「channel mobility」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a field-effect transistor having high channel mobility.例文帳に追加

高いチャネル移動度を有する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To improve electron mobility of the channel of a high electron mobility transistor using a δ-doped HEMT structure epitaxial wafer.例文帳に追加

δドープＨＥＭＴ構造エピタキシャルウェハを用いた高電子移動度トランジスタのチャネルの電子移動度を向上する。 - 特許庁

A conductive channel formed by the SiGe layer is eternally strained for increasing mobility and particularly hole mobility.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層によって形成される導電チャネルは、移動度、特にホール移動度を増加させるために永久的にひずめられる。 - 特許庁

In the structure of this field-effect resistor that uses a compound heterojunction, a dual channel layer (13 plus 14) consisting of the high-mobility channel layer 13 and a low-mobility channel layer 14 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

化合物へテロ接合を用いた電界効果トランジスタ構造で、基板11上に高移動度チャネル層13と低移動度チャネル層14とから成るデュアルチャネル層（13＋14）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high carrier mobility in a channel region.例文帳に追加

チャネル領域における高いキャリア移動度を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having high channel mobility and a method of manufacturing the element.例文帳に追加

チャネル移動度が高い半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device 100 is an n-type channel vertical HEMT (high electron mobility transistor).例文帳に追加

窒化物半導体装置１００は、ｎチャネル型の縦型のＨＥＭＴである。 - 特許庁

To obtain a thin-film transistor manufacturable at a low temperature and having high electron mobility in a channel layer.例文帳に追加

低温での作製が可能で、かつチャネル層において電子移動度の高い薄膜トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improving the mobility of a channel by exerting a stress.例文帳に追加

応力の作用によって、チャネルの移動度をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is high in a carrier mobility in a channel and attains a normally-off state.例文帳に追加

チャネルにおけるキャリア移動度が高く、ノーマリオフを実現する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, an inversion type lateral MOSFET with high channel mobility can be obtained.例文帳に追加

このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 - 特許庁

Consequently, etching damage never decreases the channel mobility and the increase in on resistance can be avoided.例文帳に追加

よって、エッチングダメージがチャネル移動度を低下させることがなく、オン抵抗の増大を回避できる。 - 特許庁

The thin-film transistor having the channel layer of the amorphous substance has an high electric mobility.例文帳に追加

該非晶質のチャンネル層を備えた薄膜トランジスタは、優れた電気移動度を有する。 - 特許庁

To precisely measure carrier density and carrier mobility in a channel of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのチャンネル内のキャリア密度及びキャリアの移動度を精度良く測定する。 - 特許庁

If a channel is formed along the upper surface of the channel formation part 121, mobility of electron becomes smaller.例文帳に追加

このため、チャネル形成部１２１の上面に沿ってチャネルを形成すると、電子の移動度が小さくなる。 - 特許庁

To provide a mobility management device and method in which channel setup time can be shortened without increasing resource consumption of a wireless access network when switching is made to a new channel.例文帳に追加

新たな通信路への切替時に、無線アクセス網のリソース消費量を増大させることなく、通信路設定時間を短縮できること。 - 特許庁

When positive bias is applied, the entire p-channel region 16 becomes a channel, making the mobility of carriers higher to reduce on-resistance.例文帳に追加

正バイアス印加時には、ｐ−チャネル領域１６の全体がチャネルとなり、キャリアの移動度が大きくＯＮ時の抵抗が減少する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device in which channel mobility is enhanced and drop in the threshold voltage is minimized by breaking down the relationship of trade-off between channel mobility and threshold voltage.例文帳に追加

チャネル移動度と閾値電圧とのトレードオフの関係を打破し、チャネル移動度を向上させ、かつ、閾値電圧の低下を抑えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To simultaneously improve mobility of a P-channel electric field effect transistor and mobility of an N-channel electric field effect transistor by bending a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを折り曲げることにより、Ｐチャネル電界効果型トランジスタとＮチャネル電界効果型トランジスタの移動度を同時に向上させる。 - 特許庁

Thus, problem such as the interface state influencing the flow of current and channel mobility decreases can be solved, and the channel mobility can be improved.例文帳に追加

したがって、界面準位が電流の流れに影響を及ぼすことによってチャネル移動度を低下させるという問題を解消でき、チャネル移動度を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To reduce Coulomb scattering due to the piezo-charge of a hetero interface in a high electron mobility transistor and to realize original high electron mobility of a channel layer.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本来の高い電子移動度の実現を図る。 - 特許庁

To make two-dimensional electron concentration and electron mobility to be high, and to prevent occurrence of short channel effect in a high electron mobility transistor of a nitride gallium system.例文帳に追加

窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタについて、２次元電子濃度及び電子移動度を高くするとともに、ショートチャネル効果を生じさせない。 - 特許庁

