「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Since heat absorbed by the substrate by laser annealing is concentrated on the corners with the small radius of curvature, a deterioration of the magnetic layer laminated on the barriers 114 is conspicuous.例文帳に追加

レーザアニールによる基板の吸熱が曲率半径の小さい角部に集中するので、隔壁部１１４に積層されている磁性層の変質が顕著となる。 - 特許庁

Also, the semiconductor film forming positions P1, P2 are arranged in the same shot region in heat treatment, such as excimer laser annealing, and are further arranged in the range corresponding to the superposition width in superposition irradiation.例文帳に追加

また、半導体膜形成位置Ｐ１、Ｐ２が、エキシマレーザアニールのような熱処理の同一ショット領域に配置され、さらに、重畳照射における重畳幅に相当する範囲に配置される。 - 特許庁

Further, this method does not heat the whole silicon substrate 1, but can heat only the thin film resistance element 30 up to a desired temperature, and thus, this will enable the laser annealing temperature to be set to a high temperature.例文帳に追加

また、シリコン基板１全体を加熱するのではなく、薄膜抵抗素子３０のみを所望の温度まで加熱することができるので、レーザーアニールの処理温度を高温度に設定することができる。 - 特許庁

Then, laser annealing is applied to joints of the silicon split substrate pieces 20A, and they are made integral to form a silicon substrate 20.例文帳に追加

そして、各シリコン分割基板片２０Ａの継ぎ目にレーザアニール処理を行い、各シリコン分割基板片２０Ａを一体化してシリコン基板２０を得る。 - 特許庁

The processing effects such as curing, annealing, implant activation, selective melting, deposition, and chemical reaction can be achieved with a dimension limited by a diameter of the focused laser beam.例文帳に追加

例えば、硬化、焼きなまし、インプラント活性化、選択的溶融、デポジション、及び化学反応のような処理効果が、集束ビーム直径によって限定された寸法で達成されることができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a polysilicon pattern which can suppress surface roughness in a conversion process from amorphous silicon into polysilicon by laser annealing, a thin film transistor, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

レーザアニールによるアモルファスシリコンからポリシリコンへの移行過程で表面が粗くなることを抑制するポリシリコンパターンの形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供すること。 - 特許庁

If the surface of a polycrystalline semiconductor film 12 formed through laser annealing by a line beam is very rough, light is scattered by the surface of the semiconductor film 12 and detected when light impinges on the surface of the semiconductor film 12 at an angle of 45°.例文帳に追加

ラインビームによるレーザアニールを行って得た多結晶性の半導体膜１２の表面が大きく荒れていると、ほぼ４５°光が照射されたとき、光が半導体膜１２の表面で散乱し、受光される。 - 特許庁

To solve the problem wherein size differences occur in the diameters of crystallized silicon grains when annealing is performed by using laser light, because deflection occurs as the area of a phase shifter is increased and the distance between the shifter and a substrate to be treated is not fixed.例文帳に追加

従来、位相シフタの大面積化に伴い撓みが発生し、位相シフタと被処理基板との間の距離が一定でなくなり、レーザ光によるアニール処理を行うと結晶化シリコンの粒径に大小の差が生じている。 - 特許庁

A propagation optical system has the first and second pulsed laser beams propagate along a common path and carry out incidence to the object for annealing held on the stage.例文帳に追加

伝搬光学系が、第１及び第２のパルスレーザビームを共通の経路に沿って伝搬させ、ステージに保持されたアニール対象物に入射させる。 - 特許庁

A first laser annealing is carried out to the amorphous silicon thin-film 12a, and a polysilicon thin-film 12b having a crystal-grain size of 0.2 μm or more is formed.例文帳に追加

このアモルファスシリコン薄膜１２ａに第一のレーザアニールを施して、結晶粒径が０．２μｍ以上のポリシリコン薄膜１２ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polycrystalline silicon by an excimer laser annealing process in which a region of the polycrystalline silicon is expanded by preventing a problem of sublimation.例文帳に追加

