「layer-structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times.例文帳に追加

多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。 - 特許庁

An armature core 1 has a split lamination structure composed of a first core layer 6, an insulating layer 7, and a second core layer 8.例文帳に追加

電機子コア１は、第１のコア層６と絶縁層７と第２のコア層８とを備えた分割積層構造のコアである。 - 特許庁

A semiconductor photodetector is constituted into a multilayered semiconductor structure containing a light receiving layer 14, and light is made incident obliquely to the layer 14 in the thickness direction the layer 14.例文帳に追加

光受光層１４を含む半導体多層構造となっており、光が層厚方向に対して斜めに入射する。 - 特許庁

A ferromagnetic tunnel effect film 1 has a structure where a tunnel barrier layer 11 is held between a free layer 12 and a pinned layer 13.例文帳に追加

強磁性トンネル効果膜１は、トンネルバリア層１１がフリー層１２とピンド層１３とによって挟まれた構造を有する。 - 特許庁

Furthermore, a part composed of the p^+-layers 15, the n^--layer 5, an FS layer 4 and a p^+-layer 3 has a pnp transistor structure.例文帳に追加

また、Ｐ＋層１５、Ｎ−層５、ＦＳ層４およびＰ＋層３からなる部分が、ＰＮＰトランジスタ構造になっている。 - 特許庁

This label has a layer structure consisting of a surface base material, a resin layer, an adhesive layer, an IC module, and a release sheet laminated in order from the surface side.例文帳に追加

層構成は表面側より、表面基材、樹脂層、粘着剤層、ICモジュール、剥離シートの順に積層されている。 - 特許庁

This furnace 21 has an upper and lower two step layer structure and the upper layer is used for hot-blast heat-treating furnace 3 and the lower layer is used for fluidized bed heat-treating furnace 5.例文帳に追加

炉部２１は上下２階層構造で、上層は熱風熱処理炉３、下層は流動層熱処理炉５である。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

It is also acceptable that the p-layer is formed on the entire top face and then the n^+-layer is formed in the island structure (in spots) on the p-layer.例文帳に追加

上面全体にｐ層を作成し、その上からｎ＋層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。 - 特許庁

The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のドレイン領域をＰ型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による２層構造とする。 - 特許庁

At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixed layer and a carbon nanotube structure.例文帳に追加

前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁

Each cell structure 10 includes a transparent electrode layer 1, a porous semiconductor layer 2, and a counter electrode layer 4.例文帳に追加

セル構造体１０は、透明電極層１と、多孔質半導体層２と、多孔質半導体層２と、対電極層４とを含む。 - 特許庁

The multilayer wiring board 5 has a microstrip structure composed of a signal metal wiring layer and a ground metal wiring layer provided under the signal metal wiring layer.例文帳に追加

多層配線基板５は、信号用金属配線層の下にグランド用金属配線層を設けたマイクロストリップ構造である。 - 特許庁

At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixing layer and a carbon nanotube structure.例文帳に追加

前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方が、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁

The magnetic substance layer 14 is made as a double layer structure by providing a ferrite resin layer 14b on one side of a metal film 14a.例文帳に追加

磁性体層１４は、金属フィルム１４ａの片面にフェライト樹脂層１４ｂを設けて２層構造となっている。 - 特許庁

The superlattice layer is the structure where the InN layer and In_xGa_1-xN (0≤x<1) layer are alternately laminated.例文帳に追加

一方、前記超格子層は、ＩｎＮ層とＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）層が交互に積層された構造である。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 6, intrinsic semiconductor layer, and p-type semiconductor layer 5 are continuously arranged in this order to form a pin diode structure.例文帳に追加

ｎ型半導体層６、真性半導体層およびｐ型半導体層５の順で連続したｐｉｎダイオード構造となる。 - 特許庁

The solar cell having the reflective structure includes a front contact, a P layer, an I layer, an N layer, and a back contact that are stacked together.例文帳に追加

反射構造を有する太陽電池は、積み重ねられたフロント接点と、Ｐ層と、Ｉ層と、Ｎ層と、バック接点とを含む。 - 特許庁

Presented here is a semiconductor diode with a structure having laminated a metal oxide layer, a silicon oxide layer, and a conductive polymer layer in sequence.例文帳に追加

