「inter-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the oxygen electrode side film layer 125 prevents or restrains escape of the oxygen already introduced in the inter-lattice oxygen deficiency by being covered by the electrolyte film layer 110.例文帳に追加

その上で、酸素極側膜層１２５は、電解質膜層１１０を覆うことで格子間酸素欠損に導入済みの酸素の抜けを防止或いは抑制する。 - 特許庁

A Cu wiring 100 is formed in a groove formed in an inter layer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 0 with a barrier metal layer 2 formed thereon.例文帳に追加

半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝にＣｕ配線１００が形成されてなる。 - 特許庁

The first region occupying a region from the base part to the wiring layer is filled with a gas or under a condition where a first inter-layer insulation film 13 is arranged.例文帳に追加

下地部分から配線層までの領域を占める第１領域は、気体が充填された状態、または第１層間絶縁膜１３が配設された状態である。 - 特許庁

The resin filler 92 and the hole filler 69 are made of the same resin material as inter-resin-layer insulating layers 33 to 38.例文帳に追加

樹脂充填材９２及び穴埋め材６９は、樹脂層間絶縁層３３〜３８と同じ樹脂材料にて形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacture method, which has an inter-layer insulating film appropriate for finer element and a process of lower temperature.例文帳に追加

素子の微細化とプロセスの低温化に適した層間絶縁膜を持つ半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then an inter-layer optical directional coupler having an optical coupling linear part 7 is composed of the upper and lower cores 21 and 22.例文帳に追加

そして、上下のコア２１，２２により、光結合直線部７を有する層間光方向性結合器が構成されている。 - 特許庁

A plurality of substrates on which components having terminals are mounted and a plurality of inter-layer connecting parts are set on the surface respectively are prepared.例文帳に追加

端子を有する部品が搭載され、表面に複数の層間接続部がそれぞれ設けられる複数の基板を準備する。 - 特許庁

To provide a plating treatment device which is effective for forming metallic films free of voids within grooves or inter-layer connecting holes.例文帳に追加

溝や層間接続孔の内部にボイドのない金属膜を形成するのに有効なめっき処理装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce a capacity between wirings formed by an inter-layer insulation film for the implementation of a highly accurately processed dual Damascene wiring structure.例文帳に追加

層間絶縁膜により形成される配線間容量を減少させ、高加工精度のデュアルダマシン配線構造を実現する。 - 特許庁

In the present invention, the plane shape of the electrode pad 25 is made smaller than the opened part of the inter-layer insulating film 23.例文帳に追加

ここで、本発明では、層間絶縁膜２３の開口部分よりも、電極パッド２５の平面形状を小さくしている。 - 特許庁

To provide a grinding tool capable of suppressing the inter-layer exfoliation (delamination) of a CFRP material and further improving machining efficiency.例文帳に追加

ＣＦＲＰ材の層間剥離（デラミネーション）を抑制し、さらに加工能率を向上させることができる研削工具を提供する。 - 特許庁

A conductive paste is filled in a through-via or a bottomed via arranged on a prepreg and inter-layer connection is carried out by heating pressure.例文帳に追加

プリプレグに設けられた貫通ビア又は有底ビアに導電性ペーストを充填し、加熱加圧によって層間接続する。 - 特許庁

A self-aligned bit extending part is provided to the phase transition pattern to form a bit line traversing over the inter-layer insulating film.例文帳に追加

前記相転移パターンに自己整列されたビット延長部を備えて前記層間絶縁膜上を横切るビットラインを形成する。 - 特許庁

Thus, the loop inductance is reduced while the number of inter- layer resin insulating layers is decreased.例文帳に追加

これにより、ループインダクタンスを低減し、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減したプリント配線板を得ることが可能となる。 - 特許庁

A capacitance upper electrode 9 is formed on the capacitive insulating film 5A and on the inter-layer insulating film 4 nearby the recess 10.例文帳に追加

容量絶縁膜５Ａ上及び凹部１０近傍の層間絶縁膜４上に容量上部電極９が形成されている。 - 特許庁

To provide a composite material, which is excellent in heat resistance and recycling efficiency and good in inter-layer coherence, and its manufacturing process.例文帳に追加

耐熱性およびリサイクル性に優れ、各層が良好に密着した複合体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Wiring groove, which reaches halfway in a direction of the thickness of the inter layer insulating film and is continuous to the via hole in a plane view, is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。 - 特許庁

To provide a suppressing method of a gas-permeable penetrating crack generated in an electrolyte layer formed by plasma coating on an inter-connector.例文帳に追加

インターコネクタ上にプラズマコーティングした電解質層で発生するガス透過性の貫通亀裂の抑制方法を提供する。 - 特許庁

The inner via-land 14 has the shape of a pattern for connection different from that of a normal wiring pattern in order to perform inter-layer connection.例文帳に追加

