「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a clock synchronizing type semiconductor memory of which characteristics can be easily verified and evaluated.例文帳に追加

特性の検証評価が容易なクロック同期型の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To identify a physical object having random characteristics by using a memory tag.例文帳に追加

メモリタグを用いてランダムな特徴を有する物理オブジェクトの認証を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which characteristics of a setup time and a hold-time are improved.例文帳に追加

セットアップ時間やホールド時間の特性が改善された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor having superior various types of characteristics, and to provide a ferroelectric memory and an electronic device.例文帳に追加

各種特性に優れるキャパシタ、強誘電体メモリおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a nonvolatile memory of good charge retaining micronized characteristics.例文帳に追加

微細化され、かつ、電荷保持特性の良好な不揮発性メモリを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SPIN-DEPENDENT TRANSFER CHARACTERISTICS, AND NONVOLATILE MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which is enhanced in isolation characteristics.例文帳に追加

分離特性が向上した不揮発性半導体記憶装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

HOLOGRAM MEMORY CONSISTING OF LITHIUM NIOBATE SINGLE CRYSTAL WITH IMPROVED PHOTOINDUCED REFRACTIVE INDEX CHARACTERISTICS AND PHOTOMULTIPLYING DEVICE USING THE MEMORY例文帳に追加

光誘起屈折率特性を改良したニオブ酸リチウム単結晶からなるホログラムメモリおよび該メモリを用いた光増幅装置。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and its manufacturing method by which data retention characteristics are improved and a memory cell is made to be minute.例文帳に追加

データ保持特性を向上し、かつメモリセルを微細化することが可能となる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To optimally adjust the faulty operating margin depending on the memory cell characteristics in a static semiconductor memory.例文帳に追加

スタティック型半導体メモリの動作マージン不良をメモリセル特性に応じて最適に調整する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor having superior hysteresis characteristics, a ferroelectric memory and a ferroelectric film suitable for the ferroelectric memory and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタ、および誘電体メモリを提供することにある。 - 特許庁

To suppress degradation in the characteristics of a ferroelectric memory under utilization environments or during manufacturing processes of the ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリの使用環境下および製造工程中において、強誘電体メモリの特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

Thereby, variation of characteristics is grasped by the test memory cell array in which rewriting is performed more than that in the memory cell array.例文帳に追加

それにより、本体メモリセルアレイに比べ書き換えがより多く行われたテストメモリセルにより特性の変化を把握する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which includes a floating gate electrode and which can prevent electric characteristics of a memory cell transistor from deteriorating.例文帳に追加

浮遊ゲート電極を含んでおり、メモリセルトランジスタの電気的特性劣化を防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory and its test method in which characteristics of a memory can be tested without performing bake-processing.例文帳に追加

ベーク処理を行うことなく、メモリの特性をテストすることのできる強誘電体メモリ及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

To provide an NbC-added Fe-Mn-Si shape memory alloy showing shape memory characteristics without performing specific treatment called as training.例文帳に追加

トレーニングという特殊処理を施さなくても形状記憶特性を示すＮｂＣ添加Ｆｅ-Ｍｎ-Ｓ-ｉ系形状記憶合金を提供する。 - 特許庁

To inhibit a drop in coupling ratio of a memory cell, and improve characteristics in a NAND nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型の不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルのカップリング比が低下するのを抑制し、特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a compatible memory controller used together with a memory device having different timing characteristics.例文帳に追加

異なるタイミング特性を有するメモリ・デバイスと共に使用する適合的なメモリ・コントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory of a twin cell system, in which proper retention characteristics are kept and plane occupancy area of a memory cell part can be reduced.例文帳に追加

良好なRetention特性を維持しつつ、メモリセル部分の平面占有面積を小さくできるツインセル方式の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a phase variation memory having stepwise programming characteristics and for forming a phase variation memory with high density.例文帳に追加

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリを形成し、相変化メモリの高密度化をはかる手法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the threshold voltage of transistors in the memory cell 100 is kept low, thereby improving the operating characteristics of the semiconductor memory device at low power supply voltages.例文帳に追加

また、メモリセル１００内のトランジスタの閾値電圧を抑えることにより、低電源電圧での半導体記憶装置の動作特性が向上される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of achieving a reduced circuit scale and improving characteristics, by reducing parasitic capacity of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの寄生容量を低減して、回路規模の縮小や特性の向上を実現することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory module for preventing characteristics from being deteriorated by mounting twice as many semiconductor memory chips as that in conventional specifications.例文帳に追加

