「deep beneath」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The sensor also includes a deep n region (15) beneath the p+ well (12) which establishes within the epi layer a depletion layer so that carriers generated in the epi layer are caused to drift to the n+ well (13) on application of a biasing voltage charge.例文帳に追加

センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。 - 特許庁

Consequently, an FET having a body (substrate) contact 216 for deep diffusion regions, i.e., P-type diffusion regions 206, 208, across the total thickness of an island 210 can be formed on the surface of an SOI layer 210 and a passage 211 is left beneath the diffusion regions 206, 208.例文帳に追加

この結果、ＳＯＩ層２１０の表面にアイランド２１０の全厚さにわたる深い拡散領域であるＰ型拡散領域２０６、２０８に対するボディ（基板）コンタクト２１６を備えたＦＥＴを形成することができ、拡散領域２０６、２０８の下には経路２１１が残される。 - 特許庁

The wide effective space deep into the interior is secured by dividing at least one shelf board 29 into a front half shelf 29a and a rear half shelf 29b, and supporting the divided shelf board 29 in a state of two vertical tiers and a state stored beneath an upper side shelf board 29.例文帳に追加

少なくとも棚板２９の１つを前半棚２９ａと後半棚２９ｂに分割し、分割した棚板２９を上下二段の状態で上位側の棚板２９の下に格納状態で支持し、庫内奥まで広い有効スペースを確保する。 - 特許庁

Because the waste toner is conveyed to the deep side of the accumulation section 97 by rotating the transport screw 96f and the accumulation section 97, the substantial accumulation amount of the toner is increased as compared with the case where the waste toner is piled up and remains stationary immediately beneath the receiving section 96c.例文帳に追加

搬送スクリュー９６ｆ及び貯留部９７を回転させることにより、廃トナーを貯留部９７の奥側に搬送することができるので、受入部９６ｃの直下で廃トナーが山積みになって停留される場合と比較して、実質的なトナーの貯留量を増加させることができる。 - 特許庁

The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加

集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