「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laser annealing method capable of restraining thin-film transistors from varying in device performance and from deteriorating in image quality.例文帳に追加

薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑え画像品質の低下が防止できるレーザーアニール方法を提供する。 - 特許庁

To make compatible the rise of production in annealing for polycrystallization, using a laser and the rise of smoothness of the surface of a polycrystalline semiconductor film obtained.例文帳に追加

レーザを用いた多結晶化アニールにおける生産性向上と得られる多結晶半導体膜の表面の平滑性向上とを両立すること。 - 特許庁

LASER ANNEALING METHOD, THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

レーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, DISPLAY DEVICE, LASER ANNEALING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLIZED SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

表示装置用基板とその製造方法、表示装置、レーザアニーリング装置、結晶化半導体膜の製造方法 - 特許庁

To provide laser annealing equipment by which yield in a semiconductor manufacturing is improved, and to provide its method.例文帳に追加

半導体製造における歩留まりを向上させることのできるレーザアニール処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 14 is formed of microcrystalline silicon crystallized by, for example, laser annealing process of amorphous silicon.例文帳に追加

半導体層１４は、例えば非晶質シリコンをレーザーアニール処理することにより結晶化された微結晶シリコンにより形成されている。 - 特許庁

After this annealing, resistance values of the magnetic resistors 10-40 are adjusted by cutting a coarsely adjusted parts 8 of the magnetic resistors 10-40 by laser trimming.例文帳に追加

このアニール後、磁気抵抗１０〜４０の粗調部８をレーザトリミングによりカットすることで、磁気抵抗１０〜４０の抵抗値を調整する。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus in which compaction and multifunction of a transmission optical system can be attained without design restriction due to arrangement of a gas nozzle.例文帳に追加

ガスノズルの構成による設計上の制約を受けずに、伝送光学系の小型化や多機能化が図られるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser processing device which is capable of reducing its thermal load imposed on a substrate to a small extent and suitably applied to an annealing process carried out for a semiconductor thin film.例文帳に追加

基板への熱的負荷を小さく抑えた半導体薄膜のアニール処理に好適に用いることが可能なレーザ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a phase shifter which manufactures a desired phase modulation pattern with high precision, and also to provide a laser annealing device.例文帳に追加

従来技術の問題点を解決した位相シフタの製造方法、およびレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

Further, if the coating films are subjected to laser annealing or the like, the film quality of any of crystallinity, refinement or adhesion properties is improved.例文帳に追加

さらにレーザアニールなどを施せば、結晶性、緻密化、あるいは密着性のいずれかの膜質が向上する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device for making uniform the quality of polycrystal in a face to be worked.例文帳に追加

被加工面内において多結晶の品質の均一化を図ることができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

Additional laser annealing improves one among the film characteristics, i.e., crystallinity, density and adhesiveness.例文帳に追加

さらにレーザアニールなどを施せば、結晶性、緻密化、あるいは密着性のいずれかの膜質が向上する。 - 特許庁

To dissolve luminance irregularities caused by variation in mobility for each unit when laser annealing is executed by a plurality of heads.例文帳に追加

複数ヘッドでレーザアニールした場合にユニット毎の移動度のバラツキによって生ずる輝度ムラを解消する。 - 特許庁

To provide a laser annealing method, by which contamination of a substrate can be prevented and treatment time can be shortened, and the quality of the substrate can be improved.例文帳に追加

基板の汚染防止、処理時間の短縮が可能で、基板の品質向上を図れるレーザアニール方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a technique for measuring the temperature of a surface in a melted part at a laser-beam incidence position of an annealing object.例文帳に追加

アニール対象物のレーザビーム入射位置の溶融部分の表面温度を計測する技術を提供する。 - 特許庁

A linearly polarized beam light 13 is applied to an amorphous Si film 11 for laser annealing to form a polycrystal Si film 12.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ膜１１に直線偏光のビーム光１３を照射してレーザアニールをすることにより、多結晶Ｓｉ膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device developing an annealing method using a pulsed laser and being capable of improving a yield on a manufacture.例文帳に追加

パルスレーザを用いたアニール方法を発展させ、製造歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser of a smaller size and stable output pulse, as well as smaller and stable annealing device, etc.例文帳に追加

小型化を図れ、しかも出力パルスの安定化を図れ、ひいてはアニール装置等の小型化、安定化を図れるレーザ装置を提供する。 - 特許庁

The fluence when light is scattered most intensely is determined as a specified value by adding a fixed fluence to the fluence that corresponds to the point at which the scattering intensity is the highest, and laser annealing can be executed always under optimum conditions by laser annealing the amorphous silicon based on the specified value.例文帳に追加

光が最も散乱する際のフルエンスは、散乱度の最も高い位置に相当するフルエンスに所定のフルエンスを加えて設定値とし、この設定値に基づいて、アモルファスシリコンをレーザアニールすることにより、常に最適なレーザアニールができる。 - 特許庁

