「capacitance elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In generating plasma by using an array antenna with a plurality of antenna elements arranged in parallel and in plane, impedance matching is carried out by changing a capacity of a capacitance element of an impedance matching unit 26 and frequencies of high-frequency signals.例文帳に追加

複数のアンテナ素子２２を、平行かつ平面状に配したアレイアンテナを用いて、プラズマを生成させる際、インピーダンス整合器２６の容量素子の容量及び高周波信号の周波数を変化させて、インピーダンス整合を行う。 - 特許庁

This device is a matrix type display device in which driving circuits are integrally formed at surroundings of a display pixel array and driving capabilities of the driving circuits are enhanced by optimizing capacitance values of switching elements of final stages of outputs of driving signals.例文帳に追加

表示画素アレイの周囲に、駆動回路を一体的に形成したマトリクス型表示装置で、駆動信号出力最終段のスイッチング素子の容量値を最適化することにより、駆動回路の駆動能力を向上させる。 - 特許庁

To simultaneously and stably measure the AC impedance (characteristic) of all the elements configurating a multiple chip, without being affected by stray capacitance even when an interval between external terminals such as a multiple chip component is narrow.例文帳に追加

多連チップ部品のように外部端子の間隔が狭い場合でも浮遊容量の影響を受けること無く、多連チップを構成する全ての素子の交流インピーダンス（特性）を同時に安定して測定することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and method of manufacturing the same wherein an insulating layer for isolating elements from each other can be easily formed, interconnections can be protected against step disconnection, and furthermore interconnects can be reduced in parasitic capacitance.例文帳に追加

素子間を分離する絶縁層を容易に形成することができ、また配線の段切れを防止することができ、さらには配線部における寄生容量も低減できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

First and second radiation conductors 5, 6 with different electric length are wound on a base body 4 of the chip antenna 2, one-side ends of the conductors 5, 6 are connected together, variable capacitance elements 7 are dispersed to each of the radiation conductors 5, 6.例文帳に追加

チップアンテナ２の基体４には電気長の異なる第１および第２の放射導体５，６が巻装されて一端どうしが連結されており、各放射導体５，６には可変容量素子７が分散配置されている。 - 特許庁

The high frequency component is provided with: the low pass filter including a first inductance element, a second inductance element connected in series with the first inductance element, a first capacitance element connected in parallel with the first and second inductance elements, and a second capacitance element connected to a position between the first and second inductance elements and ground; and the directional coupler comprising the first inductance element and the third inductance element coupled to each other.例文帳に追加

第１のインダクタンス素子と、前記第１のインダクタンス素子と直列に接続される第２のインダクタンス素子と、前記第１及び第２のインダクタンス素子と並列接続される第１のキャパシタンス素子と、前記第１のインダクタンス素子と第２のインダクタンス素子との間からグランドに至る間に接続される第２のキャパシタンス素子とを有するローパスフィルタと、前記第１のインダクタンス素子と第３のインダクタンス素子とを結合させてなる方向性結合器を備えた高周波部品。 - 特許庁

To realize an image display device permitting to be increased in a screen size and image quality with low power consumption by eliminating an influence of parasitic capacitance produced in thin film display elements as mach as possible, and to realize a method for driving an image display device and thin film display elements, hardly influenced by noise and can display favorably with a relatively small driving signal.例文帳に追加

薄膜表示素子に生じる寄生容量の影響を極力取り除き、低消費電力で大画面、かつ高画質とすることの可能な画像表示装置を実現し、ノイズの影響を受け難く、比較的小さな駆動信号でも良好な表示を行うことな可能な画像表示装置および薄膜表示素子の駆動方法を実現する。 - 特許庁

These pairs of variable capacitance elements are controlled by control voltage VCNT applied to a loop control terminal 3 and electrically separated/connected from/to a VCO body by switching transistors 101a, 102a, 103a, 101b, 102b and 103b being switch elements turned on/off by bandwidth setting signals VSW1, VSW2 and VSW3.例文帳に追加

これらの可変容量素子対は、ループコントロール端子３に印加されるコントロール電圧ＶＣＮＴにより制御されると同時に、帯域設定信号ＶＳＷ１、ＶＳＷ２、ＶＳＷ３によってオンオフされるスイッチ素子であるトランジスタ１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂの切替により、ＶＣＯ本体に電気的に分離・接続される。 - 特許庁

In the high voltage direct current shutting down supporting circuit, between current paths for supplying a direct current to a load, there is provided a circuit in which capacitance elements are connected in series is inserted into a parallel circuit in which a rectifier element and a resistance element are connected in series.例文帳に追加

