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memory valueの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3982件
An output voltage of the inverter during the second readout is latched by the latch circuit, and a memory condition of the memory cell is determined depending on whether the latched value is high or low.例文帳に追加
第2の読み出し時のインバータの出力電圧がラッチ回路にラッチされ、そのラッチされた値のハイ/ローによりメモリセルの記憶状態が判定される。 - 特許庁
When the hit ratio of the external cache memory 9 is higher than the prescribed value, an external cache memory controller 4 holds a block read instruction from CPU 1 to ASIC 12 temporarily during determination of a cache hit or a miss, and a main memory controller 16 authorizes direct memory access from a coprocessor to main memory 17.例文帳に追加
外部キャッシュメモリ9のヒット率が所定値より高い場合、外部キャッシュコントローラ4はキャッシュヒット及びミスヒット判定までの間CPU1からASIC12へのブロックリード命令を一時保留し、メインメモリコントローラ16はコプロセッサ19からメインメモリ17へのダイレクト・メモリ・アクセスを許可する。 - 特許庁
Upon detecting an input of a request of reading execution, a CPU 31 reads an established gain value and an established offset value from a memory 32, and determines whether a maximum luminance value measured using the established gain value and the established offset value are within a reference range.例文帳に追加
CPU31は読み取り実行要求の入力を検出すると、メモリ32から既定ゲイン値および既定オフセット値を読み出し、既定ゲイン値および既定オフセット値を用いて測定した最高輝度値が基準範囲内に収まっているか否かを判定する。 - 特許庁
A decoder 4A decodes a 1st block of the code reception sequence with an initial value 0 as default, a decoder 4B decodes a 2nd block, and an external value memory 5 stores an external value in a posterior value and the external value that are a decoding result.例文帳に追加
事前値を初期値0として、符号受信系列のうちの第1ブロックが復号器4Aにより復号され、第2ブロックが復号器4Bにより復号され、その復号結果である事後値および外部値のうちの外部値が外部値メモリ5に格納される。 - 特許庁
The multi-value gradation image data and the binary gradation image data are stored in a memory card 11 in association with each other.例文帳に追加
上記多値階調画像データと2値階調画像データを対応付けてメモリカード11に記憶する。 - 特許庁
The air conditioner mainly includes an MPU 2, and includes a memory 4 (set value storage means).例文帳に追加
この空気調和装置はMPU2を中心として構成され、メモリ4(設定値記憶手段)を有している。 - 特許庁
In the step S505, the set current value obtained in the step S504 is stored in a non-volatile memory.例文帳に追加
ステップS505では、不揮発性メモリに、ステップS504で求めた設定電流値Isを格納する。 - 特許庁
Subsequently, the error between the measured distance and a design value 55 is calculated and stored in a nonvolatile memory.例文帳に追加
この測定した距離とその設計値55との誤差を算出し、これを不揮発性メモリに記憶しておく。 - 特許庁
To initialize data other than partial fixed data out of data stored in a non-volatile memory and to store a changed set value.例文帳に追加
不揮発性メモリのうちの一部の固定したデータ以外を初期化し、変更した設定値を保存する。 - 特許庁
Then, access to the address of a memory array 201 designated by the counter value of an address counter 202 is executed.例文帳に追加
アドレスカウンタ202のカウンタ値によって指定されるメモリアレイ201のアドレスにアクセスが実行される。 - 特許庁
To provide a multi-value image encoding / decoding apparatus that can reduce the number of memory access times, the capacity of memories and the number of memories.例文帳に追加
多値画像符号化・復号化装置において、メモリアクセス数とメモリ量とメモリ数とを削減する。 - 特許庁
To provide a variable resistance element driving method permitting realization of stable multi-value memory actions.例文帳に追加
安定した多値記憶動作を実現することができる抵抗変化素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁
Then the memory 11 gives prediction coefficient data designated by the class value to an estimate prediction arithmetic circuit 4.例文帳に追加
そして、クラス値によって指定される予測係数データを推定予測演算回路4に供給する。 - 特許庁
A graph display device stores a value of energy consumption during one unit period in the past in a storage memory.例文帳に追加
グラフ表示装置は、過去の1単位期間におけるエネルギー消費量の値を記憶装置に記憶する。 - 特許庁
A parameter value read from a parameter memory 1 is inputted to an adding buffer 10 via an adder 4.例文帳に追加