内層バイアランド１４は層間接続を行うために、通常の配線パターンと異なる接続用パターン形状としてある。 - 特許庁

In the label, high bond is formed at a plurality of inter-polymer interfaces and a reflective diffractive layer is protected within the construction.例文帳に追加

複数の重合体間の境界面で高い接合が形成され、構造内では反射性の回折層が保護される。 - 特許庁

Part of the protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60) is removed by etching and an opening 61 is formed.例文帳に追加

保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）の一部がエッチングにより除去されて開口部６１が形成されている。 - 特許庁

To provide practical technology by which inter-layer coupling can be effectively reduced in a magnetic resistance multilayer film.例文帳に追加

磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な技術を提供する。 - 特許庁

A fringe insulating film 6A is formed between the inter-layer insulating film 4 nearby the recess 10 and the capacitance upper electrode 9.例文帳に追加

凹部１０近傍の層間絶縁膜４と容量上部電極９との間にフリンジ絶縁膜６Ａが形成されている。 - 特許庁

A cut hole 203 having its center at repair center coordinates 202 is formed in the defect part 201 of an inter-layer insulating film on the substrate.例文帳に追加

基板上の層間絶縁膜の欠陥部２０１に、リペア中心座標２０２を中心とするカット穴２０３を形成する。 - 特許庁

The coating layer 13 in the adhesion region area has an inter-wiring separation region 13A between adjacent metallic wires 51.例文帳に追加

貼合領域において被覆層１３は、隣り合った金属配線５１の間に配線間分離領域１３Ａを有する。 - 特許庁

METHOD OF ENCODING FLAGS IN LAYERS USING INTER-LAYER CORRELATION, METHOD AND APPARATUS FOR DECODING CODED FLAGS例文帳に追加

ある階層のフラグを階層間の連関性を用いて符号化する方法、前記符号化されたフラグを復号化する方法、及び装置 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

A method for decoding a multimedia bit stream can include steps for receiving the multimedia bit stream that has a base layer and an enhancement layer, and decoding the base layer to decide whether the enhancement layer should be decoded by using intra-layer prediction or the inter-layers prediction or not.例文帳に追加

マルチメディア・ビットストリームをデコードする方法は、ベース層とエンハンスメント層とを有するマルチメディア・ビットストリームを受け取ること、及びエンハンスメント層が層内予測又は層間予測を使用してデコードされるべきであるかどうかを決定するためにベース層をデコードすることを含むことができる。 - 特許庁

The OVD layer is laminated by intermediating the deformed layer composed of polymeric materials having flexibility on the support body and inter-layer adhesive strength between the support body and the OVD layer is set to be more than the adhesive strength of the adhesive layer to the object to be stuck.例文帳に追加

支持体上には柔軟性を有する高分子材料からなる変形層を介在させてＯＶＤ層を積層させると共に、支持体とＯＶＤ層との層間接着強度が接着層の被接着対象物（被着体）に対する接着強度より大きくなるように設定する。 - 特許庁

A thin etching stopper film 18 (silicon nitride film) and an inter-layer insulating film 19 (silicon oxide film) are formed on oxide barrier films 16 and inter-layer insulating films 17 (silicon oxide films), and then, openings larger than the oxide barrier films are formed by dry etching immediately above the oxide barrier films 16.例文帳に追加

酸素バリア膜１６、層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜）上に、薄いエッチングストッパー膜１８（窒化シリコン膜）、層間絶縁膜１９（酸化シリコン膜）を形成し、酸素バリア膜１６の直上にそれより大きい開口部をドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

On the blanket insulating film 6, an inter- layer insulating film 7 is laminated, nitrogen (N_2) is added as etching gas to mixed gas of C_5F_8 and O_2 to carry out plasma excitation, and the blanket insulating film 6 is used as an etching stopper for the dry etching of the inter- layer insulating film 7 to form the contact hole 8.例文帳に追加

そして、ブランケット絶縁膜６上に層間絶縁膜７を積層し、エッチングガスとして、Ｃ_5Ｆ_8とＯ_2の混合ガスに窒素（Ｎ_2）を添加しプラズマ励起し、ブランケット絶縁膜６をエッチングストッパとして層間絶縁膜７をドライエッチングしコンタクト孔８を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated structure being good in surface flatness and appearance, large in an inter-layer peeling strength and capable of carrying out an after processing such as co-drawing or the like without occurring an inter layer peeling and a phase difference film made by uni-axially stretching the structure.例文帳に追加

本発明は、表面平滑性と外観が良好であり、層間剥離強度が大きく、層間剥離を起こすことなく共延伸などの後加工が可能な積層構造体及び該積層構造体を一軸延伸してなる位相差フィルムを提供する。 - 特許庁