負荷へ直流電流を供給する電流路間に、整流素子と抵抗素子が並列接続された並列回路に容量素子が直列接続された回路を挿入した構成による高圧直流電流遮断支援回路。 - 特許庁

A Ru silicide layer 25 is formed on the surfaces of plugs 22 in through-holes 19 piercing lower parts of lower electrodes 28 of information storing capacitance elements C and a Ru silicon nitride layer 26 is formed on the Ru silicide layer 25 surface.例文帳に追加

情報蓄積用容量素子Ｃの下部電極２８の下部に形成されたスルーホール１９内のプラグ２２の表面にはＲｕシリサイド層２５が形成され、Ｒｕシリサイド層２５の表面にはさらにＲｕシリコンナイトライド層２６が形成されている。 - 特許庁

First to N-th variable capacitance elements each composed of a pair of electrodes 2 and 5, a thin film dielectric layer 5, and input/output terminal-side bias lines V1 and V2 are formed on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１に、一対の電極２、５と、薄膜誘電体層５とから成る第１乃至第Ｎの可変容量素子を形成するとともに、入力端子側バイアスラインと、出力端子側バイアスラインとをそれぞれ形成した容量可変薄膜コンデンサである。 - 特許庁

To provide a redundancy multiplexer circuit technique with improved integrated circuit area efficiency, in which complexity of a circuit, die area necessary to support a complementary control signal in a memory device IC and redundant elements, and undesired parasitic capacitance are reduced.例文帳に追加

回路の複雑性、メモリデバイスＩＣ中の相補制御信号および冗長素子を支えるのに必要なダイ面積ならびに不所望な寄生容量を減じる、集積回路面積効率のよい冗長マルチプレクサ回路技術を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

Antenna elements E1 and E2, each comprising an inductance part 1 and a capacitance part 2 connected in parallel, are connected in series and arranged such that the directions of magnetic fields generated at the inductance part 1 intersect each other thus enhancing the gain.例文帳に追加

インダクタンス部１とキャパシタンス部２を並列に接続したアンテナ素子Ｅ１，Ｅ２を直列に接続し、これらのアンテナ素子Ｅ１，Ｅ２をインダクタンス部１に作られる磁場の向きがそれぞれ交差するように配列して利得が上がるように構成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser drive device which avoids early deterioration of a laser element by suppressing stray capacitance and inductance inherent in a wiring mechanism through to a plurality of laser elements from a drive element, and by suppressing excessive light emission because of overshoot of a laser beam.例文帳に追加

駆動素子から複数のレーザ素子へ至る配線機構に内在する浮遊容量やインダクタンスを抑制し、レーザ光のオーバーシュートによる過発光を抑え、レーザ素子の早期劣化が回避できる半導体レーザ駆動装置を提供する。 - 特許庁

A common connection part of the first and second MOS variable capacitance elements are respectively connected to the first connection point through a corresponding first or second inductor and connected to the second connection point through a corresponding first or second MOS transistor.例文帳に追加

第1及び第2MOS可変容量素子の共通接続部は、それぞれ、対応する第1または第2インダクタを介して、第1結合点に結合されているとともに、対応する第1または第2MOSトランジスタを介して、第2結合点n2に結合されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

Since the capacitance of varactor elements 7, 10 respectively interposed to discontinuous parts of belt-like radiation conductors 6, 9 is changed with a tuning voltage V(TUNE), the chip antennas 3, 4 can both be acted as tunable antennas.例文帳に追加

各チップアンテナ３，４は、帯状の放射導体６，９の不連続部に介設した可変容量素子７，１０の容量値が同調電圧Ｖ（ＴＵＮＥ）に応じて変化するようにしてあるため、いずれもチューナブルアンテナとして動作させることができる。 - 特許庁

To prevent oxygen transmitted through lower electrodes from oxidating a barrier layer to result in a high resistance and low dielectric constant oxide layer in heat treating a dielectric film formed on the lower electrodes of capacitance elements of a DRAM in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

ＤＲＡＭの容量素子の下部電極上に形成した誘電体膜を酸素雰囲気中で熱処理する際、下部電極を透過した酸素がバリア層を酸化して、高抵抗、低誘電率の酸化物層を形成する不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a capacitance element made of high dielectric oxide having a perovskite structure, a capacitance element made of nitride and a resistance element made of high-resistive metallic material are integrated on the same compound semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same, wherein characteristics of the elements are not deteriorated and a process cost can be reduced.例文帳に追加

