「film y」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the high refractive index film, a SiNy layer (0≤y≤1.3) 3 and others are formed.例文帳に追加

高屈折率膜としては、ＳｉＮ_y層（０≦ｙ≦１．３）３等を形成する。 - 特許庁

The composition of the protective film 14 is SiO_XN_Y(X>0, Y>0).例文帳に追加

この保護膜１４の組成は、ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）である。 - 特許庁

The protection film 14 has a composition expressed by formula: SiO_XN_Y (wherein, X ≠ 0; and Y ≠ 0).例文帳に追加

この保護膜１４の組成を、ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ≠０、Ｙ≠０）とした。 - 特許庁

The uppermost layer of the thin-film laminate 31 is the Ti_XO_Y film 31b, and an Al_2O_3film 32 of 6.5 nm film thickness is film-formed on the Ti_XO_Y film 31b as an anti-oxidization film.例文帳に追加

この薄膜積層体３１の最上層はＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂとし、そのＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂ上に酸化防止膜として膜厚６．５ｎｍのＡｌ_2Ｏ_3膜３２を成膜している。 - 特許庁

Additionally, a label 2 formed from the film has a compressive strength which satisfies the following formula: y>x2.2 (wherein y represents a compressive strength (mN); and x represents a film thickness (μm)).例文帳に追加

ｙ＞ｘ^2.2 …（１）、 式中、ｙは圧縮強度（ｍＮ）、ｘはフィルム厚み（μm）を表す。 - 特許庁

(4) A film thickness change |x-y| is measured.例文帳に追加

（４）膜厚変化｜ｘ−ｙ｜を測定する。 - 特許庁

In the case that a photo film inserted in a film carrier is an APS film (100, Y) and that a print size of print paper is a size C (102, Y), and that application of distortion correction is required (102, Y), the scanning area is set to a size H (106).例文帳に追加

フィルムキャリアに挿入された写真フィルムがＡＰＳフィルムであり(100、 Y)、印画紙におけるプリントサイズがＣサイズであり(102、 Y)、かつ歪曲収差補正を施す必要がある場合(102、 Y)には、スキャンエリアをＨサイズに設定する(106) 。 - 特許庁

An SiOy film 12b is formed on the SiNx film 12a.例文帳に追加

ＳｉＮ_x 膜１２ａ上にＳｉＯ_y 膜１２ｂが形成される。 - 特許庁

The film thickness X of the first portion is thinner than the film thickness Y of the second portion.例文帳に追加

第１部分の膜厚Ｘは、第２部分の膜厚Ｙよりも薄い。 - 特許庁

In the SiNxOyCz film, x, y and z are each in the range of the following inequalities (1) to (3): (1) 0.2<x<1.5;例文帳に追加

ＳｉＮxＯyＣz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式（１）〜（３）の範囲である。 - 特許庁

The retention (Y)(%) of an electrolyte in the gas-permeable film is desirably Y≥50(%).例文帳に追加

また、透気性膜の電解液保液率（％）（Ｙ）はＹ≧５０（％）であることが望ましい。 - 特許庁

A dielectric film 12A is constituted by the SiNx film 12a and the SiOy film 12b.例文帳に追加

ＳｉＮ_x 膜１２ａおよびＳｉＯ_y 膜１２ｂにより誘電体膜１２Ａが構成される。 - 特許庁

After that, an IrO_Y film 26 having a thickness of 50 nm-100 nm is formed on the IrO_X film 25 by a sputtering method.例文帳に追加

その後、ＩｒＯ_X膜２５上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍのＩｒＯ_Y膜２６を形成する。 - 特許庁

Then, an Sr_XRu_YO_3 film 27 having a thickness of about 20 nm and an amorphous state is formed on the IrO_Y film 26 by a sputtering method.例文帳に追加

次に、ＩｒＯ_Y膜２６上にスパッタ法により厚さが２０ｎｍ程度でアモルファス状態のＳｒ_XＲｕ_YＯ_3膜２７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a W_xN_y thin film.例文帳に追加

Ｗ_ｘＮ_ｙ薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The film has 30≤YI≤60 yellowness value (YI value) calculated by the following formula YI value=100×(1.28×X-1.06×Z)/Y例文帳に追加

