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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ferromagnetic filmに関連した英語例文

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ferromagnetic filmの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 440



例文

Magnetic film thickness of the ferromagnetic layer 13 is set up smaller than the magnetic film thickness of the free layer 27.例文帳に追加

強磁性層13の磁気膜厚はフリー層27の磁気膜厚よりも小さく設定されている。 - 特許庁

A switched connection film 100 contains a ferromagnetic material layer 3 and a magnetization rotation restraining layer, which is arranged in the vicinity of the ferromagnetic material layer 3 in order to prevent magnetization rotation of the ferromagnetic material layer 3.例文帳に追加

交換結合膜100は、強磁性体層3と、強磁性体層3の磁化回転を抑制する目的で強磁性体層3と隣接して設けられた磁化回転抑制層を含み、磁化回転抑制層は、(AB)_2O_X層2を含む。 - 特許庁

The method of producing an MTJ film includes a step for forming a first ferromagnetic layer, a step for forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, and a step for forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer.例文帳に追加

MTJ膜の製造方法は、第1強磁性層を形成する工程と、第1強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層の上に第2強磁性層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20.例文帳に追加

磁気トンネル接合膜14は、強磁性フリー層20と、トンネルバリア層30と、強磁性ピンド層40とを有しており、フラックスガイド10は、強磁性フリー層20に磁気的に結合している。 - 特許庁

例文

Three phases formed of at least a layer-like anti-ferromagnetic metal phase, an anti-ferromagnetic load charge arrangement insulation phase and a ferromagnetic metal phase coexist in a magnetic oxide thin film 2.例文帳に追加

磁性酸化物薄膜2は、少なくとも層状反強磁性金属相、反強磁性電荷整列絶縁相及び強磁性金属相からなる3相が共存する。 - 特許庁


例文

To provide a method of manufacturing a device, having a ferromagnetic tunnel junction element with improved characteristics by properly patterning constituent layers of a multilayered film having a first and a second ferromagnetic layer and a tunnel insulation layer interposed between these ferromagnetic layers.例文帳に追加

第1および第2の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。 - 特許庁

The spin valve film 8 has a fixed layer 19 in which four layers of ferromagnetic layers 12, 141, 142, 143 are laminated on the upper part of an anti-ferromagnetic layer 11, and through anti-ferromagnetic coupling layers 131, 132, 133 between respective layer.例文帳に追加

GMRヘッド10は、下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層の間に、スピンバルブ膜8と、スピンバルブ膜8の両端部に配置された下地層4と磁区制御層5と電極層6の積層構造とを有する。 - 特許庁

Ideally, the gate insulating film is constituted in a composite film of the ferromagnetic ZnO thin film and a conductive ZnO thin film which is integrally formed on the ferromagnetic thin film and used as a gate electrode.例文帳に追加

好適には、強誘電性のZnO薄膜上に、ゲート電極として用いられる導電性のZnO薄膜を一体的に形成した複合膜とする。 - 特許庁

A spin conduction element 1 includes a first ferromagnetic material 12A, a second ferromagnetic material 12B, a channel 7 extending from the first ferromagnetic material 12A to the second ferromagnetic material 12B, a magnetic shield S1 covering the channel 7, and an insulator film provided between the channel 7 and the magnetic shield S1.例文帳に追加

スピン伝導素子1は、第一強磁性体12Aと、第二強磁性体12Bと、第一強磁性体12Aから第二強磁性体12Bまで延びるチャンネル7と、チャンネル7を覆う磁気シールドS1と、チャンネル7と磁気シールドS1との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

例文

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子1は、非磁性中間層12を介して積層された強磁性フリー層14及び強磁性ピンド層10と、強磁性ピンド層10の磁化を固定する反強磁性ピニング層8とを備えた磁気抵抗効果膜1xを有している。 - 特許庁

例文

The spin valve film 41a includes: a fixed side ferromagnetic layer 53; a free side ferromagnetic layer 67; an intermediate layer 56 sandwiched between the fixed side ferromagnetic layer 53 and the free side ferromagnetic layer 67; an antiferromagnetic layer 52; and a background layer.例文帳に追加

スピンバルブ膜41aは、固定側強磁性層53と、自由側強磁性層67と、固定側強磁性層53および自由側強磁性層67の間に挟み込まれる中間層56と、反強磁性層52と、下地層とを備えている。 - 特許庁

