「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A monitor pixel characteristic evaluation and storage section 104 receives respective-color luminance information measured by using a monitor section 300, evaluates light emission characteristics of respective colors from values thereof, and stores the characteristics in a memory for light emission characteristic calculation while making them correspond to the cumulative numbers of pulses.例文帳に追加

監視画素特性評価記憶部１０４は、監視部３００を用いて測定した各色輝度情報を取り込み、その値から各色の発光特性を評価して、累積パルス数と対応付けて発光特性算出用メモリに記憶する。 - 特許庁

The system transmits the detected result after such adjustment and the correction data of sensor element characteristics stored in a memory 13 through the non-contact magnetic field coupling, to the reading device 20 and performs correction computing of the sensor element characteristics of the correction data for the detected result.例文帳に追加

このような調整後の検出結果と、メモリ１３に格納されたセンサ素子特性の補正データとは、非接触の磁界結合を介して、装置２０へ送信され、検出結果に対する補正データのセンサ素子特性の補正演算が行われる。 - 特許庁

To obtain a color converter and a color conversion method that can flexibly revise conversion characteristics without the need for a large capacity memory by reducing nonlinear characteristics of an input signal so as to independently correct 6 hues and areas among the hues.例文帳に追加

入力信号の有する非線形特性を低減し、６つの色相と各色相間の領域を独立に補正することにより、変換特性を柔軟に変更して、大容量メモリを必要としない色変換方法または色変換装置を得る。 - 特許庁

The memory chip of a semiconductor device, especially a DRAM, etc., has a region 15 where a protection film 8 (a first insulation layer) is removed for tests (electrical characteristics test such as a function test), the fine control of characteristics (such as salvation of a fuse), and corrections, etc.例文帳に追加

メモリチップ、特にＤＲＡＭなどの半導体装置であって、検査（機能テスト等の電気的特性検査）や特性微調整（ヒューズ救済等）・修正等の目的のために保護膜８（第１の絶縁層）を除去した領域１５を有する。 - 特許庁

As for a defective pixel of an image sensor, a defective pixel with temperature characteristics which varies in level with temperature and a defective pixel with no temperature characteristics which does not depend upon temperature are discriminated and pieces of position information on the defective pixels are stored in a memory 30.例文帳に追加

イメージセンサの欠陥画素として、温度によりレベルが変動する温度特性ありの欠陥画素と、温度に依存しない温度特性なしの欠陥画素とを区別して、それぞれの欠陥画素の位置情報をメモリ３０に記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a stack-capacitor structure in which the increase of a via-hole resistance is inhibited even by a high-temperature treatment in an oxygen atmosphere for improving the polarization characteristics of a ferroelectric capacitor, and which has excellent characteristics, and to provite its manufacturing method and the ferroelectric memory using it.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの分極特性改善のため、酸素雰囲気での高温処理を行ってもビアホール抵抗の増大が抑えられ良好な特性のスタックキャパシタ構造を有する半導体装置及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To obtain a color converter and a color conversion method that can flexibly revise a conversion characteristics without the need for a large capacity memory by reducing nonlinear characteristics of an input signal so as to independently correct 6 hues and areas among the hues.例文帳に追加

入力信号の有する非線形特性を低減し、６つの色相と各色相間の領域を独立に補正することにより、変換特性を柔軟に変更して、大容量メモリを必要としない色変換方法または色変換装置を得る。 - 特許庁

To make a resin composition for precision sliding parts such as a carriage in a printer or an optical or a magneto-optical type memory-reading device, etc., satisfy required precision moldability and dimensional stability and have a low coefficient of friction, stable sliding characteristics and characteristics excellent in abrasion resistance.例文帳に追加

