「element-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(201ページ目) - Weblio英語例文検索

To eliminate a cause of discharging fault of an ink without generating a wrinkle on a contact surface by forming a shape of a distal end of a pressure contacting element in shape larger than a sectional area perpendicular to an ink supplying direction of a dome shape like a semispherical shape, a conical shape, a rugged surface shape or a V-type shape like to increase its contact area.例文帳に追加

圧接体の先端部の形状を、半球面形状のようなドーム形状、円錐形状、凹凸面形状またはＶ型形状等の、インク供給方向に垂直な断面積よりも大きい形状として当接面積が増大させることで、当接面に皺が発生することがなく、インクの吐出不良の発生原因をなくすようにする。 - 特許庁

To solve a problem that display is maintained in such an incomplete display state that rewrite on an image is not completed perfectly when power is not supplied because remaining capacity of a battery becomes insufficient while rewriting the image in a display device including a nonvolatile display panel such as a display panel having an electrophoretic type display element.例文帳に追加

電気泳動方式の表示素子を有する表示パネル等の不揮発性表示パネルを備えた表示装置において、画像の書き換え中に電池の電池残量の不足に陥って電力が供給されなくなると、画像への書き換えが完全に完了していない不完全な表示のまま表示が維持されてしまうことになる。 - 特許庁

The flow rate response type reactor shutdown and drive element can automatically move neutron absorber to a position corresponding to core fuel region by the pressure difference between inlet and outlet quickly responding to lowering of coolant flow rate, and automatically move a neutron reflector to below and outside the position corresponding to the core fuel region.例文帳に追加

冷却材流量の低下に即応する入口圧力と出口圧力の差圧により、中性子吸収体を炉心燃料域に相当する位置に自動的に移動したり、或いは中性子反射体を炉心燃料域に相当する位置の外の下方に自動的に移動したりすることのできる流量応答型炉停止駆動要素。 - 特許庁

The step of making the mother alloy includes a step of forming a solidified alloy layer which contains several R_2Fe_14B type crystals (R is at least one element selected from the group consisting of rare earth elements and yttrium) having rare earth-rich phases dispersed inside, by cooling the molten alloy through contacting it with a cooling member.例文帳に追加

母合金を作製する工程は、合金の溶湯を冷却部材に接触させることにより、合金の溶湯を冷却し、内部に希土類リッチ相が分散した複数のＲ_2Ｆｅ_14Ｂ型結晶（Ｒは希土類元素およびイットリウムからなる群から選択された少なくとも１種の元素）を含む凝固合金層を形成する工程を含む。 - 特許庁

The optical element 20 on a surface of which minute rugged part 21a below a visible ray wavelength is formed is molded integrally with the frame by supplying a resin material 23 into a molding die in a state where a frame 10 manufactured in advance is arranged in a cavity C of the molding die 3 to constitute the frame incorporated type optical part 1.例文帳に追加

本発明に係るフレーム一体型光学部品１は、あらかじめ製造したフレーム１０を成形型３のキャビティＣ内に配置した状態で樹脂材料２３を供給することにより、表面に可視光線の波長以下の微細凹凸部２１ａを形成した光学素子２０を、前記フレームと一体的に成形した構成としてある。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 17 is a capacitor interposed between the auxiliary capacity line 17 and pixel electrode 16 and has a 2nd electrode part 182 which is coupled with a 2nd conductive layer 142 of the two-terminal type nonlinear element 14 and a 1st electrode part 181 branching off from the auxiliary capacity line 17 to overlap the 2nd electrode part 182.例文帳に追加

補助容量１７は、補助容量線１７と画素電極１６との間に介在する容量であり、二端子型非線形素子１４の第２導電層１４２に連結された第２電極部１８２と、この第２電極部１８２と重なり合うように補助容量線１７から分岐した第１電極部１８１とを有する。 - 特許庁

This hydrogen gas detecting element is provided with a diaphragm type silicon substrate 1, a gas sensitive membrane 5 comprising an oxide semiconductor such as SnO_2, a pair of comb-toothed electrodes 4 comprising Pt or the like, a catalyst cluster 6 comprising Pd, Pt or the like, and a patially poisoned body 7 comprising SiO_2 which is formed by oxidizing a Si film without heating.例文帳に追加

