「interface barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A digital communication link comprises a system side interface circuit, a line side interface circuit, and an isolation barrier including a transformer.例文帳に追加

本発明は、システム側インタフェース回路と、ライン側インタフェース回路と、変圧器を含む絶縁バリアとを備える。 - 特許庁

To provide a metal barrier for copper interconnects that incorporates silicon in the metal barrier or at the copper/metal barrier interface.例文帳に追加

金属障壁体の中にまたは銅／金属障壁体の界面にシリコンが取り込まれた銅相互接続体に対する金属障壁体を提供する。 - 特許庁

A method for designing an agile barrier interface is also provided.例文帳に追加

本発明はさらに、機敏なバリアインターフェイスを設計するための方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ELECTRON INJECTION ENERGY BARRIER OF INTERFACE BETWEEN METAL AND ORGANIC MATTER例文帳に追加

金属・有機物界面の電子注入エネルギーバリアの測定方法及び装置 - 特許庁

To provide a TMR device having a smooth interface as a lower surface of a barrier layer.例文帳に追加

バリア層の下面として平滑な界面を有するＴＭＲデバイスを提供する。 - 特許庁

An intermediate layer 34 is disposed at an interface between the oxygen barrier film and the lower electrode 36.例文帳に追加

酸素バリア膜と下部電極(36)との界面に中間層(34)が配置されている。 - 特許庁

To improve adhesive properties of an interface of noble metal wiring and a barrier film made of a silicon nitride film.例文帳に追加

貴金属配線とシリコン窒化膜からなるバリア膜との界面の密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide an easy and barrier-free tactile sense interface device capable of safely authenticating an individual.例文帳に追加

安全に本人認証を行なえる、容易でバリアフリーな触覚インターフェース装置を提供する。 - 特許庁

A barrier layer (h) is provided to an interface between the semiconductor substrate (a) and the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

半導体基板ａと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層ｈを有する。 - 特許庁

Each of the well layers has a p-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the second semiconductor layer side as viewed from the well layer, and an n-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the first semiconductor layer side as viewed from the well layer.例文帳に追加

前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。 - 特許庁

In particular, the barrier clock rate is preferably selected to be an approximately common multiple of the various communication rates that the barrier interface must handle.例文帳に追加

特に、バリアクロックレートは好ましくは、バリアインターフェイスが扱わなければならない種々の通信レートの概算公倍数となるように選択される。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.例文帳に追加

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.例文帳に追加

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent peelings from occurring at an interface between a barrier conductor film of an embedded wiring formed on the insides of a wiring groove and a connecting hole and a main conductive layer and at the interface between its barrier conductor film and an insulating film.例文帳に追加

配線溝および接続孔の内部に形成された埋め込み配線のバリア導体膜と主導電層との界面、およびそのバリア導体膜と絶縁膜との界面において剥離が発生することを防ぐ。 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

The f_2 is set so that a steep interface is formed between the electron traveling layer 12 and a barrier layer 13.例文帳に追加

ｆ_２は、電子走行層１２とバリア層１３との間に急峻な界面が形成されるように設定される。 - 特許庁

This structure functions as a nonvolatile memory which can prevent a back flow of ions by an ion transfer barrier layer of an interface.例文帳に追加

界面のイオン輸送障壁層によってイオンの逆流を防ぐことができ不揮発性メモリとして機能する。 - 特許庁

To prevent the peeling phenomenon which occurs on the interface between a hydrogen barrier film and an oxygen barrier film constituting an electrode, when planarizing the upper surface of the electrode by CMP.例文帳に追加

ＣＭＰによって電極の上面を平坦化する際に、電極を構成する水素バリア膜と酸素バリア膜との界面で生じる剥離現象を防止する。 - 特許庁

Although a value of source-side interface resistance of a spin MOSFET is essentially different from a value of drain-side interface resistance, these values are made to approximately coincide with each other by adjusting the thickness of a tunnel barrier layer in the interface.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面におけるトンネル障壁層の厚みを調整することにより、これらを略一致させる。 - 特許庁

They suppress the storage of carriers to the interface of the buffer layer 92 and the first barrier layer 94 and reduce the leakage current.例文帳に追加

これらのことは、バッファ層９２／第１バリア層９４界面へのキャリアの蓄積を抑制し、リーク電流を低減する。 - 特許庁

The tunnel barrier layer 15 has thickness from 0.1 nm or more to 0.6 nm or less, and has interface roughness of less than 0.5 nm.例文帳に追加

そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 - 特許庁

The amplitude of roughness of the interface between the barrier and the second ferromagnetic layer is h3 which is smaller than h1 and h2.例文帳に追加

バリア層と第２強磁性層との間の界面のラフネスの振幅がｈ１およびｈ２より小さいｈ３である。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for measuring an electron injection energy barrier actually formed on the interface between metal and organic matter.例文帳に追加

金属・有機物界面に実際に形成されている電子注入エネルギーバリアの測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light.例文帳に追加

