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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > memory valueに関連した英語例文

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memory valueの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3983



例文

When a copy line B921 is activated, a copy circuit B3200 copies the value stored in the memory cell A1000 to the memory cell B2000.例文帳に追加

コピー線B921をアクティブにすると、コピー回路B3200はメモリセルA1000に保持された値をメモリセルB2000にコピーする。 - 特許庁

Since the memory controller 203 is controlled on the basis of the transferred register value, the memory controller 203 can perform processing by a unique command.例文帳に追加

メモリコントローラ203は、転送されたレジスタ値に基づいて制御されるので、独自コマンドによる処理を行うことが可能である。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which a regulated voltage applied to a memory cell transistor can be set to an optimum value.例文帳に追加

メモリセルトランジスタに印加するレギュレート電圧を最適値に設定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce the number of times of memory access when calculating a pixel value of a reference block, and to decrease memory access bands required for a moving picture decoding apparatus.例文帳に追加

参照ブロックの画素値を算出する際にメモリアクセスの回数を削減し、動画復号装置に必要なメモリアクセス帯域を減らす。 - 特許庁

例文

When a copy line A911 is activated, a copy circuit A3100 copies the value stored in the memory cell B2000 to the memory cell A1000.例文帳に追加

コピー線A911をアクティブにすると、コピー回路A3100はメモリセルB2000に保持された値をメモリセルA1000にコピーする。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor memory device in which a data set uptime can be made a fixed value independently of storage capacity of a memory cell array.例文帳に追加

データ・セットアップタイムをメモリセルアレイの記憶容量によらずに一定の値とすることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Judgement about a redundancy memory cell 4a or the like also and a prescribed expected value can be performed as well as the other memory cells 4 or the like.例文帳に追加

冗長メモリセル4a等自体も他のメモリセル4等と同様に所定の期待値との判定を行うようにすることもできる。 - 特許庁

In the case that data in an FIFO memory exceeds a watermark threshold value, the FIFO memory generates a watermark interruption.例文帳に追加

本発明によれば、FIFOメモリ内のデータがウォーターマークスレッシュホールドを超えた場合にFIFOメモリからウォーターマークインタラプトが発生される。 - 特許庁

By applying a voltage to the memory device 100, the resistance value of the organic active layer 20 exhibits bistability and memory characteristics are realized.例文帳に追加

このようなメモリ素子100に電圧を印加すると、有機活性層20の抵抗値が双安定性を示し、メモリ特性を実現する。 - 特許庁

例文

The first to the (N-1)-th line memory parts 11 to 15 set the same value into the second to the (N-1)-th line memory parts 13 to 15 of the next stage.例文帳に追加

第1〜第N−1のラインメモリ部11〜15は同一値を次段の第2〜第N−1ラインメモリ部13〜15に設定する。 - 特許庁

例文

The default value of 256 is increased to 1024 when the memory present in the system is adequate or greater (>= 128Mb), and reduced to 128 for those systems with very low memory (<= 32Mb). 例文帳に追加

デフォルトの値は 256 で、システムに充分なメモリがある (128Mb 以上) 場合は 1024 になり、メモリが非常に少ない場合 (32 Mb 以下) は 128 になる。 - JM

Each cell of MCAM includes a data memory cell for storing data value and a magnitude comparator coupled to a first memory cell.例文帳に追加

MCAMの各セルはデータ値を格納するためのデータメモリセルと第一メモリセルへ結合されているマグニチュード比較器とを包含している。 - 特許庁

An optimum mask size is determined by comparing the calculated value and an actual memory quantity obtained from the information of the memory size.例文帳に追加

そして、その算出した値とメモリサイズの情報から得た実際のメモリ量とを比較することにより最適なマスクサイズを決定する。 - 特許庁

Test data read out from the memory device 46 is compared with an expected value by the comparator 50, and it is discriminated whether the memory device 46 is good or not.例文帳に追加

メモリデバイス46から読み出されるテストデータが、期待値データと比較器50で比較され、メモリデバイス46の良否を判定する。 - 特許庁

If the mismatch memory module exists, a set value generating part generates an access set value used to generate second SPD information of the mismatch memory module on the basis of he second SPD information and writes the second SPD information in the nonvolatile memory.例文帳に追加

設定値生成部は、不一致メモリモジュールが存在する場合に、不一致メモリモジュールの第2のSPD情報が生成に用いられるアクセス設定値を、第2のSPD情報に基づいて生成して、不揮発性メモリへ書き込む。 - 特許庁

When big winning is generated, start memory is cumulatively added in each round in addition to the start memory from the time before big winning generation, and a cumulatively added start memory value is set to a chance counter 161 with a stipulated value (100 pieces) as a limit.例文帳に追加

