「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve storage characteristics and suppress elevation of inner resistance after storage in a lithium battery for memory backup using manganese dioxide as a positive electrode material.例文帳に追加

正極材料として二酸化マンガンを用いるメモリバックアップ用などのリチウム電池において、保存特性を改善し、保存後における内部抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

To prevent occurrence of deterioration of access characteristics between output signal lines in a semiconductor memory in which input/output parts of each cell array are odd numbered pieces.例文帳に追加

各セルアレイの入出力部が奇数個である半導体記憶装置において、出力信号線間にアクセス特性の劣化が生じるのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for enhancing the electrical characteristics of a ferroelectric capacitor in a ferroelectric memory having a ferroelectric film formed by a sol gel method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゾルゲル法で形成した強誘電体膜を有する強電体メモリにおいて、強誘電体キャパシタの電気特性を向上させる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which suppresses deterioration in polarization characteristics of a ferroelectric capacitor by suppressing stress to the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタへのストレスを抑制し、強誘電体キャパシタの分極特性の劣化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a switch element, magnetoregistance effect element, and memory device using carbon nanotubes, the deterioration of whose characteristics due to their miniaturization is prevented by a simple structure.例文帳に追加

素子の小型化による特性の劣化が簡略な構造により防止された、カーボンナノチューブを用いたスイッチ素子、磁気抵抗効果素子およびメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell by which retention characteristics are improved and threshold voltage adjusting ions are prevented from moving.例文帳に追加

リテンション特性を向上させ且つしきい値電圧調節イオンの移動を防止することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can obtain large read voltages and is hardly affected by the changes in the hysteresis characteristics of the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

大きな読み出し電圧を得ることができ、しかも強誘電体キャパシタのヒステリシス特性の変化にも影響を受け難い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper-base alloy having shape memory characteristics and superelasticity and also having high yield stress even if crystal grains are so coarsened that bamboo structure is developed and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バンブー構造が発生するほど結晶粒を粗大化させても，高い降伏応力を有する，形状記憶特性及び超弾性を有する銅系合金及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To inhibit a degradation of transmission characteristics at data transmission even when enough software buffer memory for retransmission control cannot be secured in a mobile terminal device.例文帳に追加

移動端末装置で十分に再送制御用のソフトバッファメモリが確保されない場合においても、データ伝送時における伝送特性の劣化を抑制すること。 - 特許庁

To improve retention characteristics of a semiconductor memory having a ferroelectric capacitor storing data by the deviation of the polarization of a ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜の分極の偏位によってデータを記憶する強誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置のリテンション特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a limiter circuit which can output selectively one-level data from a binary high voltage value utilizing difference between surface breakdown characteristics of a high breakdown strength MOS transistor and a low breakdown strength transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタと低耐圧ＭＯＳトランジスタの表面ブレイクダウン特性の違いを利用し、二値の高電圧値を選択的に一値出力することができるリミッタ回路を有する半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

The control stage includes an early pipeline control circuit which allows the control units to pipeline pending memory cycles, based on an accessed region's characteristics.例文帳に追加

前記制御段は制御ユニットがアクセスされた領域の特性に基づき継続中のメモリサイクルをパイプライン化可能にする早期パイプライン制御回路を含む。 - 特許庁

The flash driver contains flash abstraction logic functioning as a manager for operating common characteristics to a plurality types of flash memory media.例文帳に追加

フラッシュドライバは、複数の異なるタイプのフラッシュメモリメディアに共通する特性を操作するためのマネージャとしての機能を果たすフラッシュ抽象化ロジックを含む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a ferroelectric capacitor including the formation of a seed layer having excellent characteristics, the ferroelectric capacitor and a ferroelectric memory device.例文帳に追加

優れた特性を有するシード層の形成を含む強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress deterioration in driving characteristics of a peripheral transistor or an nMIS transistor constituting a memory cell.例文帳に追加

周辺トランジスタやメモリセルを構成するｎＭＩＳトランジスタの駆動特性の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device capable of improving machining properties when forming a ferroelectric capacitor and forming the ferroelectric capacitor having improved ferroelectric characteristics.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを形成する際の加工性を向上し、良好な強誘電体特性を有する強誘電体キャパシタを形成できるようにした、強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stranded wire (10) having improved fatigue characteristics and produced from a shape memory material and/or a superelastic material, such as Ni/Ti or its alloy.例文帳に追加

