「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor layer 15 in the thin film transistor TFT is formed, by patterning a photothermal conversion layer 22 only on a region which serves as a channel layer on an amorphous silicon thin film 15x formed on one surface side of the substrate 11, and then irradiating the whole area of the substrate 11 with a laser beam BM, by laser beam scanning and applying thermal annealing to crystallize the amorphous silicon thin film 15x.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１５は、基板１１の一面側に成膜された非晶質シリコン薄膜１５ｘに対して、チャネル層となる領域上にのみ光熱変換層２２をパターニング形成した後、レーザー光ＢＭを走査して基板１１全域に照射し、熱アニールを施すことにより、非晶質シリコン薄膜１５ｘが結晶化されて形成される。 - 特許庁

To provide a laser anneal device for manufacturing a polycrystalline semiconductor film, whereby a highly reliable transistor free of characteristic variations can be obtained by preventing inclusion of impurities to a polycrystalline semiconductor film and reducing projection of a grain part of polycrystalline silicon, when a polycrystalline semiconductor film is formed by laser annealing method.例文帳に追加

レーザアニール法により多結晶半導体膜を形成する際、不純物の多結晶半導体膜への混入を防ぎ、かつ多結晶シリコンの粒界部の突起を低減して、特性変動がなく信頼性の高いトランジスタが得られる多結晶半導体膜を作製するレーザアニール装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A laser annealing apparatus 10 comprises a laser oscillator 12; a process stage device 30 for supporting a substrate W, performing smooth translating movement of the substrate W in an X-Y plane, and conducting vertical movements thereof, in Z axis direction; and a stage angle adjusting device 60 for adjusting the angle of the process stage device 30.例文帳に追加

レーザアニーリング装置１０は、レーザ発振器１２と、基板Ｗを支持してこの基板ＷをＸ−Ｙ面内で滑らかに並進移動させると共にＺ軸方向に昇降移動させることができるプロセスステージ装置３０と、プロセスステージ装置３０の角度を調整するステージ角度調整装置６０とを備える。 - 特許庁

In an active layer formation process of the semiconductor device using a ZnO film 40 for an active layer, laser annealing L1 is executed to the ZnO film 40 by a pulse laser of ultraviolet light to reduce resistance thereof, and a specific resistance value of a channel part of the ZnO film 40 excessively reduced in resistance then is increased to a value ≥10^3 Ω cm by an oxidation treatment.例文帳に追加

ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 - 特許庁

The laser annealing method includes a step of executing laser beam irradiation on irradiation conditions that a non-crystal region (region A) is subjected to phase change into a granular crystal region (region P) consisting of granular crystals of 0.05-0.2 um average grain size and a formed granular crystal region is not subjected to phase change.例文帳に追加

シリコン結晶化膜を作製するレーザアニール方法において、非結晶領域（領域Ａ）が平均粒径０．０５〜０．２ｕｍの粒状結晶で構成される粒状結晶領域（領域Ｐ）に相変化され、かつ既に形成されている粒状結晶領域が相変化されないような照射条件で、レーザ光を照射する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element, which can obtain a polycrystalline semiconductor layer of high quality by reducing the fluctuation of the irradiated energy density of a laser beam and making the crystallinity of the polycrystalline semiconductor layer to be uniform at obtaining of the polycrystalline semiconductor layer with an annealing processing through irradiation of the laser beam.例文帳に追加

レーザ光の照射によるアニール処理によって多結晶半導体層を得る際に、レーザ光の照射エネルギー密度のばらつきを低減し、多結晶半導体層の結晶性の均一を図ることにより、高品質な多結晶半導体層を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of flexible integrated circuit boards 19 and 20 where an integrated circuit consists of an amorphous semiconductor thin film or a polycrystal or single-crystal semiconductor thin film crystallized by laser annealing and a support substrate 22 on which the plurality of flexible integrated circuit boards are mounted are arranged on a flexible substrate.例文帳に追加

フレキシブル基板上に、非晶質半導体薄膜又はレーザーアニールにより結晶化された多結晶若しくは単結晶半導体薄膜により集積回路を形成した複数個のフレキシブル集積回路基板１９、２０と、複数個のフレキシブル集積回路基板が実装された支持基板２２と、を有する。 - 特許庁

When scanning a pulse-like laser in a direction crossing a rolling direction on the surface of the grain-oriented electromagnetic steel sheet after secondary recrystallization annealing, forming irradiation marks in a point sequence shape extending in the crossing direction on the surface of the steel sheet, and executing magnetic domain subdivision processing, the intervals of the irradiation marks are changed and made unequal without being turned to equal intervals as in a conventional technique.例文帳に追加

