「laser- annealing」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a laser processor capable of performing laser processing (annealing) even through the measuring time and point and processing time and point on the surface of a processed object are not the same and subtle dust adheres to the surface of the processed object.例文帳に追加

加工対象物の表面の測定時点と加工時点とが同一でなくても、また前記加工対象物の表面に微細な塵埃が付着していても、レーザー（アニール）加工ができるレーザー加工装置を得ること。 - 特許庁

To reduce a cost for the process and time of manufacturing a semiconductor by reducing the scanning number of a linear laser and shortening the time required for laser annealing.例文帳に追加

線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。 - 特許庁

The diode part 3 of the P+ type region 10 is then irradiated with laser light and patterned by laser annealing thus forming an N+ type region 13 selectively in the P+ type region 10 (Fig. 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｐ＋型領域１０のうちダイオード部３にレーザ光を照射してレーザアニールすることによりパターニングし、Ｐ＋型領域１０にＮ＋型領域１３を選択的に形成する（図３（ｃ））。 - 特許庁

The glass substrate on which the active fluorine is sublimated is carried to a laser annealing apparatus 31, and the amorphous silicon film is excimer-laser-annealed to be formed into a polysilicon film.例文帳に追加

活性フッ素を昇華させたガラス基板をレーザアニール装置31に搬送してアモルファスシリコン膜をエキシマレーザアニールしてポリシリコン膜にする。 - 特許庁

To provide a method in which crystals having grain sizes of approximately 5 μm or more are grown in approximately the same direction by a single laser beam irradiation when a polycrystalline semiconductor thin-film is manufactured by a laser annealing method.例文帳に追加

レーザアニール法によって多結晶半導体薄膜を製造するに際し、１回のレーザビーム照射により、粒径が５μｍ程度またはそれ以上の大きさの結晶を、ほぼ同一方向に成長させる。 - 特許庁

To provide a laser annealing device that easily achieves crystallization in a full-melt method and crystallization in a partial-melt method through single-time laser irradiation.例文帳に追加

フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を１回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To actualize an annealing treatment result of extremely high uniformity by absorbing deviation in strength between the irradiation beams of a laser optical system caused by errors of strength measuring instruments and thermal instability of the laser optical system.例文帳に追加

強度測定器具の間の誤差やレーザ光学系の熱的不安定さに起因して生じるレーザ光学系の照射ビーム間の強度の偏差等を吸収して、均一性の極めて高いアニール処理結果を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for laser annealing by which the diameter of a crystal grain can be controlled by suppressing the formation of an amorphous Si ridge by deforming the energy distribution of a laser beam.例文帳に追加

レーザ光のエネルギー分布を変形させて、アモルファスＳｉのリッジ生成を抑制し、結晶粒径を制御することができるレーザアニール方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The laser annealing device has a stage 41 for supporting the substrate 1 where the thin film to be crystallized is formed, and a surface of the stage 41 is varied in reflectivity to the laser light in accordance with a layout of a circuit formed on the substrate 1.例文帳に追加

被結晶化薄膜が形成された基板１を支持するステージ４１を有し、ステージ４１の表面は、基板１上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。 - 特許庁

A characteristic curve of intensity distribution of a laser beam used in the laser annealing has a maximum shifted to the upstream side of a moving direction of the glass substrate 1.例文帳に追加

このレーザアニールにおけるレーザビームの強度分布を示す特性線は、ガラス基板の移動方向上流側にシフトした頂点を有している。 - 特許庁

Furthermore, the laser annealing device 10 is provided with a polarizing portion 18 for polarizing the four laser beams split by the light splitting portion 14 so that the polarizing directions can be made orthogonal between adjacent beams.例文帳に追加

さらに、レーザアニール装置１０は、光分割部１４により分割された４本のレーザビームを、隣接するビーム間で偏光方向が互いに直交するように偏光させる偏光部１８を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device at a high yield by preventing the continuous occurrence of failures due to variations in laser conditions or device faults and preventing failures in a laser annealing process.例文帳に追加

レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A carbon layer 14 of high absorption effect of laser beam is formed before forming a metal layer 15 for forming an ohmic electrode 5, and the metal layer 15 is formed thereon, and then laser annealing is performed.例文帳に追加

オーミック電極５を形成するための金属層１５の形成前にレーザ光の吸収効果の高いカーボン層１４を形成しておき、その上に金属層１５を形成してからレーザアニールを行うようにしている。 - 特許庁

Further, since the carbon layer 14 is used at the time of laser annealing, an absorption factor of the laser beam can be raised, and the contact resistance of the ohmic electrode 5 can be sufficiently lowered.例文帳に追加

