「film y」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR PRODUCING Y-Ba-Cu-O BASED SUPERCONDUCTING FILM BY MIGRATION ELECTRODEPOSITION METHOD例文帳に追加

泳動電着法によるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 - 特許庁

A laminated film 4 is preferably formed by laminating the SiOx layers 2 and the SiNy layers alternately.例文帳に追加

ＳｉＯ_x層２及びＳｉＮ_y層３を交互に積層し、積層膜４とすることが好ましい。 - 特許庁

Stress of the metal film is dispersed in many directions as shown by an arrow Y.例文帳に追加

その金属膜の膜応力が矢印Ｙに示すように多方向に分散される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING Y-Ba-Cu-O TYPE SUPERCONDUCTING FILM ON SURFACE OF CONDUCTIVE CYLINDRICAL BASE MEMBER例文帳に追加

導電性円筒基材の円形表面にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜を形成する方法 - 特許庁

To provide a yellow pigment composition capable of yielding a color film having a higher coefficient of visible transmittance (Y value).例文帳に追加

より視感透過率（Ｙ値）に優れたカラーフィルタが得られる黄色顔料組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a thin Y-type magnetoplumbite film, having high magnetic permeability in GHz band.例文帳に追加

ＧＨｚ帯域で透磁率が高いＹ型プラムバイト薄膜を提供する。 - 特許庁

On the contrary, the transparent insulating film A131 is an oxide represented by R_xMO_y.例文帳に追加

一方、透明絶縁体膜Ａ１３１は、Ｒ_ｘＭＯ_ｙで表される酸化物である。 - 特許庁

To quickly form a polymer film having insignificant anisotropy of which the elongation in a Y-direction is suppressed.例文帳に追加

Ｙ方向の伸びを抑制し、異方性の少ないポリマーフィルムを迅速に製造する。 - 特許庁

The pixel electrodes and the light-shielding film are arranged so as to overlap partially, and a gap distance X between substrates and an overlap width Y satisfy the inequality: Y≥0.625-y (where y=-0.0208Δε^2+0.5625Δε-3.0417 and Δε is the dielectric constant anisotropy of the electro-optical material).例文帳に追加

画素電極と遮光膜は部分的に重畳するように配置され、基板間ギャップ距離X、重畳幅Ｙは、不等式 Y≧０．６２５X−ｙ （但し ｙ＝−０．０２０８Δε^２＋０．５６２５Δε−３．０４１７、 Δε＝前記電気光学物質の誘電率異方性）を満たす。 - 特許庁

A film formation treatment is performed in a B-containing atmosphere to form a group III nitride semiconductor containing as the principal component a compositional component of Al_xGa_1-x-yIn_yN (wherein 0≤x, 0≤y, and 1-x-y≤1) on the substrate so that the semiconductor may be oriented in an orientation which slants more than the axis c does.例文帳に追加

次いで、Ｂを含む雰囲気において成膜処理を実行し、前記基板上にAl_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を、そのｃ軸より傾斜した方位において配向するようにして形成する。 - 特許庁

Accordingly, also in the interface with a gate insulating film 4 formed by a HfAl_xO_y film, the oxidation resistance of a metal electrode film 5 is improved, and oxidation of metal electrode film 5 is made to be controlled also under high temperature environment at the time of film formation and annealing.例文帳に追加

これにより、ＨｆＡｌ_xＯ_y膜で形成されているゲート絶縁膜４との界面においても、金属電極膜５の耐酸化性が向上し、成膜時やアニール時の高い温度環境下でも、金属電極膜５の酸化が抑制されるようになる。 - 特許庁

The capacitance film 142 is constituted of a metal compound film having a composition expressed by MO_xC_yN_z, where x, y, and z satisfy 0<x, 0.1≤y≤1.25, 0.01≤z, and x+y+z=2, and M contains Hf and/or Zr.例文帳に追加

容量膜１４２を、式ＭＯ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ（但し、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ、０．１≦ｙ≦１．２５、０．０１≦ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝２を満たす。Ｍは、少なくともＨｆまたはＺｒを含む。）で表される組成を有する金属化合物膜により構成する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

A nitrogen-containing Cr film has Cr_XN_Y crystals each of which contains 50-99 atoms of chromium and 50-1 atoms of nitrogen per 100 atoms scattered in the Cr film containing nitrogen.例文帳に追加

