「column cells」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A memory cell array comprises memory cells arrayed in row and column.例文帳に追加

メモリセルアレイは、ロー及びカラムに配列されたメモリセルを有している。 - 特許庁

An amount column discriminating/right-justifying part 43 finds out the number of cells coincident with a prescribed condition in each column constituting the table area and judges an amount column based on the number of cells.例文帳に追加

その際、金額カラム判定／右寄せ部４３は表領域を構成する各カラム毎に所定の条件に合致するセルの数を求め、そのセル数に基づいて金額カラムを判定する。 - 特許庁

Dummy cells are arranged between the row decoder and the memory cell array in the column direction and dummy bit lines are connected to dummy cells.例文帳に追加

ローデコーダとメモリセルアレイ間にはダミーセルが列方向に配列され、ダミーセルにはダミービット線が接続されている。 - 特許庁

Even when many memory cells are connected to the word line, timing of the column select signal can be adjusted for each column repeater circuit.例文帳に追加

ワード線に多数のメモリセルが接続される場合にも、カラムリピータ回路毎にカラム選択信号のタイミングを調整できる。 - 特許庁

N memory cells 130 of each column being extended in the column direction of a storage region 126-1 compose one storage section.例文帳に追加

記憶領域１２６_-1のカラム方向に延びる各行のｎ個のメモリセル１３０は、夫々１つの記憶部を構成する。 - 特許庁

The circuit further includes control circuitry for replacing an addressed column of memory cells with a redundant column of memory cells upon an affirmative determination that a set of storage elements identify the addressed column of memory cells as being defective.例文帳に追加

本回路は、更に、１組の格納要素がメモリセルからなるアドレスされた列が欠陥性であることを識別する肯定的決定により、メモリセルからなるアドレスされた列をメモリセルからなる冗長列と置換させる制御回路を有している。 - 特許庁

When a defective cell is formed in the regular memory cells MC and the dummy memory cells DMC, replacement and relieving are performed by a redundant column 11C by a memory cell column unit.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣおよびダミーメモリセルＤＭＣに不良が生じた場合には、冗長コラム１１Ｃによるメモリセル列単位での置換救済が行なわれる。 - 特許庁

The cell arrays 1a, 1b... are those of which the memory cells are blocked for every specified column.例文帳に追加

セルアレイ１ａ，１ｂ，…は、メモリセルを所定の行ごとにブロック化したセルアレイである。 - 特許庁

A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.例文帳に追加

スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁

The display cells of the respective display cell groups of the same column are simultaneously driven by the driving IC.例文帳に追加

同列の各ディスプレイ群のディスプレイセルは、駆動ＩＣにより同時に駆動される。 - 特許庁

Each of memory cells is enabled depending on the combination of a row signal and a column signal.例文帳に追加

メモリ・セルの各々は、行信号及び列信号の組み合わせによりイネーブルされる。 - 特許庁

Also the memory device has plural row spare lines consisting of plural spare memory cells existing in the same row address and plural column spare lines consisting of spare memory cells existing in the same column.例文帳に追加

またメモリデバイスは、同じ行アドレスにある複数の予備メモリセルからなる行スペアライン，同じ列にある複数の予備メモリセルからなる列スペアラインを、それぞれ複数有している。 - 特許庁

This method is a method for operating a SRAM having three vertical lines, six all lines, and a column clear function, its cells, and an array of the cells.例文帳に追加

3本の垂直ラインおよび6本の総ライン数のみを有し列クリア機能を有するSRAM、およびそのセルとセルのアレイを操作する方法。 - 特許庁

The plate line and the drive line are connected commonly to a column of memory cells arranged in a first direction.例文帳に追加

プレート線およびドライブ線は、第１方向に並ぶメモリセルの列に共通に接続されている。 - 特許庁

First, a video signal is supplied to the display cells of the respective display cell groups of the same column by the driving IC.例文帳に追加

先ず、ビデオ信号は駆動ＩＣにより、同列の各ディスプレイ群のディスプレイセルに提供される。 - 特許庁

The memory cells are arranged so as to be connected with a different word line for each column in each row.例文帳に追加

メモリセルは、各行において各列ごとに異なるワード線に接続するように配置する。 - 特許庁

The rows increase in the number of device dots; hence, each column describes halftone cells of increasing tonal values.例文帳に追加

行はデバイスドットの数を増大するので、各列は階調値が増加したハーフトーンセルを記述する。 - 特許庁

The respective cells to be displayed are constituted of the horizontal connection number indicating the numbers of the horizontal direction connections in the cells, the vertical connection number indicating the numbers of the vertical direction connections in the cells and character column information to be displayed inside the cells or the like.例文帳に追加

