「inter-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING ANTIFERROMAGNETIC INTER-LAYER COUPLING MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

反強磁性的層間結合磁性膜を用いた磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTER-LAYER INSULATING FILM AND MICROLENS例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの製造方法 - 特許庁

A laminated structure of inter-layer insulating films 106-108 is formed on a board 101.例文帳に追加

基板１０１上に層間絶縁膜１０６〜１０８の積層構造が形成されている。 - 特許庁

After the photoresist 4A is removed, an organic inter layer film 5 is formed on that removed surface.例文帳に追加

フォトレジスト４Ａを除去した後、その除去面に有機層間膜５を形成する。 - 特許庁

Moreover, the electrode pad 7 is formed via an inter-layer insulating film 29 on this.例文帳に追加

さらにその上に層間絶縁膜２９を介して電極パッド７が形成されている。 - 特許庁

Particularly, after dehydrogenating the first inter-layer insulating film, a tensile stress of 200 MPa or more is exhibited.例文帳に追加

特に、第1層間絶縁膜は脱水素化の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。 - 特許庁

Furthermore, a Vcc line 13a, a GND line 13b, and a metal wiring layer 13c are formed via an inter-layer insulating layer 27 on this.例文帳に追加

さらにその上に層間絶縁層２７を介してＶｃｃライン１３ａ、ＧＮＤライン１３ｂ及びメタル配線層１３ｃが形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring board having excellent adhesion of an inter-layer insulating layer and a wiring layer and having high reliability and a manufacturing method for the wiring board.例文帳に追加

層間絶縁層と配線層との密着性がよく、高い信頼性を有する配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Signal wires 12 are disposed on one principal surface of a first inter-layer insulator layer 11, and a first ground layer 13 is extended over the other principal surface.例文帳に追加

第１層間絶縁体層１１の一主面に信号配線１２が配設され、他主面に第１グランド層１３が張着される。 - 特許庁

On the top surface of this inter-layer insulating film 12, the single-crystal silicon layer is stuck and the single-crystal silicon layer forms the transistor element.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１２の表面上に単結晶シリコン層を貼り合わせ、単結晶シリコン層によりトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

A control circuit includes a conductive layer formed in the same layer as the word line conductive layer, an inter-layer insulating layer 56A so formed as to penetrate the conductive layers 71a-71d in the vertical direction, and two plug layers 53e so formed as to penetrate one inter-layer insulating layer 56A in the vertical direction.例文帳に追加

制御回路は、ワード線導電層と同層に形成された導電層と、導電層７１ａ〜７１ｄを垂直方向に貫通するように形成された層間絶縁層５６Ａと、１つの層間絶縁層５６Ａを垂直方向に貫通するように形成された２つのプラグ層５３ｅとを備える。 - 特許庁

In a pair of adjacent stack contacts 141, 143 in a semiconductor device 100, plugs 135, 139 are arranged so that an inter-center distance of the plug 139 passing through a second inter-layer insulating film 114 thicker than a first inter-layer insulating film 109, is larger than the inter-center distance of the plug 135 passing through the first inter-layer insulating film 109.例文帳に追加

半導体装置１００中の一対の隣接するスタックコンタクト１４１およびスタックコンタクト１４３において、第一層間絶縁膜１０９より厚い第二層間絶縁膜１１４を貫通するプラグ１３９の中心間距離が、第一層間絶縁膜１０９を貫通するプラグ１３５の中心間距離よりも大きくなるように、プラグ１３５およびプラグ１３９を配置する。 - 特許庁

To provide a wiring board together with its manufacturing method wherein the thickness of an inter-layer insulating layer is constant while a fine pattern is worked at an inner-layer conductor layer.例文帳に追加

層間絶縁層の厚さが均一であり、さらに、内層導体層に微細なパターン加工を施すことができる配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A multi-crystal semiconductor layer 3 is formed as an active layer, and wiring is connected through a contact hole 7 formed in an inter-layer insulating film 6 to the multi-crystal semiconductor layer 3.例文帳に追加

多結晶半導体層３を活性層とし、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介して配線が多結晶半導体層３に接続されている。 - 特許庁

Thus, an inter-layer via hole or intra-layer wiring pattern to become the factor of power supply voltage fluctuation can be specified.例文帳に追加

本装置により電源電圧変動の要因となる層間ビアホールや層内配線パターンを特定することができる。 - 特許庁

INTER-LAYER MOVING METHOD AND DEVICE FOR OPTICAL MULTI- LAYER RECORDING MEDIUM, AND INFORMATION SIGNAL RECORDING AND/OR REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