本発明の窒素含有Ｃｒ被膜においては、窒素を含有するＣｒ膜中に１００原子当たり ５０〜９９のクロム 原子及び５０〜１ の窒素原子を含むＣｒ_X Ｎ_Y 結晶を点在せしめる。 - 特許庁

In some embodiments, a hardmask film includes a high-hardness boron-containing film selected from the group consisting of Si_xB_yC_z, Si_xB_yN_z, Si_xB_yC_zN_w, B_xC_y and B_xN_y.例文帳に追加

ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。 - 特許庁

When the first resistive film comes into contact with the second resistive film at the two points, a potential V(X) has a value corresponding to the distance between the two points in the X-axis direction, and a potential V(Y) has a value corresponding to the distance in the Y-axis direction.例文帳に追加

第１の抵抗膜が第２の抵抗膜に対して２点で接触するとき、電位Ｖ（Ｘ）は、この２点のＸ軸方向の距離に係る値をとり、電位Ｖ（Ｙ）は、Ｙ軸方向の距離に係る値をとる。 - 特許庁

This polyvinyl alcohol film has a thickness of 50-100 μm and satisfies the relations represented by the expressions: Y-X≤10 and 20≤X≤60 [wherein X(%) is the degree of crystallization of one side of the film; and Y(%) is that of the other side].例文帳に追加

厚みが５０〜１００μｍとされ、かつ、ポリビニルアルコールフィルムの一方の面の結晶化度（Ｘ％）と他方の面の結晶化度（Ｙ％）との関係が、Ｙ−Ｘ≦１０、２０≦Ｘ≦６０の式を満足する。 - 特許庁

To measure a vapor deposition flux directed in an x direction perpendicular to a y direction by the atomic absorption method without causing a light source or optical receiver to be fouled by a film-forming material when forming a film by vapor deposition while carrying a substrate in the y direction.例文帳に追加

基板をｙ方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、ｙ方向と直交するｘ方向の蒸着フラックスを測定する。 - 特許庁

The phosphor film 131 emits a hue Y, the phosphor film 135 emits a hue B and the phosphor films 132, 133, 134 emit a mixed hue of the hue Y and the hue B.例文帳に追加

蛍光体膜１３１は、色相Ｙを発光し、蛍光体膜１３５は、色相Ｂを発光し、蛍光体膜１３２、１３３、１３４は、色相Ｙと色相Ｂとの混合色相を発光する。 - 特許庁

The width in the depth direction (Y direction) from an air bearing face S of the bias application film 23 is set smaller than the width in the depth direction (Y direction) from the air bearing face S of the MR film 17.例文帳に追加

バイアス印加膜２３のエアベアリング面Ｓからの奥行き方向（Ｙ方向）の幅は、ＭＲ膜１７のエアベアリング面Ｓからの奥行き方向（Ｙ方向）の幅よりも短く設定されている。 - 特許庁

To provide a thin film of high temperature superconducting oxide (RE)Ba_2Cu_3O_7 (RE=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb) (hereinafter, referred to (RE)BCO thin film) having a high critical current density and causing no cracking, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba_2Cu_3O_7 (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

When the thickness of the reflection preventing film 5 in a via hole provided in an interlayer insulating film 11 is shown by (y) and a distance from the bottom of a wiring groove to the upper surface of a lower layer wiring layer 1 (the upper surface of the lower layer wiring) is shown by (x), the relation of x>y is specified.例文帳に追加

層間絶縁膜１１に設けたビアホール内の反射防止膜５の膜厚をｙ、配線溝底部から下層配線層１上面（下層配線上面）までの距離をｘとしたときに、ｘ＞ｙとする。 - 特許庁

X, y and z are determined so as to satisfy the following expression (1), where the optical film thicknesses of the first high refractive index layer and the second high refractive index layer are respectively represented by x and y, and the geometric film thickness of the metal layer is represented by z.例文帳に追加

第１の高屈折率層および第２の高屈折率層の光学膜厚をそれぞれｘ，ｙとし、金属層の幾何膜厚をｚとしたときに、ｘ，ｙおよびｚが、下記の式（１）を満たすようにｘ，ｙおよびｚを決定する。 - 特許庁

Therefore, the discharge pressure of a resist liquid discharged out of the discharge port 74 in the peripheries of the end parts in the +Y side and the -Y side is increased and the film thickness of a resist film formed on a substrate 2 is made even.例文帳に追加

このため、吐出口７４から吐出されるレジスト液の＋Ｙ側および−Ｙ側の端部付近における吐出圧が向上し、基板２上に形成されるレジスト膜の膜厚が均一化される。 - 特許庁