Recessed/projecting shapes corresponding to the information signal are formed on the surface of the master information carrier, at least projecting parts of the recessed/projecting shapes are made of a ferromagnetic thin film, a hard protective film is formed on the surface of the ferromagnetic thin film, and side walls of the ferromagnetic thin film are exposed.例文帳に追加

マスター情報担体の表面に情報信号に対応する凹凸形状が形成され、前記凹凸形状の少なくとも凸部が強磁性薄膜により構成され、前記強磁性薄膜の表面に硬質保護膜が形成され、前記強磁性薄膜の側壁が露出している。 - 特許庁

A second ferromagnetic film 1b is formed on the second nonmagnetic film 1c, and antiparallelly coupled with the first ferromagnetic film 1d, and has second magnetization M1b and second film thickness t1b.例文帳に追加

第2強磁性膜1bは、第2非磁性膜1c上に設けられ、かつ第1強磁性膜1dと反平行結合し、かつ第2の磁化M1bおよび第2の膜厚t1bを有する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium is composed of a substrate, a ferromagnetic thin film and a Ru thin film or a Ru-based alloy thin film provided between the ferromagnetic thin film and the substrate.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体は、基板と、強磁性薄膜と、この強磁性薄膜と基板との間に設けられたRu薄膜又はRu基合金薄膜とからなる。 - 特許庁

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect type head, a fixed layer is constituted of a ferromagnetic film 12/an oxide film 13/a ferromagnetic film 14 and oxygen diffusion is suppressed by incorporating an element (Mg, Al, Si, Ca, Ti, Zr, etc.), having strong bonding force to oxygen into the oxide film 13.例文帳に追加

固定層を強磁性膜12/酸化物膜13/強磁性膜14で構成し、酸化物膜13に酸素との結合力の強い元素(Mg、Al、Si、Ca、Ti、Zrなど)を含ませることによって酸素拡散を抑止した磁気抵抗効果型ヘッドとする。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 are leveled into the same plane, and a second perpendicular ferromagnetic film 3 is formed on the surface of the substrate 1 and that of the first perpendicular ferromagnetic film 2 which are leveled into the same plane.例文帳に追加

基板1の表面および第1垂直強磁性体膜2の表面は同一平面状に平坦化され、平坦化された基板1の表面と第1垂直強磁性体膜2の表面の上に、第2垂直強磁性体膜3が成膜、形成されるものとする。 - 特許庁

The ferromagnetic storage domains may be formed in the multiferroic thin film by an ion implantation process.例文帳に追加

強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。 - 特許庁

The first ferromagnetic layer is a Co/Ni laminate film having perpendicular magnetic anisotropy.例文帳に追加

第1強磁性層は、垂直磁気異方性を有するCo/Ni積層膜である。 - 特許庁

A ferromagnetic material containing a rare earth element is formed directly on the other surface of the Fe or FeCo film.例文帳に追加

また、Fe又はFeCo膜の他方の面には、希土類元素を含む強磁性体を直に形成する。 - 特許庁

Surface of the ferromagnetic layer 16 is protected against oxidation by the aluminum film 18.例文帳に追加

強磁性層16の表面は、アルミニウム膜18により酸化が防止される。 - 特許庁

LAYERED PRODUCT, SUPPORT FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND FERROMAGNETIC METAL THIN FILM MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

積層体、磁気記録媒体用支持体および強磁性金属薄膜型磁気記録媒体 - 特許庁

The ferromagnetic metallic thin-film 80 is formed by plating or deposition.例文帳に追加

この強磁性金属薄膜80は、めっき又は蒸着加工により形成されている。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING ANTIFERROMAGNETICALLY COMBINED CoCrFe ALLOY FIRST FERROMAGNETIC MATERIAL THIN FILM例文帳に追加

反強磁性的に結合したCoCrFe合金第1強磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 - 特許庁

FERROMAGNETIC METAL THIN FILM TYPE MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND SUPPORT FOR SAME例文帳に追加

強磁性金属薄膜型磁気記録媒体用支持体および強磁性金属薄膜型磁気記録媒体 - 特許庁

To strictly and efficiently inspect the defects of ferromagnetic thin film layers of a master disk for magnetic recording media.例文帳に追加

磁気記録媒体用マスタディスクの強磁性薄膜層の欠陥を、厳格かつ能率的に検査する。 - 特許庁

LAMINATED FERRIMAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FERROMAGNETIC TUNNEL ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子 - 特許庁

As the result, the magnetic layer becomes a ferromagnetic thin film having an easily-magnetized axis in a direction parallel to a surface of a substrate.例文帳に追加

