「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

When a digital micromirror device (DMD) 50 is irradiated with a laser beam emitted from a fiber array light source 66, the laser beam reflected from the DMD 50 is focused through an optical system of lenses 54 and 58 on the annealing surface 56 of a transparent substrate while the micromirrors of the DMD 50 are kept in an ON state.例文帳に追加

ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光が照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により透明基板のアニール面５６上に結像される。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes a laser annealing step for heating the side of a principal plane 1a of a wafer (semiconductor wafer) WH by applying a laser light LZ to the side of the principal plane 1a of the wafer WH following a scanning path 15 extending from a peripheral region 1d through a device region 1c to the peripheral region.例文帳に追加

ウエハ（半導体ウエハ）ＷＨの主面１ａ側に、周縁領域１ｄからデバイス領域１ｃを経由して前記周縁領域に至る走査軌道１５に沿ってレーザ光ＬＺを照射し、ウエハＷＨの主面１ａ側を加熱するレーザアニール処理工程を以下のように行う。 - 特許庁

A region to be irradiated in executing annealing is divided into a plurality of blocks, every one or more blocks are first irradiated with a laser beam, and thereafter an un-irradiated drive circuit region is irradiated while running the laser beam in the opposite direction.例文帳に追加

アニールを行う際に照射する領域を複数のブロックに分割し、まず１ブロックあるいは複数ブロックおきにレーザ光を照射し、その後反対方向にレーザ光を走査しながらの、未照射の駆動回路領域を照射する。 - 特許庁

To provide a laser irradiation apparatus capable of easily forming a laser beam having a homogeneous energy distribution and a shape required for annealing by arranging a slit, the length of an opening of which can be varied at an image-forming position of a diffractive optical element.例文帳に追加

回折光学素子の結像位置にスリット開口部の長さを可変可能なスリットを配置することにより、エネルギー分布が均一で、アニールに必要な形状のレーザビームを容易に形成することのできるレーザ照射装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, in which an impurity injection process where SD(source/drain) layers and an LDD(lightly-doped drain) layer formed can be simplified, when impurities are activated through laser annealing after impurities are injected, and a gate electrode can be prevented from being eliminated by irradiation with a laser beam.例文帳に追加

不純物注入後レーザーアニールによって不純物の活性化を行うに際し、ＳＤ層及びＬＤＤ層形成のための不純物注入工程を簡略化でき、レーザの照射によるゲート電極の消失を防止することができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A CVD system 10 is connected to a process chamber 21 of a laser annealing apparatus 20, which receives glass substrates 1 treated in the CVD system 10 via a substrate transfer robot 60 and in which the glass substrates 1 are treated by projecting a laser beam upon the substrates 10, via a transfer chamber 70.例文帳に追加

ＣＶＤ装置１０と、ＣＶＤ装置で処理されたガラス基板１を基板搬送ロボット６０を通して受け、受け取ったガラス基板にレーザビームを照射して処理を行うレーザアニーリング装置２０におけるプロセスチャンバ２１とを、トランスファチャンバ７０を介して連結している。 - 特許庁

To provide a laser beam working method and working equipment in which a state of a working point is grasped in real time when carrying out laser annealing and a stable working can be always carried out by feeding back its result to the working equipment, to provide a display apparatus manufacturing method using it and a display apparatus.例文帳に追加

レーザアニールを行う際に、リアルタイムで加工点の状態を把握し、その結果を加工装置にフィードバックにすることによって常に安定した加工をおこなうことのできるレーザ加工方法と加工装置、および、それを用いた表示装置の製造方法と表示装置を提供すること。 - 特許庁

In manufacturing the magneto-optical recording medium in which an information recording area and a non-recording area are formed alternatively to be adjacent to each other, the laser annealing treatment for forming the non-recording area by changing the magnetic property of the recording medium while irradiating the area with a laser beam and simultaneously defective inspection are conducted.例文帳に追加

情報記録領域と非記録領域が互いに隣接して交互に形成された光磁気記録媒体を製造するに当たり、レーザ光を照射することにより磁気的性質を変質させて非記録領域を形成するためのレーザアニール処理と同時に欠陥検査を行う。 - 特許庁

