「memory characteristics」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To give stable characteristics to all memory cells included in a memory cell block, in a semiconductor device comprising a memory cell region including a plurality of memory cells.例文帳に追加

本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which an optimum reading/verify operation is executed in accordance with variance in memory cell characteristics during production and fluctuation in the characteristics over time.例文帳に追加

メモリセル特性の製造時のばらつきや経時的な変動に対応して、最適な読み出し／ベリファイ動作を実行することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a disk array control device considering characteristics of data stored in a cache memory and a shared memory and access characteristics to these memories and having high throughput and a short response time.例文帳に追加

キャッシュメモリ及び共有メモリに格納されるデータの特性及びこれらのメモリへのアクセス特性を考慮した、スループットが高く、かつ、応答時間の短いディスクアレイ制御装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that achieves suppression of deterioration in writing characteristics without deteriorating characteristics of peripheral circuits other than a memory-cell transistor element.例文帳に追加

モリセルトランジスタ素子以外の周辺回路の特性を低減させることなく、書込み特性の劣化を抑制した半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring and a wiring plug capable of suppressing deterioration in the characteristics of an element by hydrogen and also oxidation in the wiring and the wiring plug, and to provide a ferroelectric memory having excellent device characteristics and a method for manufacturing the ferroelectric memory.例文帳に追加

水素による素子の特性劣化と、配線や配線プラグの酸化をともに抑制できる配線及び配線プラグの形成方法と、優れたデバイス特性を有する強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a full-color electrochromic display element which has greatly improved memory characteristics and a full-color electrochromic display element which is easily made full-color and has greatly improved memory characteristics.例文帳に追加

メモリー性が大幅に向上したエレクトロクロミック表示素子及びフルカラー化が容易でメモリー性が大幅に向上したフルカラーエレクトロクロミック表示素子を提供することである。 - 特許庁

To enable mass-production of a large-scale phase change memory device by establishing between good electricity characteristics and good thermal characteristics in the phase change memory device and by improving the degree of freedom of selecting materials for an electrode and a wiring.例文帳に追加

相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。 - 特許庁

Referring the LUT 103 as an external drive circuit to which the temperature characteristics of the electro-optic characteristics of the liquid crystal is stored, a content of the memory is rewritten so that γ correction for adapting to the present temperature can be done to the above described memory.例文帳に追加

外部の駆動回路として、液晶の電気光学特性の温度特性を記憶したＬＵＴ１０３を参照し、前記したメモリに現在の温度に適応するγ補正を行うようにメモリの内容を書き変える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which data retention characteristics and data rewriting characteristics of a nonvolatile memory are improved and the performance of the nonvolatile memory is improved.例文帳に追加

不揮発性メモリのデータ保持特性、データ書き換え特性を向上させ、不揮発性メモリのパフォーマンスを向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device has therein a device information storage part for storing information on the characteristics of the semiconductor memory device, and an interface controller for performing file access suitable for the characteristics of the semiconductor memory device on the basis of the information, and thus, the access device can achieve optimum file access without awareness of the characteristics of the semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明に関わる半導体メモリ装置は、半導体メモリ装置の特性に関する情報を格納する装置情報格納部と、その情報を基に半導体メモリ装置の特性に適したファイルアクセスを行うインターフェース制御部を半導体メモリ装置内に備えることにより、アクセス装置が半導体メモリ装置の特性を意識することなく、最適なファイルアクセスを実現することができる。 - 特許庁

Characteristics of both a memory cell 200 and a peripheral circuit 201 are deteriorated due to random variation, thereby causing a macro-level characteristics deterioration when components having nearly the worst characteristics are combined.例文帳に追加

メモリセル２００と周辺回路２０１との両方がランダムばらつきによって特性が悪化し、ワースト特性に近い構成要素同士の組み合わせの際に、マクロレベルでの特性不良が発生する。 - 特許庁

In the reference cell 2, characteristics are deviated so as to following deviation of these characteristics when characteristics of the non-volatile memory cell MC00-MC12 are deviated by influence of temperature variation or the like.例文帳に追加