To suppress a coverage defect of a reflective pixel electrode which is caused at a step part at a pattern end of a ground metal film covering a contact hole formed in an inter-layer insulating film by suppressing degassing from the inter-layer insulating film in a translucent type liquid crystal display device.例文帳に追加

半透過型液晶表示装置において、層間絶縁膜からの脱ガスを抑制し、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを覆う下地金属膜のパターン端の段差部において発生していた反射画素電極のカバレッジ不良を抑制する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board capable of improving the adhesion of an inner layer core material and an outer layer material for which the surface coarsening of an inner layer circuit is omitted and simultaneously preventing inner layer circuit part peeling and a substrate inter-resin peeling during heat shock.例文帳に追加

内層回路の表面粗化を省略した内層コア材と外層材との密着性を改善し、ヒートショック時の内層回路部剥離と基材樹脂間剥離とを同時に防止できる多層プリント配線板の提供を目的とする。 - 特許庁

Control loop operation is temporarily stopped in a state wherein focus control over a 1st layer (L0) of a two-layer optical disk medium is performed and acceleration pulses for an inter-layer jump are applied to a two-axial electromagnetic actuator to perform focus movement to a 2nd layer (L1).例文帳に追加

２層光ディスク媒体の第１層（Ｌ０）に焦点制御が施された状態から制御ループ動作を一旦停止し、２軸電磁アクチュエータに層間ジャンプ用の加速パルスを印加して第２層（Ｌ１）への焦点移動を行う。 - 特許庁

By such a configuration, since the base extraction region 16 is arranged under the base layer 17, the thickness of an inter-layer dielectric 20 formed between the base layer 17 and the emitter layer 18 is reduced, the aspect ratio of an emitter opening is reduced, the thickness of the emitter layer 18 is reduced, and the width of the emitter layer 18 is reduced.例文帳に追加

こうした構成により、ベース引き出し領域１６がベース層１７の下に配置されるので、ベース層１７とエミッタ層１８間に形成する層間絶縁膜２０の厚さが小さくなり、エミッタ開口部のアスペクト比が低減されてエミッタ層１８の厚さが薄くなり、エミッタ層１８の幅が小さくできる。 - 特許庁

A laminated film which includes a 1st insulating film formed of an organic film as a lower layer and a 2nd insulating film made of a hard mask material as an upper layer is used as an insulating film which covers the inter-layer insulating film between a capacitor layer formed of a dielectric film or ferroelectric film and a wiring layer formed thereupon or the wiring layer.例文帳に追加

誘電体膜または強誘電体膜からなるキャパシタ層の上部に形成される配線層との間の層間絶縁膜あるいは配線層を覆う絶縁膜として、有機膜で形成された第一の絶縁膜を下層に、ハードマスク材からなる第二の絶縁膜を上層に配置した積層膜を用いる。 - 特許庁

Consequently, equipotential lines enter the inside of the inter-layer insulating film 10, so a vertical MOS transistor as the embodiment of this invention has the equipotential lines at wider intervals than the conventional vertical MOS transistor in which an inter-layer insulating layer 10 is not formed at a corresponding place and reduces electric field concentration.例文帳に追加

これにより、等電位線が層間絶縁膜１０内にまで入り込むため、当該箇所に層間絶縁膜１０を形成していない従来の縦型ＭＯＳトランジスタと比較して、本実施形態の縦型ＭＯＳトランジスタでは等電位線の間隔が広くなり、電界集中を緩和することが可能となる。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

In the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 in the surrounding portion of the chip area 102, a seal ring 104 penetrating the multi-layer structure and continually surrounding the chip area 102 is formed.例文帳に追加

チップ領域１０２の周縁部における層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造に、該積層構造を貫通し且つチップ領域１０２を連続的に取り囲むシールリング１０４が形成されている。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

The inter-resonator coupling capacitor conductor layer 33 is disposed on the dielectric layer, between the first and second strip line conductor layers 16, 17 and the dielectric layer between the third and fourth strip line conductor layers 19, 20.例文帳に追加

共振器間結合容量導体層３３は第１及び第２のストリップライン導体層１６、１７と第３及び第４のストリップライン導体層１９、２０との間の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

A lower part electrode 5, an upper part electrode 7, a wiring layer 8, and/or an inter-layer insulating layer 9 comprise an anti-catalyst which reduces catalytic activation of metal or metal compound constituting the upper part/lower part electrodes 5 and 7.例文帳に追加

下部電極５、上部電極７、配線層８及び／又は層間絶縁層９が、上部／下部電極５，７を構成する金属又は金属化合物の触媒活性を低減する触媒毒を含む。 - 特許庁

The passivation film 109 of an upper portion of the multi-layer structure of the inter layer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104 and a cap layer 125 connecting with the seal ring 104 is formed on the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