「fsg」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To protect a wiring layer coated with an FSG film against damage caused by fluorine.例文帳に追加

ＦＳＧ膜で覆われた配線層のフッ素ダメージを抑制する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of fluorine to a wiring layer covered with an FSG film.例文帳に追加

ＦＳＧ膜で覆われた配線層へのフッ素の拡散を抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING ADHESION OF BARRIER LAYER TO HDP- FSG THIN FILMS例文帳に追加

ＨＤＰ−ＦＳＧ薄膜へのバリア層の付着力を改善する方法 - 特許庁

The carbon, OSG and FSG layers can be used as an IMD (Inter-Metal Dielectric) layer (isolation between lines).例文帳に追加

炭素、ＯＳＧ，ＦＳＧ層は、ＩＭＤ層（ライン間の分離）として使用される。 - 特許庁

Then, the TaN film 108 on the FSG film 105 is removed by second grinding.例文帳に追加

次に、第２研磨でＦＳＧ膜１０５上のＴａＮ膜１０８を除去する。 - 特許庁

It is considered that this nitrifying removes moisture from the FSG film and takes away fluorine.例文帳に追加

この窒化処理は、ＦＳＧ薄膜から水分を除去しフッ素を取り除くと考えられる。 - 特許庁

A wiring trench 110 is formed in side an FSG film 108 and an ARL film 109.例文帳に追加

ＦＳＧ膜１０８及びＡＲＬ膜１０９の内部に配線溝１１０を形成する。 - 特許庁

Thus, a following conductive layers that follow are protected from being exposed to fluorine due to the FSG layer.例文帳に追加

かくして後続の導電層は、ＦＳＧ層によりフッ素に曝されるのを保護される。 - 特許庁

After the FSG layer 13 is formed to cover aluminum wirings 12 on a substrate 11 in a chamber of a plasma processing apparatus, an NSG layer 14 is continuously formed in the chamber subsequent to the formation of the FSG layer 13 on the condition of higher temperature when the FSG layer 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上のアルミニウム配線１２を覆う状態で、プラズマ処理装置のチャンバ内においてＦＳＧ層１３を形成した後、このチャンバ内においてＦＳＧ層１３の形成に連続させてＦＳＧ層１３の形成温度よりも高い温度条件でＮＳＧ層１４を形成する。 - 特許庁

At this time, a part of the top of the FSG film is exposed by dispersion of the manufacturing process.例文帳に追加

このとき、製造工程のばらつきによってＦＳＧ膜３の上面の一部が露出している。 - 特許庁

The peak of FSG layer, corresponding to the width of a conductive metal line, is reduced by a step of CMP.例文帳に追加

導電性金属ラインの幅に対応するＦＳＧ層のピークがＣＭＰのステップで減らされる。 - 特許庁

In one embodiment, this FSG film is polished chemically or mechanically prior to nitrifying.例文帳に追加

一実施の形態ではこのＦＳＧ薄膜は、窒化に先立って化学的機械的に研磨される。 - 特許庁

Therefore, the Si-rich SiO_2 film 104A formed between the lower layer wire 103 and the FSG film 104B prevents fluorine from diffusing from the FSG film 104B to the lower layer wire 103.例文帳に追加

従って、下層配線１０３とＦＳＧ膜１０４Ｂとの間に形成されているＳｉリッチＳｉＯ_2膜１０４Ａによって、ＦＳＧ膜１０４Ｂから下層配線１０３への弗素の拡散が防止される。 - 特許庁

Thus, the FSG film 36 of the following conductive layer is substantially protected from exposure to fluorine.例文帳に追加

このようにして続く伝導層はＦＳＧ層がフッ素にさらされることから実質的に保護される。 - 特許庁

This way, the regular nitrifying can passivate (cover for protection) the FSG film deeper than the depth of a bias.例文帳に追加

こうして本窒化処理は、ＦＳＧ薄膜をバイア深さよりも深くパッシベート（保護被覆）することができる。 - 特許庁

A flat interlayer insulating film having the FSG and the NSG layers 13, 14 is formed.例文帳に追加

これによって、ＦＳＧ層１３、ＮＳＧ層１４を有する表面平坦な層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The FSG film 4 on the lower wiring layer 2 is sandwiched between a liner film 3 and a cap film 5 so as to isolate fluorine contained in the FSG film 4 from the lower wiring layer 2, so that the lower wiring layer 2 is prevented from being attacked by fluorine.例文帳に追加

ライナ膜３およびキャップ膜５で下層配線層２上のＦＳＧ膜４を挟み込むことにより、ＦＳＧ膜４に含まれるフッ素を隔離して、フッ素が下層配線層２をアタックすることを防止する。 - 特許庁

