「capacitance elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When two capacitive sensing elements provide equivalent capacitance measures, the sensor is located over the centerline of the stud.例文帳に追加

２つの容量型感知素子が等価のキャパシタンス測定値を提供した場合、センサは、スタッドの中心線上にある。 - 特許庁

Next, capacitance elements 110 to 115 using the ferrodielectric material film 114 are formed on the second interlayer insulation film.例文帳に追加

次に、第２の層間絶縁膜上に強誘電体膜１１４を用いた容量素子１１０〜１１５を形成する。 - 特許庁

The display panel driving circuit is provided with a plurality of stages of resonance circuits for exciting to drive capacitance elements of the display panel.例文帳に追加

表示パネルの容量素子を駆動励振する共振回路を駆動電位の異なる範囲において複数段設ける。 - 特許庁

This unit has drive elements (a switching transistor 34, a drive transistor 37, a capacitance 36) of an organic EL element (pixel) 37.例文帳に追加

この単位は、有機ＥＬ素子（画素）３５の駆動素子（スイッチングトランジスタ３４、ドライビングトランジスタ３７、容量３６）を含む。 - 特許庁

The resonant circuit is constructed of an LC resonant circuit comprising an inductance element L and capacitance elements C1 and C2.例文帳に追加

共振回路はインダクタンス素子Ｌ及びキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２からなるＬＣ共振回路によって構成されている。 - 特許庁

For instance when all the transistors Tr1-Tr3 of the True side are turned on, the output load capacity value becomes a value obtained by combining the capacitance values of the capacitance elements C1-C4.例文帳に追加

たとえば、Ｔｒｕｅ側のトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３がすべてＯＮした場合、出力負荷容量値は、静電容量素子Ｃ１〜Ｃ４の静電容量値を合成したものとなる。 - 特許庁

Output electrodes of the elements Mp1 and Mp2 are connected to one end and the other end of the on-chip capacitance C1, and the DC control amplifier 512 is directly responsive to a voltage across the capacitance C1.例文帳に追加

オンチップ容量Ｃ１の一端と他端に素子Ｍp1、Ｍp2の出力電極とが接続され、直流制御増幅器５１２は容量Ｃ１の両端の電圧に直流的に応答する。 - 特許庁

Connection capacitor elements 22A, 22B and 22C, in parallel, realizes a capacitance three times as much as thin-film capacitance having one dielectric film.例文帳に追加

コンデンサ素子２２Ａ、コンデンサ素子２２Ｂ及びコンデンサ素子２２Ｃとを並列接続することで、１つの誘電体膜を有する薄膜コンデンサに比べて３倍の静電容量を実現することができる。 - 特許庁

The reference voltages Vref1 and Vref2 are applied to gate terminals of the variable capacitance elements 121, 122, 141, and 142 of the C-coupling type variable capacitance circuits 120 and 140, respectively.例文帳に追加

Ｃ結型可変容量回路１２０及び１４０の可変容量素子１２１、１２２、１４１及び１４２のゲート端子には、基準電位Ｖｒｅｆ１及びＶｒｅｆ２がそれぞれ印加される。 - 特許庁

To reduce the crosstalk between signal circuits connected to the capacitor elements of a multiple chip type laminated ceramic capacitor in which a plurality of capacitor elements are connected to each other by reducing the stray capacitance between adjacent capacitor elements.例文帳に追加

複数のコンデンサ素子を連結した多連チップ形積層セラミックコンデンサにおいて、隣接するコンデンサ素子間の浮遊容量を低減し、これに接続する信号回路間のクロストークを低減することを目的とする。 - 特許庁

In a pixel matrix circuit of an AM-LCD, resistance is reduced by making a lower electrode 114 of holding capacitance contain group 15 elements and catalytic elements which have been used for crystallization, and capacitance is increased by thinning dielectrics of the holding capacitance, without increasing the area for forming a capacitor.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤの画素マトリクス回路において、保持容量の下部電極１１４に１５族に属する元素と結晶化に用いた触媒元素とを含有させて低抵抗化を図り、さらに保持容量の誘電体を薄くすることで、容量を形成する面積を大きくすることなくキャパシティを稼ぐことができる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a plurality of capacitance elements 130 formed on a semiconductor substrate 100 where the bottom part, side lower electrodes 107, 109, a capacitance insulating film 110, and an upper electrode 111 are formed in this sequence and a third insulating film 112 formed covering a capacitance array region AR where the plurality of capacitance elements 130 are arranged.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１００上に形成され、底部及び側部下部電極１０７及び１０９、容量絶縁膜１１０及び上部電極１１１がこの順に形成されてなる複数の容量素子１３０と、複数の容量素子１３０が配列されたキャパシタアレイ領域ＡＲを覆うように形成された第３の絶縁膜１１２とを備える。 - 特許庁