金属酸化物層、シリコン酸化物層及び導電性ポリマー層を順次積層した構造を有する半導体ダイオード。 - 特許庁

To form a multi-level wiring layer of dual damascene structure effectively using a low permittivity film in a via contact layer or a wiring layer.例文帳に追加

ビアコンタクト層や配線層に低誘電率膜を用いて有効にデュアルダマシン構造による多層配線層を形成する。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR USING BARRIER LAYER AS STRUCTURE LAYER, AND Cu ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR SPUTTERING DEPOSITION OF THE BARRIER LAYER例文帳に追加

バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

The gonio-chromatic element comprises a transparent layer 11, a dielectric layer 12, an optical structure 13 and an auxiliary layer 14.例文帳に追加

ゴニオクロマティック素子は、透明層１１、誘電体層１２、光学構造体１３、補助層１４を含んで構成されている。 - 特許庁

A wiring board 10 has such structure that an insulating layer 2 is made on a conductive layer 1 and that an adhesive layer 3 is made thereon.例文帳に追加

配線基板１０は、導電層１上に絶縁層２及びその上に接着層３が形成された構造を有する。 - 特許庁

To crystal-grow a thick nitride semiconductor layer on a multilayered structure layer without causing cracks by crystaly growing the multilayered structure layer as a buffer layer on a silicon substrate with good controllability.例文帳に追加

珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。 - 特許庁

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure.例文帳に追加

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。 - 特許庁

A multi-layer support structure 12 of the open magnetic resonance imaging (MRI) system configured to give high permeability to a magnetic flux from a magnetic field source includes: a first multi-layer support structure 18; a second multi-layer support structure 20; and at least one third support structure connecting the first multi-layer support structure 18 and the second multi-layer structure 20.例文帳に追加

磁場源からの磁束に対して高い透磁性を提供するように構成された開放型磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムの多層式支持構造（１２）は、第１の多層式支持構造（１８）と、第２の多層式支持構造（２０）と、これら第１の多層式支持構造（１８）と第２の多層式構造（２０）を接続している少なくとも１つの第３の支持構造（２２及び２４）と、を含む。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

A PIN photocell is equipped with a transparent board, a front conductive layer formed on the board, a P-type layer formed on the front conductive layer, an amorphous silicon I layer, an N-type structure layer formed on the I layer and possessed of a wide band gap, and a rear contact layer formed on the N-type structure layer.例文帳に追加

ｐｉｎ光電池が、透明な基板、基板上に形成された前面導電層、前面導電層の上に形成されたｐ型層、ｐ型層の上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層、ｉ層の上に形成された広い帯域ギャップを有するｎ型構造層、ｎ型構造層の上に形成された後面接点層を有する。 - 特許庁

Of the laminated structure, the upper layer part of n-InP clad layer, an active layer, the lower-part p-InP clad layer, the AlInAs layer, the upper-part p-InP clad layer, and the p-GaInAs contact layer are formed as a stripe-like ridge 33.例文帳に追加

積層構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層の上層部、活性層、下部ｐ−ＩｎＰクラッド層、ＡｌＩｎＡｓ層、上部ｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、ストライプ状リッジ３３として形成されている。 - 特許庁

A spin valve type magnetoresistive element which has a laminated structure including an antiferromagnetic layer/a pinned magnetic layer/a non-magnetic intermediate layer/a magnetic free layer/and a magnetization stable layer is used, and the magnetization stable layer 11 is arranged adjacent to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

A composite upper shield layer S2p has a structure wherein an FM layer S2a-1 and an FM sub layer 16, an AFCT layer 17, an FM sub layer 18 and an FM layer S2a-2, and an AFM layer 19 are layered in this order.例文帳に追加

複合上部シールド層Ｓ２ｐは、ＦＭ層Ｓ２ａ−１およびＦＭサブ層１６と、ＡＦＣＴ層１７と、ＦＭサブ層１８およびＦＭ層Ｓ２ａ−２と、ＡＦＭ層２０とがこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The insulating layer 26 is formed in the 2-layer structure of a layer 27 composed of polyimide and a layer 28 composed of ceramics, the polyimide layer 27 is formed on the upper surface of the electrode 25, and the ceramic layer 28 is formed on the upper surface of the polyimide layer 27.例文帳に追加