The width of minor axis of a line-shape beam is calculated from the profile of the radiated laser beam when annealing, then, the radiated output (power) is adjusted so as to be proportional to the square root of variation of the calculated minor axis width, thereby, a risen temperature on the portion irradiated with laser is corrected to be constant.例文帳に追加

アニールを行う際に照射するレーザ光のプロファイルから、線状ビームの短軸幅を算出し、算出された短軸幅の変動の平方根に比例するように照射する出力(パワー)を調整することで、レーザ照射部における上昇温度が一定となるように補正する。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

Ｐ型ＧａＡｓキャップ層上にプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ_2絶縁膜を形成して、そのＳｉＯ_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

The excimer laser annealing system for shaping excimer laser light through an optical system into a line beam 12 and irradiating the surface 15 of an amorphous semiconductor film on an insulating film with the line beam 12 while scanning to fuse and crystallize the amorphous semiconductor film is provided with a beam length varying means, i.e., a shielding body 21.例文帳に追加

エキシマレーザ光を光学系にてラインビーム12に整形し、絶縁膜上の非晶質半導体膜面15を走査させながらラインビーム12を照射することでアニールして、溶融、結晶化するエキシマレーザアニール装置中に、ビーム長可変手段としての遮蔽体21を設ける。 - 特許庁

To provide a laser irradiating apparatus capable of performing a homogeneous anneal relative to an object to be irradiated with a laser beam in a region (attenuation region) in which an energy density of the tip of the laser beam on an irradiated surface of the object or in a vicinity thereof is gradually attenuated due to an aberration of a lens and consequently, the energy density is not sufficient for annealing of the object with laser beam.例文帳に追加

照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰しているこのような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないので前記被照射体に対して均一なアニールを行うことを提供する。 - 特許庁

To make uniform crystallization and to obtain large particle diameter in annealing, a laser oscillator 51 including an excimer laser beam source is used, and a laser beam 50 with a pulse width of 50 ns or larger is shaped by an optical system 53, so that each side of a rectangular section is set to 10 mm or more for successively subjecting the semiconductor thin film 2 to the laser beam irradiation.例文帳に追加

均一な結晶化及び大粒径化を図るため、アニール工程では、エキシマレーザ光源を含むレーザ発振器５１を用いてパルス幅が５０ｎｓ以上のレーザ光５０を各辺が１０ｍｍ以上の矩形断面となるように光学系５３で整形して、半導体薄膜４に逐次照射する。 - 特許庁

The laser 110 is continuously irradiated to the semiconductor film until the laser 101 is irradiated and attenuates its output when the laser 101 is irradiated again to give no excessive energy to the semiconductor film, which enables an extremely uniform laser annealing.例文帳に追加

半導体膜によく吸収される波長を持つパルス発振のレーザ１０１と溶融した半導体膜によく吸収される大出力のレーザ１１０とを組み合わせ用い、まずレーザ１０１により広範囲に溶融させた半導体膜にレーザ１１０を照射し、その溶融状態を維持したままレーザ１１０と半導体膜とを相対的に走査させ、長結晶粒領域を形成する。 - 特許庁

When no annealing is performed, a drive clock pulse generated in an X-Y table system is used as the drive clock pulse of the X-Y table system; but when annealing is performed, the operation clock pulse of a laser oscillator is supplied to the X-Y table system and used as the drive clock pulse of the system.例文帳に追加

非アニール処理時は、Ｘ−Ｙテーブル装置内部で発生した駆動クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用するが、アニール処理時は、レーザ発振器の動作クロックパルスを前記Ｘ−Ｙテーブル装置に供給して、前記動作クロックパルスをＸ−Ｙテーブル装置の駆動クロックパルスとして使用する。 - 特許庁

In a laser annealing method of the present invention, a continuous-wave laser beam having a wavelength range (600 to 900 nm) of red light to near-infrared light and a pulse laser beam having a wavelength range (100 to 550 nm) of visible light to ultraviolet light are overlappingly scanned to transform an amorphous silicon thin film formed on a substrate into a polycrystalline silicon thin film.例文帳に追加

本発明によるレーザアニール方法は、赤色から近赤外線領域（６００〜９００ｎｍ）の連続発振レーザビームと、可視光線から紫外線領域（５５０〜１００ｎｍ）のパルスレーザビームを重畳走査し、基板上に形成された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換する。 - 特許庁

