「melt interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A heat source 43 that radiates heat toward the center of the lower surface of an ingot 25 in the silicon melt 12 below the solid/liquid interface 26 between the ingot 25 pulled up from the melt 12 and the silicon melt 12 is provided.例文帳に追加

シリコン融液１２から引上げられるインゴット２５とシリコン融液１２との固液界面２６より下方のシリコン融液１２中でインゴット２５下面の中心に向って放熱する熱源４３が設けられる。 - 特許庁

The auxiliary heating means 24 to heat the solid-liquid interface and its vicinity between the seed crystal and the melt is disposed to surround with a predetermined space the periphery of the seed crystal in contact with the melt.例文帳に追加

種結晶及び融液の固液界面近傍を加熱する補助加熱手段２４が融液に接触した種結晶の周面を所定の間隔をあけて包囲する。 - 特許庁

In its manufacturing method, continuous molding is performed under the condition in which an interface relative movement speed between melt and solidified portion is 20 mm/min or faster.例文帳に追加

製造方法は、溶湯と凝固部分の界面相対移動速度を２０ｍｍ／分以上の条件下で連続鋳造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a composite product which can secure strength and airtightness in the melt-bonding interface of a couple of resin products.例文帳に追加

樹脂製品同士の溶着界面において強度及び気密性を確保する複合製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrodes 54, 55 are brought into contact with the upper interface of a raw material melt B in the crucible 12 from the above during the growth of the crystal.例文帳に追加

結晶成長中に，るつぼ１２内の原料融液Ｂの上界面に上方から電極５４，５５を接触させる。 - 特許庁

To make an even magnetic field obtainable in a silicon melt, make impurities preventable from concentrating on the central surface of the silicon melt, and to effectively control a solid-liquid interface form directly below a silicon single crystal rod.例文帳に追加

シリコン融液に均一な磁場が得られ、不純物がシリコン融液の中央表面に集中することを防止でき、かつシリコン単結晶棒直下の固液界面形状を有効に制御する。 - 特許庁

In formula, ω is rotation speed of the crystal after interface inversion, ω_0 is initial rotation speed, L_0 is an initial depth of the melt, and L is a depth of the melt during crystal growing.例文帳に追加

ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）＞ω＞ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）^１／４・・・（１）（式中、ωは界面反転後の結晶の回転速度、ω_０は初期回転速度、Ｌ_０は初期融液深さ、Ｌは育成中の融液深さである） - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SILICON CRYSTAL BY CONTROLLING MELT-SOLID INTERFACE SHAPE AS FUNCTION OF AXIAL LENGTH例文帳に追加

軸方向長さの関数としてメルト−固体界面形状を制御することによってシリコン結晶を成長させる装置及び方法 - 特許庁

The natural convection S overcomes a forced convection formed near the solid-liquid interface by a relative rotation of the GaAs single crystal 3 and the crucible 7 and becomes the dominant convection in the GaAs melt 6, which enables the solid-liquid interface to be convexly curved toward the GaAs melt 6.例文帳に追加

これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 - 特許庁

To enhance moisture-proof effect against water entry into lateral face side on a substrate from interface between a scintillator layer and the substrate, while using hot melt resin as a scintillator protective layer to achieve process simplification, drastic reduction in work man-hour, and sharp cost-reduction.例文帳に追加

基板の側面側における、シンチレータ層と基板との界面からの水分の浸入に対する防湿効果を向上させる。 - 特許庁

A two-dimensional CCD camera 28 to photograph the fusion ring appearing near the solid-liquid interface and its mirror image on the melt surface of the auxiliary heating means is disposed outside the chamber and opposing the solid liquid interface.例文帳に追加

上記固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影する２次元ＣＣＤカメラ２８がチャンバ外に固液界面を臨むように設置される。 - 特許庁

To provide a hot melt adhesive composition preventing air from being included in the interface between a hot melt adhesive layer and an adherend by flexibly corresponding to a part of the surface of the adherend having unevenness of several μm's, and hardly causing fisheyes even when foreign matter, dust or the like is present, and to provide a film with the hot melt adhesive.例文帳に追加