To obtain a printer using Y, M, C ink ribbons and an intermediate transfer medium film in which waste of ribbon and film is prevented.例文帳に追加

Ｙ，Ｍ，Ｃインクリボンと中間転写媒体フィルムを使用するプリンターにおいて、上記リボンとフィルムの無駄な消費を防ぐ。 - 特許庁

On the substrate with a laminated film formed thereon, a phtoresist film is formed in a pattern of peripheral wiring, the X electrode, and the Y electrode.例文帳に追加

積層膜を形成した基板に対し、周辺配線とＸ電極とＹ電極のパターン状にホトレジスト膜を形成する。 - 特許庁

A low layer conductive film layer 3 extending in a Y direction is formed on a foundational insulation layer 1 and an insulation layer 7 is formed on the film layer 3.例文帳に追加

下地絶縁層１上にＹ方向に延びる下層導電膜３が形成され、さらにその上に絶縁層７が形成されている。 - 特許庁

On a substrate (e.g., glass substrate), a transparent conductive film for X electrode and Y electrode, and a metallic film are continuously formed.例文帳に追加

基板（例えば、ガラス基板）上に、Ｘ電極とＹ電極用の透明導電膜と、金属膜を続けて成膜する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING Y-SHAPED ELEMENT ISOLATION FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ELEMENT ISOLATION FILM WITH SIMPLE STEP OF PREVENTING DIVOT例文帳に追加

Ｙ字形の素子分離膜を持つ半導体素子およびディボット発生を防止し工程が簡単な素子分離膜の製造法 - 特許庁

A band-like upper layer conductive film 9 adjacent to the low layer conductive film layer 3 extending in the Y direction is formed on the insulation layer 7.例文帳に追加

絶縁層７上に、下層導電膜３に隣接し、かつＹ方向に延びる帯状の上層導電膜９が形成されている。 - 特許庁

To provide a superconductor thin film which controls the crystalline orientation of a Y-Ba-Cu-O system thin film and is used as an excellent device.例文帳に追加

Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a Y-shaped element isolation film and a method for manufacturing an element isolation film in a simple step by preventing a divot.例文帳に追加

Ｙ字形の素子分離膜を持つ半導体素子およびディボット発生を防止し工程が簡単な素子分離膜の製造法を提供する。 - 特許庁

When an area ratio of the phosphor film of the luminescent hue Y and the phosphor film of the luminescent hue B is varied, the mixed hue is varied.例文帳に追加

発光色相Ｙの蛍光体膜と発光色相Ｂの蛍光体膜との面積比を変えると、混合色相も変わる。 - 特許庁

After an aerial wiring of a metal deposited film is formed by FIB-CVD in an X direction and a Y direction on an isolated pattern to eliminate the influences due to charge-up, the aerial wiring of the metal deposited film in the X and Y directions is used as a marker for correcting the drift during fabrication, and a defect is corrected, while the drift is corrected.例文帳に追加

孤立したパターンにX方向及びY方向にFIB-CVDで金属デポジション膜空中配線を形成してチャージアップの影響を無くした状態で、X方向及びY方向の金属デポジション膜空中配線を加工時のドリフト補正のマーカーとして使用し、ドリフト補正を行いながら欠陥を修正する。 - 特許庁

When the heat shrinkage rate in the longitudinal direction at 100°C of the film for processing is given as X% and the heat shrinkage rate in the crosswise direction is given as Y%, Y is 10% or lower and the heat shrinkage difference represented by an absolute value of the difference between X and Y is 5% or lower.例文帳に追加

この加工用フィルムの１００℃における縦方向の熱収縮率をＸ％、横方向の熱収縮率をＹ％としたときに、Ｙが１０％以下であり、ＸとＹの差の絶対値で表される熱収縮差が５％以下である。 - 特許庁

THe film-forming composition with a polypeptide and for use in the application to a substrate, is prepared in such a manner that the above polypeptide has at least one amino acid sequence expressed by the formula: Pro-Y-Gly (wherein, Y stands for Pro or Hyp) and comprises a collagen-like synthetic polypeptide.例文帳に追加

ポリペプチドを含み、かつ基材に適用するための被膜形成組成物であって、前記ポリペプチドが少なくとも式Pro-Y-Gly（式中、ＹはProまたはHypを表す）で表されるアミノ酸配列を有し、かつコラーゲン様の合成ポリペプチドで構成され被膜形成組成物を調製する。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording medium having a laminated structure including plural recording layers is characterized in that at least one layer of the recording layers is a perpendicularly magnetized film layer having a composition expressed by the formula (Co100-xCrx)100-yPty wherein x and y are in the range of 27≤x≤30 and 66≤y≤10 respectively.例文帳に追加