プリンターや光式または光磁気式の記憶・読み取り装置などにおけるキャリッジ等の精密摺動部品用樹脂組成物が、所要の精密成形性および寸法安定性を満たすと共に、低摩擦係数で安定した摺動特性で耐摩耗性に優れた特性のものにすることである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory configured to eliminate the failure accompanying writing by eliminating the need for writing information to a reference voltage generation circuit and to prevent a change in characteristics with lapse of time without losing the advantage that follows up the fluctuation in the memory cell characteristics by the variation in reference voltage in manufacturing.例文帳に追加

基準電圧発生回路に情報を書き込むことを不要にすることで書込に伴う不具合を解消するとともに、基準電圧が、製造上のばらつきによるメモリセル特性の変動に追従する利点を失うことなく、経時的な特性の変化を防止できるようにした不揮発性メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

A program managing device 1 dynamically optimizes and distributes a program according to the execution environment by referring to the available memory usage of a program executing device 2, program characteristics 141 storing the characteristics of a program to be executed by the program executing device 2, and client characteristics 142 storing the execution environment of the program executing device 2.例文帳に追加

プログラム管理装置（１）は、プログラム実行装置（２）の利用可能メモリ量、プログラム実行装置（２）で実行するプログラムの特性を格納したプログラム特性（１４１）およびプログラム実行装置（２）の実行環境を格納したクライアント特性（１４２）を参照し、プログラムを実行環境に合わせて動的に最適化し、配布する。 - 特許庁

To satisfy leakage characteristics and satisfy charge retention characteristics even in the case that the leakage current characteristics are centered during positive and negative application and a capacity insulation film having asymmetry is used in a memory cell structure capable of obtaining the sufficient capacity value of a semiconductor storage device and in the case that leakage current exceeds a target set value in applying one polar bias.例文帳に追加

半導体記憶装置の十分な容量値を得ることができるメモリセル構造において、正負バイアス印加時でのリーク電流特性が０Ｖを中心に非対称性をもつ容量絶縁膜を使用する場合で、かつ、一方の極性のバイアスを印加した際にリーク電流が目標設定値を越えてしまう場合にでも、リーク特性を満足させ、電荷保持特性を満足させる。 - 特許庁

To provide an organic photoreceptor, capable of simultaneously solving the contradicting characteristics of adhesiveness of foreign substances to the organic photoreceptor and wear-resistance characteristics, preventing the occurrence of dash marks and black dots, preventing the occurrence of a transfer memory, and to provide potential characteristics proper in long term and providing proper electrophotographic images, and to provide a process cartridge using the organic photoreceptor and an image forming apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は有機感光体の対異物付着性と耐摩耗特性との相反する特性を同時に解決し、ダッシュマークや黒ポチの発生を防止し且つ転写メモリーの発生を防止し長期的に良好な電位特性と良好な電子写真画像を提供できる有機感光体を提供することであり該有機感光体を用いたプロセスカートリッジ、画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a storage subsystem having a communication path selection method considering characteristics of a memory region in the storage subsystem, characteristics of an access from a host and characteristics of a communication path, furthermore, a storage subsystem having a function of instructing adding, erasing and switching of the communication path in accordance with a circumstance by observing a condition of the communication path.例文帳に追加

ストレージサブシステム内の記憶領域の特性と、ホストからのアクセス特性と、通信路の特性を考慮した通信路選択方法を有するストレージサブシステム、さらに、通信路の状態を随時観察し、状況に応じて通信路の追加、削除、切替えを指示する機能を有するストレージサブシステムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: a memory cell 1 connected to a bit line BL and comprising a ferroelectric capacitor 3 having hysteresis characteristics; and a chopper comparator 2 connected to the bit line BL and reading out data stored in the memory cell 1.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、ビット線ＢＬに接続され、ヒステリシス特性を有する強誘電体キャパシタ３を含むメモリセル１と、ビット線ＢＬに接続され、メモリセル１に記憶されたデータを読み出すチョッパコンパレータ２とを備えている。 - 特許庁