ＹＩ値＝１００×（１．２８×Ｘ−１．０６×Ｚ）／Ｙ。 - 特許庁

The TAC film 3 is stretched to the Y direction in the tenter part 5.例文帳に追加

テンタ部５はＴＡＣフィルム３をＹ方向に延伸する。 - 特許庁

When the film is evaluated, an Si wafer W on which an Si_xN_y film has been formed is housed in the part 1, the Si wafer W is heated, H_2 gas and O_2 gas are supplied onto the Si wafer W so as to be mixed, and an SiO_2 film is formed on the Si_xN_y film.例文帳に追加

膜評価にあたっては、まず、Ｓｉ_xＮ_y膜が成膜されたＳｉウェハＷを膜改質部１に収容し、ＳｉウェハＷを加熱しつつ、Ｈ_2ガス及びＯ_2ガスをＳｉウェハＷ上へ混合するように供給してＳｉ_xＮ_y膜上にＳｉＯ_2膜を形成する。 - 特許庁

The TAC film 3 is stretched to the Y direction in the tenter part 5.例文帳に追加

テンタ部５は、ＴＡＣフィルム３をＹ方向に延伸する。 - 特許庁

The soft magnetic film 13 is preferably an FeSiAl film, an Fe film, an FeNi film or an FeCo film and may be a film obtained by adding 0.1-30 at.% one or more elements selected from Ti, Zr, Nb, Hf, Ta and Y to FeSiAl, Fe, FeNi or FeCo.例文帳に追加

前記軟磁性膜が、FeSiAl、Fe、FeNiまたはFeCoに、Ti、Zr、Nb、Hf、TaまたはYのうち、少なくとも一種類以上の元素を、0.1at. %以上、30at. %以下添加した膜であることを特徴とする。 - 特許庁

That is, a stacked film is disposed on a base, wherein the stacked film has a constitution formed by an optical multilayer film, comprising a dielectric film made of Al_2O_3, a Ti_XO_Y metal oxide film and a metal film made of Ti of at least one layer.例文帳に追加

すなわち、基体上に積層膜を備え、該積層膜がＡｌ_2Ｏ_3による誘電体膜とＴｉ_XＯ_Y金属酸化膜と１層以上のＴｉによる金属膜とを含む光学多層膜で形成された構成とする。 - 特許庁

An interface layers (12/14) which adjoin a phase change optical recording film (13) comprises Zr (zirconium), O (oxygen), N (nitrogen) and Y (yttria), or Nb (niobium), or Y and Nb.例文帳に追加

相変化光記録膜（13）に隣接する界面層（12/14）が、Zr（ジルコニューム）、O（酸素）、N（窒素）、およびY（イットリア）、もしくはNb（ニオブ）、またはYおよびNbから構成される。 - 特許庁

The amorphous SiO_xC_y (x≥0, y≥0, and x+y=2) thin film 13 is formed on a designated substrate 11 or on an intermediate layer formed on the substrate 11 as the need arises.例文帳に追加

所定の基板１１上又は該基板上に必要に応じて形成した中間層上に、非晶質のSiO_xC_y（ｘ≧0、ｙ≧0、ｘ＋ｙ＝2）薄膜１３を形成することを特徴とする。 - 特許庁

When the content ratio of the first oxide (X) in the steam barrier film is x mole, and the content ratio of the second oxide (Y) is y mole, x and y satisfy 0.05≤x/(x+y)≤0.95.例文帳に追加

また、水蒸気バリア膜中の第１酸化物（Ｘ）の含有割合をｘモル、第２酸化物（Ｙ）の含有割合をｙモルとするとき、ｘ及びｙは０．０５≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５を満たす。 - 特許庁

The comparing part 8 calculates the difference quantity Δy_i between the thickness set value y_oi and the thickness measured value y_i on the basis of these values y_oi and y_i at the predetermined position in the lateral direction of a film.例文帳に追加

比較部８はフィルムの幅方向の所定位置での厚み設定値ｙ_０ｉと厚み測定値ｙ_ｉとに基づき、それらの相違量Δｙ_ｉを算出する。 - 特許庁

The insulating film is subjected to dry etching through the mask pattern as a mask by the use of etching gas containing C_4F_8 and C_xF_y (x and y are each an integer and so set as to satisfy formulas, x≥5 and y≤(2x-1)).例文帳に追加