特に、ペロブスカイト構造の高誘電体酸化物による容量素子と窒化物による容量素子と高抵抗金属材料による抵抗素子とを同一化合物半導体基板上に集積化した半導体装置およびその製造方法に関し、素子の特性を損ねることなく、プロセスコストの低減を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This voltage clamping means 10 acts to block the reverse bias voltage from being substantially boosted by the current from the anode drive lines through each parasitic capacitance of the EL elements, and acts to reduce the generation of horizontal cross talk phenomenon.例文帳に追加

この電圧クランプ手段１０は、ＥＬ素子の各寄生容量を通して陽極ドライブ線からの電流により、逆バイアス電圧を実質的に押し上げるのを阻止するように作用し、水平方向クロストーク現象が発生するのを低減するように作用する。 - 特許庁

To provide a cleaning medium and method for detecting the cleaning medium comprising a constitution wherein each particle has an electric property equivalent to a resonant circuit; more specifically to provide the cleaning medium and the method for detecting the cleaning medium comprising a parallel resonant circuit consisting mainly of a coil element and a parasitic capacitance element as constituent elements.例文帳に追加

個々の粒体に共振回路と等価な電気的特性を有する構成を備える、具体的には、構成要素としてコイル要素と、寄生容量からなる並列共振回路を備える洗浄媒体および洗浄媒体検知方法を提供する。 - 特許庁

This helps to reduce parasitic capacitance getting in between the conductive resin layer and the electronic components, and also helps to reduce degradation of characteristics of passive elements such as inductors due to obstruction of their electromagnetic loops by the conductive resin layer.例文帳に追加

これにより、導電性樹脂層と電子部品の間に入り込む寄生容量を低減することができ、またインダクタなどの受動素子では電磁ループが導電性樹脂層によって妨げられ素子特性の劣化を来たすが、この劣化を低減することが可能となる。 - 特許庁

To provide a thermal head that can suppress variation in heat radiation property and variation of resistance values by the reduction of a capacitance difference between respective individual electrodes, remove unevenness in printing density by making heat generation of heat generating elements be uniform, and obtain a good printing result.例文帳に追加

各個別電極の容量差を小さくして放熱性のばらつきを抑え、さらには、抵抗値のばらつきをも抑えて、発熱素子の発熱を均一なものにして印刷の濃度むらを無くし、良好な印刷結果を得ることのできるサーマルヘッドを提供すること。 - 特許庁

To reduce parasitic capacitance between pixel electrodes caused by variation in potential due to polarity inversion of signal lines at the time of driving lines in reverse, and to improve display quality of plane display elements by preventing horizontally striped display unevenness at the time of half-tone raster display.例文帳に追加

ライン反転駆動の際に、信号線の極性反転による電位変化により生じる画素電極間寄生容量を低減し、中間調のラスタ表示時の横ストライプ状の表示むらを防止して平面表示素子の表示品位の向上を図る。 - 特許庁

This capacitance has a two-dimensional row which has the first electrode elements 110 and the second electrode element 120 arranged alternately and connected with each other, and insulating material 130 which separates the first electrode element and the second electrode element from each other.例文帳に追加

本発明のキャパシタンスは、交互に配置され、相互に接続された第１電極素子１１０と相互に接続された第２電極素子１２０とを有する２次元列と、第１電極素子と第２電極素子を分離する絶縁材料１３０とを有する。 - 特許庁

Maximum and minimum voltages of a signal S_1 at a node N_1 as a connection point to an inverter I_1 out of a plurality of inverters I_1, I_2 are arbitrary voltages determined by capacitance values c1, c2 of two capacitive elements C_1, C_2 and a resistance value r_1 of a resistive element R_1.例文帳に追加

複数のインバータＩ_1，Ｉ_2のうちのインバータＩ_1の接続点であるノードＮ_1の信号Ｓ_1の最高電圧及び最低電圧が、２つの容量素子Ｃ_1，Ｃ_2の容量値ｃ１，ｃ２と抵抗素子Ｒ_1の抵抗値ｒ_1とによって任意の電圧になるようにする。 - 特許庁

To provide a light-emitting element drive circuit in which the charges stored as a parasitic capacitance for a light-emitting element portion, having a plurality of light-emitting elements connected in series so that a current flows in one direction, can be discharged suitably.例文帳に追加

一方向に電流が流れるように直列に接続された複数の発光素子を有する発光素子部に対する寄生容量として蓄積された電荷を好適に放電させることを可能とする発光素子駆動回路を提供することである。 - 特許庁