When an impurity layer of a region shallow from the front surface of a wafer 1, for example a p^+ collector layer 8 in an FS type IGBT and an NPT type IGBT is activated by laser annealing, a particle 20 on the front surface of the wafer 1 is blown away by irradiating a first laser with pulse laser having irradiation energy density of 1.0 J/cm^2 or greater.例文帳に追加

ウエハー１の表面から浅い領域の不純物層、例えばＦＳ型ＩＧＢＴやＮＰＴ型ＩＧＢＴにおけるｐ^+コレクタ層８をレーザーアニールによって活性化する際に、１台目に照射エネルギー密度が１．０Ｊ／ｃｍ^2以上のパルス状のレーザーを照射することで、ウエハー１の表面のパーティクル２０を吹き飛ばす。 - 特許庁

The parameters which set the operating state of the laser annealer are stored collectively in a plurality of kinds of storage sections, and the leaser annealer is made to perform a plurality of laser annealing treatments on one object to be treated corresponding to a plurality of operating states, while the operating state of the laser annealer is successively set to the plurality of operating states, based on the parameters.例文帳に追加

レーザアニール装置の動作状態を設定するパラメータを複数種類記憶部に一括して記憶して、このパラメータに基づきレーザアニール装置の動作状態を順次複数の動作状態に設定しながら、一枚の被処理物上に前記複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理を実施する。 - 特許庁

To provide a method of evenly reacting hydrogen with a rock crystal glass in an annealing process in a furnace in order to improve refractive index uniformity and laser intensity keeping the prescribed stress birefringence of the rock crystal glass.例文帳に追加

水晶ガラス体において、所定の応力複屈折を守りながら、同時に屈折率均一性とレーザ強度を改善するために、炉内での焼きなましプロセスにより、水晶ガラス体に水素を最低限のレベルまで、かつ均等に負荷する方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step for forming an impurity implanted region by implanting cluster-type dopant ions (S200), and a step for forming an impurity doped region by performing a laser annealing step for the impurity implanted region (S210).例文帳に追加

この方法は、半導体基板にクラスタ型ドーパントイオンを注入して不純物注入領域を形成する段階（Ｓ２００）と、前記不純物注入領域にレーザアニーリング工程を実行して不純物ドーピング領域を形成する段階（Ｓ２１０）とを含む。 - 特許庁

The polycrystalline silicon layer 104 is patterned and used as the seed crystal to obtain a laminated amorphous silicon layer 105, which is crystallized by laser annealing to obtain the semiconductor layer 108 having a crystal silicon layer 12.例文帳に追加

多結晶シリコン層１０４をパターニングし種結晶として用いて、積層された非晶質シリコン層１０５をレーザアニールにより結晶化し、結晶シリコン層１２を有する半導体装置１０８の製造方法を提供することが可能となる。 - 特許庁

A vacuum device 12 of a laser annealing system 10 has a vacuum chamber 22 having capacity larger than the total capacity of two load lock chambers 20 and 21, and vacuum pumps 24 and 25 which keeps an intermediate vacuum in the vacuum chamber 22.例文帳に追加

レーザアニーリングシステム１０の真空装置１２は、２つのロードロックチャンバ２０，２１の合計容積より大きい容積を有する真空チャンバ２２と、真空チャンバ２２を中間真空度に保つ真空ポンプ２４，２５とを有する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor substrate which can easily control the size of crystal particles in a polycrystalline film forming the semiconductor substrate, and can obtain large crystal particles, without causing increase of an energy density in laser annealing.例文帳に追加

半導体基板を構成する多結晶フィルム内の結晶粒子サイズの制御が容易にできると共に、レーザアニールにおけるレーザのエネルギー密度を増加させることなくより大きな結晶粒子が得られるような半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

However, in laser annealing, the gate electrode 150 is separated from a gate wiring 30, so that the applied heat raises the temperature of the gate electrode 150 by heat conduction from the gate electrode 150 to the gate wiring 30 without being radiated.例文帳に追加