リファレンスセル２は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルＭＣ００〜ＭＣ１２の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。 - 特許庁

Viscosity characteristics corresponding to the viscosity measurement value and the oil temperature measurement value are specified, and a viscosity characteristics learning value stored in a memory means is updated based on the specified viscosity characteristics.例文帳に追加

そして、粘度計測値と油温計測値とに対応する粘性特性を特定し、特定した粘性特性に基づいて記憶手段に記憶されている粘性特性学習値を更新する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure simultaneously improving both the high electric-field leakage current characteristics and the low electric-field leakage current characteristics of a block insulating film and having excellent writing/erasing and retention characteristics.例文帳に追加

ブロック絶縁膜の高電界リーク電流特性と低電界リーク電流特性の双方を同時に改善し、書き込み・消去及びリテンション特性の優れたメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To obtain a linear actuator in which the size and weight are reduced and the degree of freedom is increased in the design of an output region by merging the physical characteristics and the mechanical characteristics, thereby improving the response characteristics and shape memory performance.例文帳に追加

物理的特性と機械的特性が融合することにより、応答特性と形状記憶性をよくして小型軽量化し、出力領域の設計自由度を高くする。 - 特許庁

The direction detecting part 2 can be provided with a first storage memory for storing voice source characteristics inputted in advance as a video conference participant, and a voice source characteristics comparing means for comparing the characteristics of a newly inputted voice source with those of the voice source stored in the first storage memory.例文帳に追加

また、方向検出部２は、テレビ会議参加者として予め入力された音源の特徴を記憶する第１記憶メモリと新たに入力された音源の特徴を前記第１記憶メモリに記憶された音源の特徴と比較する音源特徴比較手段とを備えることもできる。 - 特許庁

To provide an information processor having a memory copy function for copying the contents of a main memory from a memory module being the origin of copy to a memory module being the destination of copy by a hot plug by using the characteristics of a cache memory in a write-back system.例文帳に追加

ライトバック方式のキャッシュメモリの特性を利用して、ホットプラグにより、メインメモリの複写元のメモリモジュールから複写先のメモリモジュールへ内容を複写するメモリコピー機能を備えた情報処理装置を提供する。 - 特許庁

That is, by changing the data flash memory cell from a binary memory cell to a multi-value memory cell, deterioration in the retention characteristics is prevented to achieve the high-reliability data flash memory cell, while reducing occupied area of the data flash memory cell.例文帳に追加

つまり、データフラッシュメモリセルを２値メモリセルから多値メモリセルに変更することにより、リテンション特性の劣化を防止して信頼性の高いデータフラッシュメモリセルを実現し、かつ、データフラッシュメモリセルの占有面積を低減する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which can operate at high speed and has reversibly stable rewriting characteristics and good resistance value retention characteristics, to provide a process for producing the nonvolatile memory element, and to provide a nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element.例文帳に追加

高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性と、良好な抵抗値のリテンション特性を有する不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance-varying type memory which can manifest hysteresis characteristics, without fail, and the memory characteristics of resistance at the higher reproducibility than those of conventional technologies, and has an change and rate of change which is greater than those of conventional technologies, and to provide a method for controlling and manufacturing the memory.例文帳に追加

従来技術に比較して高い再現性で確実に抵抗のヒステリシス特性及びメモリ特性を発現させることができ、従来技術に比較して大きな変更変化率を有する抵抗変化型メモリとその制御方法及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of memory cells are formed in the straight linear active region whereby the generation of a bent part in the active regions and the deterioration of characteristics of the memory cell caused by the bent part are prevented whereby the microfabrication and improvement of data retaining characteristics of the memory cell are contrived.例文帳に追加

複数のメモリセルを直線状をした活性領域内に形成することで、活性領域に屈曲部が生じることを防止し、屈曲部が要因となるメモリセルの特性劣化を防止し、メモリセルの微細化を図るとともにデータ保持特性の改善を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

To enable evaluating cell characteristics of a memory circuit having a pair of complementary memory cell arrays with the same standard as a memory circuit having a single cell array.例文帳に追加