また、レーザアニール時にカーボン層１４を用いているため、レーザ光の吸収率を高くすることができ、オーミック電極５のコンタクト抵抗の低抵抗化を十分に行うことが可能となる。 - 特許庁

A laser annealing device 10 comprises a laser oscillator 12, a homogenizer 20, a process stage device 30, a process chamber 80 and a main control device 100.例文帳に追加

レーザアニーリング装置１０は、レーザ発振器１２と、ホモジナイザ２０と、プロセスステージ装置３０と、プロセスチャンバ８０と、主制御装置１００とを備える。 - 特許庁

Thereby, effect of annealing is improved by laser irradiation and a phosphor having a strong emission intensity which could not be achieved by a conventional technology can be manufactured by laser irradiation.例文帳に追加

レーザ照射によるアニールの効果を高め、従来技術では、達成できなかったレーザ照射による発光強度の強い蛍光体を作製することができる。 - 特許庁

A laser annealing crystallization in-situ analyzing apparatus perforates a hole at an object, applies an excimer laser beam through the hole to the film, simultaneously guides a reflected light or a Raman light to a spectroscope, a detector via the objective, and observes a sample state.例文帳に追加

対物レンズに穴を穿ち、穴を通してエキシマレーザ光を膜に照射すると同時に、この対物レンズにより反射光またはラマン光を分光器、検出器に導き、試料状態を観測する。 - 特許庁

Laser beams for a measurement are projected in a region, in which the pulse laser beams for the annealing are projected, from a light source for a measurement.例文帳に追加

アニール対象物の表面のうち、アニール用パルスレーザビームが入射した領域に、測定用光源から測定用レーザビームが入射される。 - 特許庁

To provide a laser annealing apparatus wherein the irradiating positions of laser beams on a material to be irradiated can be secured with a good accuracy, even if no calibrating substrate is used for stage replacement, etc.例文帳に追加

装置の段取り換え等に際して、校正用の基板を使用しなくても、被照射体上でレーザ光の照射位置を精度良く保証することができるレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device adapted for preventing damage to a substrate adsorption base caused by the transmission of laser light incident to a glass substrate, and to provide a method of manufacturing a display device.例文帳に追加

ガラス基板へのレーザ光の透過による基板吸着ベースの損傷の発生を防止したレーザアニール装置及び表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A laser annealing apparatus 10 comprises: a laser oscillator 12; a variable attenuator 14; a homogenizer 16; a stage device 18 supporting a substrate W; and a controller 20.例文帳に追加

レーザアニーリング装置１０は、レーザ発振器１２と、バリアブルアッテネータ１４と、ホモジナイザ１６と、基板Ｗを支持するステージ装置１８と、制御装置２０とを有する構成になっている。 - 特許庁

To manufacture a p-Si(polycrystalline silicon) TFT uniform in drive characteristics or a liquid crystal display device of high display quality keeping its manufacturing yield high by a method wherein a-Si(amorphous silicon) is homogenized by uniform annealing independently of variations in detection results obtained from a beam detection means in an excimer laser annealing device where a-Si turned to p-Si annealing.例文帳に追加

ａ−Ｓｉをアニールしｐ−Ｓｉを形成するエキシマレーザアニール装置において、ビーム検出手段からの検出結果の変動に拘わらず、均一なアニールを可能とし、ｐ−Ｓｉの均質化を図り、均一な駆動特性を有するｐ−ＳｉＴＦＴひいては表示品位の高い液晶表示素子の高い歩留まりでの製造を可能とする。 - 特許庁

The method includes a step including the formation of a semiconductor film containing at least one or more of tin, germanium, and lead and an insulating film on the substrate 10 by supplying a gaseous starting material to a vacuum vessel 1, a step of annealing the semiconductor film and insulating film by projecting a laser beam upon the films, and a step of annealing the films with steam in the poststage of the annealing step.例文帳に追加

真空容器１に原料ガスを供給して基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 - 特許庁

When a semiconductor material is annealed while scanned with a generated linear laser light at right angles to a line, the annealing effect in a beam lateral direction as the line direction and the annealing effect in the scanning direction are ≥2 times different in uniformity.例文帳に追加

線状に成形されたレーザー光を線に直角な方向にスキャンしながら半導体材料に対してアニールを行った場合、線方向であるビーム横方向に対するアニール効果とスキャン方向に対するアニール効果とでは、その均一性において２倍以上の違いがある。 - 特許庁