しかし、レーザアニール時には、ゲート電極１５０はゲート配線３０と分離されているので、与えられた熱はゲート電極１５０からゲート配線３０に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極１５０の温度を上昇させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region doped with a rare earth element, and gettering the impurity region to segregate the metal element contained in a semiconductor film by heat treating and laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

Since the measuring instrument can collectively measure the positions of the alignment marks, the positions of the alignment marks can be measured quickly even when the number of the marks is a plural number and the treatment throughput of a laser beam annealing device can be improved.例文帳に追加

このように、各アライメントマークについて一括して位置計測を行うことができるので、複数のアライメントマークであっても迅速な位置計測が可能となり、レーザアニール装置の処理のスループットを向上させることができる。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a TFT, together with a semiconductor film forming device using it, which provides a good transistor characteristics even if a polycrystal semiconductor film obtained by laser- annealing an amorphous semiconductor film is used as an active layer.例文帳に追加

非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、およびそれに用いる半導体膜形成装置を提供すること。 - 特許庁

A drawing pattern 8 is heat-treated by local high temperature annealing using laser in the same device 1 immediately after carrying out pattern drawing by a solution 6 containing the inorganic material by using a cantilever 2 of a scanning type probe microscope on a substrate 5.例文帳に追加

基板５上に走査型プローブ顕微鏡のカンチレバー２を用いて無機材料を含む溶液６によるパターン描画を行った直後に、同一装置１内においてレーザを用いた局所高温アニールにより描画パターン８を加熱処理する。 - 特許庁

To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities.例文帳に追加

活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a display device which can suppress reduction in the yield and the throughput, even when a crystalline silicon thin film is formed by laser annealing of an amorphous silicon thin film.例文帳に追加

非晶質シリコン薄膜をレーザーアニールして結晶性シリコン薄膜を形成する場合であっても、歩留まりやスループットの低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法並びに表示装置を提供する。 - 特許庁

To form a hydrogenated amorphous silicon TFT and a polycrystalline (microcrystalline) silicon TFT in the same substrate, without passing through an annealing (dehydrogenating) process by a furnace or the like, by microcrystallizing only a desired region of a hydrogenated amorphous silicon film by laser irradiation without causing damage.例文帳に追加

炉などによるアニール（脱水素）工程を経ることなく、水素化非晶質シリコン膜の所望の領域のみを、ダメージが生じることなくレーザ照射により微結晶化することにより、同一基板内に水素化非晶質シリコンＴＦＴと多結晶（微結晶）シリコンＴＦＴを形成する。 - 特許庁

Laser annealing is executed under conditions where a granular crystal part and an amorphous part are melted and a lateral crystal part is not melted.例文帳に追加

粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射時間を非結晶部分におけるレーザ光照射時間より長くして、レーザアニールを実施する。 - 特許庁

Laser annealing is executed under conditions where a granular crystal part and an amorphous part are melted and a lateral crystal part is not melted.例文帳に追加

粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射条件を非結晶部分におけるレーザ光照射条件とは変えて、レーザアニールを実施する。 - 特許庁

Element driving transistors TFT 2a and 2b are formed in parallel between a power supply line 16 and an organic EL element 60 and the active layers 12 of the TFT 2a and 2b are spaced apart from each other in the scanning direction of laser for polycrystallization annealing.例文帳に追加

電源ライン１６と有機ＥＬ素子６０との間に素子駆動用トランジスタＴＦＴ２ａ、２ｂを並列して形成し、このＴＦＴ２ａ，２ｂの能動層１２は、これを多結晶化アニールするためのレーザの走査方向に互いに離間する。 - 特許庁

The laser annealing device includes, as preprocessing device, a surface oxide film removing device 1 which removes a surface oxide film of the amorphous silicon thin film and a surface oxide film forming device 2 which forms an oxide film of predetermined thickness on a surface of the amorphous silicon thin film.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の表面酸化膜を除去する表面酸化膜除去装置１と、アモルファスシリコン薄膜の表面に所定の厚さの酸化膜を形成する表面酸化膜形成装置２とを前処理装置として有する。 - 特許庁

To provide a magnetic wall movement type magneto-optical recording medium which needs annealing processing for obtaining good recording/reproducing characteristics in a simple step when reproduction is carried out by using a blue purple laser with a wavelength of about 350 nm to 450 nm.例文帳に追加