相補メモリセル対アレイを有するメモリ回路のセル特性を、シングルセルアレイを有するメモリ回路と同等の基準で評価できるようにする。 - 特許庁

The memory hub device further includes a performance monitor for monitoring and reporting one or more of memory bus utilization, memory device utilization, and performance characteristics over defined intervals during system operation.例文帳に追加

メモリ・ハブ・デバイスは、システム動作中の規定時間間隔に亘って、メモリ・バスの利用、メモリ・デバイスの利用、およびパフォーマンス特性の１つ以上をモニタし報告するためのパフォーマンス・モニタをさらに含む。 - 特許庁

To provide a technology for reducing variation in characteristics among memory cells in a nonvolatile semiconductor memory employing a memory system where an inversion layer is utilized for interconnection.例文帳に追加

反転層を配線に利用するメモリ方式を採用した不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル間の特性ばらつきを低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of non-volatile semiconductor memory capable of obtaining a memory in high reliabity such as repeatability and memory holding characteristics.例文帳に追加

繰り返し特性及び記憶の保持特性等の信頼性が高い記憶装置を得ることができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an iron-based shape memory alloy which has shape memory characteristics and strength remarkably improved as compared to those of existing shape memory alloys and whose manufacturing process can be simplified.例文帳に追加

形状記憶特性及び強度が既存の鉄基形状記憶合金に比較して大幅に改善されかつその製造プロセスも簡略に済む鉄基形状記憶合金を提供すること。 - 特許庁

Memory cells are three-dimensionally arranged in the inside of a solid-like medium which is not in contact with a surface of the medium, and the memory cell has resonance characteristics to electromagnetic waves depending on the space coordinates of the memory cell.例文帳に追加

固体状の媒体の表面に接していない内部に、３次元的にメモリセルを配置しメモリセルに、その空間座標に依存した電磁波の共鳴特性を持たせる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which memory cells have high reliability of electric charge holding even when made fine and also have excellent characteristics, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

メモリセルを微細化しても電荷保持の信頼性が高く、メモリセルの特性が良好な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device suitable for, for example, improving the characteristics of a memory cell and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

１つの実施形態は、例えば、メモリセルの特性を向上することに適した不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To create a shape memory state where flower petals are unfolded or folded with the help of a spring wire and a shape memory alloy wire, using the characteristics of shape change due to the temperature of a shape memory alloy.例文帳に追加

形状記憶合金の温度による形状変化の特性を利用し、記憶形状が花弁等の開いた状態、もしくは閉じた状態をバネ線と形状記憶合金線とで形成することにある。 - 特許庁

To secure a stabilized operation level without requiring specific verification (Verify) time in a memory using elements having hysteresis (Hysteresis) characteristics as the information storage elements of memory for a nonvolatile memory.例文帳に追加

非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。 - 特許庁

An image memory controller 52 writes the corrected image data in the memory unit 40, and reads and outputs the image data from the memory unit 40 according to engine characteristics of the image forming apparatus 10.例文帳に追加

画像メモリコントローラ５２は、補正処理後の画像データをメモリユニット４０に書き込み、画像形成装置１０のエンジン特性に合わせてメモリユニット４０から画像データを読み出して出力する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device where conditions are identical between adjacent memory cells to obtain identical operation characteristics for all memory cells.例文帳に追加

すべてのメモリセルに対して同一な動作特性を有するために、隣接メモリセルの条件を同一にする不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such that incidence of UL light on memory cell regions is suppressed in manufacturing processes and local variations in memory cell characteristics is suppressed.例文帳に追加

製造工程においてメモリセル領域へのＵＶ光の入射が抑えられ、メモリセル特性の局所的なバラツキが抑えられた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the percent defective when the variation of current flowing through individual memory cells is large, when the percent defective is high, or even when characteristics of individual memory cells are changed after shipping of products.例文帳に追加