その結果、磁性層は、基板面に平行方向に磁化容易軸を有する強磁性薄膜となる。 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING METHOD USING FERROMAGNETIC RESONANCE AND THIN FILM MAGNETIC HEAD USED FOR THE METHOD例文帳に追加

強磁性共鳴を用いる磁気記録方法及び該方法に用いる薄膜磁気ヘッド - 特許庁

To provide a thin-film-forming apparatus which can form a ferromagnetic Pt/Fe thin film by a CVD process, and to provide a method for forming the ferromagnetic material Pt/Fe thin film.例文帳に追加

CVD法により強磁性体Pt/Fe薄膜を形成可能な薄膜形成装置、及び強磁性体Pt/Fe薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

SiO_2膜12が上面に形成されたSi基板11上には、第1強磁性薄膜13、トンネル障壁層14及び第2強磁性薄膜15が、この順に積層されている。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive effect element 1 has a structure such that a ferromagnetic film 304 having a body-centered cubic structure containing Co, Fe and B, an MgO insulating film 305 having a rock-salt structure oriented in (100) and a ferromagnetic film 306 are stacked.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の強磁性膜304と、(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜305と、強磁性膜306とを積層した構造を有する。 - 特許庁

A second master information carrier 12b is provided with second ferromagnetic thin film array pattern forming regions 13b corresponding to the second digital information signals 15b and ferromagnetic shielding films 13c are formed between the second ferromagnetic thin film array pattern forming regions 13b.例文帳に追加

第2のマスター情報担体12bには、第2のディジタル情報信号15bに対応する第2の強磁性薄膜配列パターン形成領域13bが設けられているとともに、第2の強磁性薄膜配列パターン形成領域13bどうし間には、強磁性シールド膜13cが形成されている。 - 特許庁

Electromagnetic waves E provided with an input frequency F equal to the resonance frequency f of a ferromagnetic thin film 2 are introduced to the inside from an orifice 3 provided on a cavity resonator 1 and made incident on the ferromagnetic thin film 2 and ferromagnetic resonance is generated.例文帳に追加

強磁性薄膜2の共鳴周波数fと等しい入力周波数Fを有する電磁波Eを、空洞共振器1に設けられたオリフィス3より内部に導入し、強磁性薄膜2に入射させて強磁性共鳴を生ぜしめる。 - 特許庁

The first lamination part includes a first ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a first direction having a component perpendicular to a film face, a second ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction perpendicular to the film face, and a frist non-magnetic layer provided between the first and the second ferromagnetic layers.例文帳に追加

第1積層部は、膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が実質的に固着された第1の強磁性層と、磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2の強磁性層と、第1、第2の強磁性層の間に設けられた第1の非磁性層と、を含む。 - 特許庁

Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁

A first ferromagnetic film 1d is formed on the first nonmagnetic film 2, and has first magnetization M1d and first film thickness t1d.例文帳に追加

第1強磁性膜1dは、第1非磁性膜2上に設けられ、かつ第1の磁化M1dおよび第1の膜厚t1dを有する。 - 特許庁

Thus, the entire film thickness of spin valve film 1 can be thinner while the switched connection magnetic field at the anti-ferromagnetic film 7 is held.例文帳に追加

このことにより、反強磁性膜7における交換結合磁界を保持したまま、スピンバルブ膜1全体の膜厚を薄くすることが可能となる。 - 特許庁

An anti-ferromagnetic layer 7 of a spin valve film 1 is film- formed to a thickness equal to a critical film thickness which has been known.例文帳に追加

スピンバルブ膜1における反強磁性層7を成膜するときに、先ず従来から知られている臨界膜厚と同じ厚さで形成する。 - 特許庁

A plate-like, linear or particulate ferromagnetic material is sealed by sandwiching it by resin film having surface area larger than that of the ferromagnetic material and fixed by using the remaining resin film part.例文帳に追加

板状、線状または粒子状の強磁性体を、該強磁性体の表面積より大きい表面積を持つ樹脂フィルムで挟み込み封止し、その余った樹脂フィルム部を用い固定する。 - 特許庁

It is desirable that the film thickness of the first ferromagnetic layer is 2 nm-10 nm and the film thickness of the anti-ferromagnetic layer is not less than 8 nm.例文帳に追加

