「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The annealing apparatus for annealing a processeding object placed in a processing chamber by using an externally incident laser beam is provided with a moving means for moving the processing chamber and the task above can be solved by moving the processing chamber by the moving means for performing uniform annealing.例文帳に追加

外部から入射するレーザ光により、処理室内に設けた加工対象物のアニールを行うアニール装置において、前記処理室を移動する移動手段を設け、該移動手段により前記処理室を移動させて均一なアニールを行うことにより上記課題を解決する。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

The laser annealing device is equipped with a laser beam source composed of at least a GaN semiconductor laser having a plurality of light emitting dots to emit laser beams having a wavelength of 350 to 450 nm, and a scanning means for scanning the annealing surface of a work with the laser beam emitted from the laser beam source.例文帳に追加

少なくとも１つのＧａＮ系半導体レーザによって、波長３５０〜４５０ｎｍのレーザビームを出射する複数の発光点が生じるように構成されたレーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザビームでアニール面上を走査する走査手段と、を備えるようにレーザアニール装置を構成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for performing laser thermal annealing (LTA) of a substrate using an annealing radiation beam that is substantially not absorbed in the substrate at room temperature.例文帳に追加

室温で基板に実質的に吸収されないアニール放射線ビームを使用して基板のレーザー熱アニール（ＬＴＡ）を行うための装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The spike annealing is performed by using a laser annealing device, for example, at temperatures between 700-1,300°C inclusive and for a heating time between 1 μsec and 1 msec inclusive.例文帳に追加

スパイクアニールは、例えば、レーザアニール装置を用いて行ない、温度を７００℃以上１３００℃以下にし、かつ、加熱時間を１マイクロ秒以上１ミリ秒以下にする条件で実施する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for performing laser thermal annealing of a substrate by using an annealing radiation beam that is not substantially absorbed in the substrate at room temperature.例文帳に追加

室温で基板に実質的に吸収されないアニール放射線ビームを用いて、基板のレーザ熱アニールを行なうための装置および方法の提供。 - 特許庁

That is, this annealing method is capable of improving a semiconductor film more in crystallinity and uniformity and energy more in a utilization factor than all other conventional laser annealing techniques.例文帳に追加

すなわち、従来のあらゆるレーザーアニール技術と比較して、結晶性、均質性が大幅に向上し、さらにまたエネルギー利用効率を大きく向上させることができる。 - 特許庁

A laser annealing device 3 for a substrate manufacturing device is provided with a cassette station 32, set up along a conveyance path A and a treating section 37 for annealing a glass substrate facing opposite to the station 32.例文帳に追加

基板製造装置のレーザアニール装置３は、搬送路Ａに沿って配置されたカセットステーション３２を備え、このカセットステーションと対向して、ガラス基板をアニールする処理部３７が設けられている。 - 特許庁

A controller computes the melting depth of a section temporarily melting the annealing object by the incidence of the pulse laser beams for the annealing on the basis of the time change of the intensity of the reflected light detected by the reflected-light detector.例文帳に追加

制御装置が、反射光検出器で検出された反射光の強度の時間変化に基づいて、アニール対象物が、アニール用パルスレーザビームの入射によって一時的に溶融した部分の溶融深さを算出する。 - 特許庁

To prevent the irregularity of annealing treatment caused by the temperature distribution in a film thickness direction of a laser emitting part in a magneto-optical recording medium of a magnetic wall movement detection system subjected to the annealing treatment.例文帳に追加

アニール処理を施す磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体において、レーザー照射部の媒体膜厚方向への温度分布によって生じるアニール処理ムラが発生しない光磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In this way, stable and significant suppression of the occurrence of slip dislocation or the breakage of the wafer or the like caused by the thermal stress in low thermal budget heat treatment, for example, such as flash lamp annealing and laser spike annealing.例文帳に追加

このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。 - 特許庁

To provide a method of manufacture a semiconductor device which can be subjected to annealing other than laser annealing, does not require handling in a thin-film state, and can further, prevent positional misalignment between a collector layer of an IGBT and a first conductivity-type layer of a diode.例文帳に追加

レーザアニール以外のアニールも行え、かつ、薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済み、さらに、ＩＧＢＴのコレクタ層とダイオードの第１導電型層との位置関係のズレを防止する。 - 特許庁