パラメータメモリ1から読み出されたパラメータ値は加算器4を介して加算バッファ10に入力される。 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor memory device 10 is provided with a memory cell array 20; a shift value storing region 25 which stores a shift value SET; a control circuit 50 which controls data reading and writing for the memory cell array 20 and the shift value storing region 25; and a data processing circuit 100 which is connected to the control circuit 50.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置10は、メモリセルアレイ20と、シフト値SFTを格納するシフト値格納領域25と、メモリセルアレイ20及びシフト値格納領域25に対するデータの読み書きを制御する制御回路50と、制御回路50に接続されたデータ処理回路100とを備える。 - 特許庁
Access to the address of the memory array 201 specified by a counter value of an address counter 202 is executed.例文帳に追加
アドレスカウンタ202のカウンタ値によって指定されるメモリアレイ201のアドレスにアクセスが実行される。 - 特許庁
The document processing device 320 stores a residual printing unit value 323e in its own memory 323.例文帳に追加
文書処理装置320は、自分のメモリ323内に残り印刷単位値323eを記憶している。 - 特許庁
The correction processing part uses the correction value stored in the memory to perform MTF correction of the image data.例文帳に追加
補正処理部は、メモリに記憶された補正値を用いて、画像データのMTF補正処理を行う。 - 特許庁
A jitter calculation section 3 calculates a jitter from the sum and stores a measured jitter value 104 in a jitter memory 4.例文帳に追加
ジッタ算出部3は、合計値からジッタ計算し、計測ジッタ値104をジッタメモリ4に格納する。 - 特許庁
In the memory dedicated tester 30, comparison processing is performed between expected value data EP1 and read out data.例文帳に追加
メモリ専用テスタ30では、期待値データEP1と読み出されたデータとの間で比較処理が行われる。 - 特許庁
In the optical interface module 4, the value is written in a memory section inside the FPGA, which was mounted in its interior.例文帳に追加
光インタフェースモジュール4は、その内部に実装されたFPGA内部のメモリ部にその値を書込む。 - 特許庁
A counter 20 inputs the high-speed clock signal, and generates initial value write address of a memory 60.例文帳に追加
カウンタ20は高速クロック信号を入力しメモリ60の初期値書込アドレス信号を生成する。 - 特許庁
METHOD FOR DISCRIMINATING NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT BY INADEQUATE SUBTHRESHOLD VALUE GRADIENT OR WEAK TRANSCONDUCTANCE例文帳に追加
不十分な副しきい値勾配または弱いトランスコンダクタンスによって不揮発性メモリ素子を識別する方法 - 特許庁
The density correction value for correcting the print density for image data to be printed is stored in a memory.例文帳に追加
印字対象の画像データによる印字濃度を補正するために前記濃度補正値を記憶しておく。 - 特許庁
The multi-level flag section stores a value which indicates data written in a memory cell is either binary data or multi data.例文帳に追加
多値フラグ部は、メモリセルに書込んだデータが2値データであるか多値データであるかを示す値を記憶する。 - 特許庁
The image processor intermittently applies a drive voltage to the extension memory, detects the value of the current flowing between a socket and the extension memory then, and when the detected current value is detected as an overcurrent exceeding a current value required for driving the extension memory, the insertion is determined erroneous.例文帳に追加
本発明の画像処理装置は、拡張メモリに対して断続的に駆動電圧を印加し、その際のソケット部と拡張メモリ間に流れる電流値を検出し、その検出された電流値が、拡張メモリを駆動するのに必要な電流値を超える過電流であると検出したとき、誤挿入と判断する。 - 特許庁
MANUFACTURE OF ROM MULTI-VALUE LEVEL MEMORY IN DUAL- GATE CMOS PROCESS AND ROM CONFIGURATION例文帳に追加
デュアルゲ—ト型のCMOSプロセスに於けるROM型の多値レベルメモリの製造方法およびROM構造 - 特許庁
A color value storing part 13 counts the number of pieces of color data in image data stored in a memory 12.例文帳に追加
カラー値保存部13は、メモリ12に蓄積された画像データにおけるカラーデータの数をカウントする。 - 特許庁
After transferring the check sum, the system manager renews the check sum using a value stored in the old memory position.例文帳に追加
チェックサムを移動した後、システムマネージャは、元のメモリ位置に格納されている値でチェックサムを更新する。 - 特許庁
Then a value is read out from the target memory and shift output to outside from the output terminal (step S3).例文帳に追加
次いで、着目メモリから値を読み出し、結果出力端子から外部へシフト出力させる(ステップS3)。 - 特許庁
While referring to an integration value stored in an integration value memory 8, a frame ID stored in a frame ID memory 9 and a corresponding relation stored in an integration value pointer memory 10, the maximum amount of variable-length frames in all queues stored within a threshold and the maximum number of frames are calculated and outputted.例文帳に追加