個々のメモリセルに流れる電流ばらつきが大きい場合や、不良率が高い場合、あるいは、個々のメモリセルの特性が製品出荷後に変動しても、不良率を低く抑えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration in characteristics due to a load on a nonvolatile memory and increase the access frequency to a memory cell as the result of suppression, in a nonvolatile memory using a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを用いた不揮発性メモリの、該メモリへの負荷による特性劣化を抑え、結果的にメモリセルへのアクセス回数を増大することを可能とする。 - 特許庁

When reading data from a memory such as a graphic memory, the memory is divided into a plurality of sections and characteristics are determined to the respective sections and stored.例文帳に追加

グラフィックメモリ等のメモリからデータを読み出す際に、メモリは複数の区分へと分割され、各区分について固有特性が決定され、記憶される。 - 特許庁

Since the first and the second memory sections can be rewritten, reference voltage and verification voltage can be set, after a semiconductor memory is manufactured, in accordance with characteristics of a memory cell modified by variation of a manufacturing process.例文帳に追加

第１および第２記憶部が書き換え可能であるため、製造プロセスの変動により変化するメモリセルの特性に応じて、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory having sufficient memory characteristics by protecting a ferroelectric capacitor against moisture generated during a manufacturing process, and to provide a ferroelectric memory which reduces effects of hydrogen generated in the case of forming a passivation film and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程中に発生する水分から強誘電体キャパシタを保護し、十分なメモリ特性を有する強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes; a first memory area (35) for storing first correction data (37) to initialize the characteristics of the analog circuits in response to the application of power; and a second memory area (36) for storing second correction data (38) providing an offset to the characteristics of the analog circuits by of instructing from the central processing unit after initializing the characteristics.例文帳に追加

不揮発性メモリは、電源投入に応答してアナログ回路の特性を初期化する第１補正データ（３７）を格納する第１メモリ領域（３５）と、特性初期化後に中央処理装置の命令実行によってアナログ回路の特性にオフセットを与える第２補正データ（３８）を格納する第２メモリ領域（３６）とを含む。 - 特許庁

To surely form the memory cell of a split gate type nonvolatile semiconductor memory device and to prevent the operation characteristics of an MOS transistor from being affected by the memory cell when forming the memory cell on the same semiconductor wafer as the MOS transistor.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを確実に形成できると共に、該メモリセルをＭＯＳトランジスタと同一の半導体基板上に形成する際に、本発明のメモリセルがＭＯＳトランジスタの動作特性に影響を与えないようにする。 - 特許庁

In a memory cell array 1 in which a plurality of memory cells MC are arranged in an array, a specific characteristic of the memory cells MC is controlled, and potentials of word lines wl_0 to wl_m are adjusted on the basis of a distribution of characteristics when the specific characteristic of the memory cells MC is controlled.例文帳に追加

複数のメモリセルＭＣがアレイ状に配列されたメモリセルアレイ１において、メモリセルＭＣの特定の特性を制御し、メモリセルＭＣの特定の特性が制御された時の特性の分布に基づいて、ワード線ｗｌ＿０〜ｗｌ＿ｍの電位を調整する。 - 特許庁

This device is provided with a selecting means consisting of a selector 3 selecting a bit line 4a... of a memory block and reading out it by a sense amplifier, and a capture transistor 6 integrated integrally with a memory block is connected to the bit line 4a... of the memory block, thus the characteristics in the semiconductor memory are adjusted.例文帳に追加

メモリブロックのビット線４ａ…を選択しセンスアンプにより読み出すためのセレクタ３からなる選択手段を備え、メモリブロックのビット線４ａ…にメモリブロックと一体に集積化した補足トランジスタ６を接続し、半導体メモリ装置における特性を調整する。 - 特許庁

To surely form the memory cell of a split-gate nonvolatile semiconductor memory device, and to prevent the operation characteristics of an MOS transistor from being affected by the memory cell when forming the memory cell on the same semiconductor wafer as the MOS transistor.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを確実に形成できると共に、該メモリセルをＭＯＳトランジスタと同一の半導体基板上に形成する際に、本発明のメモリセルがＭＯＳトランジスタの動作特性に影響を与えないようにする。 - 特許庁