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memory valueの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3983件
To provide a controller for automatic transmission which can prevent an increase in difference between a learning value stored in a volatile memory at an initial stage when the learning value does not converge and a learning value stored in a non-volatile memory, and also prevent a newest learning value stored in the volatile memory from being not written into the non-volatile memory.例文帳に追加
学習値が収束していない初期段階で揮発性メモリに記憶されている学習値と不揮発性メモリに記憶されている学習値との差が大きくなってしまうことを防止できるとともに、揮発性メモリに記憶されている最新の学習値が不揮発性メモリに書込まれなくなることを防止できる自動変速機の制御装置を提供する。 - 特許庁
By previously registering an initial value written previously in the memory in an IC card before issuance, on the occasion when personal data is written into the memory, whether data, equivalent to the memory initial value exists in the personal data, is decided, and when data equivalent to the memory initial value exists, control is performed so that the data will not be written to the memory.例文帳に追加
ICカード内のメモリにあらかじめ書込まれている初期値を発行前にあらかじめ登録することにより、メモリに対して個人データを書込む際、当該個人データ内にメモリ初期値と同等のデータが存在するか否かを判定し、メモリ初期値と同等のデータが存在する場合は当該データのメモリへの書込みは行なわないように制御する。 - 特許庁
It is determined whether write data and the flash memory initial value are equal to each other or not in write processing from the host, and data transfer to the flash memory is suppressed when the write data and the flash memory initial value are equal to each other.例文帳に追加
ホストからの書込み処理の際に、書込みデータとフラッシュメモリ初期値とが等しいかどうかを判断し、書込みデータがフラッシュメモリ初期値に等しい場合には、フラッシュメモリへのデータ転送を抑制する。 - 特許庁
When detecting that a residual number of the unused spare memory blocks as the alternative destination reaches a first prescribed value in the main memory chip, formatting processing of a memory block inside the sub memory chip is started.例文帳に追加
そして、メインメモリチップで、代替先として未使用の予備メモリブロックの残り数が第1の所定値に達したことを検出したときに、サブメモリチップ内のメモリブロックのフォーマット処理を開始する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of simply and easily controlling the setting of a reference memory cell when a value stored in a core memory cell is determined based on the reference memory cell.例文帳に追加
リファレンスメモリセルを基にコアメモリセルに記憶されている値を判定する際に、リファレンスメモリセルの設定の制御を簡単かつ容易にすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory having configuration enabling a leakage defect of a memory cell to be detected regardless of a data value of the memory cell, and to provide a method for detecting the leakage defect of the nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加
メモリセルのデータ値の如何にかかわらずメモリセルのリーク不良を検出することができるような構成の不揮発性半導体メモリ及びそのリーク不良検出方法を提供する。 - 特許庁
Vertical transistors (SV0, SV1) and a memory block having memory cells constituted of memory elements (PCM0, PCM1), in which the resistance value changes with the temperature given to the upper parts, are laminated, and a non-volatile memory of high integration is formed.例文帳に追加
縦型トランジスタ(SV0,SV1)と、その上方に与えられる温度によりその抵抗値が変化する記憶素子(PCM0,PCM1)で構成されるメモリセルを有するメモリブロックを、積層させ、高集積な不揮発メモリを実現する。 - 特許庁
To perform a writing/reading operation in a memory cell by detecting the threshold value shift of the memory cell based on a change in the data of a dummy cell.例文帳に追加
ダミーセルのデータ変化により、メモリセルのしきい値シフトを検出し、メモリセルの書き込み動作、読み出し動作を実行する。 - 特許庁
When the number of the memory switch 6 is changed, a selection part 32 selects the learning value 35 corresponding to the memory switch 6.例文帳に追加
メモリスイッチ6の番号が変更された場合には、選択部32は、メモリスイッチ6に対応する学習値35を選択する。 - 特許庁
With operation including the designation of a memory number, a set value corresponding to the memory number is read out and the calculated result can be reflected therewith.例文帳に追加