In general, capacitances of the variable capacitance elements 11ia, 12ia and 11ib, 12ib (i=1, 2 and 3) are set to different values.例文帳に追加

一般に、可変容量素子１１ｉａと１２ｉａ、１１ｉｂと１２ｉｂ（ｉ＝１、２、３）の容量値は異なる値に設定される。 - 特許庁

The transmission controller changes values of resonance circuit elements in the transmitter array, such as resonant coupling capacitance, during a transmission cycle.例文帳に追加

伝達制御装置は伝達サイクル中に共振結合キャパシタンス値等の送信機アレイの共振回路要素の値を変更する。 - 特許庁

To provide a sensor apparatus detecting outputs of a plurality of capacitance elements having different capacitances in a common circuit.例文帳に追加

静電容量の異なる複数の容量素子の出力を共通の回路で検出することが可能なセンサ装置を提供する。 - 特許庁

To leave no residue on a substrate when capacitance elements with different pressure resistance are formed on the substrate through a common process.例文帳に追加

基板上に耐圧が異なる容量素子を共通の工程で形成する際に、基板上に残渣を残さないようにする。 - 特許庁

The impedance circuit 40 is configured by connecting, in parallel, a plurality of capacitive elements 42, 44, and 46 having different capacitance values from one another.例文帳に追加

インピーダンス回路４０は、容量値の互いに異なる複数の容量素子４２，４４，４６を並列に接続して構成される。 - 特許庁

A plurality of capacitance elements whose types are different from one another are stacked on a semiconductor substrate 1, and connected in parallel with each other.例文帳に追加

互いに種類が異なる複数の容量素子を半導体基板１上に積み重ねて配置して並列に接続する。 - 特許庁

A voltage applied to an input/output terminal 2 is divided by these capacitance elements, and a corresponding divided voltage is applied to the gate.例文帳に追加

入出力端子２に印加される電圧は、これら容量素子によって分圧され、当該分圧電圧がゲートに印加される。 - 特許庁

More capacitance elements 70 can be mounted if the multilayer printed wiring board 10 has the same size as that of the conventional one.例文帳に追加

また、従来と同じ多層プリント配線板１０の大きさであれば、より多くのキャパシタンス素子７０を実装することができる。 - 特許庁

The upper electrodes of the capacitance elements C1, C2 are formed of a common conductor pattern Me2a and made to be at a floating potential.例文帳に追加

容量素子Ｃ１，Ｃ２の上部電極は共通の導体パターンＭｅ２ａにより形成されて浮遊電位とされている。 - 特許庁

When an equivalent measured capacitance value is provided by two capacity type sensing elements, the sensor is determined to be on the center line of the stud.例文帳に追加

２つの容量型感知素子が等価のキャパシタンス測定値を提供した場合、センサは、スタッドの中心線上にある。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of forming flash cells and capacitive elements within a single chip, and also easily forming the capacitive elements each having a different capacitance value.例文帳に追加

フラッシュセルと容量素子を同一チップ内に形成でき、しかも容量値の異なる複数の容量素子を容易に形成できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the non-etched area on the side face of a lower electrode of a capacitance element by patterning a second conductive film to form upper electrodes of the elements and patterning a first conductive film to the lower electrodes of the elements.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、容量素子の下部電極の側面にエッチング残りをなくし、ショートの原因や不純物濃度のムラが生じる原因を低減する。 - 特許庁

Inductance elements (b22, b32) are formed on the same plane as electrodes b21, b31 of the capacitance elements in the insulating film layers a2, a3, and connected in series to provide a serial resonance circuit.例文帳に追加

絶縁膜層ａ２，ａ３では容量素子の電極ｂ２１，ｂ３１と同一平面に誘導素子（ｂ２２，ｂ３２）を形成し、直列に接続させて直列共振回路とする。 - 特許庁

Antenna elements 1 and 2 are non-feeding elements, arranged in almost in parallel mutually on a main surface 10A of the substrate 10 along z axis direction, and varactor diode which is a variable capacitance element is charged.例文帳に追加