光学式多層記録媒体の層間移動方法、層間移動装置、及び情報信号の記録及び／または再生装置 - 特許庁

The inter-layer insulating layer 56A has a rectangular section B1 having two constrictions A1 in a horizontal direction.例文帳に追加

層間絶縁層５６Ａは、水平方向において２つの括れＡ１をもつ長方形状の断面Ｂ１を有する。 - 特許庁

To provide a method and an instrument capable of measuring easily and precisely an inter-layer displacement in each layer of a layered structure.例文帳に追加

層状構造体の層毎の層間変位を簡単に且つ精度よく計測できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, the inter-layer insulating film 140 is ground till the waveform upper end 320 Pu of the second ion layer 320 appears.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１４０を、第２イオン層３２０の波形上端部３２０Ｐｕが表出するまで研磨する。 - 特許庁

An upper layer insulating film 16 is formed on the inter-layer insulating film 10 and covers the detection electrode 11.例文帳に追加

層間絶縁膜１０上には、検出電極１１を覆うように上層絶縁膜１６が形成されている。 - 特許庁

A gate opening is so provided at the upper portion of the recess 3 as to penetrate a first inter-layer insulating film 4a, a gate electrode film 5 and a second inter-layer insulating film 4b which are laminated.例文帳に追加

凹部３上には、積層された第１の層間絶縁膜４ａ、ゲート電極膜５、及び第２の層間絶縁膜４ｂを貫通するようにゲート開口部が設けられる。 - 特許庁

In this case, the organic inter layer film 5 is provided so as to cover only the lower part of the contact metal 3, and a second insulating film 6 is formed on the surfaces of the organic inter layer film 5 and the contact metal 3.例文帳に追加

この場合、コンタクトメタル３の下部のみを覆うように有機層間膜５を設け、有機層間膜５およびコンタクトメタル３の表面に第２の絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

Then the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 are subjected to dry etching under a condition that the selection ratio between the photoresist 8 and the 2nd inter-layer insulating film 7 is nearly equal to form a through hole 9.例文帳に追加

次に、第２層間絶縁膜７とフォトレジスト８との選択比がほぼ等しい条件にてフォトレジスト８と第２層間絶縁膜７をドライエッチングし、スルーホール９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a laminated film having a gradually changing film density is formed in an inter-layer insulating film to improve the adhesiveness between films composing the inter-layer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中に膜密度が漸次的に変化する積層膜を設けることより、層間絶縁膜を構成する膜同士の密着性を改善する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent an inter layer dielectric from being damaged due to an impact in wire bonding, and to prevent an etching condition when forming a trench on the inter layer dielectric from being varied.例文帳に追加

層間絶縁膜が、ワイヤボンディング時の衝撃によりダメージを受けるのを防止しつつ、層間絶縁膜にトレンチを形成する際のエッチングの条件が変動しないようにする。 - 特許庁

In the transmission region T, a transmission electrode 13 is formed on an inter-layer insulating film 11 and in the reflection region R, a reflection electrode 14 is formed on the inter-layer insulating film 11.例文帳に追加

透過領域Ｔでは層間絶縁膜１１上に透過電極１３が形成され、反射領域Ｒでは層間絶縁膜１１上に反射電極１４が形成される。 - 特許庁

A hole for connection hole is formed by etching through a second wiring correspondent inter-layer insulating film 11, a second wiring stopper film 10 and a wiring inter-layer insulating film 9.例文帳に追加

第２配線対応層間絶縁膜１１，第２配線ストッパー膜１０および配線層間絶縁膜９を貫通するようにエッチングを行い、接続孔用の穴１３を形成する。 - 特許庁

Then a contact hole corresponding to the cobalt silicide film is formed in an inter-layer isolation film located to the upper layer, and a p well contact plug is arranged therein and connected to a power wire in the inter-layer isolation film.例文帳に追加

そして、この上層に配置される層間絶縁膜中に、コバルトシリサイド膜に対応するコンタクトホールが形成され、ここにＰウェルコンタクトプラグが配置され、層間絶縁膜中の電源配線に接続されている。 - 特許庁

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.例文帳に追加

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁

The organic EL device 1 has a foundation protecting layer 3, a TFT 90, a first inter-layer insulating film 5, a source-drain electrode 42, a second inter-layer insulating film 6, and a pixel electrode 11 formed on a translucent substrate 2.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１において、透光性基板２上には、下地保護膜３、ＴＦＴ９０、第１の層間絶縁膜５、ソース・ドレイン電極４２、第２の層間絶縁膜６、画素電極１１が形成されている。 - 特許庁