昇華の問題を回避して多結晶シリコンの領域を拡大するエキシマレーザ焼鈍プロセスによる多結晶シリコン製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrostatic charges can be prevented from remaining in the polysilicon film, which is caused by eximer-laser-annealing applied to the amorphous silicon film with the active fluorine adhered to the surface of the amorphous silicon film.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の表面に活性フッ素が付着した状態でエキシマレーザアニールすることで生じるポリシリコン膜中の電荷の残留を防止できる。 - 特許庁

An effective energy range is expanded with which the amorphous semiconductor film is irradiated, and a carrying speed of a substrate 3 is improved for the portion of it, so that the throughput of laser annealing is improved.例文帳に追加

本発明により、非晶質半導体膜に照射される有効エネルギー範囲も広くなり、その分、基板３の搬送速度を速めることができるため、レーザアニールの処理能力が向上する。 - 特許庁

A synchrotron radiation detector detects the intensity of synchrotron radiation from an area to be measured inside an area impinged by a pulse laser beam, in the surface of an annealing object.例文帳に追加

放射光検出器が、アニール対象物の表面のうち、パルスレーザビームが入射した領域内の被測定領域からの放射光の強度を検出する。 - 特許庁

The polycrystalline Si film is formed by laser annealing, having such an energy density that can make the thin film part 16 melted completely but will not make the thick film part melted completely.例文帳に追加

そして、多結晶Ｓｉ膜は、薄膜部１６が完全溶融するとともに厚膜部１８が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによって形成されている。 - 特許庁

Then, annealing is performed, and it is subjected to laser beam 50 irradiation, the non-single crystal semiconductor thin film 2 is heated and melted once for conversion into a polycrystal in a cooling process.例文帳に追加

次にアニール工程を行い、レーザ光５０を照射して非単結晶の半導体薄膜４を一旦加熱溶融し冷却過程で多結晶に転換する。 - 特許庁

After a substrate insulating film 2 is deposited on an insulating substrate 1, a silicon thin film is deposited, and a polysilicon thin film 3 is formed by using a laser annealing method.例文帳に追加

絶縁基板１上に下地絶縁膜２を堆積した後、シリコン薄膜を堆積し、レーザアニール法によりポリシリコン薄膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a laser annealing method for forming a silicon crystallized film, which improves the uniformity of polycrystal made of granular crystals of about 0.2 um.例文帳に追加

シリコン結晶化膜を形成するレーザアニール方法において、０．２ｕｍ程度の粒状結晶からなる多結晶の均一性の向上を可能とする。 - 特許庁

In order to obtain the crystallized silicon film with a crystallization ratio of 90% or higher by annealing using only the carbon dioxide laser, substrate heat treatment needs to be performed (Fig. 1(b)) at a temperature of 350°C or higher.例文帳に追加

炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 - 特許庁

By using laser annealing which is a relatively low temperature process, only the minute defect of the surface of the mold can be annealed, so that only the minute defect can be corrected without deforming the pattern shape of the mold.例文帳に追加

比較的低温プロセスであるレーザアニールを用いることで、モールド表面の微小欠陥のみをアニールが可能となり、モールドのパターン形状を変形させることなく、微小欠陥のみを修復することが出来る。 - 特許庁

To crystallize a non-single-crystal semiconductor film having a suitable scanning pitch and a suitable number of times for irradiation, when subjecting the semiconductor film to laser annealing.例文帳に追加

非単結晶半導体膜をレーザアニールする際に、適切な走査ピッチと照射回数によって前記半導体膜を結晶化することを可能にする。 - 特許庁

The carbon insulation film 16 is a photothermal conversion layer applied in the laser annealing process, and is a left-over part of the photothermal conversion layer.例文帳に追加

カーボン絶縁膜１６は、このレーザーアニール処理において適用される光熱変換層であり、当該光熱変換層の一部を残したものである。 - 特許庁

To effectively perform a thermal treatment such as activation treatment of impurities in a substrate such as a thick silicon wafer with large thermal capacity by laser annealing.例文帳に追加

熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの基板において不純物の活性化処理などの熱処理をレーザアニールにより効果的に行うことを可能にする。 - 特許庁

To provide a stage moving/controlling device capable of accurately controlling the moving (position or speed) of a stage on which an object to be processed is placed, as well as a laser annealing device for which the foregoing device is utilized.例文帳に追加

