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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > memory characteristicsに関連した英語例文

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memory characteristicsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1018



例文

To provide a nonvolatile semiconductor storage device having such a memory cell constitution that the variation of the shapes of memory cells, which are arranged adjacently to each other in a mirror image relation caused by the asymmetry between the sources and drains of the memory cells does not affect the apparent characteristics of the memory cells.例文帳に追加

セルのソース、ドレイン間における非対象性に起因した、互いに鏡像の関係にある隣接したメモリセルの形状におけるばらつきを、外部から見た特性上には影響しないようなメモリセルの構成を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery having high storage characteristics in lithium secondary battery usable as a power source for memory backup or the like.例文帳に追加

メモリーバックアップ用電源等として用いることができるリチウム二次電池において、保存特性に優れたリチウム二次電池を得る。 - 特許庁

To provide a spin torque magnetic memory having perpendicular magnetization, which reinforces perpendicular magnetic anisotropy to achieve information holding characteristics.例文帳に追加

垂直磁化を有するスピントルク型磁気メモリにおいて、垂直磁気異方性を強化し、高い情報保持特性を実現させる。 - 特許庁

A memory address m is then determined based on this quotient without executing correction calculation of the characteristics of the wavelength filter 109.例文帳に追加

この商に基づいて、波長フィルタ109の特性の補正計算は行わないまま、メモリアドレスmを決定する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor memory guaranteeing operation characteristics of an SDRAM by preventing disturbance of a clock signal waveform when the SDRAM is increased.例文帳に追加

SDRAMを増設したときのクロック信号波形の乱れを防止して、SDRAMの動作特性の保証をする半導体メモリを提供すること。 - 特許庁


例文

To produce a copper base alloy having high shape memory characteristics and superelasticity wile maintaining excellent workability.例文帳に追加

優れた加工性を維持しながら、高い形状記憶特性及び超弾性を持つ銅系合金、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform a test of refresh characteristics in a semiconductor memory device having a function of refreshing without being instructed externally.例文帳に追加

外部から命令されることなくリフレッシュする機能を有する半導体記憶装置でリフレッシュ特性のテストを実施する。 - 特許庁

The polyimide film formed as a variable resistor enhances the characteristics and reliability of the resistance memory device.例文帳に追加

前記ポリイミド膜が可変抵抗体として提供されることにより、抵抗メモリ素子の特性及び信頼性が向上する。 - 特許庁

To suppress random variation in transistor characteristics which becomes remarkable by downsizing, in a memory such as an SRAM etc.例文帳に追加

SRAM等のメモリにおける、微細化で顕著になるトランジスタ特性のランダムばらつきを抑制する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device that obtains a memory cell excellent in electrical characteristics even when the semiconductor device is miniaturized, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

微細化した場合であっても電気的特性の良好なメモリセルを得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To obtain a magnetoresistive effect memory element in which good characteristics can be attained even in a multilayer film structure.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子において、多層膜構造中においても良好な特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory element using a resistance change phenomenon having reversibly stable rewrite characteristics.例文帳に追加

可逆的に安定した書き換え特性を有する抵抗変化現象を利用した不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a flash memory gate electrode 11 is formed, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation for protecting the gate electrode and stabilizing its characteristics.例文帳に追加

そしてフラッシュメモリーのゲート電極11を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜12を熱酸化形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor memory device which includes a capacitor having a high aspect ratio and having no degradation of the capacitor characteristics.例文帳に追加

キャパシタ特性の劣化を防いだ、高アスペクト比のキャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A floating gate with no pointed shape is formed, whereby a semiconductor memory device can be improved in data storage characteristics.例文帳に追加

尖端形状の無い浮遊ゲートを形成することにより、半導体記憶装置のデータ保存特性を向上させることができる。 - 特許庁

Then, malicious access is prevented by effectively using the security characteristics by the non-rewritable memory 14 and the module group 20A.例文帳に追加

そして、悪意のあるアクセスに対しては書き換え不能メモリ14とモジュール群20Aによるセキュリティ性を有効に用いて防止する。 - 特許庁

A memory 25 memorizes luminous flux maintenance characteristics (data showing a luminous flux maintenance curve) corresponding to the lighted state of each LED module 30.例文帳に追加

メモリ25は、LEDモジュール30の各点灯状態に対応した光束維持特性(光束維持曲線を示すデータ)を記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of extending an output voltage range without deteriorating characteristics of a sense amplifier circuit.例文帳に追加

センスアンプ回路の特性を劣化させることがなく、かつ、出力電圧レンジを大きく取ることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a non-volatile memory transistor and the manufacturing method thereof wherein the characteristics of its reloadable times is improved.例文帳に追加

書換え可能回数特性が向上された、不揮発性メモリトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the reliability of a ferroelectric memory by preventing the degradation of the characteristics of a ferroelectric film constituting a capacity insulation film.例文帳に追加

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜の特性の劣化を防止することによって、強誘電体メモリの信頼性を向上させる。 - 特許庁

To improve electrical characteristics of a semiconductor device, having a memory capacitor by expanding the effective area of the capacitor.例文帳に追加

メモリキャパシタを有する半導体装置において、キャパシタの実効面積を拡大することにより、電気的特性を向上させる。 - 特許庁

To prevent the deterioration of hot-carrier characteristics by the injection of charges from a memory cell to a peripheral-circuit transistor.例文帳に追加

メモリセル部から周辺回路トランジスタへ電荷が注入されてホットキャリア特性が劣化することを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high reliability by preventing the data holding characteristics of a memory cell having a trap film from deteriorating.例文帳に追加

