「magnetization current」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and the magnetization coupling layer is composed of a laminate structure of two layers.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに磁気結合層が２層の積層構造となっている。 - 特許庁

The magnetic free layer 1 has uniaxial magnetic anisotropy, and causes magnetization oscillation when a current larger than an oscillation threshold value current flows.例文帳に追加

磁気フリー層１は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

When data-writing, the writing current flows from one end of the magnetization free layer 2 to the other end in the XY plane.例文帳に追加

データ書き込み時、書き込み電流が、ＸＹ面内において、磁化自由層２の一端から他端に流される。 - 特許庁

To reduce a thrust ripple by absorbing an abrupt current component generated on switching motor coil magnetization.例文帳に追加

モータコイルの励磁切替時に発生する電流の急峻な成分を吸収して推力リップルを低減する。 - 特許庁

With this construction, temperature rising in a center part of the storage layer is promoted and a magnetization reversal current at the time of storage is lowered.例文帳に追加

これにより記憶層の中央部での温度上昇を促進し、記憶時の磁化反転電流を下げる。 - 特許庁

To read a memory cell at high speed by a large current by preventing read disturbance of the memory cell using a spin injection magnetization reversal.例文帳に追加

スピン注入磁化反転を用いたメモリセルの読み出しディスターブを防ぎ、大電流で高速に読み出す。 - 特許庁

On the other hand, an inductor L2 sustains the unsaturation of magnetization up to the inductor current Is, thus sustaining the inductance Z2.例文帳に追加

一方、インダクタＬ２は、インダクタ電流Ｉｓまで磁化不飽和を維持するので、インダクタンス値Ｚ２を維持する。 - 特許庁

To keep thermal stability even at miniaturization, and to invert the magnetization of a magnetic recording layer at low-current density.例文帳に追加

微細化しても熱安定性を有するとともに低電流密度で磁気記録層の磁化の反転を可能にする。 - 特許庁

Alternatively, the generation of the magnetization inversion such as the above can be discriminated by successively increasing the current value of ACT current or DCT current.例文帳に追加

ＡＣＴ電流またはＤＣＴ電流の電流値を順次増加させて、ピン層の磁化が所定の方向とは逆方向に反転する磁化反転が起きたか否かを判別してもよい。 - 特許庁

The magnetization direction F is vibrated affected by a level of an alternating current i and a frequency, since the polarity of the alternating current i is varied, along with the lapse of time.例文帳に追加

交流電流ｉの極性は時間と共に変化するので、磁化の向きＦは、交流電流ｉの大きさと周波数に影響を受けて振動する。 - 特許庁

Since resistance is large against spin injection magnetization inversion due to the read current, the intensity of the write current can be reduced.例文帳に追加

本発明では、読み出し電流によるスピン注入磁化反転に対する耐性が高くなっているため、書き込み電流の大きさを低減することができる。 - 特許庁

To provide a DC current sensor and a DC current measuring method capable of suppressing a measurement error generated by residual magnetization with time.例文帳に追加

経時的な残留磁化によって生じる測定誤差を抑制することができる直流電流センサ及び直流電流計測方法を提供する。 - 特許庁

A direct current magnetization prevention circuit for preventing the direct current magnetization of an output transformer 3 attached to the vacuum tube amplifier 1 is provided with a first choke transformer 17a and a second choke transformer 17b having the same capacity, and a variable resistor 18.例文帳に追加

真空管アンプ１に付設された出力トランス３の直流磁化を防止するための直流磁化防止回路は、同一容量の第１チョークトランス１７ａおよび第２チョークトランス１７ｂと、可変抵抗器１８とを備えている。 - 特許庁

The writing current is reduced by reducing the damping constant and magnetization of the ferromagnetic recording layer in writing operation.例文帳に追加

書き込み動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び磁化を小さくすることで書き込み電流を低減する。 - 特許庁

This means that a threshold current value at which the magnetization inversion occurs increases by shortening the supply time.例文帳に追加

これは、供給時間を短くすることで、磁化反転が生じるためのしきい電流値が高くなることを意味する。 - 特許庁

Besides, the motor changes the amount of magnetization in permanent magnets held in a rotor by generating an excitation current in stator coils.例文帳に追加

