplifiers (10) by using two resistance elements (31 and 32).例文帳に追加

第1の結合回路(30)は、演算増幅器(10)の反転入力端と出力端との間に挿入された直列接続された2つの容量素子(22,23)の一方(23)どうしを2つの抵抗素子(31,32)でクロス結合する。 - 特許庁

The first resonance circuit comprises a first inductance element L1 and second capacitance elements C1a and C1b, and the second resonance circuit comprises a second inductance element L2 and second capacitance elements C2a and C2b, and is connected to power supply terminals 5 and 6.例文帳に追加

第1共振回路は第1インダクタンス素子L1と第2キャパシタンス素子C1a,C1bからなり、第2共振回路は第2インダクタンス素子L2と第2キャパシタンス素子C2a,C2bからなり、給電端子5,6に接続されている。 - 特許庁

例文

The upper electrodes of the capacitance elements C3, C4 are formed of a conductor pattern Me2b in the same layer as the conductor pattern Me2a and made to be at a floating potential, but are not connected with the upper electrodes of the capacitance elements C1, C2.例文帳に追加

容量素子C3,C4の上部電極は、導体パターンMe2aと同層の導体パターンMe2bにより形成されて浮遊電位とされているが、容量素子C1,C2の上部電極とは導体では接続されていない。 - 特許庁




  
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