二次再結晶焼鈍後の方向性電磁鋼板の表面に、パルス状のレーザを圧延方向と交差する方向に走査し、鋼板の表面に照射痕を交差方向に伸びる点列状に形成して磁区細分化処理を施すに当たり、照射痕相互の間隔を、従来技術のように等間隔とはせずに、変化させて不等とする。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT which is enhanced in transistor characteristics, even if a polycrystalline semiconductor film obtained by making an amorphous semiconductor undergo laser annealing process is used as an active layer, a method of manufacturing an active matrix substrate, and an electro-optic device provided with an active matrix substrate formed by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To enable uniformity of characteristics of a driving elements forming each of pixels and productivity improvement thereof without sacrificing efficiency of laser annealing, even if a member consisting of a material having low thermal resistance or a material having diffusion characteristic is previously formed in a unit region corresponding to each of the unit pixels in a display device.例文帳に追加

表示装置において、各単位画素に対応する単位領域内に、耐熱性の低い材料や拡散特性のある材料によって構成される部材が予め形成された場合にも、各画素を構成する駆動素子の特性の均一化や生産性の向上を、レーザーアニールの効率を犠牲にすることなく可能とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a TFT having good transistor characteristics even when a polycrystal semiconductor film obtained by laser- annealing a noncrystalline semiconductor film in an atmosphere except a vacuum as an active layer, and to provide a method for manufacturing an active matrix board and an electro-optic device using the active matrix board manufactured by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜に真空を除く雰囲気においてレーザーアニールを施して得た多結晶半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

In this method for thermally treating the gas turbine component formed with a padding repair portion having the same crystal orientation as orientation of a base material by using a laser-welding device, solution heat treatment is performed after stress removing annealing heat treatment is performed for over 2 hours at a temperature of 93-97% of solution temperature after padding repair.例文帳に追加

レーザー溶接装置を用いて母材と同一方位の結晶方位を有する肉盛補修部を形成したガスタービン部品の熱処理方法であって、肉盛補修後に溶体化温度の９３〜９７％の温度において２時間以上の応力除去焼鈍熱処理を行った後、溶体化熱処理を行う。 - 特許庁

The method of forming the polysilicon layer comprises (a) a step of preparing a substrate, (b) a step of forming a barrier layer on the substrate, (c) a step of forming a porous layer on the barrier layer, (d) a step of forming an amorphous silicon layer on the porous layer, and (e) a step of carrying out a laser annealing process.例文帳に追加

ポリシリコン層製造方法は、（ａ）基板を設けるステップと、（ｂ）基板上にバリア層を形成するステップと、（ｃ）バリア層上に多孔質層を形成するステップと、（ｄ）多孔質層上にアモルファスシリコン層を形成するステップと、（ｅ）レーザアニールプロセスを行うステップと、を備えている。 - 特許庁

Then, an annealing process is performed, where the cathode and anode electrodes 6, 7 are annealed by applying laser beams LB of monochromatic light as light having energy smaller than the band gap energy of the multilayer semiconductor layer 10 from the other surface side of the transparent crystal substrate 1 to the cathode and anode electrodes 6, 7 through the multilayer semiconductor layer 10 as shown in Fig.1(d).例文帳に追加

その後、図１（ｄ）に示すように、透明結晶基板１の他表面側から多層半導体層１０のバンドギャップエネルギよりも小さなエネルギの光として単色光のレーザ光ＬＢを多層半導体層１０を通してカソード電極６およびアノード電極７それぞれに照射することでカソード電極６およびアノード電極７をアニールするアニール工程を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

To provide a laser irradiating apparatus for providing a crystalline semiconductor film in which, by controlling a Marangoni convection occurring on the surface of a liquid solution in laser annealing, crystallinity is excellent and besides there is less variation in quality, then to provide a semiconductor film crystallizing method using the same, and further to provide a semiconductor device using an FET for attaining high electric field effect mobility by the crystalline semiconductor film made by the crystallizing method.例文帳に追加

レーザーアニールにおいて融液表面でのマランゴニ対流を制御して、結晶性に優れ、且つその品質のばらつきが少ない結晶性半導体膜を提供するレーザー照射装置及びそれを用いた半導体膜の結晶化方法、並びに、それにより作製される結晶性半導体膜で高い電界効果移動度を実現する電界効果トランジスタを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing.例文帳に追加

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された１導電型層１０４と、結晶配向性制御層１１６と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層１０５と、逆導電型層１０６とを含み、その１導電型層１０４は、３５０℃以下の下地温度の下でプラズマＣＶＤ法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。 - 特許庁