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。 - 特許庁

The top surface of the under barrier metal 10 serves as the junction interface of the solder bump 6 and the under barrier metal 10, and the underfill material 18 forms a right angle or an obtuse angle at the joint of the side of the bump 6 and the edge of the under barrier metal 10.例文帳に追加

はんだバンプ６は、アンダーバリアメタル１０との接合界面が該アンダーバリアメタル１０の上面であり、アンダーフィル材１８は、バンプ６の側面とアンダーバリアメタル１０の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel device equipped with a barrier film which is free of un-oxidized metal and a manufacturing method thereof, where a magnetic layer is oxidized before the barrier layer is formed, and an interface between the magnetic layer and the barrier layer is cleaned.例文帳に追加

バリア膜の成膜前に磁性層を酸化処理し、バリア膜を形成後に熱処理を施し、磁性層とバリア膜との界面が清浄化し、かつ未酸化金属がないバリア膜を有する磁気トンネル素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13.例文帳に追加

基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。 - 特許庁

The tunnel barrier film 14 has, on the film surface of the first magnetic film 11 on an interface between the first magnetic film 11 and tunnel barrier film 14, an NaCl type crystal structure (001) oriented in its normal direction.例文帳に追加

トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 - 特許庁

In the structure of the field effect transistor, a heterojunction interface which consists of the GaN layer and the barrier is used as a channel, and the barrier which is contact with the channel is formed as the multilayer structure which consists of the thin AlN layer and the GaN layer.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタの構造では、ＧａＮ層とバリアーからなるヘテロ接合界面をチャンネルとし、チャンネルに接するバリアーが薄いＡｌＮ層とＧａＮ層からなる多層構造とする。 - 特許庁

An accumulation region 49D of a metal element is formed on the interface between the Cu wiring pattern and the insulating diffusion barrier film by heat treatment.例文帳に追加

熱処理により、銅配線パターンと絶縁性拡散障壁膜との界面に、金属元素の濃集領域４９Ｄを形成する。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

Owing to the structure, the potential barrier in the re-growth interface is reduced so as to improve the electrical characteristics of the nitride semiconductor device.例文帳に追加

かかる構造とすることにより、再成長界面での電位障壁が低減され、窒化物半導体素子の電気的特性が向上する。 - 特許庁

In the compound layer 2, a barrier layer is formed by Cu6Sn5 phase deposition on or migration to a surface of the Ni plating, whereby an interface reaction is suppressed.例文帳に追加

化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 - 特許庁

The resonance sensor system provides an active layer 24 and a barrier layer 25 which have a hetero junction on an interface providing a two-dimensional electron gas layer.例文帳に追加

共振センサ装置は、２次元電子ガス層を提供する、その界面にヘテロ接合を有する活性層２４およびバリア層２５を備える。 - 特許庁

To provide a communication protocol and serial interface having an approximately fixed barrier clock and capable of adapting to a variety of communication rates.例文帳に追加

本発明は、略固定のバリアクロックを有し、様々な通信レートに対応することができる通信プロトコルおよびシリアルインターフェイスを提供する。 - 特許庁

The probability of detrapping of electric charges which are held by the interface trap of the metal oxide 3 is reduced by the insulating film 5, which functions as a trap barrier.例文帳に追加

金属酸化物３の界面トラップに保持された電荷が、トラップバリアとして機能する絶縁膜５によりデトラップする確率が低減する。 - 特許庁

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2.例文帳に追加

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.例文帳に追加

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁

High-frequency transmission characteristics are used to perform quantitative, noncontact, and nondestructive evaluation of the generation and growth of thermo-growth oxides (for example, formed in an interface between a Thermal Barrier Coating (TBC) and a bond coating) which occur in the thermo barrier coating of a heat-resistant material having the thermo barrier coating applied onto a metal substrate.例文帳に追加

金属基材上に施された熱遮へいコーティングを有する耐熱性材料の当該コーティングに生成する熱成長酸化物（例えば、遮熱コーティング(TBC)/ボンドコート界面に形成される）の生成・成長を高周波伝送特性を使用して定量的に非接触・非破壊評価する。 - 特許庁

For measuring the electron injection energy barrier on the interface between metal and organic matter, a ballistic electron 5 is knocked from a chip 1 for supplying a tunnel electron to the interface 3 between metal and organic matter through a metal electrode 2 with an extremely thin film.例文帳に追加

金属・有機物界面の電子注入エネルギーバリアを測定するにあたり、トンネル電子供給用のチップ１から極薄膜の金属電極２を介し、金属・有機物界面３に弾道電子５を打ち込む。 - 特許庁

This suppresses a weak layer from growing on the interface of the barrier metal layer 15 and the SiO2 film 13 of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

これにより、バリアメタル層１５とＳｉＯ_2膜１３の界面において脆弱層の生成を抑制でき、ボンディング時のパッド剥がれを抑制できる。 - 特許庁

To provide a light emitting device which has a structure of alleviating energy barrier generated in the interface of an organic compound layer having a laminated structure.例文帳に追加

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。 - 特許庁