大当りが発生した場合に、大当り発生前からの始動記憶にプラスして各ラウンドで始動記憶が累積加算され、累積加算した始動記憶値を規定値(100個)を限度としてチャンスカウンタ161にセットする。 - 特許庁

A line fail counter 110 loads, from a fail count memory 113, a fail counted value of a line corresponding to fail data outputted sequentially from the fail memory 101, adds the fails from the fail memory 101 to the loaded value and counts them up.例文帳に追加

行フェイルメモリ110は、フェイルメモリ101から順次出力されたフェイルデータに対応する行のフェイルカウント値をフェイルカウントメモリ113からロードし、フェイルメモリ101からのフェイルの分をロードした値に加えてカウントアップする。 - 特許庁

If the update fails, the current memory is replaced by another new memory storing updated firmware, and the user set value and individual set value stored in the USB memory device are transferred to the TV receiver for restoration.例文帳に追加

更新に失敗した場合、現在のメモリを、更新済みのファームウェアが記憶された別の新しいメモリに交換し、USBメモリ装置内に記憶されたユーザ設定値及び個別設定値をTV受像機に転送して復旧する。 - 特許庁

If the value stored in a total reserved memory number counter is 3 (Step S101B), a CPU of a game controlling microcomputer determines whether the value in the total reserved memory number counter is at least the previous value in the reserved memory number counter (Step S101C) in a variation pattern setting process.例文帳に追加

変動パターン設定処理において、遊技制御マイクロコンピュータのCPUは、保存されている合算保留記憶数カウンタの値が3であるとき(ステップS101B)、合算保留記憶数カウンタの値が前回保留記憶数カウンタの値以上であるか否かを判定する(ステップS101C)。 - 特許庁

Meanwhile, the image reader sets a threshold TH to be N times the value CTR in the counter memory; updates the value CTR in the counter memory to the threshold TH, as well as, sets the threshold TH to be N times the value CTR in the counter memory, when the time in the measurement counter reaches the threshold TH.例文帳に追加

一方、画像読取装置は、閾値THをカウンタメモリの値CTRのN倍に設定し、計測カウンタの時間が閾値THに到達した場合には、カウンタメモリの値CTRを閾値THに更新すると共に、閾値THを、更新後の値CTRのN倍に設定する。 - 特許庁

An address storage part 140 stores a threshold value memory address for dividing the memory cell array 110 into a first block for storing one bit data for each memory cell and a second block for storing one bit data for each pair of memory cell.例文帳に追加

アドレス記憶部140は、メモリセル毎に1ビットデータを記憶させる第1ブロックと、メモリセル対毎に1ビットデータを記憶させる第2ブロックとにメモリセルアレイ110を分けるための閾値メモリアドレスを記憶する。 - 特許庁

A memory control circuit 90 determines whether each expected value signal is written in each of a plurality of memory cells MC of nonvolatile memory based on input of expected value signal string containing a plurality of expected value signals based on whether a read signal string containing a plurality of read signals read from each of a plurality of memory cells MC match the expected value signal string.例文帳に追加

メモリ制御回路90は、複数の期待値信号を含む期待値信号列の入力に基づいて不揮発性メモリの複数のメモリセルMCそれぞれに期待値信号それぞれが書き込まれたかどうかを、複数のメモリセルMCそれぞれから読み出された複数の読出信号を含む読出信号列が期待値信号列と一致するかどうかに基づいて判定する。 - 特許庁

During the shifting operation of a scan path in time from setting of a write value to the setting completion of a read value in a scan flip-flop for setting a value in a test target memory, a value for a refreshing operation is included in a value passed through a flip-flop for setting a value in a test target memory.例文帳に追加

テスト対象メモリに対し値を設定するスキャンフリップフロップに対し、書き込み値を設定し、その後の一連のシフト動作を介して、読み出し値の設定が完了するまでの間の、スキャンパスのシフト動作中に、テスト対象メモリに対し値を設定するフリップフロップを通過してゆく値に対して、リフレッシュ動作を行わせる値を含ませる。 - 特許庁

A status information deciding/outputting means 23 updates the oldest data stored to a memory with a fetched A/D value and calculates the mean value of 6 stored data, and stores the calculated value in the memory as the current sensitivity.例文帳に追加

状態情報判定・出力手段23は、取り込まれたA/D値でメモリに格納されている一番古いデータを更新し、格納されている6つのデータの平均値を算出し、算出値を現在の感度としてメモリに格納する。 - 特許庁

Further, the control part 4 adds the calculated irradiation energy to an accumulation value of the irradiation energy read from a memory part 18 of the irradiation part 2 and updates the accumulation value of the irradiation energy stored in the memory part 18 by the value after the addition.例文帳に追加