また、モータは、ステータコイルに励磁電流を発生させることで、ロータに有する永久磁石の着磁量を変化させる。 - 特許庁

First and second DL drivers 12a and 12b apply a magnetization current to a digit line in a selected block, respectively.例文帳に追加

第１および第２ＤＬドライバ１２ａ，１２ｂは、それぞれ選択された１つのブロックのディジット線に磁化電流を流す。 - 特許庁

To enable the stabilization of magnetization in a free layer even though a high output is obtained and a sensing current is allowed to flow.例文帳に追加

高出力が得られるとともにセンス電流を流してもフリー層の磁化を安定させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element of a spin injection writing system which is capable of carrying out magnetization inversion at low current.例文帳に追加

低電流での磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To reduce current required to cause magnetization reversal by spin injection without degrading an information retention characteristic.例文帳に追加

情報保持特性を低下することなくスピン注入による磁化反転を起こすために必要な電流を低減化する。 - 特許庁

Then, the vortex magnetic field is moved by flowing current to the superconductor, thus controlling magnetization state of the small magnetic material.例文帳に追加

そして、超伝導体に電流を流すことによって、渦糸を移動させ微小磁性体の磁化状態を制御する。 - 特許庁

To provide a CPP-GMR (current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance) sensor structure in which the magnetization orientations of a free layer and a reference layer are not orthogonal.例文帳に追加

自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。 - 特許庁

When the small magnetic material is of disk shape and structured to form a single magnetic domain, magnetization direction is controlled by current supply.例文帳に追加

微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

An optical modulation element 1 includes a spin injection magnetization reversal element structure in which a magnetization fixed layer 11 having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 12 and a magnetization free layer 13 having the perpendicular magnetic anisotropy are stacked in this order, and changes a magnetization direction of the magnetization free layer 13 by supplying an electric current through a pair of electrodes 2 and 3 connected in a vertical direction.例文帳に追加

光変調素子１は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層１１、中間層１２、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層１３、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層１３の磁化方向を変化させる。 - 特許庁

The domain wall displacement layer 10 includes a free magnetic region 13 having an invertible magnetization direction, and the magnetization direction of the free magnetic region 13 is inverted by current-induced domain wall displacement by carrying writing current to the free magnetic region 13.例文帳に追加

磁壁移動層１０は、磁化方向が反転可能な磁化自由領域１３を有しており、磁化自由領域１３の磁化方向は、書き込み電流を磁化自由領域１３に流すことによって電流誘起磁壁移動によって反転される。 - 特許庁

To provide a CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistance effect type sensor having a free layer in which magnetization is stabilized in a single longitudinal direction magnetic domain even under an existence of high-density sense current.例文帳に追加

高密度センス電流の存在下であっても磁化が単一の長手方向磁気ドメインに安定化されている自由層を持つCPP磁気抵抗効果型センサを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic element wherein the reversing current can be reduced at inversion of magnetization by the current direct drive and to provide a magnetic memory employing the element.例文帳に追加

電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁性体素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetic cell in which a reverse current when magnetization is reversed by direct driving by a current can be reduced, and further provide a magnetic memory cell using it.例文帳に追加

電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

A current can be made to flow in both directions between the first pinned layer and the second pinned layer, and the direction of magnetization of the storage layer changes with the direction and value of the current.例文帳に追加

また、第１固着層と第２固着層の間に電流を双方向に流すことが可能で、電流の方向と値により記憶層の磁化の方向が変わる。 - 特許庁

The ferromagnetic body can be switched to a single magnetization state and multi-magnetic-section structure by controlling direction/intensity of applied magnetic field and current-intensity/pulse width of the pulse current.例文帳に追加

印加磁場の向き・強さとパルス電流の電流強度・パルス幅を制御することで、強磁性体を単一磁化状態と多磁区構造の切り替えが可能である。 - 特許庁

To provide a magnetic cell in which an inversion current at the time of inversion of magnetization by current direct driving can be reduced, and a magnetic memory using it.例文帳に追加

電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the optical modulation element 5, the magnetization direction of a magnetization reversal layer 53 is reversed by current from electrodes 2 and 3 connected to upper and lower parts of the optical modulation element 5, respectively and thereby an incident light is emitted so that the direction of the light is changed and the light is rotated.例文帳に追加

