「dielectric interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR CONTROLLING INTERFACE LAYER FOR DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM例文帳に追加

高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法 - 特許庁

A single dielectric stack comprising a gate dielectric layer 1, a dielectric capping layer 2, and a dielectric capping layer 2", and one metal layer overlying the dielectric stack, are first deposited, forming a metal-dielectric interface.例文帳に追加

ゲート誘電体層１と誘電体キャップ層２および誘電体キャップ層２’’とを含む１つの誘電体スタックと、誘電体スタックを覆う１つの金属層とが、最初に形成され、金属−誘電体界面を形成する。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

In the nitrogen-containing layer, concentration of nitrogen is the highest on the interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層において、窒素の濃度は高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面が最も高い。 - 特許庁

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer.例文帳に追加

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。 - 特許庁

The nitrogen-containing layer is formed from the high dielectric constant film 112 to the interface layer 110.例文帳に追加

窒素含有層は高誘電率膜１１２から界面層１１０に渡って形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING HIGH QUALITY SILICON DIELECTRIC FILM ON GERMANIUM BY HIGH-QUALITY INTERFACE例文帳に追加

高品質インタフェースによってゲルマニウム上に高品質シリコン誘電膜を堆積するための方法 - 特許庁

An oxide-based interface is provided between the high-K dielectric material and the underlying substrate.例文帳に追加

この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。 - 特許庁

Then, the dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.例文帳に追加

そして、誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁

The dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.例文帳に追加

誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁

The separation preventive layer 19 is formed of a dielectric substance different from that of the dielectric layer 20 and improves the adhesion in a joining interface between the dielectric layer 20 and other components.例文帳に追加

剥離防止層１９は、誘電体層２０とは異質な誘電体から構成され、誘電体層２０と他の構成要素との間の接合界面における密着性を向上させる。 - 特許庁

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent to the drift zone.例文帳に追加

この半導体デバイスは、第１のフィールドプレートを、ドリフトゾーンに隣接する誘電層の界面付近の誘電層内の電荷およびドリフトゾーンから電気的に分離する誘電層を含む。 - 特許庁

When a Pb raw material becomes aged, an interface layer composed mainly of RuO_2 is generated in an interface, and the residual dielectric polarization value is reduced.例文帳に追加

ただし、Ｐｂ原料が旧くなったりすると界面にはＲｕＯ２を主成分とする界面層が発生し、残留分極値も減少した。 - 特許庁

To improve junction strength on the interface between a dielectric layer and an electrode layer in a multilayer ceramic board.例文帳に追加

多層セラミック基板において、誘電体層と電極層と界面での接合強度を向上させる。 - 特許庁

According to the structure, interface characteristics can be improved and permittivity of the high dielectric film can be optimized.例文帳に追加

これによって、界面特性を改善すると共に、高誘電体膜の誘電率を最適化できる。 - 特許庁

A new MOSFET provided with the metal gate electrode, a gate dielectric and an interface layer is disclosed.例文帳に追加

金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。 - 特許庁

The first high-dielectric film 103 is prepared on the interface oxidation layer 102, containing nitrogen.例文帳に追加

第１の高誘電体膜１０３は、界面酸化層１０２の上に設けられ、窒素を含有している。 - 特許庁

Then, the gate insulation film 120 has a nitrogen-containing layer containing nitrogen near an interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜１２０は、高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面近傍に、窒素を含有する窒素含有層を有している。 - 特許庁

A dielectric layer is provided at an interface between two silicons by the use of nitrogen, by which each wafer can be controlled in electric resistance at an interface.例文帳に追加

２つのシリコン界面に、窒素を利用して誘電体層を設けることにより、ウェハ毎に、界面での電気抵抗を制御することが可能となる。 - 特許庁

The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.例文帳に追加

カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁

To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed.例文帳に追加

ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜／高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

In the gate insulation film 120, an interface layer 110 and a high dielectric constant film 112 are stacked.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２０は、界面層１１０と高誘電率膜１１２とを積層した構成を有している。 - 特許庁

The gate dielectric layer comprises a first material, and the first material forms an interface of low defectiveness with the channel layer.例文帳に追加

ゲート誘電層は第一材料からなり、第一材料は、チャネル層に対する低欠陥の界面を形成する。 - 特許庁

To measure the conductivity of the interface of a metal layer and a dielectric substrate.例文帳に追加

金属層と誘電体基板との界面の導電率を測定することのできる新規な測定方法を提供する。 - 特許庁

Dielectric regions 9 are partially formed at an interface 5 between a single crystal silicon 1 and a polycrystalline silicon 3.例文帳に追加

単結晶シリコン１と多結晶シリコン２との界面に、部分的に誘電体領域９が形成されている。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁

A position at which the composition ratio of the second metal in the high dielectric constant insulating film 102 becomes a maximum is separated from each of the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the oxygen-containing insulating film 101, and the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the gate electrode 150.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１０２における第２の金属の組成比が最大になる位置は、高誘電率絶縁膜１０２と酸素含有絶縁膜１０１との界面及び高誘電率絶縁膜１０２とゲート電極１５０との界面のそれぞれから離れている。 - 特許庁