The light shielding film 3 and the inter-layer film 5 are continuously laminated, the apertures 3b of the light shielding film 3 are formed by using the photoresist patterns 6, and the inter-layer film 5 is processed so that the inter-layer film 5A or 8 is allowed to flow, and recessed parts each of which has a cross section like a semicircle are formed.例文帳に追加

遮光膜３および層間膜５を連続して積層し、フォトレジストパターン６を用いて遮光膜３の開口部３ｂを形成すると共に層間膜５を加工し、層間膜５Ａまたは８を流動させて、断面が半円形状の凹部を形成する。 - 特許庁

On the first inter-layer insulating film 14, second and third inter-layer insulating films 22 and 25 are so formed as to fill an opening 16, and a contact hole 26 is formed at the second and third inter-layer insulating films 22 and 25 at the inside part of the opening 16.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１４上に、開口１６を埋め込むようにして第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５を形成し、開口１６の内側の部分における第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５にコンタクトホール２６を形成する。 - 特許庁

The top surfaces of the 2nd inter-layer insulating film 11 and 2nd metal wire 19 are polished and flattened, and a material containing alumina is deposited on the 2nd inter-layer insulating film 11 and 2nd metal wire 19 to form a 3rd inter-layer insulating film 12 of ≤200 nm in thickness.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１１および第２のメタル配線１９の上面を研磨して平坦化し、第２の層間絶縁膜１１および第２のメタル配線１９の上に、アルミナを含む材料を堆積して２００ｎｍ以下の厚さの第３の層間絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

On the exposed surfaces of the transistor elements a first inter-layer film 107 is provided, a first Al layer 108 formed thereon is divided in orthogonal directions and parallel directions to the gates of the transistor elements into a plurality of portions on the first inter-layer film 107, and a second inter-layer film 109 is provided on the first Al layer 108.例文帳に追加

トランジスタ素子の露出面上には、第１の層間膜１０７が設けられ、この第１の層間膜１０７上に第１のアルミニウム層１０８はトランジスタ素子のゲートに対し、直交方向及び平行方向に分割して複数が設けられ、この第１のアルミニウム層１０８上には第２の層間膜１０９が設けられる。 - 特許庁

Inside each of the pixel opening parts 50A, a hole injection layer 20, an inter-layer 21 and a light-emitting layer are laminated in this order on the positive electrode 11.例文帳に追加

各画素開口部５０Ａの内部には、陽極１１の上に、正孔注入層２０、インターレイヤ２１、発光層２２が順に積層されている。 - 特許庁

When the inter-layer jump is made, a liquid crystal element 23 for spherical aberration correction is previously optimized to the cover layer thickness of the L1 layer as a movement destination.例文帳に追加

また、この層間ジャンプ時に、球面収差補正用の液晶素子２３を予め移動先であるＬ１層のカバー層厚さに対して最適化しておく。 - 特許庁

To provide an oxide superconducting coil which has extremely small conductor strain and resistance generated at an inter-layer transition part or inter-pancake transition part.例文帳に追加

層間渡り部あるいはパンケーキ間渡り部における導体歪および抵抗発生が極めて小さい酸化物超電導コイルを提供すること。 - 特許庁

Inter-side brace materials 35 are disposed in tension so as to connect the center sections of each side of the layer unit 21.例文帳に追加

辺間ブレース材３５をレイヤーユニット２１の各辺の中央部を連結するように張設する。 - 特許庁

A lower part inter-layer insulating film 8 is so formed as to directly cover the connection hole stopper film 6.例文帳に追加

その接続孔ストッパ膜を直接覆うように下部層間絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

Inter layer dielectric body (ILD) for a via level is preferably different from an ILD for a line level.例文帳に追加

ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。 - 特許庁

An inter-layer dielectric film 26 is formed on the SOI substrate 1 on which the transistor 7 is formed.例文帳に追加

トランジスタ７が形成されたＳＯＩ基板１上に層間絶縁膜２６を形成する。 - 特許庁

Furthermore, there is disclosed the golf ball having the rigid inter-layer coupling part and the desired structural characteristic.例文帳に追加

更に、強固な層間結合部及び所望の構造的特性を持つゴルフボールを開示する。 - 特許庁

To reduce a inter-wiring capacitance between a bit line and an upper wiring layer, in a DRAM memory cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリセルにおいて、ビット線と上層配線層との配線間容量の低減化を図る。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 104 is formed on the substrate so that the dishing prevention film 103 can be covered.例文帳に追加

ディッシング防止膜１０３を覆うように基板の上に層間絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

To bore a plurality of contact holes in a flattened inter-layer insulating film at a time.例文帳に追加

平坦化された層間絶縁膜に形成する複数のコンタクトホールを１工程で開孔する。 - 特許庁