A move mechanism moves at least either the propagation path of the first and the second pulsed laser beams, or the object for annealing to another side so that the incidence position of the first and the second pulsed laser beams moves on the top surface of the object for annealing.例文帳に追加

第１及び第２のパルスレーザビームの入射位置が、アニール対象物の表面上を移動するように、移動機構が、第１及び第２のパルスレーザビームの伝搬経路及びアニール対象物の少なくとも一方を他方に対して移動させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the β-FeSi_2 from a thin film having a β-FeSi_2 seed crystal by laser annealing, the laser annealing is performed under a condition in which at least a part of the surface of the thin film having the β-FeSi_2 seed crystal becomes a liquid phase state.例文帳に追加

レーザーアニーリングによりβ−FeSi_2種結晶を有する薄膜からβ−FeSi_2を製造する方法において、該レーザーアニーリングを、β−FeSi_2種結晶を有する薄膜表面の少なくとも一部が液相状態となる条件下で行う。 - 特許庁

By this setup, the undercoat film absorbs a laser beam and becomes heated to a high temperature, without heating the board in a laser annealing process, heat is restrained from flowing out of a silicon film, and the silicon film can be kept at high temperature for a much longer time than the conventional cases, so that annealing effect can be markedly displayed.例文帳に追加

これにより基板加熱なしでもレーザアニールの際にアンダーコート膜はレーザ光を吸収して高温になり、それによりシリコン膜からの熱流出は抑えられ、シリコン膜が高温に保てる時間は従来と比べて格段と長くなり、アニールの効力が顕著に現れるようになる。 - 特許庁

Preferably, an irradiation laser fluence used for the laser annealing is set in 0.3-1.5 J/cm^2 and the number of times of irradiation of pulse laser beam is set in 1-100 shot.例文帳に追加

好ましくは、レーザーアニーリングに用いる照射レーザーフルエンスを０．３J/cm^2〜１．５J/cm^2、パルスレーザー光の照射回数が１〜１００ショットとする。 - 特許庁

To prevent contamination on the surface of a sample subject to laser treatment or the change of bonding state of atoms on the surface due to the contact of the surface of the sample with an outside air before laser treatment, in a laser annealing device.例文帳に追加

レーザーアニール装置において、レーザー処理の前にレーザー処理されるべき試料の表面が外気に触れることによる表面の汚染や、表面の原子の結合状態の変化を防止する。 - 特許庁

The laser annealing device performs crystallization by irradiating a thin film to be crystallized (amorphous silicon thin film 3) which is formed on a substrate 1 having optical transparency with laser light (a higher harmonic of a solid laser).例文帳に追加

光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光（固体レーザの高調波）を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。 - 特許庁

To provide a laser annealing method and a laser annealer where isotropic and uniform crystal grains can be obtained while using a solid laser advantageous on the aspect of costs and that of maintenance, and where throughput is improved.例文帳に追加

コスト面及びメンテナンス面で有利な固体レーザを用いつつ、等方的で均一な結晶粒を得ることができ、且つ処理能力を高めることができるレーザアニール方法およびレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

Since the nonlinear optical element is not used, and the laser light is not converted into a higher harmonic, a laser oscillator having a large output can be used for a laser annealing method.例文帳に追加

非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。 - 特許庁

To miniaturize a laser irradiating device, to improve the using efficiency of the energy of laser beams, and to improve the quality of the film of a polycrystalline organization at forming of a polycrystalline semiconductor film through laser annealing.例文帳に追加

レーザアニールにより多結晶半導体膜を形成する際、レーザ照射装置の小型化を図りつつレーザ光のエネルギーの利用効率を高め、さらに、多結晶組織の膜質の向上を図ること。 - 特許庁

The laser annealing device 1 is provided with optical systems 15 and 16 for irradiating a substrate 2 by guiding the laser beam emitted from a laser light source, and a cell 17 provided in an optical path between the optical systems 15 and 16 and the substrate 2.例文帳に追加

レーザアニール装置１は、レーザ光源から出射されたレーザ光を導光して基板２に照射する光学系１５，１６と、光学系１５，１６と基板２との間の光路中に設けられたセル１７とを備えている。 - 特許庁

To prevent non-uniformity of energy due to optical interference generated in linear laser beams from being reflected on a non-single crystal silicon film at the time of annealing the silicon film by using the linear laser beams with a YAG laser as a light source.例文帳に追加

YAGレーザを光源とする線状レーザビームによる非単結晶珪素膜のアニールにおいて、線状レーザビーム内に起こる光干渉に起因するエネルギーの不均一が該珪素膜に反映しないようにする。 - 特許庁

A laser annealing device 1 includes: a gas supplier 10 for supplying an inert gas G to at least the laser radiation area of an object 7 to be irradiated with laser light; and a gas temperature controller 15 for controlling the temperature of the inert gas G.例文帳に追加

レーザアニール装置１は、少なくとも被照射体７におけるレーザ照射領域に不活性ガスＧを供給するガス供給装置１０と、不活性ガスＧの温度を調整するガス温調装置１５とを備える。 - 特許庁