To provide a laser annealing method which enables annealing of a semiconductor layer without causing variations in electrical or physical properties of a semiconductor layer, can improve the efficiency of fabrication, and enables manufacture of large-sized products, and to provide a semiconductor device which is produced by this method.例文帳に追加

半導体層の電気的あるいは物理的特性の変化を生じることなく半導体層をアニールすることができ、製造効率の向上および大型の製品を製造可能なレーザーアニール方法、およびこの方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser annealing processor capable of easily calculating the optimum annealing power of each medium even though variations in a medium characteristic caused by variations in medium manufacturing occur, and to provide a domain wall displacement type optical magnetic recording medium.例文帳に追加

媒体の製造ばらつきに起因した媒体特性にばらつきが生じても、簡易に各媒体の最適アニールパワーを求めることができるレーザーアニール処理装置及び磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor liquid crystal display device, which improves adhesion of a gate conductive film and a gate insulating film, and prevents peeling of the gate insulating film and the gate conductive film, at high-temperature heat treatment, laser annealing, or lamp annealing times.例文帳に追加

ゲート導電膜とゲート絶縁膜との密着性を良くし、高温熱処理、レーザーアニール、あるいはランプアニール時において、ゲート絶縁膜とゲート導電膜の剥がれが生じることを防止した薄膜トランジスタ液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When laser annealing is performed, a recording material which is located below the silicon subjected to the crystallization is completely covered with a metal film or with the metal film and an insulating film, thereby making it possible to suppress a temperature increase, at annealing and is able to reduce the thermal load on the recording material.例文帳に追加

レーザーアニールを行う際、結晶化を行うシリコンの下にある記録材料は、金属膜、または金属膜と絶縁膜により完全に覆われた状態であるため、アニール時の温度上昇を抑制でき、記録材料への熱負荷を低減できる。 - 特許庁

To provide a laser irradiation device for preventing or reducing the formation of a concentric circle pattern, in a laser annealing method employing the laser irradiation device having a low running cost for large-sized substrates.例文帳に追加

大型の基板に対応するためにランニングコストの低いレーザー照射装置を用いたレーザーアニール法において、同心円模様が形成されない、もしくは同心円模様の形成を低減するためのレーザ照射装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To reduce the nonuniformity of crystallinity in an added part in the lengthwise direction of a laser light irradiation area when a semiconductor thin film in a larger area than a length in the lengthwise direction of the laser light irradiation area is crystallized by laser annealing.例文帳に追加

レーザ光の照射領域の長尺方向の長さよりも大きい領域の半導体薄膜をレーザアニールにより結晶化する際に、レーザ光の照射領域の長尺方向の継ぎ部分における結晶性の不均一性を低減する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device which is capable of emitting a continuous oscillation laser beam linear through a simple optical system, accurately irradiating only a target region with a laser beam, and obtaining a polycrystalline silicon film substantially equivalent to a single crystal film without causing thermal damage to the silicon film and a substrate.例文帳に追加

簡単な光学系で連続発振レーザ光を線状に成形し、レーザを照射すべき領域のみに正確に照射して、シリコン膜及び基板に熱的なダメージを与えることなく実質的に単結晶と同等の多結晶シリコン膜を得る。 - 特許庁

In the EL panel, the transistor size of a driver transistor 32R whose source (s) is irradiated earlier with laser on laser annealing is different from that of the driver transistor 32L whose drain (d) is irradiated earlier with the laser.例文帳に追加

また、ＥＬパネルにおいては、レーザアニール時にレーザがソースｓに先に照射される駆動用トランジスタ３２Ｒのトランジスタサイズと、レーザがドレインｄに先に照射される駆動用トランジスタ３２Ｌのトランジスタサイズが異なる。 - 特許庁

In an irradiation with laser beams by an irradiation optical device 2 in a laser annealing process, it is intended to uniformize the laser beams by a cylindrical optical element 5 and enhance the use efficiency, and a relay lens system 6 satisfying the telecentric conditions is used.例文帳に追加

レーザアニール工程における照射光学装置２によるレーザ光の照射を、柱状光学素子５によりレーザ光の均一化と利用効率の向上が図られ、かつ、テレセントリック条件が満たされたリレーレンズ系６を用いる。 - 特許庁

To provide a laser annealing method in which fusion/recrystallization process is not saturated with regard to a crystal grain size, and the crystal grain can be developed into the desired crystal grain size depending on the irradiation frequency of the pulse laser beam; and to provide a laser annealer.例文帳に追加