従来の仕様に対して２倍の半導体記憶チップを搭載することが可能となり、特性を悪化させることのないメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

A plurality of feedback signals which are adjusted to specified frequency characteristics are generated in a feedback processing part from a memory means to the input of a memory means.例文帳に追加

メモリ手段からメモリ手段の入力への帰還処理部の中で所定の周波数特性に調整された複数の帰還信号を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which operation characteristics of a sense amplifier are not degraded even if memory cell array power source voltage is dropped.例文帳に追加

メモリセルアレイ電源電圧が低くなってもセンス増幅器の動作特性が低下しない半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To improve the shape and characteristics of a ferroelectric capacitor at the terminal end of a memory block in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリブロック終端における強誘電体キャパシタの形状および特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a memory array superior in noise characteristics and small in size, and to provide a semiconductor integrated circuit device having such a memory array.例文帳に追加

雑音特性が優れ、かつサイズが小さいメモリアレイ及びそのメモリアレイを備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device with uniform characteristics of memory cell transistors, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルトランジスタの特性が均一な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Continuously, a value representing characteristics of memory nonlinear distortion caused by the memory effects of the amplifier is calculated (step S30).例文帳に追加

続いて、増幅器のメモリ効果に起因するメモリ非線形歪みの特性を表す値が算出される（ステップＳ３０）。 - 特許庁

To provide a memory device capacitor which allows realization of a high integration semiconductor memory device, having proper fatigue characteristics, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

疲労特性がよく、高集積の半導体メモリ素子の実現が可能なメモリ素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By applying a voltage to the memory device 100, the resistance value of the organic active layer 20 exhibits bistability and memory characteristics are realized.例文帳に追加

このようなメモリ素子１００に電圧を印加すると、有機活性層２０の抵抗値が双安定性を示し、メモリ特性を実現する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory capable of suppressing deterioration in element characteristics of a memory cell accompanying microfabrication.例文帳に追加

微細化に伴うメモリセルの素子特性の劣化を抑制できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having stable element characteristics, and also a method of forming an STI (Shallow Trench Isolation) insulating film in the memory.例文帳に追加

安定した素子特性を有する不揮発性半導体メモリとそのＳＴＩ絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve a read disturb characteristics in an NAND type nonvolatile memory, wherein a charge storage means is discretized in plane within a memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタ内で電荷蓄積手段が平面的に離散化されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのリードディスターブ特性を改善する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus that stores data in flash memory reflecting recording characteristics of the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの記録特性を反映してフラッシュメモリにデータを格納する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a memory layer such as the inversion of magnetization and the maintenance of the magnetization direction of the memory layer in a magnetoresistance effect device.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。 - 特許庁

To reduce read errors of stored-value caused by the variation of characteristics of a memory transistor in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリにおいて、メモリトランジスタの特性ばらつきに起因する記憶値の誤読み出しを低減する。 - 特許庁

To attain the high speed of random cycle time being characteristics of a semiconductor memory circuit such as a fast cycle random access memory.例文帳に追加

ファーストサイクルランダムアクセスメモリ等の半導体メモリ回路の特徴であるランダムサイクルタイムの高速化を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that suppresses variations in characteristics between memory cells located at different layers.例文帳に追加

異なる階層に位置するメモリセル間の特性のばらつきを抑制できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic disk memory device having an in-plane mag netic memory medium which has good overwriting characteristics and is small in medium noise.例文帳に追加

オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音も小さい面内磁気記憶媒体を有する磁気ディスク記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing deterioration of capacitor characteristics at a terminal end of a memory cell block, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルブロック終端部でのキャパシタ特性の劣化を防止する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing the influence of dispersion of characteristics of a memory cell, thereby realizing stable data discrimination.例文帳に追加

メモリセルの特性バラツキの影響を抑制し、安定的なデータ判別を可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a dynamic type memory cell superior in memory holding characteristics, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

記憶保持特性が良好なダイナミック型メモリセルを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device with a small-area capable of highly accurately measuring the electric characteristics of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの電気的特性を高精度に測定することが可能な小面積の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