複数の記録層を含む積層構造の垂直磁気記録媒体であって、前記記録層の少なくともひとつが、（Ｃｏ_100-xＣｒ_x）_100-yＰｔ_yで組成が表され、ｘおよびｙがそれぞれ２７≦ｘ≦３０、６≦ｙ≦１０の範囲にある垂直磁化膜層であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

The Y type zeolite of SiO2/Al2O3 ratio in the range of 3-6 or a dealuminized Y type zeolite of SiO2/Al2O3 ratio in the range of 6-250 is mixed and dispersed in a solvent liquid containing a translucent film polymer in a process prior to a translucent film forming process, and then a mixture thus prepared is formed into the translucent film.例文帳に追加

SiO_2/Al_2O_3比が３〜６の範囲のＹ型ゼオライトまたはSiO_2/Al_2O_3比が６〜２５０の範囲の脱アルミニウムＹ型ゼオライトを半透膜成形工程より以前の工程において、半透膜用ポリマーを含む溶媒液に混合分散し、その後半透膜に成形する。 - 特許庁

To provide a coating film for optical compensation which has a characteristic of [(n_x+n_y)/2-n_z]×d<0 without the need for a complicated film forming process, and also to provide an optical element which has the characteristic without the labor and time for sticking a film or the like.例文帳に追加

煩雑なフィルム化工程を必要とせずに〔（ｎ_x＋ｎ_y）／２−ｎ_z〕×ｄ＜０の特性をもつ光学補償用塗工膜を提供し、フィルム貼り付け等の手間を必要とせずにその特性を有する光学素子を提供することである。 - 特許庁

The insulating film 18a has sidewall surfaces in contact with the wires 24, and the aspect ratio Y of the insulating film 18a and the area X [nm^2] of the sidewall surface of the insulating film 18a are set to satisfy the relation that Y≤-2.9×10^-7×X+9.49.例文帳に追加

絶縁膜１８ａは、配線２４と接する側壁面を有しており、絶縁膜１８ａのアスペクト比Ｙと絶縁膜１８ａの側壁面の面積Ｘ［ｎｍ^２］とが、Ｙ≦−２．９×１０^−７・Ｘ+９．４９なる関係を満たすように設定されている。 - 特許庁

In a nitrogen-containing Cr film, Cr_X N_Y crystals, per 100 atoms, containing 50 to 99 chromium atoms and 50 to 1 nitrogen atoms are scattered.例文帳に追加

本発明の窒素含有Ｃｒ被膜においては、窒素を含有するＣｒ膜中に１００原子当たり５０〜９９のクロム原子及び５０〜１の窒素原子を含むＣｒ_X Ｎ_Y 結晶を点在せしめる。 - 特許庁

The lower-surface electrode 13 formed on the lower surface of the piezoelectric thin film 14 is drawn out from the excitation region 141 in both +Y and -Y directions linearly.例文帳に追加

圧電体薄膜１４の下面に形成された下面電極１３は、励振領域１４１から、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両方向に直線的に引き出されている。 - 特許庁

(2) In the optical recording medium mentioned in (1), the mixing ratio [(Y)/(X)] of the coloring matter compound (Y) to the phthalocyanine compound (X) is 0.2-2 in a film spectral intensity ratio.例文帳に追加

（２）フタロシアニン化合物（Ｘ）に対する色素化合物（Ｙ）の混合比〔（Ｙ）／（Ｘ）〕が膜スペクトル強度比で０．２〜２である（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁

To provide a production method for a semiconductor crystal film, composed of an Si_1-x-yGe_xC_y containing lattice positions C at a high ratio, while having a high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有しながら格子位置Ｃを高い割合で含有するＳｉ_1-_x-yＧｅ_xＣ_y 層からなる半導体結晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The film formed by this method is ≤0.95 in x/(x+y) and is 0.2 to 5 wt.% in carbon content when the ratio of the numbers of the oxygen atom and the nitrogen atom is defined as x:y.例文帳に追加

この方法で形成された膜は、酸素原子と窒素原子の数の比をｘ：ｙとした場合に、ｘ／（ｘ＋ｙ）が０．９５以下であり、炭素含有率が０．２〜５重量％である。 - 特許庁