アンテナ素子１，２は、無給電素子であり、ｚ軸方向に沿って基板１０の一主面１０Ａに相互に略平行に配置され、可変容量素子であるバラクタダイオードが装荷される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which semiconductor elements with the same shape and the same capacitance can be laminated in the semiconductor device including an external connection element in the center of the semiconductor elements.例文帳に追加

半導体素子中央部に外部接続用開口部を有する半導体装置で、同一形状、同一容量の半導体素子を積層することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for surge protection in which a plurality of semiconductor elements for surge protection are formed on a single substrate while satisfying small parasitic capacitance between semiconductor elements and high electric isolation.例文帳に追加

複数のサージ保護用半導体素子を単一基板上に形成し、半導体素子間の寄生容量が小さく電気的な分離性が高いサージ保護用半導体装置を提供する。 - 特許庁

Two inductor elements 31 and 32 are connected in series, a capacitor 33 is connected in parallel to the serial circuit, and a capacitance component is connected to the connection point of the two inductor elements.例文帳に追加

２つのインダクタ素子３１，３２を直列接続し、この直列回路に並列にコンデンサ３３を接続すると共に、２つのインダクタ素子の接続点に容量成分を接続するようにした。 - 特許庁

In the insulating film layers a4, a5, inductance elements on the same plane as the capacitance elements are also similarly connected in series to provide a serial resonance circuit but paired film layers are overlapped oppositely and set so as not to overlap portions of the inductance elements.例文帳に追加

絶縁膜層ａ４，ａ５も同様に、容量素子と同一平面の誘導素子を直列に接続させて直列共振回路とするが、対の膜層は互いに逆向きに重ねて誘導素子の部位が重畳しない設定とする。 - 特許庁

The capacitance part charging with a prescribed voltage corresponding to the on state of N temperature switching elements and discharged state capacitance part corresponding to each N temperature switching elements are parallel connected respectively, both the ends of terminal voltage is varied.例文帳に追加

Ｎ個の温度スイッチング素子各々のオン状態に対応して所定の一定電圧で充電している容量部と、各Ｎ個の温度スイッチング素子各々に対応する放電された状態の容量部とが、それぞれ並列接続され、容量部両端電圧が変化する。 - 特許庁

The dropped voltages are applied to control electrodes of parallel-connected controlled variable capacitance elements MOS varactors 211-213, to determine the capacitance values of the varactors.例文帳に追加

この降下された各電圧が、並列接続された電圧制御可変容量素子であるＭＯＳ型バラクタ２１_1 〜２１_3 の制御電極に印加され、これらの各ＭＯＳ型バラクタ２１_1 〜２１_3 の容量値が決定される。 - 特許庁

In each capacitance-element forming region 5 at the power supply, MISFET elements 7 are so formed as to use as each capacitance element at the power supply, a gate-capacitance element comprising a gate electrode 9, a gate insulating film 12, and a semiconductor substrate 17 of each MISFET element 7.例文帳に追加

当該電源間容量素子形成領域５に、ＭＩＳＦＥＴ素子７を形成し、当該ＭＩＳＦＥＴ素子７のゲート電極９、ゲート絶縁膜１２及び半導体基板１７で構成されるゲート容量素子を電源間容量素子として用いる。 - 特許庁

To obtain a result enhanced in accuracy from circuit simulation by taking into account the parasitic capacitance element to occur between resistance elements.例文帳に追加

抵抗素子間に発生する寄生容量素子をも考慮した回路シミュレーションが実施でき、回路シミュレーション結果の高精度化を図る。 - 特許庁

To stably manufacture electrostatic capacitive elements having different capacitance without changing the shape of an electrode and the number of stacking of the electrodes.例文帳に追加

電極の形状、及び電極の積層数を変えること無く、異なる容量を有する静電容量素子を安定して製造する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate and a liquid crystal display device using the same which have capacitance elements of excellent characteristics and high good product rate.例文帳に追加

優れた特性の容量素子を有し、良品率の高いアクティブマトリクス基板およびそれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A second capacitative element 23 is formed of an arrangement unit of a plurality of capacitance elements, that are operable by a digital bit word VCWD [N:1].例文帳に追加

第２容量素子（２３）は、デジタルビットワードＶＣＷＤ［Ｎ：１］により作動可能な複数の容量素子の配列部から形成される。 - 特許庁

To improve yield or reliability of a variable-capacitance system in which multiple MEMS varactors including defective elements are integrated.例文帳に追加

