| 意味 | 例文 |
element-typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10216件
The electrochemical element is assembled by containing nanoparticles of Prussian blue type metal complex in at least one electrochemical responsive material layer in a pair of electrode bodies 11 and 12 having electrochemical responsive material layers 2 and 4, facing the pair of electrode bodies 11 and 12 to each other so that the electrochemical responsive material layer 2 and 4 are set inside, and interposing a high molecular compound-containing electrolyte layer 3 between both the electrode bodies 11 and 12.例文帳に追加
電気化学応答性材料層２，４を具備する一対の電極体１１，１２においてその少なくとも一方の電気化学応答性材料層にプルシアンブルー型金属錯体のナノ粒子を含有させ、前記一対の電極体１１，１２をその電気化学応答性材料層２，４側が内側になるよう対向させ、該両電極体１１，１２の間に高分子化合物含有電解質層３を介在させて組み立てた電気化学素子。 - 特許庁
Each copper foil layer is formed at the cut face of the board, which joins to the upper and lower copper foil layer, by using copper through-hole plating, and one sheet of rotating type movement element is fabricated by forming many tub-shaped electrodes made up of three-face copper coil layers radially.例文帳に追加
すなわち、円板型絶縁性基板の両面に同一個所に放射状に複数の短冊形の銅箔層を形成し、該短冊型銅箔層の長辺を含んで、両面銅箔層と基板を貫いて短冊状にカットし、上下銅箔層につながる基板のカット面に銅スルーホールメッキで銅箔層を形成して該３面の銅箔層で構成される樋型電極を放射状に多数形成することで、１枚の回転型移動子が製造できる。 - 特許庁
A plurality of wiring boards 30 having a plurality of connection electrodes buried in vias and wirings 8 electrically connected to the connection electrodes, semiconductor elements 5 mounted on the wiring boards 30, and a plurality of conductive via insulation boards 20 having openings 12 for housing the semiconductor element 5 and connection electrodes buried in vias are alternately laminated and unified into a thin type semiconductor device capable of housing semiconductor elements.例文帳に追加
ビアに埋め込まれた複数の接続電極及びこの接続電極に電気的に接続された配線８を備えた複数の配線基板３０と、前記配線基板に搭載された半導体素子５と、半導体素子が収容される開口部１２を有し、ビアに埋め込み形成された接続電極を備えた複数の導電ビア絶縁基板２０とを交互に積層し一体化して半導体素子が収容可能な薄型半導体装置が形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent deterioration of element characteristic and reliability which are to be caused by phenomena that a trench filling insulating material which is protruded in a protruding shape is largely hollowed from its side surface, and a trench top corner part of a semiconductor substrate is exposed, in a semiconductor device of a trench insulating type and its manufacturing method.例文帳に追加
本発明は、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、凸形状に突出しているトレンチ充填絶縁物がその側面から大きくえぐられて半導体基板のトレンチトップコーナー部が露出することに起因する素子特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
When the radiation angle of a vertical radiation component of the light emitted by the semiconductor light emitting element 2 is converted by the columnar lens 4, the apparent light emission point position moves, but the movement of the light emission point position is canceled by providing the slab type optical waveguide 3 and the beam whose vertical radiation component and horizontal radiation component have the same radiation angle is obtained.例文帳に追加
半導体発光素子２から出射した光の垂直放射成分の放射角を円柱型レンズ４で変換することで見かけ上の発光点位置が移動するが、スラブ型光導波路３を備えることで発光点位置の移動が相殺され、垂直放射成分と水平放射成分の見かけ上の発光点位置が一致し、かつ、垂直放射成分と水平放射成分の放射角が一致したビームが得られる。 - 特許庁
The tank-type lightning arrester houses the nonlinear resister element group in a grounded tank with an insulation medium sealed, a roughly cylindrical shield is arranged at its high voltage side, and a roughly semispherical shield is connected to the low voltage side of the roughly cylindrical shield through a connection support.例文帳に追加
絶縁媒体を封入した接地タンクに非直線抵抗要素群を収納し、その高圧側に略円筒状シールドを配設し、略円筒状シールドの低圧側に接続支持体を介して略半球形状シールドを接続したタンク形避雷器において、略円筒状シールド６の先端を非直線抵抗要素群１の全高“Ｈ”の８５％〜９０％の高さに配置し、略半球形状シールド１０の先端を非直線抵抗要素群１の全高“Ｈ”の４０％〜５０％の高さに配置する。 - 特許庁
The MSM type semiconductor light receiving element includes a semiconductor substrate, a light absorption layer formed on the semiconductor substrate, a Schottky electrode formed on the light absorption layer, and a light transmission layer formed on the light absorption layer in a region other than that in which the Schottky electrode is formed and made of oxide, a two-dimensional channel being formed on the interface between the light absorption layer and light transmission layer.例文帳に追加
本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 - 特許庁
The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength.例文帳に追加
本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。 - 特許庁
This voltage-driven type power element is equipped with cell blocks 8, provided on the top surface of a semiconductor substrate 2, gate pads 9 provided by the cell blocks 8, main emitter electrodes 10 provided by cell blocks 8, and two subordinate emitter electrodes 11 and 12, which are provided to one of the cell blocks 8 to constitute current mirrors with the main emitter electrodes 10 and differing in the number of unit cells.例文帳に追加