To solve the problem wherein it is difficult to perform uniform annealing in a substrate surface through annealing processing, by using a thermal conversion film converting laser light into heat, because there is film thickness distribution of thermal conversion film.例文帳に追加

レーザ光を熱に変換する熱変換膜を用いたアニール処理では、熱変換膜の膜厚分布があり、基板面内において均一なアニールが困難な点を解決することを可能とする。 - 特許庁

This method comprises steps of forming an excimer laser beam 15 as a laser beam having a rectangular section and setting the excimer laser beam to either a straight polarization state or an elliptical polarization state upon laser-annealing a silicon film 10 by using the laser beam, and irradiating the laser beam on the silicon film.例文帳に追加

エキシマレーザ光１５を矩形断面のレーザビームとしそのレーザビームを用いて、シリコン膜１０をレーザアニールするにあたり、エキシマレーザ光を直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにする工程と、レーザビームをシリコン膜に照射する工程とを備える。 - 特許庁

An amorphous silicon film 2 is crystallized by a heating processing such as laser annealing so as to form a polysilicon film 3.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２をレーザーアニール等の加熱処理により、結晶化してポリシリコン膜３を形成する。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet is subjected to continuous annealing and in succession to laser irradiation before being taken up on a coil.例文帳に追加

アルミニウム合金板を連続焼鈍し、続けてコイルに巻き取るまでの間にレーザー照射を行う。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus capable of stably activating a dopant injected into a deep portion in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板内の深い部分に注入されたドーパントを安定して活性化できるレーザアニール装置を提供すること。 - 特許庁

Laser light is passed through the liquid in order to heat the surface for the purpose of annealing and introduced to the wafer surface.例文帳に追加

レーザー光は、アニーリングの目的で表面を加熱するために液体を通してそしてウェハの表面へと導かれる。 - 特許庁

To evaluate the state of a polysilicon film formed by annealing an amorphous silicon film with an excimer laser.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜をエキシマレーザアニールすることにより形成されたポリシリコン膜の状態の評価をする。 - 特許庁

A polysilicon film is formed by casting excimer laser beam L on the amorphous silicon film 105a and annealing it.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜１０５ａにエキシマレーザ光Ｌを照射してアニールし、ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

On the object to be treated, the plurality of laser annealing treatments corresponding to the plurality of operating states are performed in parallel.例文帳に追加

一枚の被処理物上には、複数の動作状態に対応する複数のレーザアニール処理が並べて実施される。 - 特許庁

To avoid a grain boundary in the direction perpendicular to current in crystallization due to laser annealing in a manufacturing process of a policrystalline silicon FET.例文帳に追加

多結晶シリコンＴＦＴの製造プロセス中でレーザーアニールによる結晶化における電流と垂直方向の粒界の生成を回避する。 - 特許庁

The semiconductor layer is exposed using a scanning step-and-repeat laser annealing process, which agglomerates portions of the semiconductor layer.例文帳に追加

上記半導体層は、当該半導体層を部分的に凝集するステップアンドスキャン方式のレーザアニール処理により露光される。 - 特許庁

To perform laser annealing without damaging a gate electrode and a semiconductor layer in a transistor of a microstructure.例文帳に追加

微細構造のトランジスタにおいて、ゲート電極及び半導体層へダメージを与えることなく、レーザアニールを行う。 - 特許庁

To make uniform the characteristics of semiconductor devices manufactured by using various annealing processes using a laser light.例文帳に追加

レーザー光による各種アニールを用いて作製される半導体デバイスの特性を均一なものとする。 - 特許庁

To heighten an effect of laser annealing to a semiconductor film, in a method for manufacturing a thin film transistor using a crystalline semiconductor film.例文帳に追加

結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING MIXTURE OF OXYGEN IN CRYSTALLIZATION OF SILICON FILM DUE TO EXCIMER LASER ANNEALING IN AIR ENVIRONMENT例文帳に追加

空気周囲におけるエキシマレ—ザアニ—ルによるシリコン膜の結晶化中の酸素の混入を制御する方法 - 特許庁

And the regions are irradiated with strong light such as laser light to apply optical annealing treatment to the regions and to crystallize the regions.例文帳に追加

