「gate-source voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The gate voltage of the NMOS transistor M16 is same as a voltage obtained by adding the voltage for the voltage drop of the resistor R5 to the gate/source voltage of an NMOS transistor M17.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＭ１６のゲート電圧は、ＮＭＯＳトランジスタＭ１７のゲート・ソース間電圧に抵抗Ｒ５の電圧降下分を加えた電圧となる。 - 特許庁

A gate of the FET 4 is connected to a variable voltage source VR.例文帳に追加

ＦＥＴ４のゲートは可変電圧源ＶＲに接続されている。 - 特許庁

This X-ray diagnostic apparatus is so constituted that a switch is provided between a gate voltage stabilizer circuit 35 and a gate voltage source 34 and either one output of the gate voltage stabilizer circuit 35 or the gate voltage source 34 is impressed on a gate scanning drive part 22.例文帳に追加

ゲート電圧安定化回路３５とゲート電圧源３４の間にスイッチを設け、ゲート電圧安定化回路３５またはゲート電圧源３４のいずれか一方の出力がゲート走査駆動部２２に印加されるような構成とする。 - 特許庁

A circuit 5 for detecting voltage between a gate and a source detects voltage Vgs between a gate and a source of the power MOS transistor in accordance with voltage application to a gate terminal of the power MOS transistor.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧検出回路５は、パワーＭＯＳトランジスタ１のゲート端子への電圧印加に伴うパワーＭＯＳトランジスタ１のゲート・ソース間電圧Ｖgsを検出する。 - 特許庁

A negative high voltage is impressed on the CNT 4 from a high voltage source 7 to the cathode 2, and a positive voltage is impressed on the gate electrode 3 from a gate power source 6 to the CNT 4.例文帳に追加

高電圧電源７からカソード２に、負の高電圧がＣＮＴ４に印加され、ゲート電源６からＣＮＴ４に対し正の電圧がゲート電極３に印加される。 - 特許庁

The voltage clamp is designed so as to break down at a predetermined voltage and thereby prevent its gate oxide layer from being damaged by an excessive source-gate voltage.例文帳に追加

電圧クランプは所定の電圧でブレークダウンするように設計され、過大なソース−ゲート電圧によるゲート酸化層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

To provide a static induction transistor having a high gate-source breakdown voltage.例文帳に追加

高いゲート・ソース間耐圧を有する静電誘導トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a level shift circuit which can be used in a wide range from a low power source voltage to a high power source voltage without improving gate breakdown voltage of a transistor even when a power source voltage is increased.例文帳に追加

電源電圧を高くしてもトランジスタのゲート耐圧を上げる必要がなく、低電源電圧から高電源電圧まで広範囲に使用できるレベルシフト回路を提供する。 - 特許庁

When the gates of the two transistors are interconnected and the source of either transistor is grounded, the gate-source voltage difference is the source voltage of the other transistor, and the source voltage is Vref.例文帳に追加

両トランジスタのゲートを相互接続し、一方のトランジスタのソースを接地すれば、前記ゲート・ソース間電圧の差は、他方のトランジスタのソース電圧となり、このソース電圧がＶrefとなる。 - 特許庁

The gates of both transistors are interconnected, and when the source of one transistor is grounded, the difference of gate/source voltage is the source voltage of the other transistor, and this source voltage is Vref.例文帳に追加

両トランジスタのゲートを相互接続し、一方のトランジスタのソースを接地すれば、前記ゲート・ソース間電圧の差は、他方のトランジスタのソース電圧となり、このソース電圧がＶrefとなる。 - 特許庁

Next, a source selection gate signal SSG and a drain selection gate signal DSG is made intermediate voltage Vleg (<(Vds+Vth)).例文帳に追加

次に、ソース選択ゲート信号SSGおよびドレイン選択ゲート信号DSGを中間電圧Ｖleg(＜(Ｖds＋Ｖth))にする。 - 特許庁

Since a source-gate voltage of the source follower TR 8 is clamped at a prescribed voltage and a maximum electric field applied to the gate oxide film is reduced, the TR with a thin gate oxide film thickness can be used.例文帳に追加