ダイアフラム型のシリコン基板１と、ＳｎＯ_2等の酸化物半導体からなるガス感応膜５と、Ｐｔ等からなる一対の櫛歯電極４と、Ｐｄ、Ｐｔ等からなる触媒クラスタ６と、ＳｉＯ_2からなる部分被毒体７と、を備え、部分被毒体がＳｉ膜を加熱せずに酸化させて形成された水素ガス検出素子を得る。 - 特許庁

In the substrate type antenna, feeding lines 3 and 4 comprising micro-strip lines and an antenna element 5 comprising a micro-strip line are formed on a dielectric substrate 2, a reflector 6 is installed at a prescribed angle α of inclination with respect to the substrate 2, and the reflector 6 is movable relatively with respect to the substrate 2 keeping the angle α of inclination.例文帳に追加

誘電体基板２にマイクロストリップ線路からなる給電線３，４とマイクロストリップ線路からなるアンテナ素子５とを形成した基板型アンテナにおいて、前記基板２に対し所定の傾斜角αを持たせて反射板６を設置し、この反射板６を上記傾斜角αのまま前記基板２に対し相対的に移動自在に構成した。 - 特許庁

The organic EL display device of active matrix type has a polarizing plate 119 arranged on a display face side with the opposite side of a substrate 101 as the display face and has a flattening layer for reducing an irregularity shape corresponding to a circuit pattern of a thin film transistor, has a pixel electrode 115 and an organic EL element installed on the flattening layer.例文帳に追加

基板１０１の反対側を表示面として、表示面側に偏光板１１９を配置するとともに、薄膜トランジスタの回路パターンに対応した凹凸形状を低減するための平坦化層を有し、平坦化層の表面に画素電極１１５及び有機ＥＬ素子を設けたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁

As a result, an electromechanical coupling coefficient k^2 for a leaky surface acoustic wave faster than a Rayleigh type surface acoustic wave can be 0.20 or more, frequency/temperature characteristics can be settled within the range from -30 to +30 ppm/°C, thereby obtaining the functional element with the great electromechanical coupling coefficient k^2 and excellent frequency temperature characteristics.例文帳に追加

その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 - 特許庁

When an In-Cell type polarizer composition, containing a dye and a solvent and having ≤25 mS/cm conductivity and ≤2,500 ppm sodium ion concentration, is used, superior liquid crystal element, wherein a high voltage holding ratio suitable to active driving can be obtained and reduction of display performance, such as flickers and reduction in the contrast ratio will not be generated can be obtained.例文帳に追加

色素及び溶剤を含有するIn-Cell型偏光子用組成物であって、電気伝導度が２５ｍＳ／ｃｍ以下で、ナトリウムイオン濃度が２５００ｐｐｍ以下であるものを用いるとアクティブ駆動に適した高い電圧保持率を得ることができ、フリッカーやコントラスト比の低下といった表示性能の低下を引き起こすことのない優れた液晶素子が実現される。 - 特許庁

This optical recording medium 1 has the phase change type recording layer 3b utilizing a reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase; a recording layer 5 contains antimony as a principal component and contains at least one kind of element, selected from rare earth metals and other group except group VIb, as an accessory component.例文帳に追加

非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層３ｂ有する光記録媒体１であって、記録層５は、Ｓｂを主成分として含有すると共に、ＶＩｂ族を除く他の族および希土類金属から選択される少なくとも１種の元素を副成分として含有している。 - 特許庁

The symbol information reader is characterized in that matrix- arrayed photoelectric converting elements of a CMOS type image pickup element 25 are divided into groups of rows and a plurality of rows are exposed and read at a time in synchronism with each row (raster) of each group to shorten an image pickup period and a lighting turn-on period.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳ型撮像素子２５のマトリックス状に配置された複数の光電変換素子を行単位の群（グループ）に分割して、各グループの一行（ラスター）毎に同期させて、一度に複数行の露光及び読み出しを行い、撮像期間を短縮すると共に照明点灯期間が短縮されるシンボル情報読み取り装置である。 - 特許庁

To suppress disorder of alignment of liquid crystal molecules when a non-twist alignment type liquid crystal element is manufactured having liquid crystal molecules of a liquid crystal layer aligned having molecule long axes in a rubbing direction by performing rubbing treatment on alignment films formed on mutually opposite internal surfaces of a pair of substrates in parallel directions.例文帳に追加

