「columnar crystals」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The recessed shape of the substrate 9, whose bottom part coincide approximately with the center part of the substrate 9 is a shape compensating the film thickness distribution of the phosphor layer 7, and the phosphor layer comprises an aggregate of fine columnar crystals of CsI.例文帳に追加

基板９の凹面形状は、その底部が概略基板９の中央部と一致し、蛍光体層７の膜厚分布を相殺する形状であり、蛍光体層は、ＣｓＩの微細な柱状結晶の集合体からなる。 - 特許庁

The invention is columnar polycrystal silicon in which crystals are grown to a preferential crystal growth direction, and the content of inevitable impurities is ≤10 ppm.例文帳に追加

優先結晶成長方向に結晶成長された柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a ferrite film comprising an aggregate of homogeneous columnar crystals so as to eliminate conventional drawbacks in a ferrite film formed by a ferrite plating method and to increase industrial productivity.例文帳に追加

フェライトメッキ法によって形成されたフェライト膜において、懸かる従来の欠点を解消して工業的な生産性を増し、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

A parylene organic film 9 is formed, covering the top and side face of the scintillator 7 and extending to a board 1 part outside it, and the film 9 intrudes into at least top gaps among gaps of the columnar crystals of the scintillator 7.例文帳に追加

シンチレータ７の上部および側面を覆い、その外周の基板１部分にまで達するようにパリレン製の有機膜９が形成されており、この有機膜９はシンチレータ７の柱状結晶の隙間の少なくとも上部の隙間まで入り込んで形成されている。 - 特許庁

The tubular SiC-compact made with a CVD method comprises a tubular body composed of a SiC layer consisting of fine polycrystals having particular crystallinity, and the inner and outer faces formed /deposited with columnar crystals of particular crystallinity.例文帳に追加

ＣＶＤ法により作製される管状のＳｉＣ成形体であって、管状部本体は特定した結晶性状の微粒多結晶からなるＳｉＣ層で構成され、その内外面は結晶性状を特定した柱状結晶が形成、被着された構造からなる。 - 特許庁

A sol of an organometallic compound or an inorganic compound is applied to crystal nuclei 2 formed on the curved surface of a cylindrical support 1 and is solidified and heat-treated to grow titanium oxide crystals in a columnar crystal form on the nuclei 2.例文帳に追加

有機金属化合物または無機化合物のゾル溶液を、円柱形基材１の曲面上に作製した結晶核２に塗布し、固化、熱処理して結晶形状が柱状を成す酸化チタン結晶３を該結晶核２より成長させるた。 - 特許庁

The radiation image detector includes: a radiation image conversion panel which is equipped with a group of columnar crystals 35 containing a fluorescent material for emitting fluorescence by radiation exposure; and a sensor panel 3 which detects the fluorescence emitted from the radiation image conversion panel.例文帳に追加

放射線画像検出装置は、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有した柱状結晶３５の群を備える放射線画像変換パネルと、放射線画像変換パネルから発せられる蛍光を検出するセンサパネル３と、を備えている。 - 特許庁

To provide a radiographic image detector capable of acquiring very sharp radiographic images by making appropriate the relation between a pixel size L of a light-receiving element and the distances H from tips of columnar crystals of a scintillator panel to the light-receiving element and provide its manufacturing method.例文帳に追加

受光素子の画素サイズＬと、シンチレータパネルの柱状結晶先端から受光素子までの距離Ｈとの関係を適正化し、鮮鋭性の高い放射線画像を得ることのできる放射線画像検出器及び放射線画像検出器の作製方法を提供する。 - 特許庁

Development of coarse columnar crystals in a cast slab is restrained by adding Mg after realizing the chemical composition with the contents of C, N, Si, Mn, P, and Ti reduced as far as possible to obtain high workability and by dispersing MG-containing oxides to promote nucleation of solidification, and thus, the reduction of roping and ridging in the product is achieved.例文帳に追加

高加工性を得るために，Ｃ，Ｎ，Ｓｉ，Ｍｎ，ＰおよびＴｉをできるだけ低減した化学組成にした上で，Ｍｇを添加して，凝固の核生成を促進するＭｇ含有酸化物を分散させることにより，鋳片において粗大な柱状晶が発達するのを抑制して，製品のローピング，リジングの低減を図る。 - 特許庁

The porous structure, of which the pores carry a functional material, contains two or more components forming eutectic crystals and has a plurality of columnar pores, wherein a biopolymer as the functional material is carried by the wall surface of the pores.例文帳に追加

孔に機能性材料を担持した多孔質構造体あって、前記構造体は共晶を形成する２種類以上の成分を含有し、複数の柱状の孔を有していて且つ前記孔の壁面に機能性材料として生体高分子が担持されている。 - 特許庁