メモリ番号の指定を含む操作で、メモリ番号に対応する設定値を読出し、計算結果に反映させることができる。 - 特許庁
To provide a method for reading memory data from a resistive memory cell including a selection register addressable via a control value.例文帳に追加
制御値を介してアドレス可能な選択トランジスタを備えた抵抗メモリセルからメモリデータを読み出すための方法を提供する。 - 特許庁
In the nonvolatile memory composed of multi-value memory cells, each page constituting a physical block is divided into four areas.例文帳に追加
多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおいて、物理ブロックを構成する各ページは、4つの領域に区分される。 - 特許庁
The additional bit and the write expectation value are stored in a memory cell at an address while being supplied to the memory (16) as write data.例文帳に追加
この付加ビットと書き込み期待値とは、書き込みデータとしてメモリ(16)に供給されてアドレスのメモリセルに格納される。 - 特許庁
In response to the initialization request, the target memory block is initialized to an initialization value within a memory of the data processing system.例文帳に追加
初期設定要求に応答して、ターゲット・メモリ・ブロックはデータ処理システムのメモリ内で初期設定値に初期設定される。 - 特許庁
In an irregularity correction arithmetic part 23, the measurement value is corrected with the correction coefficients from the photoreceptor irregularity memory and intermediate transfer body irregularity memory.例文帳に追加
ムラ補正演算部23で、その測定値を感光体ムラメモリ及び中間転写体ムラメモリからの補正係数で補正する。 - 特許庁
When a data rewriting is instructed, instead of erasing the initial value V10 and writing a new data value in the same memory cell, the unused other memory cell group of M bits is selected to write a new data value V1.例文帳に追加
データの書き換え指示があったときは、初期値V10を消去して同じメモリセル群に新たなデータ値を書き込む代わりに、未使用の他のMビットのメモリセル群を選択して新たなデータ値V1を書き込む。 - 特許庁
Data entries in the shared memory structure is accessed by using an extended index value.例文帳に追加
共有メモリ構成のデータエントリは拡張されたインデックス値を使用してアクセスされる。 - 特許庁
The digital value converted by operation of the A/D converter 4 is stored in a memory 5.例文帳に追加
そしてA/D変換器4の動作によって変換されたデジタル値をメモリ5に記憶する。 - 特許庁
A value stored in a memory cell A1000 is referenced through bit lines A611 and 612.例文帳に追加
メモリセルA1000に保持された値はビット線A611および612から参照される。 - 特許庁
When the shift quantity reaches a prescribed value, the image is automatically stored in an image memory.例文帳に追加
そして、シフト量が所定値に到達すると自動的に画像が画像メモリに記憶される。 - 特許庁
Successively, the initial data is compared with the comparison data, and a data value of the selected memory cell is judged.例文帳に追加
続けて、イニシャルデータと比較データを比較し、選択されたメモリセルのデータ値を判断する。 - 特許庁
ACTIVE TERMINAL RESISTANCE VALUE CALIBRATING CIRCUIT, MEMORY CHIP AND ACTIVE TERMINAL RESISTANCE CALIBRATING METHOD例文帳に追加
能動終端抵抗値較正回路、メモリチップ及び能動終端抵抗較正方法 - 特許庁
To suppress a consumption current by reducing an average current value of an output buffer in a memory.例文帳に追加
メモリの出力バッファの平均電流値を低減し、消費電流を抑制すること。 - 特許庁
A correction value data storage area 18b of the flash memory 18 is brought initially into an erased state.例文帳に追加
フラッシュメモリ18の補正値データ記憶領域18bは、当初イレース状態としておく。 - 特許庁
A line memory 44 stores the gradation value of image data for one line to print.例文帳に追加
ラインメモリ44には、印画を行う1ライン分の画像データの階調値が記憶される。 - 特許庁
A storage value is indicated by a resolution when the Dsd is stored in the memory.例文帳に追加
格納値は、Dsdをメモリに格納する幅とした場合の分解能で表される。 - 特許庁
To provide a semiconductor containing chalcogenide with a phase change memory and an ovonic threshold value switch.例文帳に追加
相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。 - 特許庁
Returns information on locations of various I/O regions in physical memory according to the which value. 例文帳に追加
whichの値に基づいて、物理メモリ内の様々な I/O 領域の位置情報が返される。 - JM
The output waveform correcting section has a memory for storing an output waveform correction value.例文帳に追加
出力波形補正部は、出力波形補正値を記憶するためのメモリを有している。 - 特許庁
A value calculated one after another is written into a memory device 32 fitted inside a fuel tank 3.例文帳に追加