一対の基板の互いに対向する内面それぞれに形成された配向膜を平行な方向にラビング処理し、液晶層の液晶分子の分子長軸を配向膜のラビング方向に揃えて配向させた非ツイスト配向型の液晶表示素子を製造する際に、液晶分子の配向に乱れを生じさせることを抑制する。 - 特許庁

This nickel hydroxide secondary battery is provided with a battery element part consisting of a positive electrode supporting a positive electrode mix containing nickel hydroxide, a negative electrode supporting a negative electrode mix mainly composed of a hydrogen storage alloy having CaCu5-type structure and containing at least zirconium oxide hydrate, a separator interposed between both the electrodes, and an alkaline electrode.例文帳に追加

水酸化ニッケルを含む正極合剤を担持する正極と、CaCu_5 型構造を有する水素吸蔵合金を主成分とし、少なくとも酸化ジルコニウム水和物を添加した負極合剤を担持する負極と、前記両電極間に介挿されたセパレーターと、アルカリ電解液とから成る電池要素部を備えていることを特徴とするニッケル水素二次電池である。 - 特許庁

Data read through a main bit line MBL from a memory block 2 having a memory cell array constituted of a dynamic type storage element are amplified by a sense amplifier circuit and latched by a latch circuit 12, and only one of outputs from a plurality of tristate buffers 13 to receive the output of the latch circuit is set so as to become a state to be outputted.例文帳に追加

ダイナミック型記憶素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック２からメインビット線ＭＢＬを通して読み出されるデータを、センスアンプ回路１１で増幅してラッチ回路１２でラッチし、ラッチ回路の出力を入力とする複数のトライステートバッファ１３からの出力のうち、一つのみを出力可能状態に設定する。 - 特許庁

To prevent noise from being generated by the mode hop of a semiconductor light-emitting device and at the same time the internal power of the semiconductor light-emitting device from increasing for causing damage in a laser light source where the semiconductor light-emitting device is directly coupled to a waveguide-type wavelength selection element for selecting the wavelength of light being emitted from the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子と、この半導体発光素子から発せられた光の波長を選択する導波路型の波長選択素子とが直接結合されてなるレーザー光源において、半導体発光素子のモードホップによるノイズの発生を防止するとともに、半導体発光素子の内部パワーが大きくなって損傷を招くことを防止する。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

In a BGA-type semiconductor device which conductively connects and fixes a plurality of pads formed in the lower surface of a base whereon a semiconductor element is mounted and a substrate 20a by a solder ball 8, a restraint means 18 for restraining relative position relation between a BGA 1a and the substrate 20a is disposed almost at a center of opposite surfaces between a base and a substrate.例文帳に追加

半導体素子を搭載するベースの下面に形成した複数のパッドと、基板２０ａとをはんだボール８により導通し固定するＢＧＡ型半導体装置であって、ベースと基板との対向面のほぼ中心に、ＢＧＡ１ａと基板２０ａの相対的位置関係を拘束するため拘束手段１８を配置した。 - 特許庁

The blue laser light generating apparatus comprises a solid laser oscillation body 3 made of Nd doped YVO_4 crystal of 0.1 to 1.0 mm in length, reflecting means 6A and 6B which are provided to the oscillation body 3, an exciting light irradiating means 1 which irradiates the oscillation body 3 with exciting light, and a waveguide type higher harmonic generating element 5.例文帳に追加

青色レーザ発生装置は、長さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下のＮｄドープＹＶＯ_４結晶からなる固体レーザ発振体３、発振体３に設けられた反射手段６Ａ、６Ｂ、発振体３に対して励起光を照射する励起光照射手段１、および導波路型高調波発生素子５を備えている。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element 10 having a first electrode 12, the photoelectric conversion layer 14, and a second electrode 13 respectively on a transparent substrate 11 is provided with an electron block layer 15 formed of p-type metal oxide between the first electrode 12 and photoelectric conversion layer 14 by a wet method.例文帳に追加

透明基板１１上に少なくとも第１電極１２、光電変換層１４、第２電極１３をそれぞれ有する有機光電変換素子１０において、該第１電極１２と該光電変換層１４の間に湿式法により形成されたｐ型金属酸化物からなる電子ブロック層１５が設けられていることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

