「crystal dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a crystal film, crystal substrate, and semiconductor device which are low in a dislocation density, using a crystal base containing dislocation.例文帳に追加

転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜，結晶基板および半導体装置が得られるようにする。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of a dislocation-free single crystal when the single crystal is grown by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法による単結晶育成での無転位収率を改善する。 - 特許庁

To prevent a crystal defect failure due to dislocation.例文帳に追加

転位による結晶欠陥不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To prevent crystal defect failure by dislocation.例文帳に追加

転位による結晶欠陥不良を防止できるようにする。 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁

The GaN grown in second time has a further low dislocation density because the dislocation density in the surface of the seed crystal is low.例文帳に追加

表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。 - 特許庁

To realize the dislocation of a growth film (growth crystal) at zero or almost non-dislocation during heteroepitaxial growth of a crystal thin film.例文帳に追加

結晶薄膜のヘテロエピタキシャル成長において、成長膜（成長結晶）中の転位を零，もしくは、ほぼ無転位とする。 - 特許庁

(1) The dislocation controlling seed crystal 10 comprises α-type SiC.例文帳に追加

（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。 - 特許庁

In this case, no dislocation occurs in the growth crystal 16 because the crystalline nucleus 14 of non-dislocation is used.例文帳に追加

このとき、無転位の結晶核１４を核としているため、成長結晶１６中に転位は発生しない。 - 特許庁

The GaN crystal 100 is grown in a step-flow mode, and a dislocation propagating from the seed crystal 18 is bent in the GaN crystal 100 to reduce the dislocation density.例文帳に追加

ＧａＮ結晶１００はステップフロー成長し、種結晶１８から伝搬する転位はＧａＮ結晶１００中において曲げられ、転位密度が減少する。 - 特許庁

DISLOCATION CONTROLLING SEED CRYSTAL, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, AND PRODUCTION METHOD OF SiC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING DISLOCATION DENSITY OF FLUORIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING FLUORIDE CRYSTAL例文帳に追加

フッ化物結晶の転位密度測定方法、測定装置及びフッ化物結晶の製造方法 - 特許庁

To manufacture a low-dislocation single crystal which can sufficiently stand use as an optical element material, by suppressing generation of dislocation in the grown crystal.例文帳に追加

成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。 - 特許庁

Since the dislocation extends in the growth direction, the crystal is sliced in parallel to the extension direction of the dislocation when the crystal is cut in parallel to the growth direction.例文帳に追加

転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。 - 特許庁

Since an inclusion 103 prevents propagation of a dislocation 104, the dislocation density in the GaN crystal 102 is reduced.例文帳に追加

インクルージョン１０３によって転位１０４の伝搬が阻止されるため、ＧａＮ結晶１０２の転位密度が減少する。 - 特許庁

To produce a silicon carbide single crystal with low dislocation density by a solution process.例文帳に追加

溶液法により、転位密度の低い炭化硅素単結晶を製造する。 - 特許庁

In this case too, the crystal grows in the lateral direction, so that the internal stress of the crystal thin film 18 is released and non-dislocation or almost non-dislocation is realized.例文帳に追加

この場合も、結晶は横方向成長であるため、結晶薄膜１８の内部応力は緩和されて無転位，もしくは、ほぼ無転位となる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal in the crystal orientation [110] having no dislocation, and to provide an evaluation method of judging presence or absence of dislocation.例文帳に追加

結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。 - 特許庁

The GaN crystal 105 grows in a step flow mode, and the dislocation 104 is bent in the GaN crystal 105, so that the dislocation density is further reduced.例文帳に追加

ＧａＮ結晶１０５はステップフロー成長し、転位１０４はＧａＮ結晶１０５中において曲げられるため、転位密度がさらに減少する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a low dislocation density on the crystal growth plane after the crystal is grown and to provide a growing method of the crystal.例文帳に追加

結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

The dislocation controlling seed crystal 10, the method for producing the seed crystal, and the production method of a SiC single crystal using the seed crystal are configured as follows.例文帳に追加

以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacture method for fluid dispersion containing titanyl phthalocyanine crystal which has high crystal stability (scarcely causes crystal dislocation) and has small crystal size.例文帳に追加

結晶安定性が高く（結晶転移の少ない）、粒子サイズの小さいチタニルフタロシアニン結晶を含む分散液の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for modifying a silicon carbide single crystal substrate, by which the specific dislocation defect such as basal plane dislocation or spiral dislocation is reduced, and to provide an apparatus for modifying a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing dislocation and crystal faults generated in a mixed crystal layer.例文帳に追加