各セル情報を、セルの横方向の連結数を示す横連結数、セルの縦方向の連結数を示す縦連結数、および、セル内に表示される文字列情報、その他の付加情報から構成する。 - 特許庁

The selected column is selected and the power supply voltage to that column is reduced during a write operation in which a bit is written to one of the SRAM cells belonging to the selected column.例文帳に追加

選択された列が選択され、その列への電源電圧は、選択された列に属するＳＲＡＭセルの１つにビットが書き込まれる書込み動作中に減少されている。 - 特許庁

These inductive means are intended to oscillate with the capacitor (C) of the columns of cells selected by the column driver (Dr).例文帳に追加

これら誘導手段は、該列ドライバ（Dr）によって選択されたセルの列のキャパシタ（C）と共に発振する。 - 特許庁

A memory 1 having a plurality of columns of a memory cells 2 is especially provided, and each column of the memory cells is connected to a bit line 4 or a data line.例文帳に追加

特に、メモリセル２からなる複数個の列を有するメモリ１が提供され、メモリセルの各列はビット線４又はデータ線へ結合されている。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit including the cells 11 to 16 where the cell width and input pin position in the width direction of cell area in the specified size, the cells 11 to 13 of the A row and cell column and the cells 14 to 16 of the B row and cell column are displaced in the widthwise direction in their cell positions.例文帳に追加

セル幅とセルの幅方向における入力ピンの位置とが規定寸法であるセル１１〜１６を有する半導体集積回路において、Ａ行セル列のセル１１〜１３と、Ｂ行セル列のセル１４〜１６とはセルの位置が幅方向にズレている。 - 特許庁

In a multi-column electron beam exposure device performing exposure processing by arranging a plurality of column cells in parallel on one wafer, relation between the exposure amount of each column cell and the linewidth is determined (steps S41, S44).例文帳に追加

一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。 - 特許庁

The connection wiring 230 for potential supply is overlapped with any cell in I/O cells 200 constituting a circumference cell column 20 and any cell in I/O cells 200 constituting an inner circumference cell column 30, in plan view.例文帳に追加

電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。 - 特許庁

Neighboring memory cells in each column have a common source contact point or a common drain contact point.例文帳に追加

各列において隣り合うメモリーセルは、共通のソース接続点、または、共通のドレイン接続点を共有している。 - 特許庁

The memory device supports a column decode sequence for accessing a plurality of the storage cells within a row of the array.例文帳に追加

前記メモリ素子は、前記配列の行内の複数の記憶セルにアクセスするための列デコードシーケンスをサポートする。 - 特許庁

First to fourth memory cells MC1 to MC4 are arranged in one column adjoining each other on a semiconductor substrate.例文帳に追加

第１〜第４メモリセルＭＣ１〜ＭＣ４は、半導体基板上に互いに隣接して１列に配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises redundant memory cells completing memory cells arranged in row and column directions like a matrix, the redundant memory cells are arranged at least in either row or column direction and have the same size in the arranging direction as that of the memory cells but a larger size in a direction perpendicular to the arranging direction than that of the memory cells.例文帳に追加

この半導体装置は、ロウ方向とカラム方向とにマトリックス状に配列されたメモリセルを補完する冗長メモリセルを備え、その冗長メモリセルは、ロウ方向およびカラム方向のうちの少なくとも一方に沿って配列され、その配列された方向に沿うサイズはメモリセルと同じであり、配列された方向と直角方向に沿うサイズがメモリセルよりも大きい。 - 特許庁

An item name detecting part 18a specifies item cells based on the content of the integrated and split states of cells in row and column directions from the cell at the left top corner, the content of the cell at the left top corner using a thesaurus dictionary 32 and on the content of the cells in row and column directions.例文帳に追加

項目名検出部１８ａは、左上のセルから行方向、列方向のセルの統合状態および分割状態内容と、シソーラス辞書３２を用いた、左上のセルの内容と該セルから行方向、列方向のセルの内容とに基づいて項目セルを特定する。 - 特許庁

The reference cells 205 of a first column arranged along the bit line 207 are connected in parallel with the reference cells 205 of a second column arranged along the bit line 208, and the reference cells 205 of the first and second columns positioned on the same row are in a magnetized state different each other.例文帳に追加

ビット線２０７に沿って並ぶ第１の列のリファレンスセル２０５は、ビット線２０８に沿って並ぶ第２のリファレンスセル２０５と並列接続されており、同一の行に位置する第１および第２の列のリファレンスセル２０５は、互いに異なる磁化状態を有している。 - 特許庁