トラップ膜を有するメモリセルのデータ保持特性の劣化を防止し、信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can satisfy the drain disturb characteristics and minimize a decline of current in electron injection state.例文帳に追加

ドレインディスターブ特性が満足でき、電子注入状態における電流の低下が抑制される半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

A factor data memory 122 sends definition data (fi) of filter characteristics corresponding to the characteristic specifying data to a receiving filter.例文帳に追加

係数データメモリ122はこの特性指定情報に対応するフィルタ特性の定義情報fiを受信フィルタに供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a ferroelectric memory in which an internally formed capacitor is improved in characteristics.例文帳に追加

内部に形成されるキャパシタの特性を向上することができる強誘電体メモリ等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a ferroelectric film exhibiting sufficient polarization characteristics even in the case of a microvolume indispensable to obtain a high integration semiconductor memory device.例文帳に追加

高集積半導体記憶装置の実現に不可欠な微小体積においても、十分な分極特性を有する強誘電体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a flash memory element, having improved electrostatic discharge characteristics in which current failure of internal circuit can be prevented.例文帳に追加

内部回路の電流フェールを防止することができ静電放電特性が改善されたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the capacity of a capacitor and data retention characteristics can be enhanced furthermore, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

キャパシタ容量およびデータ保持特性をさらに向上させることができる半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method for more exactly discriminate the damage of memory data by avoiding coincidence while utilizing characteristics peculiar to a RAM.例文帳に追加

RAMの固有の特性を利用することにより、偶然の一致を避けることができるので、より正確なメモリデータの破損判定方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive digital television receiver capable of performing excellent image display by using a line memory and a digital display with various characteristics.例文帳に追加

ラインメモリを用い、様々な特性のデジタル表示装置で良好な画面表示が可能な安価なデジタルテレビを提供する。 - 特許庁

The monitoring section monitors the characteristics of the nonvolatile memory device to which data writing processing and data erasing processing are performed.例文帳に追加

モニタ部は、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing a fluctuation in initial characteristics, deterioration in endurance and a characteristic variation, and its manufacturing method.例文帳に追加

初期特性変動、エンデュランス劣化、特性バラツキを抑制することができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Spectral sensitivity characteristics Es (λ) of a photographic element, corresponding to still image photographing, is stored in a flash memory 201c.例文帳に追加

Flashメモリ201cに静止画撮影時に対応する撮像素子の分光感度特性Es(λ)を記憶しておく。 - 特許庁

Voltage-current characteristics of a specified pixel PX are measured and data of one line are recorded in a line memory MR1.例文帳に追加

特定画素PXの電圧—電流特性を測定して一ライン分のデータをラインメモリMR1に記録する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of generating a predetermined negative voltage according to required erasure characteristics.例文帳に追加

要求される消去特性に応じて、所定の負電圧を発生させることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thus, countermeasures are taken against faulty read-out margins and write-in margins depending on the memory cell characteristics in this voltage selection.例文帳に追加

この電圧選択においてメモリセル特性に応じて読出マージン不良、または書込マージン不良対策を施すことができる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory which allows a recovery anneal after forming wiring contact holes and can realize good ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加

配線コンタクト開口後の回復アニールが可能となり、良好な強誘電体キャパシタ特性が実現できる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The memory circuit 16 stores the characteristics of the elements constituting the gate driver 13 and the source driver 14 as storage data.例文帳に追加

メモリ回路16は、ゲートドライバ13およびソースドライバ14を構成する素子の特性を記憶データとして、記憶する。 - 特許庁

To enhance the information charge retaining characteristics of a nonvolatile semiconductor memory and to facilitate low voltage high rate opera tion thereof.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の情報電荷の保持特性を向上させると共に、その動作の低電圧化および高速化を容易にする。 - 特許庁

The calculated correction value of the amount of characteristics is housed in a table in a memory by corresponding to angles of the X-ray imager.例文帳に追加

算出された特徴量の補正値は、X線イメージャの角度と対応づけてメモリ内のテーブルに格納される。 - 特許庁

To attain high integration of a ferroelectric memory cell without deteriorating disturbance characteristics of a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタのディスタープ特性を損なうことなく、強誘電体メモリセルの高集積化を実現する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory element for obtaining high-speed and low power characteristics, and a method for manufacturing this.例文帳に追加

本発明は、高速及び低電力の特性が得られる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device and a method for manufacturing the same, capable of improving the electrical characteristics of a high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜の電気的な特性を向上させる事ができる非揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the time and effort for extraction of characteristics and preparation of specifications document for a memory cell of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置のメモリセルの特性抽出、仕様文書の作成等の手間を軽減できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory device having concave BST capacitors of which the step coverage is good and reliability in electrical characteristics is high.例文帳に追加

ステップカバレッジに優れ、電気的特性の信頼性の高い、凹状構造のBSTキャパシタを有するメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display device and the like having a pixel with built-in memory circuit incorporating pixel regardless of characteristics of a voltage detection element.例文帳に追加

電圧検知素子の特性によらないメモリ回路内蔵画素を有するディスプレイ装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a driver control device and method for a semiconductor memory which improves impedance characteristics so as to reduce a layout area.例文帳に追加

インピーダンス特性を改善してレイアウト面積を縮小させるようにした半導体メモリ装置のドライバ制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that allows improving the data retention characteristics of a variable resistance element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

可変抵抗素子のデータ保持特性を向上させることのできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a memory apparatus capable of selectively applying different types of connectors, using a single printed circuit board and improving signal characteristics at high-speed operations.例文帳に追加

単一の印刷回路基板で、異種のコネクタを選択的に適用でき、高速動作時信号特性を改善できるメモリ装置を提供する。 - 特許庁

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