The organic caking additive composition for the mold comprises an organic solvent solution containing a phenolic resin component and a polyisocyanate component in such a manner that the phenolic resin component contains a benzyl ether type phenolic resin obtained by the bivalent metal salt catalytic reaction of a phenol and the like with an aldehyde and the like so that the content of the bivalent metal salt is 50 ppm or less in terms of a metal element.例文帳に追加

フェノール樹脂成分と、ポリイソシアネート成分とから構成され、該フェノール樹脂成分が、フェノール類とアルデヒド類との二価金属塩触媒反応によって得られるベンジルエーテル型フェノール樹脂を含有し、二価金属塩の含有量が金属元素換算で５０ｐｐｍ以下である有機溶剤溶液である鋳型用有機粘結剤組成物。 - 特許庁

The sunken hearth type electromagnetic heater is equipped with: an electromagnetic heating part having an induction heating function, and a recessed part with its upper part opened; a particulate or powdery insulating granular body stored in the recessed part of the electromagnetic heating part; and an heating element disposed at a desired position of the insulating granular body for generating heat by induction heating of the electromagnetic heating part.例文帳に追加

本発明のいろり形電磁加熱器は、誘導加熱機能を持ち、上方が開口した凹部を有する電磁加熱部と、前記電磁加熱部の凹部に収納された粒体状若しくは粉体状の絶縁粒体と、そして、前記絶縁粒体の所望の位置に配置され、前記電磁加熱部の誘導加熱により発熱する発熱体とを具備する。 - 特許庁

In the composition for the resin bond type magnet which comprises magnetic powder (A) comprising a transition metal element as its constitution elements and a resin binder (B), the resin binder (B) is constituted of a principal constituent of thermosetting resin (B-1) having radical polymerization reactivity comprising organic peroxide (B-2) and, further, active carbon (C) is blended.例文帳に追加

構成元素中に遷移金属元素を含む磁性粉末（Ａ）と、樹脂バインダー（Ｂ）とからなる樹脂結合型磁石用組成物において、該樹脂バインダー（Ｂ）が有機過酸化物（Ｂ−２）を含むラジカル重合反応性を有する熱硬化性樹脂（Ｂ−１）を主成分とし、さらに、活性炭（Ｃ）を配合する樹脂結合型磁石用組成物を提供する。 - 特許庁

An optical low-pass filter 1 being the optical element includes a contamination deposition prevention film 55 which is a thin film made of a fluorine-containing silane type compound and laminated on the low-pass filter substrate 10 as an optical substrate which is composed by laminating an infrared cutting filter film 12 as an optical thin film on a double refraction plate 11 as an optical substrate.例文帳に追加

光学素子としての光学ローパスフィルタ１は、光学基材としての複屈折板１１上に、光学薄膜としての赤外カットフィルタ膜１２が積層されてなる光学基板としてのローパスフィルタ基板１０上に、フッ素含有シラン系化合物からなる薄膜である異物付着防止膜５５が積層されて構成されている。 - 特許庁

The notice also indicated that as 'elements of one standard as the scope of buried cultural properties,' 'the age and type of a remain be regarded as the principal element and historic features of the region the remain is located, the complementary relationship between literal data (history), pictures and figures, folklore materials and other materials, the situation existing remnant of the remain, and the amount of information obtained from such site be the secondary elements.' 例文帳に追加

「埋蔵文化財として扱う範囲の一基準の要素」として、「遺跡の時代・種類を主たる要素とし、遺跡の所作する地域の歴史的な特性、文献資料(歴史学)・図像資料・民俗資料その他の資料との補完関係、遺跡の遺存状況、遺跡から得られる情報量等を副次的要素とする」よう指示がなされた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Two optical pulses having a time lag used for a phase modulation type quantum-cipher communication device using optical pulses are generated by projecting the optical pulses to an electrooptic element at a specified angle.例文帳に追加

光パルスを用いる位相変調方式の量子暗号通信装置に用いる、時間遅延を有した２つの光パルスの生成を、電気光学素子に光パルスを所定の角度で入射しておこない、この２つの光パルスの遅延時間の消去を、上記電気光学素子を光軸の周りに９０度回転した配置の電気光学素子に入射して行う。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

In the back electrode type photoelectric conversion element equipped with semiconductor layers 60, 62 and electrodes 80, 82 for collecting carriers only onto the back side of a semiconductor substrate 40 constituted of a principal constituent of a group IV material, a quantum well unit 50 is provided between a p-layer and an n-layer which constitute a pn junction unit on the back side of the substrate.例文帳に追加