An FSG film 3 is subjected to moisture proofing, by covering the FSG film 3 formed on a laminated wiring layer 2 consisting of a TiN film 2a, an Al-Cu film 2b, a Ti film 2c and a TiN film 2d with an NSG film 4.例文帳に追加

ＴｉＮ膜２ａ、Ａｌ−Ｃｕ膜２ｂ、Ｔｉ膜２ｃおよびＴｉＮ膜２ｄからなる積層配線層２上に形成されたＦＳＧ膜３を、ＮＳＧ膜４で覆うことにより、ＦＳＧ膜３を防湿する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING INTERMETALLIC DIELECTRIC LAYER USING LOW-BIAS RF POWER IN DEPOSITION OF FSG BY HIGH- DENSITY PLASMA例文帳に追加

高密度プラズマでＦＳＧを堆積させる時に低バイアスＲＦパワーを使用する金属間誘電層製造方法 - 特許庁

After foreign matters stuck to the substrate 100 in the polishing are eliminated, the surface of the FSG film 109 is polished.例文帳に追加

その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＦＳＧ膜１０９の表面を研磨する。 - 特許庁

Here, the SiN film 103 is formed in the range of temperatures of 400 to 450°C and the FSG film 105 is formed in the range of temperatures of 425 to 475°C.例文帳に追加

ここで、ＳｉＮ膜１０３は４００〜４５０℃、ＦＳＧ膜１０５は４２５〜４７５℃の温度範囲で成膜する。 - 特許庁

The solution selectively removes the barrier metal for a passivation layer such as silicon nitride (16) and an oxide/FSG (12).例文帳に追加

この溶液が、パッシベーション層（例えば、窒化珪素）(16)と酸化物／ＦＳＧ(12)に対して、バリヤー金属を選択的に除去する。 - 特許庁

A fluorine-silicate glass(FSG) layer covers a patterned conductive layer and fills the gaps between the conductive wires.例文帳に追加

フッ素−ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）層がパターン付けされた伝導層を覆い、導電性の線のあいだのギャップを満たす。 - 特許庁

The substrate is biased at a bias power density of 1.3 watts per square centimeter or less during deposition of the FSG layer.例文帳に追加

ＦＳＧ層の堆積中、基板には１平方センチメートル当たり１．３ワット以下のバイアス電力密度でバイアスをかける。 - 特許庁

Then, the ARL film 109 on the FSG film 108 is removed by anisotropic etching using a fluorine-containing gas.例文帳に追加

次に、フッ素含有ガスを用いた異方性エッチングにより、ＦＳＧ膜１０８上のＡＲＬ膜１０９を除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device to form an FSG layer having high quality films without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を増加させることなく膜質の良好なＦＳＧ層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To implement a multilayer interconnection using a FSG film as an insulation film between Cu wirings which is capable of reducing an influence of HF.例文帳に追加

ＨＦの影響を軽減できる、Ｃｕ配線間の絶縁膜としてＦＳＧ膜を用いた多層配線を実現すること。 - 特許庁

Then a P-TEOS layer 15 is formed over the NSG layer 14 and polished by CMP, so as not to expose the FSG layer 13.例文帳に追加

その後、ＮＳＧ層１４上にＰ−ＴＥＯＳ層１５を形成し、ＦＳＧ層１３を露出させないようにＣＭＰ研磨を行う。 - 特許庁

An FSG layer is formed on the conductive layer which is patterned by a high density plasma CVD, filling the gap between conductor lines.例文帳に追加

ＦＳＧ層は、高密度プラズマＣＶＤによりパターン化された導電層の上に形成され、導電ライン間のギャップを充填する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device not generating peeling of a film at the interface between FSG film and anti-reflection film, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＦＳＧ膜と反射防止膜との界面で膜剥がれが生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, an SiN film 103, an SiO_2 film 104, and an FSG film 105 are formed, and a through hole 106 and a wiring groove 107 are formed.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_２膜１０４、ＦＳＧ膜１０５を形成し、スルーホール１０６、配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

After a TEOS film 1 is formed, an FSG film 2 is formed on the TEOS film 1 by a CVD method or PVD method.例文帳に追加

ＴＥＯＳ膜１を形成した後、ＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法により、ＦＳＧ膜２をＴＥＯＳ膜１上に形成する。 - 特許庁

A first wiring layer 102, an SiN film 103, an SiO_2 film 104 and an FSG film 105 are formed on the surface of an insulating film 101, and a through-hole 106 and a wiring groove 107 are formed inside the SiN film 103, the SiO_2 film 104 and the FSG film 105.例文帳に追加