さらに、制御部4は、照射部2の記憶部18から読み出した照射エネルギーの累積値に算出した照射エネルギーを加算し、その加算後の値で記憶部18が格納する照射エネルギーの累積値を更新する。 - 特許庁

Then, after the lapse of a first period, whether or not the first enable signal is the first value is determined, and when it is the first value, a second enable signal set to a second value is supplied to a memory, and the memory is set to the sleep mode.例文帳に追加

次に、第1の期間経過後に第1のイネーブル信号が第1の値であるか否かを判定し、第1の値である場合、第2の値に設定された第2のイネーブル信号をメモリに供給し、メモリをスリープモードに設定する。 - 特許庁

The result value of the FFT process applied on the added PN codes stored in the memory 538 is multiplied by a result value of the FFT process applied on IF data (received data) stored in a memory 532, and the result of the multiplication is processed using the despreading method, thereby obtaining a correlation value.例文帳に追加

メモリ538に格納されたPN符号の加算結果のFFT処理結果と、メモリ532に格納されたIFデータ(受信データ)のFFT処理結果とを乗算し、この結果を逆拡散して相関値を得る。 - 特許庁

Multi-value surface image data read by a first CIS 50 are stored in a first multi-value memory 101, and read from the first multi-value memory 101, and image-processed by a first image processing part 103, and outputted.例文帳に追加

第1のCIS50にて読み取られた多値の表面画像データは、第1の多値メモリ101に格納された後、第1の多値メモリ101から読み出されて第1の画像処理部103で画像処理が施され、出力される。 - 特許庁

Concerning this method, an initial value is calculated through a computing element by Newton-Raphson method based on a value retrieved from a compact table stored in a memory.例文帳に追加

ニュートンラフソン法において初期値を、メモリに格納した小型の表から検索した値を元に演算器で算出する方法をとる。 - 特許庁

Thereby, when a common constant value is established to all entries of the memory mat, the establishment of the constant value can be carried out at high speed.例文帳に追加

したがって、メモリマットの全エントリに共通の定数値を設定する場合に、高速に定数値の設定を行なうことが可能となる。 - 特許庁

An MPU 19 stores information on the calculated velocity value in a memory, and transmits the information on the velocity value in a transmission cycle of 16.7 ms.例文帳に追加

MPU19は、算出された速度値の情報をメモリに記憶し、16.7msの送信周期で速度値の情報を送信する。 - 特許庁

Then, the peak value of the recording level of the CD is gained from disk information in a memory (step S23), and a reproducing volume value is obtained (step S24).例文帳に追加

そして、メモリのディスク情報からCDの記録レベルのピーク値を取得して(ステップS23)、再生音量値を求める(ステップS24)。 - 特許庁

To quicken a processing, until the information to decide an address to read a decoded value is obtained from a decoded value storage memory.例文帳に追加

復号値記憶メモリから復号値を読み出すためのアドレス値を定める情報を得るまでの処理を高速化することを可能にする。 - 特許庁

The low-luminance noise suppression processing circuit 140 reduces a luminance value received from a line memory 110 using a predetermined function, and outputs the luminance value.例文帳に追加

低輝度ノイズ抑制処理回路140は、ラインメモリ110から受け取った輝度値を所定の関数を用いて低減し出力する。 - 特許庁

An ink residual amount count value of the ink tank side is moved to a count value of the body side memory when the ink of the tank is moved to the atmosphere communication chamber.例文帳に追加

タンクのインクを大気連通室に移動する際にインクタンク側のインク残量カウント値を本体側メモリのカウント値に移動する。 - 特許庁

A needle-shaped probe of a memory writing jig 15 is made to contact with a writing terminal 12, and the set value, the newest program, and a correction value are written therein.例文帳に追加

メモリ書込治具15の針状のプローブを書き込み用端子12に接触させ設定値、最新のプログラムや補正値を書き込む。 - 特許庁

A circle value, which shows the upper limit of a circle (a closed region) established in the game screen, is memorized in a circle value memory unit 37.例文帳に追加

サークル値記憶部37には、ゲーム画面中において設定されるサークル(閉領域)の上限を示すサークル値が記憶されている。 - 特許庁

In a CAM memory storing data words, bits of the data words can take a neutral logic value other than two complement logic value.例文帳に追加

データワードを記憶するCAMメモリにおいて、そのデータワードのビットは、2つの補数論理値のほかに中性論理値をとることができる。 - 特許庁

Thus, the sensitivity error of the electronic force balance can be calculated from the measured value and the actually measured value of the built-in weight 5 stored in the memory 13.例文帳に追加