The lead part 25b serves as a shield means for preventing interference of high frequency noise currents Ix flowing from the adjacent switching elements Q101-Q103 to a metal plate 55 through the parasitic capacitance of insulators 17, 19.例文帳に追加

リード部２５ｂが遮蔽手段となって、絶縁体１７，１９の寄生容量を介して隣接するスイッチング素子Ｑ１０１〜Ｑ１０３から金属板５５の方へ流れる高周波の雑音電流Ｉｘ同士が干渉しないように遮蔽することができる。 - 特許庁

Moreover, in the case of the ordinary power supply voltage Vcc, the test control signal SW is set to a Lo level and double boosted with the electrostatic capacitance elements 33, 34 and the boosted voltage Vpp can be output by turning ON the transistor 32 using the double- boosted condition.例文帳に追加

また、通常の電源電圧Ｖ_CCの場合には、テスト制御信号ＳＷがＬｏレベルとなり、静電容量素子３３，３４によってブーストされたダブルブーストとなり、ダブルブーストを用いてトランジスタ３２をＯＮさせることによって昇圧電圧Ｖ_PPを出力する。 - 特許庁

To provide a technology of changing an oscillated frequency while avoiding a state that changing of the oscillating frequency is dull on the basis of a change amount in a capacitance of a voltage controlled variable main capacitive element with respect to a control voltage due to the presence of a plurality of auxiliary capacitive elements.例文帳に追加

補助容量素子の存在に起因して、制御電圧に対する電圧制御可変主容量素子の容量の変化量に基づき発振周波数を変化させることが鈍化するという事態を回避しつつ、発振周波数を変化させる。 - 特許庁

Organic electro-luminescence elements, corresponding to each color of R, G, B, hold capacitance, etc., are arranged in an each cross point of data lines X1-X12 and scanning lines Y1-Y7 which are arranged in a grid shape, an organic EL display device is provided with a dataline drive circuit 40 and a scanning line drive circuit 30.例文帳に追加

格子状に配設されたデータ線Ｘ１〜Ｘ１２と走査線Ｙ１〜Ｙ７との各交点に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応した有機エレクトロルミネッセンス素子や保持容量等が配され、データ線駆動回路４０と、走査線駆動回路３０とを備えている。 - 特許庁

Accordingly, a thin resist film can be formed at the time of patterning the upper electrode, an increase (with gradual sloping) in the tapering angle of the upper electrode among the capacitance elements can be controlled by the control of a CD shift, and thereby an improvement in machining accuracy and fine processing can also be attained.例文帳に追加

これにより上部電極をパターニングする際のレジスト膜厚を薄膜化でき、ＣＤシフトの抑制により、容量素子間の上部電極のテーパー角度が大きく（傾斜が緩やかに）なることを抑制し、加工精度の向上や微細加工を実現することができる。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator has a resonator in which a plurality of types of variable capacitance elements that have a different structure and capacity change features are connected in parallel and their capacity values so that they are controlled simultaneously by a control voltage; and an amplifier which maintains oscillation of the resonator.例文帳に追加

構造、容量変化特性が異なる複数種類の可変容量素子が並列に接続され、制御電圧により、複数種類の可変容量素子の容量値を同時に制御するようにした共振部と、共振部による発振を維持するための増幅部とを備える。 - 特許庁

The capacitance detection type sensor elements 10 including a rectangular diaphragm 11 and the planar back electrode 12 provided facing each other includes fixing parts 14 provided adjacently to each side of the diaphragm 11 and having sides with predetermined length on the sides adjacent to the diaphragm 11.例文帳に追加

相互に対向して設けられた、矩形状の振動板１１と平面状の背電極１２とを含む容量検知型センサ素子１０は、振動板１１の各辺に隣接して設けられ、振動板１１に隣接する側に所定の長さの辺を有する固定部１４を含む。 - 特許庁

Since the capacitance of delay elements provided to wirings 430-433 of an output wiring section 43 differs from each other, a temporal deviation is respectively caused to output timings of digital output signals outputted from the signal control section 42 with respect to a control clock signal.例文帳に追加

遅延回路部４５は出力配線部４３の配線４３０〜４３３ごとに配設されている遅延素子の容量が異なるため、制御クロック信号に対し信号変換部４２から出力されるデジタル出力信号の出力タイミングにそれぞれ時間的なずれが生じる。 - 特許庁

A chip-type composite electronic component is provided with a structural part, in which an NTC thermistor chip element 21 displaying the characteristics of an NTC thermistor 6 and varistor chip elements 22 and 23 which have a dielectric constant for displaying the characteristics of a varistor 10 and form the electrostatic capacitance of a bypass capacitor 11, are electrically connected in parallel.例文帳に追加