絶縁膜１０１の表面に第１配線層１０２、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５を形成し、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５の内部にスルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a process and a device for manufacturing an integrated circuit element on a substrate (for example, a silicon wafer), which enable an FSG layer to be flattened by a CMP processing process, and besides keep the stability of this FSG layer in the subsequent processing.例文帳に追加

本発明は、ＦＳＧ層がＣＭＰ処理工程によって平滑化されることを可能にし、且つ後続の処理工程の時になお、これらＦＳＧ層の安定性を維持する、基板（例えばシリコンウェハ）上に集積回路素子を製造するためのプロセスと装置とを提供する。 - 特許庁

Next, the barrier film 108 and the Cu film 111 are removed from a surface of the FSG film 105 by a CMP to form a second wiring layer 112.例文帳に追加

次に、ＣＭＰによりＦＳＧ膜１０５の表面のバリア膜１０８およびＣｕ膜１１１を除去し、第２配線層１１２を形成する。 - 特許庁

Then, the TaN film 111, the Cu film 112, and the Cu film 113 deposited on the surface of the FSG film 108 are removed by a CMP method.例文帳に追加

次にＦＳＧ膜１０８の表面に堆積されたＴａＮ膜１１１、Ｃｕ膜１１２およびＣｕ膜１１３をＣＭＰ法により除去する。 - 特許庁

Only the FSG film 5 below Al wiring 8 is capped with an SiON film 6 so that the H_2O generated from a TEOS oxide film 1 may escape to the outside.例文帳に追加

Ａｌ配線８下のＦＳＧ膜５のみをＳｉＯＮ膜６でキャップし、ＴＥＯＳ酸化膜１から発生したＨ_2 Ｏを外部に抜けられるようにする。 - 特許庁

To prevent an FSG film from discharging fluorine nor generating HF when the film is used as an interlayer insulating film between two layers of Al wiring.例文帳に追加

Ａｌ配線間の層間絶縁膜にＦＳＧ膜を用いた場合におけるＦＳＧ膜中からのフッ素の放出およびＨＦの発生を防止すること。 - 特許庁

Further, the CVD or PVD of the FSG film is continued so that rare gas atoms can be taken into the film and a rare gas atom containing layer 3 is formed.例文帳に追加

さらに、希ガス原子が膜中に取り込まれるようにＦＳＧ膜のＣＶＤあるいはＰＶＤを続けて、希ガス原子含有層３を形成する。 - 特許庁

In order to create air gap 23 filled with air in space, OSG (Organic Silicon Glass) and FSG (Fluorine-Doped Silicon Glass) can be formed.例文帳に追加

また、空間内に空気で満たされた空隙２３を生じさせるために、ＯＳＧ（有機シリコンガラス）やＦＳＧ（フッ素ドープシリコンガラス）を形成することができる。 - 特許庁

The plasma can heat the FSG film at abut 400°C for abut one minute so as to mix nitrogen of about 0.4 atom % to a depth of about one micron.例文帳に追加

プラズマは、約０．４原子％の窒素をほぼ１ミクロンの深さにまで混入するためにＦＳＧ薄膜を約１分間、約４００℃に加熱することができる。 - 特許庁

After a plurality of trenches 110 for wiring are formed in an FSG film 109 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 111) and conducting films for wiring (copper films 112 and 113) are deposited in sequence on the FSG film 109, in such a manner that each of the trenches 110 is completely filled.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。 - 特許庁

And next, the surface of an interlayer insulation film 50 is washed with a cleaning solution which has an etching rate for the FSG film 5 almost equal to an etching rate for the USG film 3.例文帳に追加

次に、ＦＳＧ膜３に対するエッチングレートと、ＵＳＧ膜５に対するエッチングレートとがほぼ等しい洗浄液を用いて、層間絶縁膜５０の表面を洗浄する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit element, having a planarized inter- level dielectric layer with a low permittivity (K) containing an FSG layer of which conductive layer is protected from exposure to fluorine.例文帳に追加

伝導層がフッ素への露出から保護されたＦＳＧ層を含む平坦化された低Ｋのレベル間誘電体層を有する集積回路素子が提供される。 - 特許庁

A first wiring 102A and a second wiring 111 are connected through a via 110A formed in an interlayer dielectric (S_iO_2 film 104 and FSG film 105).例文帳に追加

第１配線１０２Ａと第２配線１１１とは、層間絶縁膜（ＳｉＯ_2 膜１０４及びＦＳＧ膜１０５）中に形成されたビア１１０Ａを介して接続されている。 - 特許庁