処理対象物を載置するステージの移動（位置又は速度）を正確に制御し得るステージ移動制御装置及びこれを用いたレーザアニール装置の提供。 - 特許庁

The width of the groove 3 is the value expressed by l×ΔT×η (l represents the length of the chip region, ΔT represents a temperature difference of the front surface and the rear surface of the substrate at the time of laser annealing, and η represents a line coefficient of thermal expansion of the substrate.).例文帳に追加

溝３の幅は、ｌ×ΔＴ×η（ｌは、チップ領域の長さを示し、ΔＴは、レーザーアニール時の基板表面と裏面の温度差を示し、ηは、基板の線熱膨張率を示す。）で表される値とする。 - 特許庁

To provide a laser annealing method whereby the crystal grain-sizes of a polysilicon film can be made uniform over the whole of a substrate, a thin-film semiconductor device, a manufacturing method thereof, a display, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

poly-Si膜の結晶粒径を基板全体に渡って均一にすることを可能とするレーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A negative electrode collector 5 is irradiated with energy beams (laser) in two divided steps and then put under welding and annealing processes sequentially to a concave part 621 at the center of a bottom part 62 of the outer package can 6.例文帳に追加

負極集電体5を外装缶6の底部62中央の凹部621に対し、二段階に分けてエネルギービーム（レーザ）を照射して、溶接と焼き鈍し処理を順次行う。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a magnetic domain wall moving type magneto-optical recording medium capable of shortening the entire processing time and also capable of improving the reliability of inspection by simultaneously performing laser annealing treatment and defective inspection.例文帳に追加

レーザアニール処理法を用いて光磁気記録媒体を製造する場合、媒体上に形成する非記録トラック全周に渡ってレーザアニール処理を１トラックずつ行わなければならないため、多くの処理時間を必要とする。 - 特許庁

When the surface of a polycrystalline semiconductor film 12 formed on a substrate 10 by laser beam annealing is substantially rough, light is strongly scattered on the surface of the film 12 in a dark field picture and the scattered light is received by a CCD camera 160.例文帳に追加

レーザアニールを行って得た多結晶性の半導体膜１２の表面が大きく荒れていると、暗視野画像において半導体膜１２の表面で光が強く散乱され、ＣＣＤカメラ１６０で受光される。 - 特許庁

To provide an image display system improved in electron mobility of a thin film transistor by expanding the particle diameter of crystal and a method for laser annealing of low-temperature polysilicon.例文帳に追加

結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a thin film transistor by magnifying the size of the crystal obtained by laser annealing, in a bottom gate structure of polycrystalline thin film transistor.例文帳に追加

ボトムゲート構造の多結晶薄膜トランジスタにおいて、レーザアニールで得られる結晶サイズを拡大化して薄膜トランジスタの高性能化を図る。 - 特許庁

Accordingly, the thermal conditions becomes close each other in a gate region and a non-gate region, and it becomes possible to optimize the process conditions for laser annealing, covering both regions, consequently this thin film transistor can materialize the magnification of the crystal size.例文帳に追加

従って、ゲート領域と非ゲート領域とで熱的な条件が近くなり、両領域に亘ってレーザアニールのプロセス条件を最適化することが可能となり、結果として結晶サイズの拡大化を実現できる。 - 特許庁

Further, laser annealing is executed under conditions, where the granular crystal part and the amorphous part are melted and the lateral crystal part is not melted from an area above the reflection control film.例文帳に追加

ＲＰ≦ＲＡ≦ＲＬ・・・（１）、ＲＰ≦ＲＬ≦ＲＡ・・・（２）（ＲＡ：非結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の反射率、ＲＬ：ラテラル結晶部分におけるレーザ光の反射率。） - 特許庁

The galvanometer 12 vibrates the deflecting mirror 13 into a direction perpendicular to the moving direction of a movable stage 11, so that the irradiating region of laser light in an annealing object 14 is moved with a given speed.例文帳に追加

ガルバノメータ１２が、可動ステージ１１の移動方向に対して垂直な方向に、アニール対象物１４におけるレーザ光の照射領域が一定の速度で移動するように、反射鏡１３を振動させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an active matrix substrate capable of eliminating the necessity of formation of a metal film for mask in laser annealing after formation of a semiconductor film, and to provide the active matrix substrate, an electro-optical device and electronic equipment.例文帳に追加