以上のように、波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う場合、簡単な工程で良好な記録再生特性を得ることが可能なアニール処理を必要とする磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することにある。 - 特許庁

While the grain-oriented electrical steel sheet, having a tension insulating film formed after secondary recrystallization annealing, is warped like an arc surface whose rolling direction serves as a bus bar, a linear strain is introduced by a laser etc. in a direction intersecting the rolling direction of the steel sheet from a convex side of the arc.例文帳に追加

二次再結晶焼鈍後に張力絶縁被膜を形成した方向性電磁鋼板を、圧延方向が母線となる弧柱面状に反らせたまま、該弧の凸側から鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザー等によって線状の歪を導入する。 - 特許庁

To obtain a vibration-absorbing device for compound machine which can inhibit transmission of vibrations not only from a primary treating device, such as a CVD system but also from the installed floor of the treating device, to a secondary treating device, such as a laser annealing apparatus.例文帳に追加

レーザアニーリング装置のような二次処理装置に対して、ＣＶＤ装置のような一次処理装置からの振動伝達を阻止すると共に、設置床からの振動伝達をも阻止できる機能を持つ複合機用除振装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an annealing apparatus that heats a subject to be processed in a short time in a state wherein in-surface temperature is uniform by irradiating a rear surface of the subject to be processed in a homogeneous surface state with laser light as heating light, and increases energy conversion efficiency to contribute to energy saving.例文帳に追加

加熱光であるレーザ光を被処理体の表面状態の均一な裏面より照射することにより、被処理体を短時間で、且つ面内温度が均一な状態で加熱することができると共に、エネルギー変換効率も高くして省エネルギーに寄与することが可能なアニール装置を提供する。 - 特許庁

The laser annealing method is characterized in that: an energy profile in the direction of the minor axis of a rectangular beam is made homogeneous in the direction of the minor axis compared with a Gaussian shape; and the energy profile has a region where energy density continuously or gradually increases backward from the front of the beam scanning direction.例文帳に追加

矩形状ビームの短軸方向のエネルギープロファイルを、ガウシアン形状と比較して短軸方向に均一化し、エネルギー密度がビーム走査方向前方から後方に向って連続的又は段階的に増大する領域を有するものとする。 - 特許庁

Continuous oscillation laser beams LL are applied to the polysilicon film PSI and scanning is made in the direction of an arrow S for annealing, thus preventing the occurrence of aggregation caused by the state on the substrate surface in the growth in the scanning direction of the strip of crystal.例文帳に追加

ポリシリコン膜ＰＳＩに連続発振レーザ光ＬＬを照射しながら矢印Ｓ方向に走査してアニールを施し、帯状結晶の走査方向成長における当該基板面の状態に起因する凝集の発生を阻止する。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus enabling thermal processing depending on a variation in amorphous film thickness to improve uniformity of in-plane crystallinity of a large substrate having a semiconductor thin film, and also to provide a method of manufacturing a thin film employing the same and a thin-film transistor.例文帳に追加

半導体薄膜を有する大型基板の面内結晶性の均一性を高めるため、アモルファス膜厚変動に応じた熱処理が可能なレーザーアニール装置と、これを用いた半導体薄膜の製造方法、および薄膜トランジスターを提供する。 - 特許庁

Under the condition that the etching stop layer 104 keeps its function to stop etching for the second upper clad layer 106, laser beam absorption inhibiting impurities are diffused into the second upper clad layer 106 along a region where a light exiting end face 150 is provided (first annealing).例文帳に追加

エッチングストップ層１０４が第２上クラッド層１０６のためのエッチングを停止させる機能を維持する条件下で、レーザ光吸収抑制用の不純物を、光出射端面１５０を形成すべき領域に沿って第２上クラッド層１０６に拡散させる（第１アニール）。 - 特許庁

In addition, by adjusting the line direction, in which a source/drain of a thin film transistor is connected, to the line direction of the linear laser beam, carriers move in a region of uniform annealing effect and thus the semiconductor device having high characteristics can be obtained.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタのソース／ドレインを結ぶ線方向を線状のレーザー光の線方向と合わせることによって、キャリアの移動がアニール効果の均一な領域で行われることになるので、特性の高いものとすることができる。 - 特許庁