This polarizing plate is made a constitution having a dielectric film between a light transmitting substrate and a polarizing film and the quantity of interface reflection of light is reduced by using the dielectric film.例文帳に追加

偏光板を、光透過性の基板と偏光フィルムとの間に誘電体膜を有する構成とし、該誘電体膜で光の界面反射量を減らす。 - 特許庁

METHOD FOR EVAPORATING METAL GATE ON HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD FOR IMPROVING INTERFACE BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC FILM AND METAL GATE, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM例文帳に追加

ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜上に金属ゲートを蒸着する方法及び、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させる方法、並びに、基板処理システム - 特許庁

INTERCONNECTION STRUCTURE WITH IMPROVED ADHESION BETWEEN NOBLE METAL LINER AND ADJACENT DIELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD (IMPROVEMENT IN ADHESION FOR METAL/DIELECTRIC INTERFACE)例文帳に追加

貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料間の付着性を向上させた相互接続構造およびその製造方法（金属／誘電体界面のための付着性向上） - 特許庁

After forming the dielectric stack and the metal layer, at least a part adjoining the metal-dielectric interface of the dielectric capping layer 2" is selectively modified by adding work function tuning elements 6.例文帳に追加

誘電体スタックと金属層を形成した後、誘電体キャップ層２’’の、金属−誘電体界面に隣接する少なくとも一部が、仕事関数変調元素６を加えることにより選択的に変調される。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

To relate to a method for manufacturing a low-defect interface between a dielectric and a group III/V compound.例文帳に追加

本発明は、誘電体材料とＩＩＩ／Ｖ化合物との間に低欠陥界面を製造する方法に関する。 - 特許庁

To form a layer of a high-κ dielectric material on an H termination silicon without forming a low-κ interface layer.例文帳に追加

低κ界面層を形成することなく、Ｈ終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。 - 特許庁

On the interface between the dielectric and electrode layers of a multilayer ceramic board, a plurality of lattice stripes are formed continuously.例文帳に追加

多層セラミック基板の前記誘電体層と前記電極層との界面に、複数の格子縞を連続して形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a transistor gate structure is disclosed, roughness of a high dielectric constant dielectric layer is decreased by forming a nucleation acceleration layer (120) on a substrate (104) or an arbitrary intentional interface layer, and a high dielectric constant dielectric (130) is formed on the nucleation acceleration layer (120).例文帳に追加

トランジスタゲート構造を製造する方法が開示され、高誘電率誘電体層の粗さが、核形成促進層（１２０）を基板（１０４）又は任意の意図的な界面層の上に形成することによって低減され、高誘電率誘電体（１３０）が核形成促進層（１２０）の上に形成される。 - 特許庁

In addition, more preferably, an antistatic agent or an electronically conductive polymeric material is applied on the interface between the structure of the smallest dielectric constant and the structure of the second smallest dielectric constant, and the structure of the highest dielectric constant preferably increases the dielectric constant by kneading in the antistatic agent.例文帳に追加

さらに、誘電率が最も小さい構造物と２番目に小さい構造物との界面に帯電防止剤や電子電導性高分子材料を施すことがより好ましく、誘電率の最も大きい構造物が帯電防止剤を練り込んで誘電率を上げることが好ましい。 - 特許庁

A dielectric film deposition method is used as a means for solving the problems, characterized in that anti-oxidation films to prevent the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted and deposited in the interface of the substrate and dielectric film, and the interfaces of the dielectric films, in a method of depositing the dielectric film on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電膜を蒸着する方法において、基板と誘電膜の界面と、誘電膜間の界面とに下部電極の酸化及び拡散を防止する酸化防止膜を挿入して蒸着することを特徴とする誘電膜蒸着法を課題の解決手段とする。 - 特許庁

To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element.例文帳に追加

金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有する光電変換装置である。 - 特許庁

To increase the quality of an interface between a dielectric region and a semiconductor substrate, obtain a dielectric region impermeable to an impurity atom from a gate region, and obtain a thickness substantially equal to that of a stacked dielectric film.例文帳に追加

誘電体領域と半導体基盤との界面を高品質化し、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域を獲得し、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さを得る。 - 特許庁

The electronic component includes an inner conductive layer 2 in a dielectric layer 1, and a nickel oxide layer 3 is located on an interface between the dielectric layer 1 and the inner conductive layer 2.例文帳に追加

誘電体層１中に内部導体層２を有する電子部品であって、前記誘電体層１と前記内部導体層２との界面に酸化ニッケル層３が存在する - 特許庁

To provide a method of forming a capacitor with high capacitance, which prevents decrease of the dielectric constant by preventing formation of a silicon-oxide film at the interface between the storage electrode and the dielectric film.例文帳に追加

貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するキャパシタの形成方法とする。 - 特許庁