ＮＴＣサーミスタ６の特性を付与するＮＴＣサーミスタチップ素体２１と、バリスタ１０の特性を付与しかつバイパスコンデンサ１１の静電容量を形成する比誘電率を有するバリスタチップ素体２２，２３とが互いに電気的に並列接続された構造部分を有する。 - 特許庁

The PLL circuit regulates voltages of output voltages from a charge pump circuit 10 by voltage regulation circuits 20, 21, 22, and generates a predetermined frequency with the wide frequency range and a low phase-noise by reducing control sensitivity after a parallel combining of two or more variable capacitance elements 4010, 4011, 4012.例文帳に追加

チャージポンプ回路１０の出力電圧を、電圧調整回路２０，２１，２２によって電圧調整し、複数の可変容量素子４０１０，４０１１，４０１２の並列合成後の制御感度を低くして、広い周波数範囲で低位相雑音の所定周波数を生成する。 - 特許庁

The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26.例文帳に追加

補助容量素子２７は絶縁層２４上に下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構成される。 - 特許庁

Respective R, G and B pixels have the same size in respective sub-capacitors Csub to uniform the sizes of respective holding capacitors Cs and secure holding capacitors at maximum, and in respective R, G, B pixels, the capacitance values of respective color light emitting elements are optimized to match the correction time of mobility.例文帳に追加

ＲＧＢ各画素は、各々の補助容量Ｃｓｕｂのサイズを同一にし、以って各々の保持容量Ｃｓのサイズを均一にして最大限に確保するとともに、ＲＧＢ各画素は各色発光素子の容量値を適正化し、以って移動度の補正時間を同一にする。 - 特許庁

Two winding wires of the same inductance capacitance are regarded as an equivalently single winding wire, and a hot side winding wire and a cold side winding wire thereof are swung with opposite phases only by a single electrode vacuum tube or a complementary single pair semiconductor elements.例文帳に追加

複数素子の回路構成になる真空管ＳＥＰＰ増幅、或は半導体素子によるコンプリメンタリ・プッシュプル増幅では、素子のペア性と動作上のバランス保守に最大限の配慮が求められ、レギュレーション性能に極めて優れる大規模正負両電源を必要とした。 - 特許庁

As shown in Fig. 6, the driving device is constituted so that driving switches Sa1 to Sam in a data driver 2 and scanning switches Sk1 to Skn in a scanning driver 3 are connected to the ground which is a reference potential point, while the reset operation for removing charges stored in a parasitic capacitance of organic electroluminescence elements E11 to Emn is performed.例文帳に追加

有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎの寄生容量に蓄積された電荷を除去するリセット動作時には、データドライバ２におけるドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍおよび走査ドライバ３における走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎは基準電位点であるグランドに接続される。 - 特許庁

When a wire 130 or the like is to be formed in the customized layer 120 in response to demands of an intermediate user such as a machine manufacturer, the connection structure of the wire 130 is made different from that of the laminate 150, thereby forming the capacitance element 140 or resistive elements 141-144.例文帳に追加

機器メーカなどの中間ユーザの要求に対応してカスタマイズ層１２０に配線１３０などを形成するとき、積層体１５０に対する配線１３０の接続構造を相違させることにより、容量素子１４０や抵抗素子１４１〜１４４が形成される。 - 特許庁

In the case the short circuit defect between the auxiliary capacitance elements 51 occurs, a laser is made to irradiate the part of the connection wire 74 overlapping with the protective layer 56 for repair so as not to make the laser which has cut the connection wire 74 reach the pixel electrode by means of the protective layer 56 for repair.例文帳に追加

補助容量素子５１間に短絡不良が発生した場合には、この接続配線７４の修復用保護層５６が重なっている部分にレーザーを照射することで、接続配線７４を切断したレーザが、修復用保護層５６により画素電極にまで達しないようにする。 - 特許庁

A plurality of control voltages V1 to V3 are applied to a VCO 5 in order and operation for respectively calculating operation reference voltages Vref1 to Vref3 of variable capacitance elements VC51 to VC56 is performed so that a difference between an oscillation frequency and a target frequency of the VCO 5 may be minimum about each control voltage.例文帳に追加

ＶＣＯ５に複数の制御電圧Ｖ１〜Ｖ３を順番に印加して、各制御電圧についてＶＣＯ５の発振周波数と目標周波数との差が最小になる可変容量素子ＶＣ５１〜ＶＣ５６の動作基準電圧Ｖref1〜Ｖref3をそれぞれ求める動作を行う。 - 特許庁