前記絶縁層２６は、ポリイミドからなる層２７とセラミックからなる層２８との２層構造に形成されて、ポリイミド層２７が電極２５の上面に、セラミック層２８がポリイミド層２７の上面に形成される。 - 特許庁

This straight tube of a two-layer structure has an inner layer 1 and an outer layer 2 and is a conduit tube, where the inner layer 1 is made of high-density polyethylene and the outer layer 2 is made of low-density polyethylene and the inner layer 1 and the outer layer 2 are stuck closely to each other.例文帳に追加

内層１と外層２を有する２層構造の直管で、内層１が高密度ポリエチレンで形成され、外層２が低密度ポリエチレンで形成され、内層１と外層２が互いに密着している電線管。 - 特許庁

The cosmetic has a double-layer structure composed of (1) a 1st layer composed of a liquid oil-and-fat layer and (2) a 2nd layer composed of a viscous oil-and-fat layer or an oily gel layer heavier than the liquid oil-and-fat layer.例文帳に追加

二層型の化粧料であって、１）液状油脂層からなる第一層と２）前記液状油脂層よりも重質の粘性油脂層又は油性ゲル層とからなる第二層とを構成要素とする化粧料を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

The multilayered barrier layer 200 has a structure constructed by successively laminating a barrier layer 201 composed of AlN9 atomic layer, a well layer 206 composed of a GaN2 atomic layer, and another barrier layer 202 composed of an AlN9 atomic layer upon another in this order.例文帳に追加

また、多重障壁層２００は、ＡｌＮ９原子層からなる障壁層２０１、ＧａＮ２原子層からなる井戸層２０６、及びＡｌＮ９原子層からなる障壁層２０２が順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The aluminum laminate structure for the battery sheath is formed by successively laminating an innermost layer 2, a first adhesive layer 3, a first surface treatment layer 4, an aluminum foil layer 5, a second surface treatment layer 6, a second adhesive layer 7, and an outermost layer 8 from inside.例文帳に追加

内側から、最内層２、第１接着層３、第１表面処理層４、アルミニウム箔層５、第２表面処理層６、第２接着層７、及び最外層８が順次積層された電池外装用アルミラミネート構成物である。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

For example, the tubular section has a three-layer structure where the innermost layer 6 is a low density foamed synthetic resin layer, the outermost layer 10 is a high density foamed synthetic resin layer, and the intermediate layer 8 is an intermediate density foamed synthetic resin layer having the middle density between those of the innermost layer and the outermost layer.例文帳に追加

例えば、筒状部を３層構造とし、最内層６を低密度の合成樹脂発泡体層、最外層１０を高密度の合成樹脂発泡体層、中間層８を最内層と最外層の中間の密度を有する中密度の合成樹脂発泡体層とする。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

A very simple layer structure is obtained by forming a single membrane structure or double membranes structure wherein only a protective film is added.例文帳に追加

このため単膜構造、もしくは保護膜を加えたのみの複膜構造として、非常にシンプルな層構造とすることができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device which includes a liquid crystal layer exhibiting the blue phase, a first structure body and a second structure body are provided over a first electrode layer (a pixel electrode layer) and a second electrode layer (a common electrode layer), respectively.例文帳に追加

ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の構造体を設ける構成とする。 - 特許庁

An information recording part 6 laminated on a base material 2 is formed in the laminate structure comprising a peeling layer 61, a light- refracting structure layer 62, the light-reflective layer 63, a fluorescent layer 64, and an adhesive layer 65 from the top.例文帳に追加

基材２上に積層する情報記録部６を、上から剥離層６１、光回折構造層６２、光反射性層６３、蛍光層６４、および接着剤層６５からなる積層構造として、課題を解決することが出来た。 - 特許庁

The coating layer 24 has either a double layer structure comprising a layer 24a by the phenol resin 22 and a layer 24b by the carbon nano-fiber 23, or a single layer structure comprising a mixed material obtained by dispersing the phenol resin 22 and the carbon nano-fiber 23.例文帳に追加

被覆層２４は、フェノール樹脂２２による層２４ａとカーボンナノファイバ２３による層２４ｂとからなる２層構造をなすか、フェノール樹脂２２にカーボンナノファイバ２３を分散させた混合材からなる単層構造をなす。 - 特許庁