「melt interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This injection material capable of producing a molded product including a reflector 1 and others comprises an acrylic-based resin of 1-9 g/10 min. for melt flow rate and a silicone rubber particle containing a surfactant which develops peeling at an interface with the acrylic-based resin during injection molding.例文帳に追加

反射板１等の成形品を得ることができる射出用組成物は、メルトフローレイトが１〜９ｇ／１０ｍｉｎ．であるアクリル系樹脂と、射出成形の際に上記アクリル系樹脂との界面で剥離を生じさせる界面活性剤を含有したシリコーンゴムの粒子とからなる。 - 特許庁

To more certainly heat and melt the outer peripheral end part of an insert member by the molten resin as the resin material of a molded product main body in insert molding utilizing injection press molding to further make the fusion of both resins strong and to further enhance the sealability at a joining interface.例文帳に追加

射出プレス成形を利用したインサート成形において、成形品本体の樹脂材料としての溶融樹脂によりインサート部材の外周端部をより確実に加熱溶融させて、両樹脂の融着をさらに強固なものとし、接合界面におけるシール性をさらに向上させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A hollow core in the insulation material directly beneath the seed well provides cooling in the center of the growing crystal, which enables uniform, level growth of the crystal ingot and obtains a flat crystal-melt interface, which results in crystal wafers with uniform electrical properties.例文帳に追加

シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

The central part of the growing crystal is cooled by a hollow core 2030 in the insulating material 2060 located directly under the seed well 4030, and a uniform and horizontal growth of a crystal ingot and the interface of a flat crystal-melt zone are obtained, therefore, a wafer provided with a uniform electrical characteristic is obtained.例文帳に追加

シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 - 特許庁

The method of manufacturing a thermal interface material includes a first step of growing an array of carbon nanotubes on a substrate, a second step of depositing at least one metal on one surface of the array of carbon nanotubes, and a third step of heating the array of carbon nanotubes and the at least one metal to melt the metal.例文帳に追加

本発明の熱界面材料の製造方法は、基板にカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの一つの表面に少なくとも一種の金属を堆積させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイ及び前記少なくとも一種の金属を加熱させて、前記金属を溶かす第三ステップと、を含む。 - 特許庁

To provide an aluminum-ceramic joined substrate capable of suppressing generation of minute joining defects (voids) at an interface between a metal member and a ceramic substrate when joining the metal member formed of aluminum or aluminum alloy to the ceramic substrate in a melt joining method and capable of easily removing a step caused at a surface of a metal plate when the metal member is the metal plate, and also to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.例文帳に追加

石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 - 特許庁