This invention provides the radiation image conversion panel which includes the support, a layer of a matrix compound of storage phosphors coating the surface of the support with a coating rate of 95% or higher and the phosphor layer which is formed on the layer of the matrix compound of the storage phosphors and is made of an aggregate of columnar crystals of the storage phosphors.例文帳に追加

支持体、該支持体の表面を９５％以上の被覆率で被覆している蓄積性蛍光体母体化合物層、そして該蓄積性蛍光体母体化合物層の上に形成された蓄積性蛍光体柱状結晶の集合体からなる蛍光体層を含む放射線像変換パネル。 - 特許庁

A large number of the inlet holes 522 are formed to the gas-sensitive layer 52, which is provided on an electrical insulating layer 4 so as to spread across a pair of sensing electrode layers 52 and 52, by growing a large number of inclined columnar crystals 521 inclined with respect to the surface of the electric insulating layer 4.例文帳に追加

一対の感知電極層５１，５１を渡すように電気絶縁層４上に設けられるガス感応層５２は、電気絶縁層４の表面に対して傾斜する多数の傾斜柱状晶５２１を成長させることで導入孔５２２が多数形成されるような層とした。 - 特許庁

The radiation image conversion panel is equipped with a stimulable phosphor layer 12 which is formed on a support 11 by a gas-phase layup method and contains stimulable phosphors consisting of columnar crystals 13 and the surface hardness of the stimulable phosphor layer 12 is made higher than that of the support 11.例文帳に追加

放射線像変換パネルは、支持体１１上に気相堆積法により形成されて柱状結晶１３からなる輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層１２を備えており、輝尽性蛍光体層１２の表面硬度を支持体１１の表面硬度に比べて高くする。 - 特許庁

To provide a continuous casting method with which both of coarse granular crystal near the center and coarse columnar crystal surrounding the above crystal can be formed into fine equiaxial crystals, and a continuously cast slab having fine solidified structure, cast by using this method.例文帳に追加

本発明は、中心近傍の粗い粒状晶とそれを取り囲む粗い柱状晶を、共に微細な等軸晶にできる連続鋳造方法およびそれを用いて鋳造した微細な凝固組織を有する連続鋳造鋳片を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film gas sensor and its manufacturing method capable of reducing variations of resistance values of a SnO_2 sensing film by reducing the roughness height of an underlying surface through the flattening prior to formation of a SnO_2 sensing film and minimizing the coarse portion of columnar crystals.例文帳に追加

ＳｎＯ_２感知膜成膜前の下地面を平坦化して凹凸部の高低差を減少させ、柱状晶間が粗になる部分を極力少なくしてＳｎＯ_２感知膜の抵抗値のバラツキを低減させた薄膜ガスセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

The scintillator plate composed of a protective film placed so as to coat a scintillator layer of the plate which includes a scintillator layer consisting of columnar crystals on a substrate is characterized in that the surface roughness (Ra) of the protective film on the side of the scintillator is between 0.5 μm and 3.0 μm inclusive.例文帳に追加

基板上に柱状結晶からなるシンチレータ層を有したシンチレータプレートのシンチレータ層を被覆するように設けられた保護フィルムからなるシンチレータプレートにおいて、保護フィルムのシンチレータ側表面の粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上、３．０μｍ以下であることを特徴とするシンチレータプレート。 - 特許庁

A stage wherein a reaction liquid at least comprising ferrous ions is brought into contact with a substrate 4; a stage wherein the reaction liquid is removed from the substrate; a stage wherein an oxidation liquid is brought into contact with the substrate; and a stage wherein the oxidation liquid is removed from the substrate are repeated to obtain the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals 10.例文帳に追加

少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体４に接触させる工程、反応液を基体から除去する工程、酸化液を基体に接触させる工程、酸化液を基体から除去する工程を繰り返すことにより、均質な柱状結晶１０の集合体であるフェライト膜１３が得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing a polycrystalline thin film and a method for producing a composite nanocrystal layer, with which variation in size of a great number of columnar crystals grown in a direction perpendicular to one surface of a substrate and variation in formation positions can be suppressed, and a field-emission electron source enhancing electron emission efficiency and a luminescent device enhancing luminous efficiency.例文帳に追加

基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。 - 特許庁

In the obtained electronic material with the tin based plating, with the lapse of time or under reflowing at ≥210°C, the flash copper plating layer is mutually diffused with the nickel plating layer as a substrate, so as to be changed into a barrier layer composed of a copper-nickel alloy layer, and prevents the growth of acicular or columnar crystals caused by intermetallic compounds in the tin or tin alloy plating film.例文帳に追加

得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または２１０℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。 - 特許庁