そして、これにレーザー等の強光を照射することにより光アニールを施し、結晶化させる。 - 特許庁

To prevent any peeling of an EL light emitting layer and achieve high luminance by performing annealing by irradiation with an excimer laser beam.例文帳に追加

エキシマレーザ光の照射によるアニール処理によって、ＥＬ発光層を剥離することなく、かつ高い輝度を得る。 - 特許庁

Then a second crystal region is formed by performing laser annealing on a region of the amorphous semiconductor film containing part of the first crystal region.例文帳に追加

前記第１の結晶質領域の一部を含む領域にレーザアニールを行ない、第２の結晶質領域を形成する。 - 特許庁

To provide apparatuses and method for the thermal processing of a substrate surface, e.g., controlled laser thermal annealing (LTA) of substrates.例文帳に追加

基板表面の熱処理、例えば基板の制御されたレーザー熱アニール（ＬＴＡ）のための装置および方法を提供する。 - 特許庁

LASER BEAM IRRADIATING METHOD AND EQUIPMENT THEREOF, NON-SINGLE CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM ANNEALING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

レーザ光を照射する方法及び装置、並びに非単結晶半導体膜をアニールする方法及び半導体装置を作製する方法 - 特許庁

To provide a laser annealing method for providing a crystalline semiconductor film of large crystal particle size as well as the manufacturing method for a semiconductor device which uses it.例文帳に追加

結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得るためのレーザーアニール方法とそれを用いた半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To reduce surface roughness of a polycrystalline semiconductor film in a method for forming a polycrystalline semiconductor by laser annealing.例文帳に追加

多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。 - 特許庁

To provide a technique measuring the depth of the melting section of a laser-beam incident place of an annealing object by a noncontact.例文帳に追加

アニール対象物のレーザビーム入射位置の溶融部分の深さを、非接触で計測する技術を提供する。 - 特許庁

Then a polycrystalline silicon film 4 is formed by annealing the films 2 and 3 with an excimer laser beam.例文帳に追加

次に、微結晶膜２及びアモルファスシリコン膜３にエキシマレーザアニールを施し、多結晶シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

To facilitate condition setting when an object like semiconductor material is subjected to laser annealing for growing crystals.例文帳に追加

半導体材料等の対象物をレーザアニーリングして結晶を成長させる際の条件設定を容易にすること。 - 特許庁

The semiconductor thin film crystallized by using this laser annealing method is so disposed on a substrate via an insulating film as to obtain a thin-film semiconductor device.例文帳に追加

このレーザアニール方法を用いて結晶化した半導体薄膜を基板上に絶縁膜を介して設けた薄膜半導体装置を得る。 - 特許庁

To enable measuring of an observation image or a Raman spectrum of a film infinitesimal part in-situ in a laser annealing crystallizing step of an amorphous film.例文帳に追加

非晶質膜のレーザアニール結晶化過程において膜微小部の観察像やラマンスペクトルをｉｎ−ｓｉｔｕに測定可能にする。 - 特許庁

To improve annealing accuracy of a laser annealer through suppressing the temperature rise of a condenser lens by interrupting the radiation heat from a substrate to toward the lens.例文帳に追加

処理基板から集光レンズに向かう輻射熱を遮ることでその温度上昇を抑制し、もって、アニーリング精度の向上を図る。 - 特許庁

To prevent a substrate surface from swelling in laser annealing of an amorphous silicon layer on a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上の非晶質シリコン層のレーザアニール時に基板面に生じる脹れ発生を防止する。 - 特許庁

To provide an optical system which can reduce the weak interference that is observed when laser annealing is performed on a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜にレーザアニールを施した時に観察される淡い干渉を低減するための光学系を提供する。 - 特許庁

Here, poly-Si is formed by laser-annealing part of a-Si formed on the entire surface.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉは全面に形成されたａ−Ｓｉの一部をレーザアニールによってｐｏｌｙ−Ｓｉに変換している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing damage to a surface of a silicon carbide substrate in laser annealing.例文帳に追加

レーザアニールにおける炭化珪素基板の表面へのダメージを小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus that can stabilize the irradiation energy density on an object to be annealed.例文帳に追加

被処理物上の照射エネルギ密度の安定化を図ることができるレーザアニール装置を提供すること。 - 特許庁