改良された疲労特性を有しており、Ｎｉ／Ｔｉやその合金などの形状記憶材料および／または超弾性材料で作られているより線（１０）。 - 特許庁

To solve the problems of deterioration of data holding characteristics, data loss and imprint deterioration especially under high temperature environment about a data carrier system having a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリを備えたデータキャリアシステムについて、特に高温環境下でのデータ保持特性の劣化、データ消失、及びインプリント劣化の問題を解決する。 - 特許庁

To increase data holding characteristics of a flash memory by efficiently performing refresh processing without affecting the operation of a system even during system operation.例文帳に追加

システム運用中であっても、システムの運用に影響を及ぼすことなく効率よくリフレッシュ処理を行い、フラッシュメモリのデータ保持特性を高めることを可能とする。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor and its manufacturing method, in which the ferroelectric characteristics are satisfactory, and the exfoliation of an electrode film is hard to occur and to provide a ferroelectric memory device.例文帳に追加

強誘電体特性が良好であって、電極膜の剥離が生じにくい、強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a digital image exposure system capable of performing correction with respect to printing paper characteristics at the time of preparing print data from digital image data with a small memory capacity and at a high processing speed.例文帳に追加

デジタル画像データからプリントデータを作成する際の印画紙特性に関連する補正を、少ないメモリ容量でかつ速い処理速度で行うことができるデジタル画像露光システムを提供する。 - 特許庁

Since a deep trap is formed by doping with a transition metal in the high dielectric film, a retention characteristics of the nonvolatile semiconductor memory element is improved.例文帳に追加

これにより、高誘電膜内に遷移金属をドーピングして深いトラップを形成させるため、不揮発性半導体メモリ素子のリテンション特性を改善しうる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device having a tunnel oxide film excellent in characteristics by processing oxidation during a metal contact etching.例文帳に追加

金属コンタクトエッチング時に酸化工程を実施することによって、優れた特性を有するトンネル酸化膜を備えるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an anti-fuse section and a memory cell section with excellent programming characteristics and high reliability by securing a current difference before and after programming.例文帳に追加

プログラム前後の電流差を確保して、良好なプログラミング特性および高信頼性のある、アンチフューズ部とメモリセル部とを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device whose malfunction can be avoided and which can be stably operated even if the device has a multilayer structure in which each layer has different electrical characteristics.例文帳に追加

層毎に電気的特性差が異なる多層構造であっても誤動作を回避し、安定して動作する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the memory 1, the parameter groups which become foundation of calculation of filter coefficients constituting one frequency characteristic are written in, and the same address is allocated to each parameter group for every setting of the plurality of frequency characteristics.例文帳に追加

メモリ１には、１つの周波数特性を構成するフィルタ係数の算出の基礎となるパラメータ群が書き込まれ、複数の周波数特性の設定毎に同じアドレスが各パラメータ群に割り当てられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory comprising an MFSFET having a large on/off ratio and enhanced holding characteristics by eliminating the impact of spontaneous polarization of a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の自発分極の影響を無くし、オン・オフ比が大きく、保持特性の向上したＭＦＳＦＥＴを備えた半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

The solid memory has recording layers including a laminate structure of which the electric characteristics varies according to phase separation, wherein the laminate structure constitutes a superlattice structure composed of a film containing Sb atoms and a film containing Ge atoms.例文帳に追加

本発明の固体メモリは、相分離により電気特性が変化する積層構造を含む記録層を備えており、上記積層構造は、Ｓｂ原子を含む膜とＧｅ原子を含む膜とから成る、超格子構造を構成している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can maintain uniform distribution characteristics of impurities injected and manufacture a low working voltage transistor or flash memory cell.例文帳に追加

注入された不純物の均一な分布特性を確保し、低い動作電圧のトランジスタ又はフラッシュメモリセルを製造することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The copper-base alloy has shape memory characteristics and superelasticity and has recrystallized structure where bainitic phase (γ) is precipitated in at least either of austenitic (β) phase and grain boundary.例文帳に追加

形状記憶特性及び超弾性を有する銅系合金であって，再結晶組織が，オーステナイト（β）相内又は結晶粒界の少なくとも一方に，ベイナイト（γ）相を析出させている銅系合金。 - 特許庁

Also stored in the memory are expressions that provide mathematical relationships between the heating element dimensional values, the heating element electrical values, the ink characteristics, and the amplitude and duration of the optimum energy pluse.例文帳に追加

