「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus and a method for performing laser thermal annealing of a substrate, using an annealing radiation beam that is not substantially absorbed in the substrate at room temperature.例文帳に追加

室温で基板に実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて、基板のレーザ熱アニールを行なうための装置および方法。 - 特許庁

To provide a device and a method for laser annealing by which the quality drops of resulting matters of annealing can be prevented.例文帳に追加

アニール結果物の品質低下を防止することができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法を提供する。 - 特許庁

A laser beam (1) for an annealing is emitted to an annealing object held to a stage (10).例文帳に追加

レーザ光源(1)が、ステージ(10)に保持されたアニール対象物をアニールするためのアニール用レーザビームを出射する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device capable of preventing annealing from deteriorating in processing quality and decreasing in processing efficiency.例文帳に追加

アニールの加工品質の低下を防止することができ、アニールの加工効率の低下を防止することができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus that can complete annealing by a small quantity of radiation energy and for a short time period.例文帳に追加

小さな照射エネルギー量でアニール処理することができ、かつ、短時間でアニール処理が可能なレーザーアニール装置を提供すること。 - 特許庁

To perform annealing other than laser annealing, and to eliminate the need for handling in a thin-film state.例文帳に追加

レーザアニール以外のアニールも行え、かつ、薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済むようにする。 - 特許庁

To provide a laser annealing system in which annealing is performed with excellent quality through a simple arrangement.例文帳に追加

簡単な構成のもとで品質に優れたアニーリングを行うことを可能にしたレーザアニール装置を得る。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus capable of reducing protrusions formed on a surface of a polycrystalline silicon in annealing.例文帳に追加

アニール時に形成されるポリシリコンの表面の突起を低減できるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for laser annealing y which the absorption of a laser beam can be improved and an influence of film thickness be also reduced when a semiconductor film is subject to laser annealing by using the wavelength conversion light of solid laser.例文帳に追加

固体レーザの波長変換光を用いた半導体膜のレーザアニールにおいて、レーザビームの吸収率を高め、かつ膜厚の影響を低減することができるレーザアニール方法および装置を提供する。 - 特許庁

When the leaser annealing treatment start position, laser annealing treatment ending position, and moving speeds of the table and substrate at the time of performing the leaser annealing treatment are inputted; the moving distances of the table and substrate are automatically calculated, based on the inputted moving speeds, and added to the front and rear sides of the laser annealing treatment start and end positions.例文帳に追加

レーザアニール処理開始位置、終了位置およびレーザアニール処理時の移動速度を入力すると、入力された移動速度に基づいて前記移動距離が自動的に演算され、レーザアニール処理開始位置および終了位置の前後に加えられる。 - 特許庁

The laser annealing treatment apparatus 200 comprises a chamber 204, a laser beam source 202, a gas distributing nozzle 222, an excimer laser, and a gas feeding device 220.例文帳に追加

レーザーアニール処理装置は、チャンバと、レーザー光源と、ガス分散ノズルと、エキシマレーザーと、ガス供給装置とを有する。 - 特許庁

A laser annealing apparatus 10 is provided with a laser oscillator 12, a laser oscillator diagnosis device 14, and a main controller 100.例文帳に追加

レーザアニーリング装置１０は、レーザ発振器１２と、レーザ発振器診断装置１４と、主制御装置１００とを備えている。 - 特許庁

In a step of subjecting a semiconductor substrate 10 to laser annealing, a time difference is set between laser beams oscillated by first and second laser beam sources.例文帳に追加

半導体基板１０をレーザアニールする工程では、第１、第２レーザ光源から発振されるレーザの間に時間差を設定する。 - 特許庁

By a laser annealing device, a substrate 9 is irradiated with the laser beam from a laser irradiation device 1 via a pattern on a mask 6.例文帳に追加

レーザアニール装置は基板９にマスク６のパターンを介してレーザ照射装置１からレーザビームを照射する。 - 特許庁

To provide a laser annealing method capable of easily presenting desired laser light output and of easily irradiating a substrate with laser light with a simple configuration.例文帳に追加

所望のレーザ光出力を容易に得られ、簡単な構成でレーザ光を容易に基板に照射できるレーザアニール方法を提供する。 - 特許庁

A reflected light of laser beams for measuring that is reflected at the annealing object and inversely propagates in the first path, propagates along a path different from a path for laser beams for annealing from the laser beam source for annealing to the first path.例文帳に追加

さらに、アニール対象物で反射し、第１の経路を反対向きに伝搬する測定用レーザビームの反射光を、アニール用レーザ光源から第１の経路に至るまでのアニール用レーザビームの経路とは異なる経路に沿って伝搬させる。 - 特許庁

To provide a treating apparatus which can prevent contamination on an object to be treated and which can shorten its treating time, to provide a laser annealing apparatus, a laser annealing method and a manufacturing apparatus in which the quality of a laser annealing operation is enhanced and in which production costs can be reduced, and to provide a substrate manufacturing apparatus for a flat display device.例文帳に追加

被処理物の汚染防止、処理時間の短縮が可能な処理装置、レーザアニールの品質向上、及び製造コストの低減を図ったレーザアニール装置、レーザアニール方法、製造装置、及び平面表示装置の基板製造装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a laser annealing device equipped with a measuring instrument capable of accurately measuring the shape and intensity of a laser beam, and to provide a laser annealing method.例文帳に追加

レーザービームの形状や強度を正確に測定することができる測定装置を備えたレーザーアニール装置及びレーザーアニール方法を提供すること。 - 特許庁

In the laser annealing apparatus for performing laser annealing by irradiating laser light to a workpiece placed on the movable workpiece placement table, the workpiece placement table 10 has a honeycomb structure.例文帳に追加