ＩＶ属材料を主成分とする半導体基板４０の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層６０，６２及び電極８０，８２を備えた裏面電極型の光電変換素子において、基板裏面側のｐｎ接合部を構成するｐ層とｎ層との間に量子井戸部５０を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

This is a sealed type battery 4 manufactured by sealing electrolytic solution intake port in the condition that the pressure in the battery can is retained lower than the atmospheric pressure after having been supplied of the electrolytic solution to the battery can 2 in which the battery element 6 is housed wherein a positive electrode 4 and a negative electrode 5 are opposingly arranged while a separator 3 is made to be interposed.例文帳に追加

正極電極４と負極電極５とをセパレータ３を介在させて対向配置した電池要素６を収納した電池缶２内に電解液を注液した後に、電池缶内の圧力を大気圧よりも低い圧力に保持した状態で電解液注液口を封口することによって製造した密閉型電池。 - 特許庁

To provide a method for heating a heat board of a heating type pressurizing device by which the heat board which is used in a vacuum atmosphere and incorporates a heating element, can be relatively easily produced, and further, the heat board used in a vacuum atmosphere can be speedily heated to a required temperature without using a cartridge heater, a sheathed heater or the like.例文帳に追加

真空環境下で使用されかつ発熱体を内蔵する熱定盤を比較的容易に製作することが可能な上に、カートリッジヒーターやシーズヒーター等を用いることなく、真空環境下で使用する熱定盤を、所要の温度に速やかに加熱することができる加熱型加圧装置の熱定盤の加熱方法を提供する。 - 特許庁

The polarization splitter has two polarization splitting surfaces for reflecting an S-polarized beam in which two surfaces are arranged in parallel, wherein one surface performs transmission and reflection with respect to a first effective polarized beam and makes the beam incident to and outgoing from a reflection type image display element, and the other surface at least performs reflection with respect to a second effective polarized beam.例文帳に追加

２つの面を平行に配したＳ偏光の光を反射する２つの偏光分離面を有し、１面は第１の有効偏光光に対して透過と反射を行って反射型映像表素子への前記光の入出射を行い、他の１面は第２の有効偏光光に対して少なくとも反射を行うように構成する。 - 特許庁

To provide a simple exchange type vacuum sensor which has no need of replacing the entire vacuum sensor with a new vacuum sensor even when a pressure detecting element easy to be damaged by the measuring environment is broken in the vacuum sensor for measuring the pressure in a vacuum apparatus for use in manufacturing electronic components or semiconductor products.例文帳に追加

電子部品や半導体製造品の製造に用いられる真空装置内の圧力を測定する真空センサにおいて、真空センサの構成部品の中で、測定環境からのダメージを受けやすい圧力検出素子部が破損した場合であっても、真空センサ部全体を新しい真空センサと交換する必要のない簡易交換型真空センサを提供する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.例文帳に追加

光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁

The piezoelectric/electrostrictive film type sensor 20 includes: a ceramic substrate 1 comprising a thin wall diaphragm part 3 and a thick wall part 2, together forming a cavity 10; and a piezoelectric/electrostrictive element 12 including a piezoelectric/electrostrictive material 5 disposed on the ceramic substrate 1, and upper and lower electrodes 6 and 4 with the piezoelectric/electrostrictive material 5 put therebetween.例文帳に追加

薄肉ダイヤフラム部３と厚肉部２とを有し、それらによって空洞１０が形成されたセラミック基体１、及び、そのセラミック基体１の上に配設された、圧電／電歪体５と、その圧電／電歪体５を挟んだ上部電極６及び下部電極４と、を含む圧電／電歪素子１２、を備える圧電／電歪膜型センサ２０の提供による。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element excellent in translucency as a positive electrode, capable of improving the take-out efficiency of light discharged out of an active layer and further capable of reducing an operating voltage by securing a low resistance as the positive electrode by improving the ohmic property of a p-type contact layer and the positive electrode.例文帳に追加

正電極として透光性が良好で、活性層から放出された光の取り出し効率を改善することができ、さらに、ｐ型コンタクト層と正電極とのオーミック性を向上させ、正電極として低抵抗を確保することにより、動作電圧を低減させることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This heat exchange type ventilator 1 has an air supply fan for supplying outdoor air in a room, an exhaust fan 3 for exhausting indoor air outdoors, and a heat exchange element 4 for exchanging heat between the outdoor air sucked in by the air supply fan and the indoor air sucked in by the exhaust fan 3; and ventilates air while supplying outside air brought close to the indoor temperature.例文帳に追加