加熱要素の大きさの値、加熱要素の電気的数値、インクの特性及び最適名エネルギーパルスの大きさと時間との間の数学的名関係を与える数式もメモリに記憶される。 - 特許庁

This operation training apparatus for a refuse incinerator comprises a refuse characteristics memory 32 for storing past refuse characteristic data obtained from a real furnace, and a combustion model calculator 11 for simulating a combustion behavior by using a combustion model for the data.例文帳に追加

実炉から得られた過去のごみ質データを記憶するごみ質記憶装置32と、このごみ質データに対して燃焼モデルを用いて燃焼挙動を模擬する燃焼モデル演算装置11とを備えているごみ焼却炉の運転訓練装置。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method avoiding a deterioration in transistor characteristics in a memory cell transistor and the electric field concentration of a gate edge in the transistor for peripheral circuits.例文帳に追加

メモリセルトランジスタにおけるトランジスタ特性の劣化と、周辺回路用トランジスタにおけるゲートエッジの電界集中とをともに回避し得る半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To improve characteristics of a plurality of ferroelectric capacitors formed in a memory cell region or the like of a semiconductor having a capacitor regardless of a position for formation.例文帳に追加

キャパシタを有する半導体装置に関し、メモリセル領域などに形成される複数の強誘電体キャパシタの特性を形成位置に関わらずに向上させること。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which can control degradation in the characteristics of a ferroelectric capacitor during fabrication process, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

製造工程における強誘電体キャパシタの特性の劣化を抑制することができる強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology for improving the refresh characteristics of memory cells and reducing the occurrence of a kink phenomenon in the p- channel type MISFET of a peripheral circuit.例文帳に追加

メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させる技術を提供する。 - 特許庁

For each task performed by the reconfiguration device, a configuration code for achieving a plurality of circuits with different characteristics is generated and stored in a memory.例文帳に追加

再構成デバイスで実行するタスク毎に、それぞれ異なる特徴を持つ複数の回路を実現するためのコンフィグレーションコードを生成してメモリへ格納しておく。 - 特許庁

A tunnel magnetic resistance element TMR constituting a MTJ memory cell is elongated where aspect ratio is ≥1 to stabilize magnetization characteristics.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、磁化特性を安定化させるために、縦横比が１より大きい細長形状を有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device allowing the on-off characteristics of a cell transistor and the resistance to stress of writing and erasing to be compatible.例文帳に追加

セルトランジスタのオン／オフ特性と書込・消去のストレスに対する耐性とを両立させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit which has highly accurate amplification characteristics, with low power consumption and reduces layout area, and a semiconductor memory device using the same.例文帳に追加

高精度の増幅特性を有しつつ且つ低消費電力でレイアウト面積も小さいセンスアンプ回路、及びこれを用いた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric film which can be packaged in a micro CMOS circuit and indicates excellent residual polarization characteristics, and manufacturing method thereof, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細なＣＭＯＳ回路に搭載することができ、良好な残留分極特性を示す強誘電体膜とその製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To develop an alloy material suitable for use over a long period of time in the human body, i.e., a TiNi based alloy material having superelasticity and shape memory characteristics and also having the controllability of the elution of Ni ions.例文帳に追加

生体内での長期の使用に適合する合金材、即ち超弾性と形状記憶特性を有し且つＮｉイオンの溶出抑制性があるＴｉＮｉ系合金材を開発すること。 - 特許庁

To provide a display liquid for an electrophoresis display device utilizing fine particles having high electrophoretic velocity, free from colored dirt and contamination, and having excellent reflectance characteristics and memory properties.例文帳に追加

電気泳動速度が早い微粒子を利用した、色汚れやコンタミがなく反射率特性に優れ、かつメモリー性を有する電気泳動表示装置用表示液を提供する。 - 特許庁

Consequently, a sense amplifier for use in an operational amplifier, the memory cell of an SRAM or a storage device having high sensitivity characteristics can be provided.例文帳に追加

このため、感度の良好な特性を有するオペアンプ回路、ＳＲＡＭのメモリセルあるいは記憶装置に用いるセンスアンプを提供することができる。 - 特許庁

A color component distribution characteristic analysis part 105 generates color component distribution from the distribution of pixel units of the image data stored in the image memory part 103, analyzes its characteristics, and sends the result to a multicolor/monochrome determining part 106.例文帳に追加

色成分分布特徴解析部１０５は、画像記憶部１０３に格納された画像データの画素単位の分布により色成分分布を生成して、その特徴を解析し、多色／単色判定部１０６へ送る。 - 特許庁