また、その算出値を、燃料タンク3内に設けた記憶素子32に逐次書き込む。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus and an image processing program capable of attaining high speed multi-value dither processing while considering the capacity of an available memory.例文帳に追加
利用可能なメモリの量を考慮しつつ、多値ディザ処理の高速化を図る。 - 特許庁
To save the capacity of a memory by storing only a necessary optimal recording power value.例文帳に追加
必要な最適記録パワー値のみを記憶するようにしてメモリの容量を節約する。 - 特許庁
After the restart, the CPU 3 transmits the factor setting value stored in the memory, to a monitoring center.例文帳に追加
CPU3は、再起動後、メモリに記憶された要因設定値を監視センタへ送信する。 - 特許庁
The MCAM cell may contain a second memory for storing a mask value.例文帳に追加
MCAMセルはマスク値を格納するための第二メモリを包含することが可能である。 - 特許庁
A value stored in a memory cell B2000 is referenced through bit lines B621 and 622.例文帳に追加
メモリセルB2000に保持された値はビット線B621および622から参照される。 - 特許庁
The memory means stores a temperature target value, a set water supply amount and a set standby time.例文帳に追加
記憶手段は、温度の目標値、設定給水量、設定待機時間を記憶する。 - 特許庁
The maximum value of each number of times of the driving of a starter is stored in a memory RM6 of an RAM 27.例文帳に追加
ステップ110では各スタータ駆動回数の最大値をRAM27のメモリRM6に記憶する。 - 特許庁
The resistance value of the first resistive interconnection (21) depends on data stored onto the first memory cell (MC2).例文帳に追加
第1抵抗配線(21)の抵抗値は、第1メモリセル(MC2)のデータに依存する。 - 特許庁
An ECU 30 includes a memory region for storing a calculation value of the NH3 adsorption retaining amount of the SCR 18.例文帳に追加
ECU30は、SCR18のNH3吸着保持量の演算値を記憶するメモリ領域を有する。 - 特許庁
The value and returned type point into database memory;therefore, you must not modify the data. 例文帳に追加
値と返される型はデータベースのメモリを指す。 したがって、このデータを変更してはならない。 - XFree86
When a value of a mode memory is set to '2' (S3:2), a low noise mode is set to a home mode.例文帳に追加
モードメモリの値が「2」であれば(S3:2)、低騒音モードはホームモードに設定されている。 - 特許庁
Then the size corresponding to the determined value of the BUFF1_NUM is reserved as a size of the buffer memory 1.例文帳に追加
そして、定まったBUFF1_NUM値に応じたサイズがバッファメモリ1のサイズとして確保される。 - 特許庁
The content selection device 10 is provided with a memory 1, a numerical value selection part 2 and a calculation part 3.例文帳に追加
コンテンツ選択装置10は、メモリ1と数値選択部2と算出部3とを備える。 - 特許庁
To provide a data memory device capable of compressing and storing the integration value of gas meter.例文帳に追加
ガスメータの積算値を圧縮して記憶することが可能なデータ記憶装置を提供する。 - 特許庁
A memory 12 stores a current master volume value and a level control amount of an electronic volume 1.例文帳に追加
メモリ12は、現在のマスタボリューム値と、電子ボリューム1のレベル調整量とを記憶する。 - 特許庁
To provide a memory element of a variable-resistance nonvolatile memory device using a variable-resistance material varying in electric resistance value when applied with a voltage, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加
電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
When one memory segment 106 does not almost have a usable area or when that memory segment 106 has any error, the latest value is written in the new memory segment 108.例文帳に追加
1つのメモリセグメント106の使用可能領域がほとんどないときまたはそのメモリセグメント106に誤りあるときに、最新の値が新メモリセグメント108に書き込まれる。 - 特許庁
The image inspection device 100 includes an image data inputting part 210, a control part 220, an application memory part 270, a set value memory part 272 and a template memory part 274.例文帳に追加
検査装置100は、画像データ入力部210と、制御部220と、アプリケーション記憶部270と設定知己億部272とテンプレート記憶部274とを含む。 - 特許庁
To provide a multi-level anti-ferroelectric memory in which an anti- ferroelectric memory is adopted and polarization quantity of ternary value or more can be stored in one memory cell capacitor.例文帳に追加
反強誘電体メモリを適用した、1メモリセルキャパシタに3値以上の分極量を記憶させることのできる、多値反強誘電体メモリを提供すること。 - 特許庁
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