積算値メモリ8に格納されている積算値、フレームIDメモリ9に格納されているフレームID及び積算値ポインタメモリ10に格納されている対応関係を参照して、全てのキューにおける可変長フレームの閾値以内での最大蓄積量及び最大フレーム数を算出して出力する。 - 特許庁
A reading part 17 reads the contents of the Attribute memory 21 and preserves it when the CHG bit value is changed.例文帳に追加
読み出し部17は、CHGビットの値が変更されたときに Attributeメモリ21の内容を読み出し保存する。 - 特許庁
To provide a non-volatile memory in which highly accurate threshold value control can be performed in write-in operation.例文帳に追加
書き込み動作において高精度のしきい値制御を可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
A tilt adjustment value from the inner periphery to the outer periphery of then optical disk 10 is obtained and stored into a memory.例文帳に追加
光ディスク10の内周から外周にわたるチルト調整値を取得してメモリに記憶しておく。 - 特許庁
A RAM memory 104 stores a digitally converted value from a multi-channel analog/digital converter 101 via a microcomputer 102.例文帳に追加
多チャンネルAD変換器101 のデジタル変換値はマイクロプロセッサ102 を介してRAMメモリ104 に格納される。 - 特許庁
ERROR PROPAGATION DETECTION CONTROL METHOD IN MULTI- VALUE JUDGMENT FEED-BACK EQUALIZATION, AND MEMORY DEVICE USING IT例文帳に追加
多値判定帰還等化における誤り伝播検出抑制方法及び、これを用いた記憶装置 - 特許庁
When the value of the counter is decremented to a predetermined level, associated LUT data in the system memory is cleared.例文帳に追加
カウンタの値が所定のレベルまでデクリメントされると、システムメモリ内の関連するLUTデータをクリアする。 - 特許庁
The number of time for charging is memorized to the memory part 15a of number-of-times for charge based on the battery voltage value.例文帳に追加
このバッテリー電圧値を基に、充電回数記憶部15aに充電の回数が記憶される。 - 特許庁
This value is only advisory, and the access method will allocate more memory rather than fail. 例文帳に追加
この値はあくまで参考であり、アクセスメソッドはこの値を越えたメモリの割り当てに成功することもある。 - JM
The object corresponding to the calculated hash value is loaded to the primary memory in response to the collation operation.例文帳に追加
この照合オペレーションに応答し、算出されたハッシュ値に対応するオブジェクトが一次メモリにロードされる。 - 特許庁
Next, a synchronous variable (semaphore) stored in a memory 6 and a value in the FA register 2 are transmitted to the accumulator 3.例文帳に追加
ついで、メモリ6に格納された同期変数(セマフォ)と、FAレジスタ2中の値とを、加算器3に送る。 - 特許庁
A pixel value for the first pixel may be retrieved from a memory location corresponding to the first pixel (810).例文帳に追加
第1のピクセルのピクセル値を、第1のピクセルに対応するメモリ位置から検索することができる(810)。 - 特許庁
After the shift, the system controller 3 transfers a register value between the host system 4 and the memory controller 203 and real data.例文帳に追加
移行後、システムコントローラ3は、ホストシステム4、メモリコントローラ203間のレジスタ値および実データを転送する。 - 特許庁
To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value.例文帳に追加
書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
After the memory copying, a necessary count value is calculated and when it exceeds the limited number, that is reported (S17).例文帳に追加
メモリコピー後、必要なカウント値を計算し、制限枚数を超える場合は、その旨を通知する(S17)。 - 特許庁
An output pixel pattern memory 52 stores an output pixel pattern corresponding to the fluctuation threshold value matrix.例文帳に追加
この変動閾値マトリクスに対応する出力画素パターンが出力画素パターンメモリ52に格納されている。 - 特許庁
In writing operation for writing data in the memory cell, the writing circuit writes an h value (h<n) in the memory cell by threshold voltage lower than the original threshold voltage, writes an (h+1) value and more in the memory cell by next data, and before writing the next data, returns the threshold voltage of the h value to the original threshold voltage.例文帳に追加
書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む書き込み動作時にメモリセルに本来の閾値電圧より低い閾値電圧によりh値(h<n)を書き込み、次のデータによりそのメモリセルに(h+1)値以上を書き込み、次のデータを書き込む前に前記h値の閾値電圧を本来の閾値電圧にする書き込みを行なう。 - 特許庁
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| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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