To improve reliability of a ferroelectric memory device by measuring quantitatively bit line voltage due to residual electric charges of a ferroelectric capacitor of a ferroelectric memory device, and enabling to evaluate deviation from characteristics and the degree of deterioration of the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体記憶装置の強誘電体コンデンサの残留電荷によるビット線電圧を、定量的に測定することにより、強誘電体コンデンサの特性ずれや、劣化度合いを評価可能にして、強誘電体記憶装置の信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric thin film having good hysteresis characteristics applicable to a ferroelectric capacitor, 1T1C, 2T2C type ferroelectric memory consisting of a select CMOS transistor, and simple matrix type ferroelectric memory, and the like.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ及び選択用ＣＭＯＳトランジスタからなる１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ型強誘電体メモリ及び単純マトリクス型強誘電体メモリ等に使用可能な良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a ferroelectric film exhibiting sufficient polarization characteristics even in the case of a microvolume indispensable to obtain a high integration semiconductor memory device, and to provide a method for manufacturing the semiconductor memory device employing the ferroelectric film as a capacitance insulating film.例文帳に追加

高集積半導体記憶装置の実現に不可欠な微小体積においても、十分な分極特性を有する強誘電体膜の形成方法及びその強誘電体膜を容量絶縁膜とする半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the yield can be improved by testing by using optimum stress applying voltage and discrimination voltage in accordance with internal generation voltage characteristics in a test method of a nonvolatile semiconductor memory in which the gate voltage of a memory cell is generated internally in read-out.例文帳に追加

また、読み出し時にメモリセルのゲート電圧が内部生成される不揮発半導体記憶装置の検査方法においては内部生成電圧特性に応じた最適なストレス印加電圧と判定電圧で検査することで歩留り向上が図れる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device.例文帳に追加

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can reduce the size of a memory cell, without deteriorating the substrate bias characteristics of a transistor for transmission, and can increase the node capacity of the memory cell for improving the SER resistance.例文帳に追加

メモリセルサイズの縮小を行っても転送用トランジスタの基板バイアス特性が悪化されず、しかもメモリセルのノード容量を増大させてＳＥＲ耐性を向上し得る構造の半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic memory device which uses an iridium organometallic compound achieving a short switching time, a low operating voltage, low manufacturing cost, high reliability, and nonvolatile characteristics, and a method of manufacturing the organic memory device which can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.例文帳に追加

短いスイッチング時間、低い動作電圧、低廉な製造費用と、信頼性及び非揮発性特性が優れたイリジウム有機金属化合物を用いる有機メモリ素子、また、製造工程を単純化し、製造費用を節減できる有機メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent injection response and accuracy from lowering due to fluctuation in the operating characteristics of a shape memory element by heat radiation to fuel, when injecting the fuel with its temperature being low such as cold starting in a fuel injection valve provided with the shape memory element as an actuator.例文帳に追加

アクチュエータとして形状記憶素子を備えた燃料噴射弁において、冷間始動時など燃料温度が低い状態での燃料噴射時に、燃料への放熱により形状記憶素子の作動特性が変動して噴射応答および噴射精度が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing the deterioration of holding characteristics of memory cell storage charges caused by transitional voltage value unbalance between a power supply voltage VDD and a substrate voltage VBB during a change to a data retention mode or return from this mode.例文帳に追加

データリテンションモードへの移行、同モードからの復帰の際に、電源電圧ＶＤＤと基板電圧ＶＢＢの過渡的な電圧値のアンバランスにより、メモリセルの蓄積電荷の保持特性が悪化することを防止可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages.例文帳に追加

温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide a dielectric of a flash memory device which comprises a zirconium oxide film, having a high dielectric constant as a dielectric film, and has a low CET, superior leakage current characteristics and high reliability, and to provide the flash memory device, and their manufacturing methods.例文帳に追加