被着体の表面に数μｍの凹凸のある部分にも柔軟に対応してホットメルト接着剤層と被着体の界面に空気が混入することがなく、また、異物や埃などがあってもフィッシュアイが発生しないホットメルト接着剤組成物およびホットメルト接着剤付きフィルムを提供せんことにある。 - 特許庁

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9.例文帳に追加

るつぼ３内のランガサイト融液８と種結晶２との固液界面９近傍に５点式熱電対１０を設けて、単結晶育成中（るつぼ下降中）に固液界面９近傍温度分布を測定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-phase sheet which can attain continuous production by suppressing solidification caused in the vicinity of an interface between the inner wall of a crucible and a semiconductor material melt.例文帳に追加

ルツボ内壁と半導体材料融液の界面付近から発生する凝固を抑制して、連続生産が可能な固相シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

Around the outer peripheral surface of a metal tube 1, a belt-like metal foil 3, whose material quality is different from that of the tube, is wound, and the interface between the tube and the foil is scanned with a laser beam to melt the metals.例文帳に追加

金属管１の外周面に、材質の異なる帯状の金属箔３をスパイラル上に巻き付け、その界面にレーザ光を走査させ金属を溶融させる。 - 特許庁

A target melt-solid interface shape corresponding to a substantially flat V/I curve is identified for each of a plurality of axial direction positions along the longitudinal direction of the crystal.例文帳に追加

結晶の長手方向に沿った複数の軸方向位置のそれぞれについて、実質的にフラットなV/I曲線に対応する目標メルト−固体界面形状を特定する。 - 特許庁

To provide a method for improving performances of a crystal growth program based on the temperature gradient at the crystal growth front (crystal-melt interface) in the Czochralski process.例文帳に追加

チョクラルスキー法において、結晶成長フロント(結晶−融液界面)での温度勾配にもとづいた結晶成長プログラムの性能改善方法を提供する。 - 特許庁

The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25.例文帳に追加

引上げ方法は、筒体４８とインゴット２５の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液１２に対流を起こさせてシリコン融液１２とインゴット２５との固液界面２６が上凸状になるように調整する。 - 特許庁

When the crucible 1 and the crucible shaft 9 move in the vertical direction, the position of a growing interface varies which is the boundary face between the melt 13 of a raw material and the crystal 15 of the raw material.例文帳に追加

坩堝１、及び坩堝軸９の垂直方向への移動によって、原料の融液１３と、原料の結晶１５との境界面である成長界面の位置が可変する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To markedly improve the yields of a GaAs single crystal by highly reproducibly controlling a solid-liquid interface profile so as for the interface to be convex toward the melt side throughout the entire growth process, especially, during the period till the pass of a seeding part through a liquid encapsulant.例文帳に追加

成長過程全般、特に種付け部が液体封止剤中を通過するまでの固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、ＧａＡｓ単結晶の収率を大幅に向上させることができるようにする。 - 特許庁

To improve the yield of production of an entire-area single crystal by preventing the surface of a melt at the solid-liquid interface from becoming concave by specifying the relationship between the length of the non-heat-generating region of a heater and the liquid phase height of the raw material melt in a method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、ヒータの非発熱領域長さと原料融液の液相高さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上させる。 - 特許庁

In the printed-wiring board, an insulating reinforcing layer containing a thermosetting resin having a minimum melt viscosity of 2,000 Pa s or more is mounted on an interface between an insulating base material that includes a wiring circuit and the insulating layer.例文帳に追加

配線回路を含む絶縁基材と絶縁層の界面に、２０００Ｐａ・ｓ以上の最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂が含まれている絶縁強化層を設けたプリント配線板。 - 特許庁

These magnetic flux densities B_0, B_min and B_max are each made in a predetermined range, thereby suitably controlling the ascending flow and the temperature of the silicon melt 12 below the solid-liquid interface 15a.例文帳に追加

そして、これ等の磁束密度Ｂ_０、Ｂ_ｍｉｎ、およびＢ_ｍａｘが所定の範囲になるようにし、固液界面１５ａ下部のシリコン融液１２の適正な上昇流と温度の制御を行う。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁

An electric current flows between the electrodes 54, 55 by the contact, the current is detected with the ammeter 58, and the position of the upper interface of the raw material melt B is measured by the detection of the current.例文帳に追加

この接触により，電極５４，５５間に電流が流れ，電流計５８によって電流が検出され，その電流の検出により原料融液Ｂの上界面の位置が測定される。 - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

When a silicon single crystal is pulled from a silicon melt, a defect-free crystal is produced stably with good reproducibility by controlling the relation between the form of solid-liquid interface being the boundary of the silicon melt and the silicon single crystal and the temperature distribution at the side face or the single crystal being pulled to be optimum.例文帳に追加

シリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるにあたって、シリコン融液とシリコン単結晶の境界である固液界面の形状と、引き上げ中の単結晶の側面における温度分布と、の関係を適切に調整することによって、無欠陥結晶を安定かつ再現性よく製造することを可能にする。 - 特許庁

To increase the crystal growth speed of a group III nitride crystal and to grow the group III nitride crystal having a practical crystal size at a low cost by positively utilizing the fluctuation of the liquid surface (gas-liquid interface) of a mixed melt.例文帳に追加

混合融液の液面（気液界面）の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁

A deposition preventing means 6 to prevent impurity crystals 2 generated by natural nucleus production from depositing on the seed crystal 3 is provided between a gas-liquid interface 5A of the growth source melt 5 containing the flux and the seed crystal 3.例文帳に追加

フラックスを含む育成原料融液５の気液界面５Ａと種結晶３との間に、自然核発生により生じた雑晶２の種結晶３への付着を防止する付着防止手段６を設ける。 - 特許庁

To attach/detach a front surface lens, to simplify a structure of a lamp and to improve assembling workability by making a sealing material by gel low adhesive hot melt performing interface peeling when a lamp body and a front surface lens via the sealing material are peeled.例文帳に追加

ランプボディにシール材を介して前面レンズが取り付けられてなる車両用灯具において、前面レンズを着脱可能とした上で、灯具構造の簡素化および灯具の組立作業性向上を図る。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

In the method for growing the group III nitride crystal, comprising growing the group III nitride crystal from a mixed melt containing a flux and at least a group III metal and nitrogen by reacting the group III metal and nitrogen, at least one melt of the group III metal and the flux is filled in the interface for growing the group III nitride crystal.例文帳に追加

フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 - 特許庁

The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.例文帳に追加

シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation.例文帳に追加

チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。 - 特許庁

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.例文帳に追加

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁

A control system is responsive to the stored profile to generate one or more control signals to control one or more output devices such that the melt-solid interface shape follows the target shapes as defined by the profile during crystal growth.例文帳に追加

制御システムは、記録したプロファイルに対応して制御信号を発生させ、結晶成長の間、前記プロファイルによって規定されるようにメルト−固体界面形状を目標形状に従わせて出力デバイスを制御する。 - 特許庁

Stable growth of the crystal is realized by suppressing compositional supercooling by providing a mechanism capable of stirring a melt in a crucible with ultrasonic waves and diffusing the impurities segregated in the vicinity of the interface.例文帳に追加

坩堝内の融液を超音波により攪拌することができる機構を設け、偏析による界面付近の不純物を拡散することにより、組成的過冷却を抑え、以って安定した結晶成長を行うことができることとした。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

While a GaN crystal is grown by an Na flux method, the distance from the GaN crystal surface in a mixture melt to a gas-liquid interface is kept to 10 mm or less, and a crucible and a seed crystal are independently rotated in the following rotation mode.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成中、混合融液中のＧａＮ結晶表面から気液界面までの距離を１０ｍｍ以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

Further, the pulling rate of the silicon single crystal 11 is controlled, whereby the thermal stress at a central part of the silicon single crystal 11 located on the solid-liquid interface 33 between the silicon single crystal 11 and the silicon melt 15 is controlled to be ≤50 MPa.例文帳に追加

またシリコン単結晶１１の引上げ速度を制御することにより、シリコン単結晶１１とシリコン融液１５との固液界面３３上であってシリコン単結晶１１の中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