混晶層に発生する転位、結晶欠陥を抑制することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaN single crystal substrate with reduced crystal defect such as dislocation.例文帳に追加

転位等の結晶欠陥が低減されたＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the silicon carbide single crystal 10 is grown on the dislocation controlling seed crystal 1 (growth process).例文帳に追加

そして、転位制御種結晶１上に、炭化ケイ素単結晶１０を成長させる（成長工程）。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal in which a dislocation exists only at the center part of the crystal and the other crystal region where a dislocation does not exist is usable in a device process and a silicon wafer.例文帳に追加

転位が結晶の中心部のみに存在し、転位が存在しないその他の結晶領域をデバイス工程で使用可能なシリコン単結晶およびシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

This energy storage device is provided with a holding means 1, which holds the liquid crystal LC inside; an inclined-dislocation forming means, which is arranged in a liquid crystal within the holding means 1 and forms an inclined dislocation inside the liquid crystal LC; and a restraining means which restrains the movement of the inclined dislocation formed in the liquid crystal.例文帳に追加

液晶ＬＣを内部に保持する保持手段１と、保持手段１内の液晶中に配設され、液晶ＬＣ内に転傾を形成する転傾形成手段と、液晶内に形成された転傾の移動を拘束する拘束手段とを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon single crystal which can suppress the occurrence of a slip dislocation irrespective of the crystal orientation, can achieve a dislocation-free crystal simply, can improve the quality of the crystal, and is most suited in particular for pulling a <110> single crystal by using a seed crystal having a crystal orientation of <110> that is difficult to eliminate the slip dislocation.例文帳に追加

結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high quality semiconductor crystal which is free from cracks and has a low dislocation density.例文帳に追加

クラックが無く転位の密度が低い高品質の半導体結晶を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a dislocation-free single-crystal silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal grown by a CZ method has a crystal axis orientation [110] and a dislocation in the crystal length direction at the center part of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の結晶軸方位が［１１０］であり、結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在する。 - 特許庁

Furthermore, if the inclined dislocation is in a movable state, the energy stored in the liquid crystal LC can be extracted, by utilizing the movement of the inclined dislocation and the flow generated in the liquid crystal LC accompanying the movement of the inclined dislocation.例文帳に追加

また、転傾が移動できる状態とすれば、液晶ＬＣ中に貯蔵されていたエネルギを、転傾の移動や、転傾の移動に伴って液晶ＬＣ中に発生する流動を利用して取り出すことができる。 - 特許庁

A substrate has a plurality of high-defect regions composed of a crystal having a second average dislocation density higher than a first average dislocation density, in a low-defect region composed of a crystal having the first average dislocation density.例文帳に追加

基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。 - 特許庁

To heighten the probability of being free from introduction of dislocation into a seed crystal in a method for producing a single crystal, which comprises gradually immersing the seed crystal free from the dislocation into a silicon melt and pulling up the single crystal when the diameter of the seed crystal becomes a prescribed size.例文帳に追加

無転位種結晶をシリコン融液中に徐々に浸漬させていき、種結晶の径が所定の大きさになった時点で引き上げて単結晶を製造する方法において、種結晶に転位が導入されない確率を高める。 - 特許庁

To provide a crystal growth method by which a crystal thin film having low dislocation density can be produced, and to provide a crystal growth apparatus.例文帳に追加

転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To detect crystal defects such as dislocation, stacking fault, and the like, easily and precisely.例文帳に追加

転位や積層欠陥などの結晶欠陥を容易かつ精度よく検出する。 - 特許庁

The functional layer 3 having higher Al mixed crystal ratio can obtain more excellent dislocation reduction effect.例文帳に追加

Ａｌ混晶比が高い機能層３ほど、優れた転位低減効果が得られる。 - 特許庁

To provide a pulling method for silicon single crystal which can prevent propagation of heat shock dislocation that occurs in the seed crystal to a product part and can safely pull a large diameter dislocation-free single crystal.例文帳に追加

種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a germanium single crystal, capable of preventing germanium oxide from depositing on the surface of a growing crystal and growing the germanium single crystal with a low dislocation density or free of dislocation.例文帳に追加

成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8.例文帳に追加

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。 - 特許庁

To provide a simple and efficient crystal growth method by promoting growth of low dislocation.例文帳に追加

低転位の成長を促す、簡単で効率的な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加

転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped group 3B nitride crystal having high resistance and low dislocation density.例文帳に追加

高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