To solve the problem that the irradiation of a semiconductor film with a higher harmonic wave CW laser while being relatively scanned with the higher harmonic wave CW laser makes the semiconductor film obtain the characteristics substantially close to a single crystal in a scanning direction, however, output of the higher harmonic wave CW laser small and the annealing efficiency poor in a manufacturing process for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。 - 特許庁

The laser annealing method is so performed that a film material including an amorphous silicon film disposed on a substrate is irradiated by a linear beam shaped by using the laser beam emitted from a pulse-laser light source whose wavelength is not shorter than 350 nm and not longer than 800 nm.例文帳に追加

波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源からのレーザビームを成形した線状ビームを基板上の非晶質シリコン膜を含む膜材料に照射してレーザアニールする。 - 特許庁

This laser-annealing apparatus comprises a stage for loading an object, a laser oscillator, and a laser optical device, where the laser oscillator and the laser optical device are installed on a vibration proof unit that is separated from the stage.例文帳に追加

試料を乗せるステージ、レーザー発振装置およびレーザー光学装置を有するレーザーアニール装置において、前記ステージから分離された防振装置の上に前記レーザー発振装置及び前記レーザー光学装置を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for laser annealing which can cause phase transition efficiently by providing sufficient energy for an amorphous silicon film even if a low cost laser light source device such as a YAG laser is used when a low temperature polysilicon film is formed by laser annealing the amorphous silicon film.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing method without forming a concentric circle pattern or reducing the formation of the concentric circle pattern using a laser irradiation device of low running cost in order to deal with a large-sized substrate, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device including the laser annealing method in a process.例文帳に追加

大型の基板に対応するためにランニングコストの低いレーザ照射装置を用いたレーザアニール方法において、同心円模様が形成されない、もしくは同心円模様の形成を低減するためのレーザアニール方法および、前記レーザアニール法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method for modifying a surface 19a of a metal mirror 19 which is arranged so as to surround a light-transmitting container 21 for reaction, and reflects laser light that is used in a photochemical reaction includes an annealing step of irradiating the surface 19a of the metal mirror 19 with a carbon dioxide gas laser or a titanium sapphire laser, and annealing the surface 19a of the metal mirror 19.例文帳に追加

光透過性反応用容器２１を囲むように配置され、かつ光化学反応に用いるレーザ光を反射する金属ミラー１９の表面１９ａの改質方法であって、金属ミラー１９の表面１９ａに、炭酸ガスレーザまたはチタンサファイヤレーザを照射して、金属ミラー１９の表面１９ａをアニーリングするアニーリング工程を有する。 - 特許庁

The fragile part 4 can be formed as a thin part formed by laser beam irradiation, and can also be formed as an annealing part similarly formed by the laser beam irradiation.例文帳に追加

脆弱部４は、レーザー光照射により形成される肉薄部とすることができ、また同様にレーザー光照射により形成される焼鈍部とすることができる。 - 特許庁

To constantly change the arrival position of diffracted light on a workpiece and/or keep the intensity of diffracted light constant regardless of the angle of diffraction, in laser lithography such as laser annealing using an acoustooptic diffraction element.例文帳に追加

音響光学回折素子を用いたレーザアニール等のレーザ描画において、被処理物上での回折光の到達位置を一定に変化させ、又は／及び回折光強度を回折角度によらず一定に維持する。 - 特許庁

The weak interference seen when laser annealing is performed on semiconductor films can be reduced by irradiating the semiconductor film with a laser beam by using the optical system containing a mirror 1006.例文帳に追加

レーザビームを本発明のミラー1006を含んだ光学系を用いて半導体膜に照射することで、これまで見られた淡い干渉を低減することが出来る。 - 特許庁

A first crystalline region is formed by performing laser annealing on part of an amorphous semiconductor film, using a laser beam having a wavelength in the range of 370-650 nm.例文帳に追加

波長が３７０〜６５０ｎｍの範囲のレーザビームを用いて、非晶質半導体膜の一部にレーザアニールを行ない、第１の結晶質領域が形成する。 - 特許庁

The annealing include a step of irradiating the surface of the silicon carbide substrate with a first laser light with a first wavelength and a step of irradiating the surface of the silicon carbide substrate with a second laser light with a second wavelength.例文帳に追加

アニールは、炭化珪素基板の表面へ第１の波長を有する第１のレーザ光を照射する工程と、炭化珪素基板の表面へ第２の波長を有する第２のレーザ光を照射する工程とを含む。 - 特許庁

While forming a belt-like crystal silicon region by local laser annealing, the crystal condition of the region irradiated with laser and the dimension of the proper belt-like crystal region are evaluated in parallel.例文帳に追加

局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。 - 特許庁

A laser annealer 30 provides amorphous silicon with an annealing treatment by irradiating the amorphous silicon film formed on a glass substrate with a CO_2 laser.例文帳に追加

レーザアニール装置３０は、ガラス基板上に成膜されたアモルファスシリコンにＣＯ_２レーザを照射することにより、当該アモルファスシリコンに対してアニール処理をする。 - 特許庁