The memory element has a plurality of memory cells arranged in at least one column, each column has at least related one bit line and a supply voltage line.例文帳に追加

メモリ素子は、少なくとも１つの列に配列された複数の記憶セルを有し、各列は、そこに関連する少なくとも１つのビット線および供給電圧線を有する。 - 特許庁

To provide a multi-column electron beam exposure device and an electron beam exposure method capable of correcting variation in the linewidth between column cells even when proximity effect correction is performed.例文帳に追加

近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。 - 特許庁

That is, the reformer 5 is arranged in the upper part of the fuel cells 4 in 16 lines while being located centrally in the column direction so as to cover these fuel cells 4.例文帳に追加

すなわち、改質器５は、列方向での中央に位置する１６列の燃料電池セル４の上部に、これらの燃料電池セル４を覆うように、配置されている。 - 特許庁

A table-aligning part 18 aligns cells included in each row and each column and generates table structure data representing the structure of a table formed by respective cells.例文帳に追加

表整列部18はそれぞれの行および列に含まれるセルを整列させて、それぞれのセルにて形成される表の構造を表わす表構造データを生成する。 - 特許庁

Correction parameters for matching the relation of the exposure amount of a column cell to be corrected and the linewidth with the relation of the exposure amount of one reference column cell selected from respective column cells and the linewidth are determined (steps S43, S46).例文帳に追加

そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。 - 特許庁

A ferroelectric memory device is provided with a substrate, plural ferroelectric memory cells arranged like an array including plural columns on the substrate, and a bit line extended to the column direction to which the ferroelectric memory cells in the same column are connected.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、基板と、基板上で複数カラムを含むアレイ状に配置される複数の強誘電体メモリセルと、カラム方向に延び、同一カラム内にある強誘電体メモリセルが接続されるビット線とを備える。 - 特許庁

The flash memory device comprises a plurality of columns connected to a plurality of memory cells respectively, a column selecting circuit responding to a column address and selecting a part out of a plurality of columns, and a plurality of sense amplifier groups connected to a column selected by this column selecting circuit.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、それぞれが複数のメモリセルと連結された複数の列と、列アドレスに応答して複数の列のうち一部を選択する列選択回路と、この列選択回路により選択された列に連結された複数の感知増幅器グループとを含む。 - 特許庁

Cells (2b) of columns (4b) are provided respectively with a magnetic tunnel junction having row terminals connected to a row conductor (5) and column terminals connected to a first column conductor (6ab) coupled to the column (4b) and the adjacent first column (4a) by a transistor.例文帳に追加

列（４ｂ）のセル（２ｂ）はそれぞれ、行導線（５）に接続された行端子と、トランジスタによって、前記列（４ｂ）および隣接する第１の列（４ａ）に結合された第１の列導線（６ａｂ）に接続された列端子とを有する磁気トンネル接合を備えている。 - 特許庁

The first column of a memory sub-block is selected at P1 and a first row is selected and the memory cells are inspected at P2.例文帳に追加

Ｐ１ではメモリサブブロックの最初の列が選択され、Ｐ２では最初の行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁

The word lines 16 connect control gates of the plurality of memory cells 13 in a column direction orthogonal to the row direction.例文帳に追加

ワード線１６は、複数のメモリセル１３の制御ゲートを行方向と直交する列方向にそれぞれ接続する。 - 特許庁

To shorten cell pitch, enable wiring between column directional cells in a second wiring layer, and enhance the integration.例文帳に追加

セルピッチを短縮し且つ第２配線層での列方向セル間配線を可能にして集積度をより向上させる。 - 特許庁

The first column of memory cell blocks is selected at a P1 and a first row is selected at a P2 to inspect the memory cells.例文帳に追加

Ｐ１ではメモリサブブロックの最初の列が選択され、Ｐ２では最初の行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁

A plurality of regular hexagonal column-shaped cells 12, whose upper faces and bottom faces are opened are accumulated and arranged like a honeycomb.例文帳に追加

上面と底面とが開口された正六角柱状の複数のセル１２が、ハニカム状に集積して配置される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory has a memory-cell array 4000 so constituted as to provide a plurality of memory cells 410 respectively in its row an column directions.例文帳に追加

行方向及び列方向に複数のメモリセル４１０が配設されて構成されたメモリセルアレイ４０００を有する。 - 特許庁

In a semiconductor storage device, gates of nonvolatile memory cells serially connected in the row direction are connected to word lines in the column direction.例文帳に追加

行方向に直列接続された不揮発性のメモリセルのゲートは、列方向にそれぞれワード線で接続される。 - 特許庁