光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

The sense current substantially eliminates an influence of the vortices magnetization pattern 320 in the free layer by generating a vortex magnetic field 330 opposite in direction to the vortex magnetization pattern 310 fixed inside the stabilization layer.例文帳に追加

センス電流は、安定化層内に固定されている渦磁化パターン310と逆向きの渦磁場330を自由層内に発生させ、実質的に自由層内における渦磁化パターン320の影響を消去する。 - 特許庁

The magnetic barriers 5 and the small cross-sectional area S of the magnetic passage prevent the permanent magnet 3 from an increase or decrease in magnetization by a magnetic field A, caused by the magnetization current and a magnetic field C of the permanent magnet 4.例文帳に追加

磁気障壁５及び小さい磁路断面積Ｓにより、磁化電流による磁界Ａや永久磁石４の磁界Ｃが永久磁石３増磁または減磁を妨げないようにする。 - 特許庁

The MR element 51A includes a free layer, having a magnetization direction J13 which changes, in response to the current magnetic field HmA and a fixed layer, having a magnetization direction J11A fixed in a fixed direction.例文帳に追加

ＭＲ素子５１Ａは、電流磁界ＨｍＡに応じて変化する磁化方向Ｊ１３Ａを有する自由層と、一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１Ａを有する固着層とを含む。 - 特許庁

The magnetization direction of the memory layer 3 can be varied by current penetrating the memory layer 3, the first nonmagnetic layer 4, and the reference layer 2.例文帳に追加

記憶層３の磁化方向は、記憶層３、第１非磁性層４、及び参照層２を貫く電流により可変とされる。 - 特許庁

To provide a storage element capable of recording information by inverting a magnetization direction of a storage layer with a little current quantity.例文帳に追加

少ない電流量で記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic processing system, and a magnetism control device capable of reducing deviation of magnetization when the demagnetization current is less.例文帳に追加

脱磁電流が少ない場合の着磁のずれを低減することができる磁気処理システムおよび磁気制御装置を提供する。 - 特許庁

A first current path 122p for generating the Lorentz force by a magnetic field generated by the rotor 110 is disposed opposite to a magnetization surface of the rotor 110.例文帳に追加

ローターからの磁界でローレンツ力を発生させる第１の電流経路１２２ｐを、ローターの着磁面に向けて設ける。 - 特許庁

The voltage value/current value converting part 9b determines the current value of the current to be detected on the basis of the output voltage of the Hall device 5, on the basis of the relation between the output voltage and the current to be detected corresponding to an initial magnetization curve of the magnetic core 3.例文帳に追加

電圧値・電流値変換部９ｂは、磁気コア３の初磁化曲線に対応した出力電圧−被検出電流の対応関係に基づいて、ホール素子５の出力電圧から前記被検出電流の電流値を求める。 - 特許庁

The magnetization of a reproduction layer being one of magnetic layers of a magnetic resistance film is oriented in one direction by this magnetization fixing layer, the center of current magnetic field-MR ratio minor loop is shifted, and reproducing information can be performed by only a positive or negative current pulse.例文帳に追加

この磁化固定層によって、磁気抵抗膜の磁性層の一つである再生層の磁化方向を一方向に配向させ、電流磁界−ＭＲ比マイナーループの中心を変移させ、正または負の電流パルスのみで、情報の再生を可能とする。 - 特許庁

The pair of electrodes 42, 43 generate a voltage corresponding to a magnetization direction of the nanowire 41 when flowing a DC bias current I_b overlapped with a detected current I_S of a frequency corresponding to a magnetic resonance frequency of the nanowire 41, within a range not reaching critical current density of magnetization reversal, between the electrodes 42, 43.例文帳に追加

１対の電極４２，４３は、該電極４２，４３間に、磁化反転の臨界電流密度に達しない範囲で、直流バイアス電流Ｉ_ｂと、ナノワイヤ４１の磁気共鳴周波数に一致する周波数の検出電流Ｉ_Ｓを重畳させて流した時、ナノワイヤ４１の磁化方向に応じた電圧を示す。 - 特許庁