To improve the electron mobility of two-dimensional electronic gas in high electronic mobility transistor, which has hetero-structure consisting of an InGaN channel layer/InAlGaN wide band gap layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮチャネル層／ＩｎＡｌＧａＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、２次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。 - 特許庁

This method forms a counter doped portion by using a standard technique such as ion implantation and bringing a high-mobility channel close to the counter doped portion without reducing a mobility.例文帳に追加

この方法により、イオン注入などの標準技術を用いてカウンタ・ドープ部を形成することができ、さらに、移動度を劣化させずに高移動度チャネルをカウンタ・ドープ部に近接させることができる。 - 特許庁

To obtain an SiC-made junction type high yield field effect transistor having a channel region using high-mobility electrons.例文帳に追加

高歩留りをもたらす、移動度の高い電子を用いたチャネル領域を有するＳｉＣ製のＪＦＥＴを得る。 - 特許庁

A high mobility electric-charge channel (2DEG) is formed near a heterojunction between two semiconductor layers 3 and 4.例文帳に追加

２つの半導体層３，４間のヘテロ接合近傍に高移動度電荷チャネル（２ＤＥＧ）が形成される。 - 特許庁

To provide MIS and MOS semiconductor devices having high channel mobility using a semiconductor substrate containing a silicon carbide region.例文帳に追加

炭化珪素領域を含む半導体基板を用いた高チャネル移動度を有するＭＩＳおよびＭＯＳ型半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An InGaAs quantum wire 13 having a relatively narrow energy band gap as a high mobility channel is formed at the bottom of the trench.例文帳に追加

トレンチ底面に、高移動度チャネルとして、相対的に狭いエネルギバンドギャップを有するInGaAs量子細線13を形成する。 - 特許庁

The organic semiconductor 20 uses a pentacene, forming a channel wherein the mobility of carrier is high.例文帳に追加

有機半導体２０は材料としてペンタセンを用い、キャリアの移動度の大きなチャネルとして形成される。 - 特許庁

The organic semiconductor 20 uses a pentacene, forming a channel wherein the mobility of the carrier is high.例文帳に追加

有機半導体２０は材料としてペンタセンを用い、キャリアの移動度の大きなチャネルが形成される。 - 特許庁

To provide a transistor including a channel layer composed of oxides having a controlled mobility and threshold voltage.例文帳に追加

移動度及びしきい値電圧が調節された酸化物をチャンネル層に有するトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of suppressing the deterioration of the electron mobility in a channel region formed in a distorted silicon layer.例文帳に追加

歪シリコン層に形成されたチャネル領域において、電子移動度の低下を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which carrier mobility is enhanced by making a stress act on a channel more effectively.例文帳に追加

チャネルに対して、より効果的に応力を作用させてキャリア移動度の向上を図った半導体装置を提供すること。 - 特許庁

An InAlAs modulation-doped layer 20 having a relatively wide energy band gap as a low mobility channel is formed thereon.例文帳に追加

その上に、低移動度チャネルとして、相対的に広いエネルギバンドギャップを有するInAlAs変調ドープ層20を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a channel part having a satisfactory carrier mobility, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

十分なキャリア移動度を有するチャネル部を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor element that suppresses a cutoff current while holding high channel mobility.例文帳に追加

高いチャネル移動度を保持しながら、遮断電流を抑制することのできる窒化物半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, a performance semiconductor film composed of single crystal is formed on the narrow region 3b and can be used as a channel whose mobility is high.例文帳に追加

この結果、幅狭領域３ｂに単結晶からなる動作半導体膜が形成され、移動度が高いチャネルとして用いることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that allows enhancing the flexibility of setting the threshold voltage while suppressing degradation in channel mobility.例文帳に追加

チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device having further improved channel mobility, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

さらに高いチャネル移動度を有する炭化珪素の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with an improved pinch-off characteristic or an improved channel layer mobility and having good electrical characteristics.例文帳に追加

ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty.例文帳に追加

ＳｉＣとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。 - 特許庁

The foregoing structure increases hole mobility in a compressively strained SiGe channel, and therefore it is advantageous to PMOS.例文帳に追加

これらの構造は、圧縮歪みＳｉＧｅチャネル内の正孔移動度が増大する故に特にＰＭＯＳに有利である。 - 特許庁

To provide a thin film transistor increasing the operation speed by using a crystalline semiconductor layer of large mobility as a channel layer.例文帳に追加

移動度の大きな結晶性半導体層をチャネル層とし、動作速度を向上させた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus improving mobility of a channel layer that contains a microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an effective method for obtaining a power semiconductor element using a UMOSFET which has large channel mobility and can lower a threshold voltage, without dropping the breakdown voltage.例文帳に追加

チャネル移動度が大きく、耐圧を落とすことなく閾値電圧が下げられるUMOSFETを用いたパワー半導体素子が得られる有効な手段がない。 - 特許庁