溶融・再結晶化プロセスが結晶粒径に対して飽和することがなく、パルスレーザ光の照射回数に応じて所望の結晶粒径まで成長させることができるレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To prevent contamination of the surface of a sample and the change in the bonding state of atoms on the surface, due to the exposure of the surface of the sample to be laser-treated, to the atmosphere before laser-processing, in a laser-annealing apparatus, and to provide a method of manufacturing a thin-film device.例文帳に追加

本発明は、レーザーアニール装置および薄膜デバイスの作製方法において、レーザー処理の前にレーザー処理されるべき試料の表面が外気に触れることによる表面の汚染や、表面の原子の結合状態の変化を防止する。 - 特許庁

The laser annealing step includes: applying the laser light LZ to the peripheral region 1d of the wafer WH at a first output power PW1; and applying the laser light LZ to the device region 1c of the wafer WH at a second output power PW2 higher than the first output power PW1.例文帳に追加

ウエハＷＨの周縁領域１ｄには、第１出力ＰＷ１でレーザ光ＬＺを照射し、ウエハＷＨのデバイス領域１ｃには、第１出力ＰＷ１よりも高い第２出力ＰＷ２でレーザ光ＬＺを照射する。 - 特許庁

To provide laser annealing method, device and micro lens array, capable of configuring the micro lens array, having a large pitch different from a pitch of a planned transistor formation area on an amorphous silicon film, and capable of forming a fine polysilicon film area on the amorphous silicon film by laser annealing, with a pitch smaller than the array pitch of the micro lens array.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができるレーザアニール方法、装置及びマイクロレンズを提供する。 - 特許庁

To stabilize adjustment, device costs and production by freely changing a filter concentration distribution by a small relative moving amount of a dot size level for a gradation filter used for an excimer laser annealing (ELA) device for irradiating the surface of a low temperature polysilicon TFT liquid crystal panel with excimer laser beams and annealing it.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ液晶パネルの表面にエキシマレーザビームを照射してアニールするエキシマレーザアニーリング（ＥＬＡ）装置に用いるグラデーションフイルタを、ドットサイズレベルの小さな相対移動量で、フィルタ濃度分布を自在に変化させ、調整・装置コスト・生産の安定化を実現する。 - 特許庁

To provide a compact laser annealing apparatus which can transmit laser power by an optical fiber having small diameter even if a green laser such as a second higher harmonic wave of a Q-switch operation Nd:YAG laser is used as a heating light source and therefore has a high-quality processing performance without using a laser amplifier or a higher harmonic wave generator.例文帳に追加

加熱光源としてＱスイッチ動作のＮｄ：ＹＡＧレーザ第２高調波等のグリーンレーザを使用しても細径の光ファイバによるレーザパワー伝送が可能であり、このためレーザの増幅器及び高調波発生装置を必要としない高品質な加工性能を有する小型のレーザアニーリング装置を提供する。 - 特許庁

The device performs the annealing treatment of the thin film semiconductor by irradiating the thin film semiconductor formed on the surface of a substrate with a laser beam 50.例文帳に追加

薄膜半導体の製造装置は、基板の表面に形成された薄膜半導体にレーザー光５０を照射することにより薄膜半導体のアニール処理を行う。 - 特許庁

To form a ferroelectric film with highly orientational property, improve electric characteristic and smoothen the surface of the ferroelectric formed by laser annealing.例文帳に追加

配向性のよい強誘電体膜を形成して、電気特性を向上させ、またレーザアニールによって形成される強誘電体膜の表面を滑らかにすること。 - 特許庁

In the method and equipment for laser annealing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is placed in a liquid tub such that at least a part of the wafer is immersed in liquid.例文帳に追加

半導体ウェハをレーザーアニーリングするための方法及び装置は、少なくともウェハの一部が液体に浸漬されるように液体槽中に半導体ウェハを設置することを具備する。 - 特許庁

To suppress occurrence of a pixel quality defect by making TFT characteristics by laser annealing constant in a pixel layout wherein each auxiliary capacitor is formed straddling the boundary between two pixels.例文帳に追加

補助容量が２つの画素間に跨って形成される画素レイアウトにおいて、レーザーアニールによるＴＦＴ特性を一定にすることで、画質不良の発生を抑えるようにする。 - 特許庁

To provide a laser annealing device which can reduce an oxygen concentration on a substrate in a heating region without needing a large quantity of inert gas.例文帳に追加

多量の不活性ガスを要することなく、加熱領域内における基板上の酸素濃度を低減することができるレーザーアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor thin film such that when the semiconductor thin film is formed using crystallization by laser annealing, the crystallinity thereof is evaluated with higher precision than before.例文帳に追加

レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