熱交換型換気装置１は、屋外の空気を室内に給気する給気ファンと、室内の空気を屋外へ排気する排気ファン３と、給気ファンで吸い込んだ屋外の空気と排気ファン３で吸い込んだ室内の空気の間で熱交換を行う熱交換素子４を備え、外気を室内の温度に近づけて給気を行いながら換気を行う。 - 特許庁

In a NAND-type EEPROM, wirings CS1, CS2 are newly provided parallel to bit lines BL1, BL2 and disposed so as to be embedded in element isolation regions of an STI structure, and at writing, a prescribed potential Vcs (Vcc<Vcs<Vpass) is given to lessen wrong write of non-selected cells from being written in.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭにおいて、ビット線ＢＬ１，ＢＬ２と平行に位置する配線ＣＳ１，ＣＳ２を新たに設け、且つこの配線をＳＴＩ構造の素子分離領域中に埋め込むように配置し、書き込み時に所定の電位Ｖcs（Ｖcc＜Ｖcs＜Ｖpass）を与えることによって、非選択セルが誤って書き込まれるのを低減することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a field emission type electron emitter having higher efficiency than conventional technology in technical fields for the field emission type electron emitter, being formed more consistently at lower cost than the conventional technology, eliminating the need for consideration of having effect on environment and for high vacuum environment typically required for the conventional technology, and having superiority to the conventional technology and high emitting efficiency around the center region of a flat electron emitter element.例文帳に追加

電界放出型電子放出器の技術分野において、従来技術よりも高い効率を提供し、従来技術よりも低コストでより一貫して形成することができ、環境の影響への配慮および従来技術において典型的に必要とされる高真空環境の必要性をなくし、従来技術よりも優れた、平坦型電子放出素子の中央領域周囲における高い放出効率を有する電界放出型電子放出器を提供することである。 - 特許庁

When a single voltage pulse of pulse width Ti corresponding to a multiplicand is input to a terminal A of the resistance change type variable resistor element 1 having terminals A, B and a voltage pulse string of a pulse frequency Fi corresponding to a multiplier is input to the terminal B, a PWM (pulse width modulation) signal according to the Fi, Ti corresponding to a product operation result between the multiplicand and the multiplier is output.例文帳に追加

端子Ａ・Ｂを有する抵抗変化型可変抵抗素子１の、端子Ａに被乗数に対応するパルス幅Ｔｉの単一電圧パルスを入力し、端子Ｂに乗数に対応するパルス周波数Ｆｉの電圧パルス列を入力することにより、被乗数と乗数との積演算の結果に対応するＦｉ・Ｔｉに応じたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号が出力される。 - 特許庁

Particles to be created by changing the ratio of different elements for indexing a probe are used; an SEM image is obtained by a scanning electron microscope for detecting the position and the size; and further, the position and the size of characteristic X rays generated, when electrons irradiated to the particles by the scanning electron microscope are obtained, by obtaining element analysis images, by using an energy dispersion type characteristic X-ray detector.例文帳に追加

プローブのインデクシング用に異なる元素の比率を変えて作成する粒子を用い、走査型電子顕微鏡でＳＥＭ像を得て容易にその位置と大きさを検出し、さらに、走査型電子顕微鏡で粒子に電子を照射する時に発生する特性Ｘ線をエネルギー分散型特性Ｘ線検出器により元素分析像を得ることで位置と大きさを得る。 - 特許庁

One embodiment 1 of the present invention is a liquid crystal optical element comprising a pair of transparent substrates 11, 21, electrodes 12, 22 formed on the inner surfaces of the transparent substrates, and a composite body 50 of a field-driving type liquid crystal and a cured product held between the inner surfaces of the transparent substrates, and has regions having different cell gaps.例文帳に追加

本発明の態様１にかかる液晶光学素子は、一対の透明基板１１、２１と、前記透明基板の各内面に形成された電極１２、２２と、前記透明基板の内面間に挟持された電界駆動型の液晶と硬化物との複合体５０と、を備えた液晶光学素子１であって、セルギャップが互いに異なる領域が形成されたものである。 - 特許庁

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction.例文帳に追加

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。 - 特許庁