不良素子を含む複数のＭＥＭＳ可変容量素子が集積された可変容量システムの歩留まり及び信頼性を向上させる。 - 特許庁

As each of the variable reactance elements 12 used for the respective parasitic elements A1-A6 in an electronic control wave guide array antenna instrument, the respective variable capacitance diodes 14a, 14b preferably have substantially identical applied voltage versus variable capacitance property, and a pair of the variable capacitance diodes 14a, 14b which are mutually connected in backward are used.例文帳に追加

電子制御導波器アレーアンテナ装置における各非励振素子Ａ１乃至Ａ６に用いる各可変リアクタンス素子１２として、各可変容量ダイオード１４ａ，１４ｂが、好ましくは実質的に同一の印加電圧対可変容量特性を有し、互いに逆方向で接続された１対の可変容量ダイオード１４ａ，１４ｂを用いる。 - 特許庁

The differential amplification circuit includes: two MOS transistors Tr1, Tr2 forming a differential pair to input differential signals S, XS; two capacitance elements C1, C2 connected in series between drains of the two MOS transistors Tr1, Tr2; and an inductance element L1 connected between a connection node of the two capacitance elements C1, C2 and a bias power terminal GND.例文帳に追加

差動対をなし、差動信号S,ZSが入力される２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2と、２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2のドレイン間に直列に接続された２個の容量素子C1,C2と、２個の容量素子C1,C2の接続ノードとバイアス電源端子GND間に接続されたインダクタンス素子L1と、を有する差動増幅回路。 - 特許庁

The resonance circuit 2 is connected to the signal detecting part 100B and the RF pulse forming part 100A, and the resonance circuit 2 has the downsized RF coil 114, capacitance elements CT, CM, and a coaxial cable 21 to connect the downsized RF coil 114 and the capacitance elements CT, CM.例文帳に追加

共振回路２は、信号検出部１００ＢおよびＲＦパルス生成部１００Ａに接続され、共振回路２は小型ＲＦコイル１１４と、容量素子Ｃ_Ｔ，Ｃ_Ｍと、小型ＲＦコイル１１４と前記容量素子Ｃ_Ｔ，Ｃ_Ｍとを接続する同軸ケーブル２１とを有する。 - 特許庁

Capacity elements are constituted of: flexible conducting films 201 to 204; and fixed electrodes E10 to E40 on the substrate 300, and, based on the change of capacitance values of the capacity elements, moments Mx and My about the X-axis and Y-axis, which act on the substrate 100, are detected, based on the change of their capacitance values.例文帳に追加

可撓性導電膜２０１〜２０４と、基板３００上の固定電極Ｅ１０〜Ｅ４０とによって容量素子が構成され、その静電容量値の変化に基づいて、基板１００に作用したＸ軸／Ｙ軸まわりのモーメントＭｘ，Ｍｙを検出する。 - 特許庁

The delay time of a wiring model composed of three elements of inductance (L), capacitance (C) and resistance (R) is obtained from an analytic expression or approximation calculation, etc., and a circuit is virtually structured which is composed of two elements of other resistance (R') and capacitance (C') having a delay time equivalent to the delay time.例文帳に追加

インダクタンス（Ｌ）、容量（Ｃ）、抵抗（Ｒ）の３つの素子からなる配線モデルの遅延時間を、解析式あるいは近似計算等により求めて、その遅延時間と同等な遅延時間を持つような、別の抵抗（Ｒ’）と容量（Ｃ’）の２つの素子で構成される回路を仮想的に構築する。 - 特許庁

The lower electrodes of the capacitance elements C1, C3 are formed of a common conductor pattern Me1a and connected to the potential V1, and the lower electrodes of the capacitance elements C2, C4 are formed of a conductor pattern Me1b in the same layer as the conductor pattern Me1a and connected to the potential V2.例文帳に追加

容量素子Ｃ１，Ｃ３の下部電極は共通の導体パターンＭｅ１ａにより形成されて電位Ｖ１に接続され、容量素子Ｃ２，Ｃ４の下部電極は導体パターンＭｅ１ａと同層の導体パターンＭｅ１ｂにより形成されて電位Ｖ２に接続されている。 - 特許庁

Voltages of the capacitance elements of the first and the second pixel parts are read out via the pixel transistors and the defect of the pixel part is detected based on a result obtained by comparing the voltages of the capacitance elements of the first and the second pixel parts with each other.例文帳に追加

続いて、前記画素トランジスタを介して第１の画素部の容量素子の電圧及び第２の画素部の容量素子の電圧を読み出し、第１の画素部の容量素子の電圧と第２の画素部の容量素子の電圧とを比較した結果に基づいて画素部の不良を検出する。 - 特許庁