マスクパターンをマスクとし、Ｃ_4Ｆ_8ガスとＣ_xＦ_y（ｘ及びｙは整数であり、ｘ≧５、ｙ≦（２ｘ−１）を満たす）ガスとを含むエッチングガスを用いて、絶縁膜をドライエッチングする。 - 特許庁

The vapor deposition material and the optical thin film have a composition expressed by GdTa_xO_y [where x and y are actual numbers satisfying 10/90≤x≤90/10 and (3+3x)/2≤y≤(3+5x)/2, respectively], and the production method therefor is also disclosed.例文帳に追加

ＧｄＴａ_xＯ_y〔１０／９０≦ｘ≦９０／１０の実数、（３＋３ｘ）／２≦ｙ≦（３＋５ｘ）／２の実数〕で表わされることを特徴とする蒸着材料、光学薄膜及びそれらの製造方法。 - 特許庁

This base film satisfies a ratio (Y/X) of a tensile strength (X) in machine direction(MD) of the film to a tensile strength (Y) in thread direction(TD) of the film, Y/X≥1.10 and the tensile strength (Y) in thread direction(TD) ≥300 MPa.例文帳に追加

支持体フィルムのフィルム縦方向（ＭＤ）の引張強度（Ｘ）と、フィルム横方向（ＴＤ）の引張強度（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）がＹ／Ｘ≧１．１０を満足し、かつ上記フィルム横方向（ＴＤ）の引張強度（Ｙ）が少なくとも３００ＭＰａである支持体フィルムを用いる。 - 特許庁

An interface 3 between the AlN film 41 and the AlO_XN_Y film 42 has a rugged shape.例文帳に追加

そして、ＡｌＮ膜４１とＡｌＯ_ＸＮ_Ｙ膜４２との界面３は、凹凸形状を有する。 - 特許庁

An Al_2O_3film 31a, which is a dielectric film and a Ti_XO_Y film 31b, which is a light-absorbing film are film-formed alternately on a transparent substrate 25 and a thin-film laminate 31 is formed.例文帳に追加

透明基板２５上に、誘電体膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜３１ａと光吸収膜であるＴｉ_XＯ_Y膜３１ｂとを交互に成膜することにより薄膜積層体３１を形成している。 - 特許庁

To inexpensively create a film layer of Si(1x-y) GexCy of a desired composition ratio with high exactness on a semiconductor substrate plate in high productivity.例文帳に追加

半導体基板上に所望組成比のＳｉ_(1-x-y) Ｇｅ_x Ｃ_y 混晶を精度良く安価に、かつ高い生産性で成膜する。 - 特許庁

Input pixel values (X) from a digital original image are converted into film-like output values (Y) by an equation Y=AXp+B.例文帳に追加

ディジタル原画像からの入力ピクセル値（Ｘで表す）をフィルム様出力値（Ｙで表す）に、式Ｙ＝ＡＸ^p＋Ｂにより変換する。 - 特許庁

To provide a susceptor for epitaxial growth, in which exfoliation of a CVD-SixNy (x=0.1 to 0.9, Y=0.1 to 0.9) film is suppressed and which has improved durability.例文帳に追加

ＣＶＤ−Ｓ_ixＮ_Y （ｘ＝ 0.1〜0.9 、Ｙ＝ 0.1〜0.9 ）膜の剥離を抑制して耐用性を高め得るエピタキシャル用サセプターを提供する。 - 特許庁

The intrusion of water vapor or the like is prevented by the Si_3N_4 film 24, and thus, the Ti_xO_y films 23 of light-absorbing layers are prevented from be deteriorated.例文帳に追加

Ｓｉ_3Ｎ_4膜２４により水蒸気等の浸入を防止し、光吸収層のＴｉ_xＯ_y膜２３の劣化を防止する。 - 特許庁

The hard protective film is composed of a composite body of AlN fine crystals and Al_1-xO_xN_y fine crystals, each crystal having a crystal size of ≤20 nm.例文帳に追加

何れも結晶粒径が20nm以下であるAlN微結晶とAl_1-xO_xN_y微結晶との複合体からなる硬質保護膜。 - 特許庁

The high-resistance protection film 18g is composed of the expression of (Ta_1-xSi_x)_1-yO_y (here, x=0.30-0.45, and y=0.68-0.70).例文帳に追加