誘電膜として高い誘電率を有するジルコニウム酸化膜を備え、低いＣＥＴ、優れた漏れ電流特性及び高い信頼性を有するフラッシュメモリ素子の誘電体、フラッシュメモリ素子及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-density high-speed dynamic random access memory(DRAM) by satisfying the cut-off characteristics of transistors and high-level write compensation in the memory cell area of the DRAM and, at the same time, improving transistor driving forces in the peripheral circuit area of the DRAM.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するとともに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速ＤＲＡＭの実現を図る。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device, to decrease a cell size by forming a control gate within a minimum line width permitted in the fabrication process of a semiconductor memory device, and to efficiently obtain the operation characteristics of the device even in case of the decrease of the cell size.例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造工程で許容される最小の線幅の内側の領域にコントロールゲートを形成して、セルサイズを縮小することが可能であると共に、セルサイズの縮小時にも素子の動作特性が効率的に確保されるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To grasp the number of times of applying pulses in the case of write-in from the outside, to judge easily which page takes a much time for write-in, and to grasp a specific memory cell of a write-in unit address, distribution of respective characteristics in all memory cells, and the like.例文帳に追加

書込みを行う際のパルス印加回数をデバイス外部から把握可能にし、どのページが書込みに時間を要するのかを容易に判断可能にし、さらに書込み単位アドレスの特定のメモリセル、および全メモリセルにおけるそれぞれの特性の分布などについての把握を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the depth of an element isolation region is adjusted for each of different element formation regions such as a contact region, selective gate region, and memory cell region, for easy embedding of an insulating film for each element isolation region, resulting in improved reliability in electrical characteristics of element isolation regions.例文帳に追加

コンタクト領域、選択ゲート領域及びメモリセル領域等の異なる素子形成領域毎に素子分離領域の深さを調整して、素子分離領域毎に絶縁膜の埋め込みを容易にし、各素子分離領域の電気的特性の信頼性を向上する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a ferroelectric memory which reduces a thermal load for restoring the characteristics of a ferroelectric capacitor, and to provide the manufacturing method of a semiconductor device and the ferroelectric memory as well as the semiconductor device employing the manufacturing methods.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの特性を回復するための熱負荷を低減することができる強誘電体メモリの製造方法、半導体装置の製造方法、及びこの製造方法を用いた強誘電体メモリ、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To provide a method for forming the dielectric layer of a semiconductor memory device, which enhances the electrical characteristics of the semiconductor memory device by densifying the film when a dielectric layer having a laminate structure of first, second and third insulating layers is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜の積層構造を有する誘電体膜を形成するにあたり、膜質を緻密化させることにより、半導体メモリ素子の電気的特性を向上させることができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory where various characteristics of a memory cell transistor such as a data writing characteristic, a data holding characteristic, resistance to read-out stress or the like, and a cut off characteristic of a selective gate transistor both can be made excellent.例文帳に追加

データ書き込み特性、データ保持特性、読み出しストレスに対する耐性などのメモリセルトランジスタの様々な特性と、選択ゲートトランジスタのカットオフ特性とをともに良好にできる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent separation between an interlayer insulating film and a phase transformation film which constituts a memory layer of a phase transformation memory, and to prevent such a malfunction as the diffusion of constituent atoms of an adhesive layer interposed between the interlayer insulating film, and the diffusion of the phase transformation film in the phase transformation film to fluctuate characteristics of the phase transformation film.例文帳に追加

相変化メモリの記憶層を構成する相変化膜と層間絶縁膜との剥がれを防止すると共に、層間絶縁膜と相変化膜との間に介在する接着層の構成原子が相変化膜内に拡散して相変化膜の特性を変動させる不具合を防止する。 - 特許庁

To provide an organic memory element improved in operating characteristics, short in switching time, low in operating voltage, low in production cost, high in reliability, simplified in production process, enabling low-temperature treatment of its own, and applicable in producing flexible memory devices as well.例文帳に追加