その際、前記第一の強磁性体層の膜厚は2nm以上10nm以下が好ましく、前記反強磁性体層の膜厚は8nm以上が望ましい。 - 特許庁

The thickness of the first tunnel insulating film is different from the thickness of the second tunnel insulating film, and the first ferromagnetic tunnel junction element and second ferromagnetic tunnel junction element are formed using a common mask material by etching.例文帳に追加

第1トンネル絶縁膜の厚さは、第2トンネル絶縁膜の厚さと異なり、第1強磁性トンネル接合素子および第2強磁性トンネル接合素子は、共通のマスク材料を用いてエッチングにより形成される。 - 特許庁

To provide a master carrier for magnetic transfer which does not give rise to the breakage of magnetic layers by improving the adhesion force between a first ferromagnetic thin film and a third ferromagnetic thick film composed of Ni as a principal component.例文帳に追加

第1強磁性薄膜とNiを主成分とする第3強磁性厚膜間の密着力を向上させ、磁性層破損の生じない磁気転写用マスター担体を提供する。 - 特許庁

A ferromagnetic film such as FeCo, Fe, Co, Ni is provided in a region at the external periphery or in a region at the internal periphery apart from an information recording region, and the flexible optical disk is made movable by sucking the ferromagnetic film to an electromagnet or the like.例文帳に追加

情報記録領域より外周の領域又は内周の領域にFeCo、Fe、Co、Ni等の強磁性体膜を設け、強磁性体膜を電磁石などに吸着させることにより移動できるようにした。 - 特許庁

Thereby, a ferromagnetic thin film pattern 12 formed on the surface of the master information carrier 11 is magnetized, then a perpendicular magnetization pattern corresponding to the ferromagnetic thin film pattern 12 is recorded on the perpendicular magnetic recoding medium 13.例文帳に追加

これにより、マスター情報担体11の表面に形成された強磁性薄膜パターン12が磁化され、強磁性薄膜パターン12に対応した垂直磁化パターンが垂直磁気記録媒体13に記録される。 - 特許庁

In the ferromagnetic metal powder, which carries an oxide film on its surface and contains iron as the main component, the lattice strains of iron oxide crystals in the oxide film are adjusted to be ≤0.05, and the magnetic recording medium contains the ferromagnetic metal powder in a magnetic layer.例文帳に追加

表面に酸化膜を有する鉄を主成分とした強磁性金属粉末において該酸化膜中の酸化鉄結晶の格子歪みが0.05以下である強磁性金属粉末、及びそれを磁性層に含有する磁気記録媒体。 - 特許庁

The magnetic layer 20 is a laminated film in which a non-magnetic layer 22 is put between a first ferromagnetic layer 21 and a second ferromagnetic layer 22, and the magnetic layer 20 functions as an artificial ferry magnetic thin film.例文帳に追加

磁性層20は、非磁性層22を第1強磁性層21および第2強磁性層23で挟んだ積層膜であり、人工フェリ磁性薄膜として機能する。 - 特許庁

The direction of magnetization of the first ferromagnetic film 24 for determining a resistance value of the first huge magnetoresistance effect element is antiparallel with respect to the direction of magnetization of the second ferromagnetic film 22 rotating by an external magnetic field.例文帳に追加

第1巨大磁気抵抗効果素子の抵抗値を決定する第1強磁性膜24の磁化の向きは、外部磁界により回転する第2強磁性膜22の磁化の向きと反平行である。 - 特許庁

The master information carrier comprises a basic body 10, a ferromagnetic thin film 11 placed on the basic body 10 to form an arrangement pattern corresponding to a magnetization pattern, wherein the ferromagnetic thin film 11 has substantially flat surface.例文帳に追加

基体10と、磁化パターンに対応する配列パターンを形成するように基体10上に配置された強磁性薄膜11とを備え、強磁性薄膜11の表面が略平坦であることを特徴とする。 - 特許庁

例文

The magnetoresistive element comprises: a first ferromagnetic tunnel junction element where a first fixed layer, a first tunnel insulating film and a first free layer are laminated; and a second ferromagnetic tunnel junction element where a second fixed layer, a second tunnel insulating film and a second free layer are laminated, the second ferromagnetic tunnel junction element being connected to the first ferromagnetic tunnel junction element in series.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、第1固定層、第1トンネル絶縁膜および第1自由層が積層される第1強磁性トンネル接合素子と、第2固定層、第2トンネル絶縁膜および第2自由層が積層され、第1強磁性トンネル接合素子に直列に接続される第2強磁性トンネル接合素子とを有している。 - 特許庁

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