この実測値とメモリ13に記憶されている当該内蔵分銅5の真値とにより電子天秤の感度誤差を算出する。 - 特許庁

A current value of a current through a current limiter 140 controls a current value of a programming current passing through memory cells 150, 152.例文帳に追加

電流リミッター140を通しての電流の電流値は、メモリーセル150,152を通過するプログラミング電流の電流値を制御する。 - 特許庁

In a memory leak determination device (a resource release failure determination device) 1, a memory usage obtaining unit (a resource usage obtaining unit) 21 obtains memory usage (resource usage) for each process, and a maximum value update counter 22 counts the number of updating the maximum value of the memory usage for every process.例文帳に追加

メモリリーク判定装置(資源解放漏れ判定装置)1において、メモリ使用量取得部(資源使用量取得部)21が、各プロセスのメモリ使用量(資源使用量)を取得し、最大値更新回数計数部22が、メモリ使用量の最大値更新回数をプロセス毎に計数する。 - 特許庁

The computer system is constituted so as to stop supply of clocks when the free memory size of a memory of the computer system is larger than a reference value and to supply the clocks when the free memory size of the memory is smaller than the reference value in order to reduce power consumption in the computer system.例文帳に追加

コンピュータ・システムにおける消費電力を低減する為、コンピュータ・システムのメモリの空きメモリ量が基準値より多い場合、クロックの供給を停止し、前記メモリの空きメモリ量が基準値より少ない場合、クロックを供給するよう構成されてなるコンピュータ・システム。 - 特許庁

The memory check system of the page rotation function is provided with a black dot count memory to store a value to be outputted in a page memory black dot counter 9 and a black dot count computation section 15 to aggregate a black dot count in a unit to be rotated on the basis of a value stored in a black dot count memory 14.例文帳に追加

本発明は、ページメモリ用黒ドット数カウンタで出力される値を格納する為の黒ドット数メモリと、黒ドット数メモリに格納されている値を基に回転させる単位内の黒ドット数を集計する黒ドット数演算部を設けるたことを特徴とする。 - 特許庁

In one memory cell detecting approach, an address of a memory cell is specified, an input signal over a range of some value is applied to a memory cell being address-specified, read-out is performed for an input signal value to which a state of the memory cell is applied based on discontinuity in detected electrical response.例文帳に追加

1つのメモリセル検知アプローチにおいて、メモリセルがアドレス指定され、ある値の範囲にわたる入力信号がアドレス指定されたメモリセルに加えられ、メモリセルの状態が加えられた入力信号値に対して検知された電気的応答における不連続性の基づいて読み取られる。 - 特許庁

The method comprises steps of: using conductors (30 and 35) electrically connected to a memory element (26) to read a data value of the memory element (26); and using write conductors (32) magnetically connected to the memory element (26) to transmit the value read from the memory element (26) to other locations on the chip.例文帳に追加

1実施形態では、この方法は、メモリ素子(26)に電気的に結合された導体(30,35)を用いてメモリ素子(26)のデータ値を読み出すステップと、メモリ素子(26)に磁気的に結合された書き込み導体(32)を用いてメモリ素子(26)から読み出した値をチップ上の他の場所に伝送するステップを含む。 - 特許庁

At write-in erasure, a voltage value A1 of a pulse 1 applied initially to a memory cell transistor is set to a voltage value being larger than a voltage value B1 of a pulse 2 applied to a memory transistor in a second time and a voltage value C1 of a pulse 3 applied in a third time and being the maximum voltage value D1 applied finally or less.例文帳に追加

書き込み消去時に、初回にメモリセルトランジスタに印加するパルス1の電圧値A1は、2回目にメモリセルトランジスタに印加されるパルス2の電圧値B1、3回目に印加するパルス3の電圧値C1より大きく、かつ、最終的に印加する最大の電圧値D1以下の電圧値に設定する。 - 特許庁

The small FIFO memory 317 stores messages less in number than a maximum value of weight of the check matrix.例文帳に追加

小FIFOメモリ317は、検査行列の重みの最大値よりも少ない数のメッセージを記憶する。 - 特許庁

A presentation style to this high value comment is stored in a comment storage memory 49.例文帳に追加

この高価値注釈に対するプレゼンテーションスタイルが注釈記憶メモリ49に記憶される。 - 特許庁

The LUT value selecting section 14 selects read data in a memory corresponding to a mode (1/2/8-Bit).例文帳に追加

LUT値選択部14は、モード(1/2/8Bit)に応じたメモリのリードデータを選択する。 - 特許庁

例文

In other words, the capacity value C detectable by the capacity 3 in each memory cell 4 becomes different.例文帳に追加

換言すれば、各メモリセル4における容量3で検出できる容量値Cが変わる。 - 特許庁




  
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この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill.
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