有機メモリ素子の動作特性を向上させ、スイッチング時間が短く、動作電圧も低く、製造費用が低廉し、信頼性に優れ、製造工程を簡単化でき、低温処理が可能となり、フレキシブルメモリ素子の製造の際にも適用可能な有機メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which uses a carbon-based material for a variable resistance film and can be stably operated by stabilizing characteristics at an interface between a carbon film and an electrode and thus stabilizing a variable resistance characteristic, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a structure of semiconductor deice and its manufacturing method capable of suppressing defective contacting to a source/drain region of a memory cell transistor, without causing fluctuation in characteristics of a peripheral element, related to a logic semiconductor device mounted with a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを混載したロジック半導体装置に関し、周辺素子の特性変動等を生じることなく、メモリセルトランジスタのソース／ドレイン領域へのコンタクト不良を抑制する半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

To alleviate the burden of a complicated printing condition setting operation on a user for image data stored in the image memory part by unitary administration of an optimum printing condition per classification as set information with attention paid to the characteristics of image data recorded in an image memory part.例文帳に追加

画像記憶部に記録された画像データの特性に着目した分類毎に最適な印刷条件を設定情報として一元管理でき、画像記憶部に記憶された各画像データに対するユーザによる煩雑な印刷条件設定操作負担を軽減することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus wherein the unevenness of effective voltages applied to variable resistance elements, which is caused by a difference in wire length due to a positional difference in a memory cell array, can be eliminated, thereby suppressing the variation in resistance characteristics of the variable resistance elements between memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ内での位置の違いに起因する配線長の違いによる可変抵抗素子に加わる実効電圧の不均一を是正し、メモリセル間の可変抵抗素子の抵抗変化特性のばらつきを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, which can prevent malfunction caused by a leakage current and variations in characteristics and in manufacturing to reduce operating voltage by increasing a coupling capacity between a floating gate and a control gate, and a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

リーク電流による誤動作、特性のばらつき及び製造のばらつきを防止しながらフローティングゲートとコントロールゲートとの間の結合容量を増大させて動作電圧を下げることができる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory, in the memory cell structure to have the limited operation voltage region, which has been manufactured to show small difference in the processes and the characteristics which do not change as much as possible, in voltages other than the operating voltage.例文帳に追加

限られた動作電圧領域を持つようなメモリセル構造をとる強誘電体メモリにおいて、プロセス上の差異が小さく、かつ、特性も動作電圧以外はなるべく異ならないようにして作製された強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can improve charge retention characteristics of the flash memory device, and can prevent a smiling phenomenon of a tunnel oxide film and a dielectric film which are generated after a thermal treatment process of a source/drain region.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の電荷保持特性を向上させるとともに、ソース／ドレイン領域の熱処理工程後に発生するトンネル酸化膜および誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供。 - 特許庁

The selector 82 switches connection between a memory 84 and a correcting means 92 to connection between a memory 86 and the correcting means 92 according to the switching control signal Ss, so that transmitting characteristics C^rr of the correcting means 92 are switched from C^11 to C^10.例文帳に追加

セレクタ８２は、切替制御信号Ｓｓに基づいてメモリ８４と補正手段９２との接続をメモリ８６と補正手段９２との接続に切り替えるので、補正手段９２の伝達特性Ｃ＾ｒｒは、Ｃ＾１１からＣ＾１０に切り替えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a lower gate electrode of a peripheral circuit portion that is thicker than a lower gate electrode of a memory cell portion, establishes the stability of the electrical characteristics of a memory cell transistor and the stability of the operation of a peripheral circuit transistor, and is reduced in size at microlevel and is highly integrated.例文帳に追加

周辺回路部の下部ゲート電極がメモリーセル部の下部ゲート電極に比べて厚いとともにメモリーセル用トランジスタの電気的特性と周辺回路用トランジスタの動作の安定性が両立されており、かつ、微細化および高集積化が図られた半導体装置を提供する。 - 特許庁