本発明の電圧駆動型パワー素子は、半導体基板２の表面に設けられた複数のセルブロック８を備え、これら複数のセルブロック８毎にそれぞれ設けられた複数のゲートパッド９を備え、複数のセルブロック８毎にそれぞれ設けられた複数の主エミッタ電極１０を備え、複数のセルブロック８の中の１つのセルブロック８に設けられ前記主エミッタ電極１０とカレントミラーを構成するものであってユニットセルの個数が異なる２個の従エミッタ電極１１、１２を備えるように構成したものである。 - 特許庁
The chip type LED having packaged three or more LED elements has at least two wiring paths including a wiring path formed by at least two LED elements connected in series in the forward direction and another wiring path having the remaining LED elements aligned, so that even when one LED element has an open failure to be turned off, the LED elements in the remaining wiring path keep turned on, significantly improving the life characteristics.例文帳に追加
３個以上のＬＥＤ素子がパッケージ化されたチップ型ＬＥＤにおいて、少なくとも２個のＬＥＤ素子が順方向に直列接続されて一つの配線経路が形成され、残りのＬＥＤ素子が配列された別の配線経路と合わせて、少なくとも２系統以上の配線経路が形成されているので、１つのＬＥＤ素子がオープン故障し、不点灯になったとしても、残りの配線経路のＬＥＤ素子が点灯を持続し、寿命特性を大幅に向上させることができる。 - 特許庁
This method comprises a naphthalene hydrocarbon selected from naphthalene, methylnaphthalene, dimethylnaphthalene, trimethylnaphthalene, a polymethylnaphthalene and/or their mixture with one or more kinds of benzene hydrocarbon selected from benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, pentamethylbenzene and/or hexamethylbenzene under an at least partially liquid phase condition in the presence of a catalytic composition containing a zeolite belonging to MTW structure type and at least one element selected from P, B and Si.例文帳に追加
ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、トリメチルナフタレン、ポリメチルナフタレン、および／またはそれらの混合物から選択されたナフタレン炭化水素を、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼンおよび／またはヘキサメチルベンゼンから選択された１種以上のベンゼン炭化水素と、少なくとも部分的に液相条件下で、ＭＴＷ構造型に属するゼオライトおよびＰ、ＢおよびＳｉから選択された少なくとも１種の元素を含んで成る触媒組成物の存在下で反応させることを含んで成る。 - 特許庁
The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加
一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁
Its capital adequacy ratio has fallen close to the regulatory limit of 4%, and this credit cooperative has already received capital support from Shinkumi Federation Bank twice. The injection of public funds into it this time would have a strong element of bailing out an individual credit cooperative. Could you tell us how you recognize this credit cooperative's business condition and the business condition of cooperative type financial institutions as a whole amid the recession? 例文帳に追加
自己資本比率も規制水準の4%のぎりぎりまで低下しているということであります。過去に、全信組連から資本支援を2回受けている信用組合なのですが、今回の公的資金注入ということは、非常に個別に、ここを救済していくという色彩の強い対応ではないかとも考えられるのですが、当該金融機関の経営状況についてどのように認識されているのか、さらに、景気が後退する中で、一般論としまして、協同組織金融機関全体の足下の経営状況について、どのように認識しているか伺えればと思います。 - 金融庁
If it appears from the examination that the application meets the requirements of the Community Law regarding the Community-wide protection of geographical indications or designations or origin, the name and address of the applicant, the geographical indication or designation of origin, the type of the agricultural product or foodstuff to be designated with, in the case of applications in accordance with Section 68c the designation of the element of the specification covered by the amendment, as well as information on the possibility of delivering an opinion in accordance with par 2 shall be published in the Patent Gazette. 例文帳に追加
審査の結果，申請が，地理的表示又は原産地呼称の共同体全域での保護に関する共同体の要件を満たしていると認められたときは，申請人の名称及び宛先，申請に係わる地理的表示又は原産地呼称，それを標示する農産物又は食品の種類，第68c条の規定による申請の場合は，説明書中の内容であって変更に係わる部分の名称，並びに(2)の規定に従って意見書を提出することができる旨の指摘が特許公報に公告される。 - 特許庁
As a valve element of an exhaust gas mixture ratio control valve 5 for adjusting a mixture ratio of high temperature exhaust gas and low temperature exhaust gas, a flap type valve 7 in which a normal with respect to the valve end face is inclined at a predetermined inclination angle with respect to a rotational center axis line of a valve shaft 8 is used.例文帳に追加
高温の排気ガスと低温の排気ガスとの混合比を調節する排気ガス混合比制御弁５の弁体として、そのバルブ端面に対する法線が、バルブシャフト８の回転中心軸線に対して所定の傾斜角度を持って傾いたフラップ型バルブ７を使用することにより、ＥＧＲガスクーラ３側からミキシング室３３内に導入される低温の排気ガスと、バイパス配管４側からミキシング室３３内に導入される高温の排気ガスとが、ミキシング室３３内においてフラップ型バルブ７に当たり出口側流路３４に向かってスワールしながら混ざり合う。 - 特許庁
In a metal sheet wherein at least a resin coating film layer using an aminoplast resin as a curing agent is provided on one side or both sides of a metal sheet subjected to chemical conversion treatment, the element concentration distribution in the depth direction of the coating film is measured with respect to a top coating film layer by high frequency discharge type glow discharge emission spectrochemical analysis.例文帳に追加
化成処理を施した金属板の片面もしくは両面に、1層以上のアミノプラスト樹脂を硬化剤として用いた樹脂塗膜層をトップ塗膜層として有する金属板において、トップ塗膜層について高周波放電式グロー放電発行分光分析で塗膜の深さ方向の元素濃度分布を測定し、トップ塗膜層の空気に接している表面をゼロ点とし、ここから深さ方向の距離をTとし、更に、Nc=[窒素のスペクトル強度]/{[窒素のスペクトル強度]+[酸素のスペクトル強度]+[炭素のスペクトル強度]}と定義したときに、Ncの値が次の(A)0μm≦T≦0.5μmのいずれかの深さにおけるNcの値が0.45以上である。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