高抵抗保護膜１８ｇは、（Ｔａ_１−ｘＳｉ_ｘ）_１−ｙＯ_ｙ（但し、ｘ＝０．３０〜０．４５、ｙ＝０．６８〜０．７０）からなる。 - 特許庁

When the diameter of the wheel is X [cm] and the diameter of the wheel protecting film is Y [cm], they satisfy a relationship 1.05≤Y/X≤1.5.例文帳に追加

ホイールの直径をＸ［ｃｍ］、ホイール保護用フィルムの直径をＹ［ｃｍ］としたとき、１．０５≦Ｙ／Ｘ≦１．５の関係を満足する。 - 特許庁

The composition of the second insulation film 5 is SiOxNy, and absorption coefficient of optical energy changes according to the ratio of Ox and Ny.例文帳に追加

また、第２の絶縁膜５の組成は「ＳｉＯ_xＮ_y」であり、「Ｏ_x」と「Ｎ_y」との比率によって光エネルギの吸収係数が変化する。 - 特許庁

It is preferable that in the dielectric film, the composition ratio x of Al and the composition ratio y of Ti satisfy the relation of 7≤[x/(x+y)]×100≤35.例文帳に追加

誘電体膜においてＡｌの組成比ｘ及びＴｉの組成比ｙが、７≦［ｘ/（ｘ＋ｙ）］×１００≦３５なる関係を満たすものが好ましい。 - 特許庁

A Y-Ba-Cu-O system thin film laminate is provided, which has a LaNiO_3 thin film layer formed on the surface of a substrate material and a Y-Ba-Cu-O system thin film layer formed on the LaNiO_3 thin film layer.例文帳に追加

基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The precursor for film deposition is obtained by dissolving ruthenium tetroxide into fluorine-containing ether expressed by the general formula: C_xH_yF_zO (wherein, x, y, z have the relations of 2x+2=y+z, x=2 to 15, and z>y).例文帳に追加

一般式Ｃ_xＨ_yＦ_zＯ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは２ｘ＋２＝ｙ＋ｚ、ｘ＝２〜１５、ｚ＞ｙの関係を有する）にて表されるフッ素含有エーテルに四酸化ルテニウムを溶解した成膜用前駆体。 - 特許庁

The compound semiconductor film has a composition expressed by a general formula: CuGa_1-xFe_x(Se_1-yS_y)_2 (where x is 0<x<1, and y is 0<y≤1).例文帳に追加

一般式：ＣｕＧａ_１−ｘＦｅ_ｘ（Ｓｅ_１−ｙＳ_ｙ）_２（式中、ｘは０＜ｘ＜１であり、ｙは０＜ｙ≦１である。）で示される組成からなる化合物半導体薄膜である。 - 特許庁

A first SiO_2 film 3112, an SiO_xN_y layer (0≤x<2, 0<y≤4/3) 3113, and a second SiO_2 layer 3114 are provided on a p-type silicon substrate 3111.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板３１１１上に、第１のＳｉＯ_2 膜３１１２と、ＳｉＯ_x Ｎ_y 層（０≦ｘ＜２，０＜ｙ≦４／３）３１１３と、第２のＳｉＯ_2 層３１１４とが設けられている。 - 特許庁

At step S10, in a state that both ends of the second resistive film in the Y-axis direction are short-circuited and a predetermined constant current is supplied to the both ends of the first resistive film in the X-axis direction, a potential V(Y) is measured at the both ends of the second resistive film in the Y-axis direction.例文帳に追加

ステップＳ１０において、第２の抵抗膜のＹ軸方向の両端を短絡させ、第１の抵抗膜のＸ軸方向の両端間に前記所定の定電流を供給した状態で、第２の抵抗膜のＹ軸方向の両端の電位Ｖ（Ｙ）を計測する。 - 特許庁

This ND filter is the ND filter (Neutral Density) filter having an absorbing film M_xO_y formed of a metallic oxide attenuating light quantity transmitted onto a substrate, and an oxygen ratio y/x of the absorbing film M_xO_y is so arranged as to vary in the direction vertical to the film thickness.例文帳に追加

本発明のNDフィルタは、基板上に透過光量を減衰させる金属酸化物からなる吸収膜M_ｘO_ｙを有するND（Neutral Density）フィルタであって、前記吸収膜M_ｘO_ｙの酸素比率ｙ／ｘが膜厚方向と垂直な方向において変化していることを特徴としている。 - 特許庁