ソースホロアトランジスタ８のソース・ゲート間電圧が所定電圧でクランプされ、ゲート酸化膜に加わる最大電界が低下するので、ゲート酸化膜厚の薄いトランジスタを使用可能である。 - 特許庁

To improve a gate-source withstand voltage in a gate lead wiring region, in a trench gate type semiconductor device of a mesh structure.例文帳に追加

メッシュ構造のトレンチゲート型半導体装置において、ゲート引き出し配線領域におけるゲート・ソース間耐圧を向上させる。 - 特許庁

Since, as the power supply voltage VDD of the constant current circuit, the addition voltage of one voltage between the drain and source and one voltage between the gate and source becomes necessary and no addition voltage of one voltage between the drain and source and two voltages between the gate and source becomes unnecessary, the minimum operation supply voltage of the constant current circuit becomes low.例文帳に追加

定電流回路の電源電圧ＶＤＤとして、１つのドレイン・ソース間電圧と１つのゲート・ソース間電圧との加算電圧が必要になり、１つのドレイン・ソース間電圧と２つのゲート・ソース間電圧との加算電圧は必要ならないので、定電流回路の最低動作電源電圧が低くなる。 - 特許庁

Further, a drain voltage of the MOS transistor 21 becomes a voltage that is higher by a voltage between a gate and a source of the MOS transistor 23.例文帳に追加

更に、ＭＯＳトランジスタ２１のドレイン電圧は、ＭＯＳトランジスタ２３のゲート・ソース間電圧だけ高い電圧となる。 - 特許庁

As a result, the voltage obtained by adding a threshold voltage and data voltage will be applied between the gate and the source of the drive transistor Tdrp.例文帳に追加

この結果、駆動トランジスタＴdrpのゲート・ソース間には、閾値電圧とデータ電圧とを加算した電圧が印加される。 - 特許庁

The amplifier circuit where a gate voltage is applied to the cascode-connected transistor M21 so that the gate/source voltage of the transistor or gate/substrate voltage can be set as a fixed voltage is used as the two-step amplifier circuit 23.例文帳に追加

カスコード接続されたトランジスタM21にゲート/ソース間電圧またはゲート/基板間電圧が一定電圧となるようにゲート電圧が印加されている増幅回路を二段目増幅回路23として用いる。 - 特許庁

The diode element 35 clips a gate-source voltage of the integration transistor 31.例文帳に追加

ダイオード素子３５は、積分トランジスタ３１のゲート−ソース間電圧をクリップする。 - 特許庁

A control voltage Vc is used to bias the gate of the common source FET 11.例文帳に追加

ソース接地されたＦＥＴ１１のゲートに、制御電圧Ｖｃのバイアスをかける。 - 特許庁

Even if a gate voltage and a source voltage of an enhancement type (E-type) PMOS 14 become the power voltage VPP1 and a drain voltage thereof becomes the power voltage VPP2, since the gate voltage and the source voltage of the E-type PMOS 14 are higher than the drain voltage, bipolar operation does not occur in the E-type PMOS 14.例文帳に追加

エンハンスメント型（Ｅ型）ＰＭＯＳ１４のゲート電圧及びソース電圧が電源電圧ＶＰＰ１になってドレイン電圧が電源電圧ＶＰＰ２になっても、Ｅ型ＰＭＯＳ１４のゲート電圧及びソース電圧はドレイン電圧よりも高いので、Ｅ型ＰＭＯＳ１４はバイポーラ動作しない。 - 特許庁

Here, however, the static gate/source voltage of the FET is greater than the threshold voltage of the FET.例文帳に追加

ただし、上記ＦＥＴの静的ゲート−ソース電圧は上記ＦＥＴのしきい電圧よりも高い。 - 特許庁

A voltage Vin appearing at an input terminal 22a is limited to a gate-source voltage VGS of the MOSFET 33.例文帳に追加