半導体膜の形成後に、レーザーアニール時のマスクのための金属膜の形成が不要なアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for reforming film quality in which an a-Si film can be reformed into a high quality p-Si film by laser annealing with high throughput, and a method for manufacturing a liquid crystal display using it.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜をレーザアニールしてｐ−Ｓｉ膜に、高いスループットで高品質変化させることができる膜質改質方法とその装置、ならびにそれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By simultaneously performing annealing using a carbon dioxide laser and the irradiation of ultraviolet light to the amorphous silicon film 104, a crystallized silicon film can be obtained whose ratio of crystallization is 90% or higher and a surface concavo-convex difference is 10 nm or smaller (Fig. 1(c)).例文帳に追加

この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。 - 特許庁

To cut down the occupying area and the cost of an excimer laser annealing system of a double-process chamber method giving a high throughput of low-temperature polysilicon TFT liquid crystal panel.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネルの高スループットダブルプロセスチャンバ方式エキシマレーザアニーリングシステムの専有面積及びコストを削減する。 - 特許庁

The method of manufacturing an iron silicide thin film comprises a step of forming an iron silicide thin film on a substrate by a laser ablation method, and a step of annealing the resulted product obtained by the former step .例文帳に追加

鉄シリサイド薄膜の製造方法は、レーザアブレーション法により、基板上に鉄シリサイド薄膜を形成する工程と、この工程により得られたものをアニーリングする工程とを含んでいる。 - 特許庁

To markedly reduce a laser annealing process time related to the use of a multi-pattern mask, when a multi-pattern mask is moved relative to a substrate in the direction opposite to a certain direction.例文帳に追加

基板に対してマルチパターンマスクを単方向と逆方向で移動させる場合に、マルチパターンマスクの使用に関連するレーザアニーリングプロセス時間を大幅に抑制する。 - 特許庁

Since the front-end metal film accumulates heat by the laser irradiation in the second annealing, heat is supplied to the transistor layer also from the front-end in addition to the laser irradiation, thereby enhancing the silicide reaction efficiency of the source/drain regions.例文帳に追加

第２アニールにおいて下地金属膜がレーザー照射による熱を蓄積するので、半導体層にはレーザー照射に加え、下地金属膜からも熱供給が行われ、ソース・ドレイン領域のシリサイド化反応の効率を高めることができる。 - 特許庁

The first energy source can emit laser light, white light, an electron beam, gamma ray radiation, or other type of converged energy, and a local region of the wafer is preheated before it is irradiated with high output laser light for annealing.例文帳に追加

第１のエネルギー源は、レーザー光、白色光、電子ビーム、ガンマ線放射、又は別のタイプの集束されたエネルギーを発することが可能であり、アニーリングのために高出力レーザー光を照射する前にウェハの局所領域をプレヒートする。 - 特許庁

To provide a laser annealing device that uses a semiconductor laser which can be continuously operated and is superior in output stability, and is capable of forming a polysilicon film having superior crystal properties and high carrier mobility with high reproducibility at a high speed.例文帳に追加

連続駆動が可能で出力安定性に優れた半導体レーザを用い、良好な結晶特性を備えキャリア移動度の高いポリシリコン膜を再現性良く且つ高速に形成することができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a sufficiently large fluence margin of a laser beam used in laser annealing to crystallize amorphous silicon, to attain high electric field mobility and to ensure a high yield.例文帳に追加

この発明は、非晶質シリコンを結晶化するためのレーザアニールにおけるレーザビームのフルエンスマージンを十分に大きくでき、高い電界移動度を達成できるとともに歩留まりを高くできる多結晶シリコンの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film semiconductor device in which a thick film (up to several μm) can be crystallized by laser annealing without causing ablation due to bumping of hydrogen when a polysilicon film is formed by irradiating a non-monocrystalline silicon film containing hydrogen with a laser beam.例文帳に追加

水素を含む非単結晶シリコン膜にレーザ照射をすることで多結晶シリコン膜を形成するに際し、水素の突沸に起因するアブレーションを起こさせずに、厚膜（〜数μｍ）をレーザアニールにより結晶化することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