移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール処理装置において、被処理体載置台１０が、ハニカム構造とする。 - 特許庁

To provide a laser annealing device suitable for a laser annealing method, in which a thin-film transistor formed on a substrate is irradiated with a laser beam which can penetrate the substrate from the substrate side.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜トランジスタに基板側から基板を透過可能なレーザ光を照射しするレーザアニール方法の実施に適したレーザアニール装置を提供しようとする。 - 特許庁

To provide a laser annealing device or a laser annealing method that removes the adverse influence of an overrun laser beam at a low cost.例文帳に追加

本発明は、低コストにて、オーバランしたレーザビームによる悪影響を排除することができる、レーザアニール装置またはレーザアニール方法を提供する。 - 特許庁

This device has a means for detecting the energy of a laser beam 4c which enters an annealing chamber 1, held in vacuum to perform laser annealing and passes through a quartz window 5 for introducing the laser light.例文帳に追加

アニール処理を行う真空保持されたアニール処理室１に、レーザ光４ｃが入射し、レーザ導入用の石英ウィンドウ５を通過したレーザ光４ｃの、エネルギーを検出する手段を備えたものである。 - 特許庁

Laser annealing is executed for the amorphous silicon layer to form a polysilicon layer 13.例文帳に追加

そのアモルファスシリコン層に対してレーザーアニールが行われ、ポリシリコン層１３が形成される。 - 特許庁

The surface of a polysilicon film turned into polysilicon by excimer laser annealing is imaged (S1).例文帳に追加

エキシマレーザアニールによりポリ化したポリシリコン膜の表面を撮像する（Ｓ１）。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF THIN FILM TRANSISTOR, AND LASER ANNEALING DEVICE例文帳に追加

半導体素子，薄膜トランジスタ，レーザーアニール装置，並びに半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF LASER ANNEALING OF SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICES PRODUCED THEREBY例文帳に追加

半導体層のレーザーアニール方法およびこの方法により製造された半導体装置 - 特許庁

The semiconductor film 5 is formed of amorphous semiconductor material first and is then turned into crystalline by laser annealing.例文帳に追加

最初、半導体膜５は非晶質半導体膜で形成され、レーザーアニールにより結晶化させる。 - 特許庁

The thickness of the layer 2 varies with position, and silicon is subjected to laser annealing.例文帳に追加

層２の厚さを位置により異なるものとして、シリコンをレーザーアニールする。 - 特許庁

To provide a laser annealing method for obtaining a crystalline semiconductor film wherein crystal grain diameter is large.例文帳に追加

結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得るためのレーザーアニール方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD USING SILICON FILM MANUFACTURED WITH EXCIMER LASER ANNEALING METHOD例文帳に追加

エキシマレーザーアニール法で作製したＳｉ膜を用いた半導体トランジスタ製造方法 - 特許庁

LASER ANNEALING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR THIN-FILM EMPLOYING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

レーザーアニール装置、これを用いた半導体薄膜の製造方法、および薄膜トランジスター - 特許庁

To stably obtain the energy of a laser beam to be used for annealing a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜のアニールに利用されるレーザー光のエネルギーを、安定して得ることを課題とする。 - 特許庁

ULTRA-HIGH-SPEED LASER ANNEALING WITH REDUCED PATTERN DENSITY EFFECT IN MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路の製造における、パターン密度効果を低減させた超高速レーザーアニーリング - 特許庁

In this state, nitrogen gas is injected into an inside space of the cell 17 to perform laser annealing.例文帳に追加

この状態で、セル１７の内部空間に窒素ガスを注入し、レーザアニールを行う。 - 特許庁

METHOD FOR SMOOTHING ANNEALED SURFACE OF SUBSTRATE AND MASK FOR LASER ANNEALING例文帳に追加

アニール処理された基板表面を平滑化する方法及びレーザーアニール処理用マスク - 特許庁

Then, laser annealing is carried out to crystallize the semiconductor film, and the nearly single-crystalline grains 15a are formed.例文帳に追加

そしてレーザーアニールを行って半導体膜を結晶化し、略単結晶粒１５ａを形成する。 - 特許庁

To reduce the unevenness of crystal phase generation in laser annealing.例文帳に追加

レーザーアニール処理加工による結晶相生成の不均一化を低減する。 - 特許庁

LASER ANNEALING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

レーザーアニ−ル装置及びそれを用いた薄膜トランジスタの作製方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR LASER ANNEALING, MASK, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

レーザアニール方法及びその装置、マスク、半導体デバイス製造方法、半導体デバイス - 特許庁

The amorphous silicon thin film 17 is crystallized by laser annealing to obtain a polysilicon thin film.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜１７をレーザアニールして結晶化させてポリシリコン薄膜にする。 - 特許庁

To improve uniformity in annealing by emitting a linear or square shaped laser beam.例文帳に追加

線状または方形状のレーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。 - 特許庁

In other words, integrated value of the time when laser annealing is performed in an effective melting region becomes the processing time.例文帳に追加

即ち、実効溶融領域でレーザーアニールを行っている時間の積算値が処理時間となる。 - 特許庁

To form a polycrystalline silicon film by means of laser annealing, where particle sizes are not less than 1 μm.例文帳に追加

レーザーアニールにより、１μｍ以上の粒径の多結晶珪素膜を形成する。 - 特許庁

Then the precursor layer is converted to the polycrystalline silicon layer by laser annealing.例文帳に追加

次いで、先駆層はレーザアニーリングによって多結晶シリコン層に変換する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, INTENSITY DISTRIBUTION MEASURING METHOD LASER ANNEALING DEVICE AND CRYSTALLIZATION METHOD例文帳に追加

半導体装置、レーザ光の光強度分布測定方法レーザアニール装置および結晶化方法 - 特許庁