入力端子２２ａの電圧Ｖinは、ＭＯＳＦＥＴ３３のゲート・ソース間電圧ＶGSに制限される。 - 特許庁

A higher voltage than a voltage of the source line 620 is supplied to a gate of the power transistor 502.例文帳に追加

これにより、パワートランジスタ５０２のゲートには、電源ライン６２０の電圧より高い電圧が供給される。 - 特許庁

When gate voltage becomes not more than reference voltage, disconnection is judged to occur in the power source line to the load.例文帳に追加

ゲート電圧が基準電圧以下となった場合、負荷への電源ラインに断線が生じたと判定する。 - 特許庁

An N-channel TR source voltage control circuit (5) controls the gate voltage of a lower-stage N-channel TR source voltage bias TR (4), to be replaced by a drain voltage of the N-channel TR source voltage bias TR (4) or a power supply voltage.例文帳に追加

Ｎチャネルトランジスタソース電圧制御回路（５）は、下段のＮチャネルトランジスタソース電圧バイアストランジスタ（４）のゲート電圧を、Ｎチャネルトランジスタソース電圧バイアストランジスタ（４）のドレイン電圧または電源電圧に繋ぎ換えるコントロールを行う。 - 特許庁

A power source circuit 100 comprises a charge pump circuit 110, and supplies a power source voltage to a gate driver.例文帳に追加

電源回路１００は、チャージポンプ回路１１０を備え、ゲートドライバに電源電圧を供給する。 - 特許庁

The reference voltage VREF of the comparator circuit 23 is obtained by dividing the same power source voltage as a power source voltage VEXT which is applied to the input gate 21.例文帳に追加

比較回路２３の基準電圧ＶＲＥＦは、入力ゲート２１に与えられる電源電圧ＶＥＸＴと同じ電源電圧を分圧して発生させる。 - 特許庁

The back gate effect in the driver transistor and the diode is suppressed and threshold voltage is reduced, thus reducing voltage between the gate and the source of both.例文帳に追加

ドライバトランジスタ及びダイオードにおけるバックゲート効果が抑制され閾値電圧が低下して、両者のゲートーソース間電圧が低減される。 - 特許庁

A third voltage which is a predetermined value lower than the first voltage is applied to a drain-side selection gate line and a source-side selection gate line.例文帳に追加

ドレイン側選択ゲート線、及びソース側選択ゲート線には、第１電圧よりも所定の値だけ低い第３電圧を印加する。 - 特許庁

Power sources 28 and 30 which apply a voltage to the gate of the power switching element S#* are different in terminal voltage from each other, and the rising of the gate voltage causes switching from the power source 30 whose terminal voltage is low to the power source 28 whose terminal voltage is high.例文帳に追加

パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートに電圧を印加する電源２８，３０はそれぞれ端子電圧が相違し、ゲート電圧が上昇することで端子電圧の低い電源３０から端子電圧の高い電源２８へと切り替える。 - 特許庁

The constant voltage circuit 100 outputs a voltage corresponding to at least one of a gate voltage of the third transistor M3 and a source voltage thereof.例文帳に追加

定電圧回路１００は、第３トランジスタＭ３のゲート電圧およびそのソース電圧の少なくとも一方に応じた電圧を出力する。 - 特許庁

VOLTAGE SOURCE ADJUSTED FOR INTRODUCING TUNNEL CURRENT TO FLOAT GATE MEMORY DEVICE例文帳に追加

浮遊ゲート・メモリ装置にトンネル電流を導入するために調節された電圧源 - 特許庁

The attenuation control circuit 14 supplies a control voltage to the gate, the drain, and the source.例文帳に追加

減衰量制御回路１４は、ゲート、及びドレイン、ソースに制御電圧を与える。 - 特許庁

A stress voltage having a voltage value on the outside of a range of values which a display voltage can take is applied between a gate and a source of the driving transistor.例文帳に追加

駆動トランジスタのゲートソース間に、表示電圧の取り得る値の範囲外の電圧値を有するストレス電圧を印加する。 - 特許庁

When drain voltage becomes lower than reference voltage V1, gate voltage becomes low and the part between the source and the drain is difficult to be conducted.例文帳に追加

一方、ドレイン電圧が基準電圧Ｖ１を下回る場合は、ゲート電圧が低くなり、ソース・ドレイン間が導通し難くなる。 - 特許庁

The source of the transistor 10 outputs a voltage whose level is shifted from the input voltage to the gate by the shift voltage.例文帳に追加

このトランジスタ１０のソースからゲ−トへの入力電圧に対してシフト電圧分だけレベルシフトした電圧が出力される。 - 特許庁

The voltage control circuit 60 sets the 1st voltage V1 to make a voltage Vgs between the gate and the source of the dummy cell transistor 20 smaller than a voltage VR between the control gate and the source of the memory cell transistor 10.例文帳に追加

電圧制御回路６０は、ダミーセルトランジスタ２０のゲートとソース間の電圧Ｖｇｓが、メモリセルトランジスタ１０の制御ゲートとソース間の電圧ＶＲより小さくなるように、第１電圧Ｖ１を設定する。 - 特許庁

The MOS transistor resistor includes a first MOS transistor M1, which is used as a resistor, an input voltage source 1, which is connected to the source of the first MOS transistor and applies an input voltage Vin, and a gate voltage source 6, which is connected to the gate of the first MOS transistor and applies a gate voltage Vg.例文帳に追加

抵抗器として使用される第１ＭＯＳトランジスタＭ１と、第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、入力電圧Vinを印加する入力電圧源１と、第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ゲート電圧Vgを印加するゲート電圧源６とを備えたＭＯＳトランジスタ抵抗器。 - 特許庁

In this case, the reference voltage at the reference voltage terminal 10 of a reference voltage source 9 is set at a value which is smaller than the sum of the specified voltage and the gate-source voltage of a transistor 13.例文帳に追加

ここで、基準電圧源９の基準電圧端子１０の基準電圧が、負荷１４が電圧変換した規定の電圧値とトランジスタ１３のゲート・ソース間電圧との和より小さく設定されている。 - 特許庁

Voltage is applied to each assist gate line contact so that voltage gradient is caused in at least the source side assist gate line out of those above.例文帳に追加

これらのうち少なくともソース側アシストゲート線において電圧勾配が生じるように各アシストゲート線コンタクトに電圧を印加する。 - 特許庁

When a source voltage of the main FET is exceeding that of the reference FET, a driving voltage is applied to a gate of the multi-source FET, when not exceeding, the driving voltage is cut off to the gate.例文帳に追加

メインＦＥＴのソース電位がリファレンスＦＥＴのソース電位を上回っているときマルチソースＦＥＴのゲートに駆動電圧を印可し反対のときマルチソースＦＥＴのゲートに駆動電圧を遮断する。 - 特許庁

A voltage applied to the gate of the MOS transistor 23 is a voltage of which the input signal Vin is reduced by a voltage E between a gate and a source of a MOS transistor 25.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ２３のゲートに印加される電圧は、入力信号ＶｉｎからＭＯＳトランジスタ２５のゲート・ソース間電圧Ｅだけ低下した電圧となる。 - 特許庁

When the data are written into a memory cell MM00, a voltage of 8V level is applied to a memory gate line MG0, a voltage of 5V level is applied to a source line SL0, a voltage of 1.5V level is applied to a selection gate line CG0 respectively.例文帳に追加

メモリセルＭＭ００にデータを書き込む際、メモリゲート線ＭＧ０に８Ｖ程度、ソース線ＳＬ０に５Ｖ程度、選択ゲート線ＣＧ０に１．５Ｖ程度を印加する。 - 特許庁

A voltage Va applied across the resistance 18 is determined univocally by the gate-source voltage of the transistor 13.例文帳に追加

トランジスタ１３のゲート・ソース間電圧により抵抗１８の両端にかかる電圧Ｖａが一義的に定まる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be improved in gate-source withstand voltage.例文帳に追加

ゲート−ソース間耐圧の向上を図ることができる、半導体装置を提供する - 特許庁