| 意味 | 例文 |
memory-typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2649件
To provide a wrapper circuit for interfacing a non-muxed type memory controller and a muxed memory.例文帳に追加
非多重(non−muxed)型のメモリコントローラと多重(Muxed)型のメモリとをインタフェーシングするラッパ回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory having a redundancy circuit substituted for a redundancy cell corresponding to a defective type of a memory.例文帳に追加
メモリの不良類型に相応する冗長セルに代替する冗長回路を備えた半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory of a 1T/1C type in which a ferroelectric capacitor of a memory for reference potential hardly deteriorates.例文帳に追加
参照電位用メモリセルの強誘電体キャパシタが劣化し難い、1T/1Cタイプの強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
A memory array includes a plurality of static type memory cells disposed at intersecting points of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加
メモリアレイを複数のワード線と複数の相補ビット線の交点に設けられた複数のスタティック型メモリセルで構成する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory element for preventing drain disturbance and the over-erase of an NOR type flash memory, and to provide its operation method.例文帳に追加
NOR型フラッシュメモリのドレイン外乱と過消去を防止する不揮発性メモリ素子及びその動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory device which can perform data transfer at high speed between a NAND type flash memory and a RAM.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリとRAMとの間で高速にデータ転送を行うことができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a memory device capable of performing data transfer at a high speed between an NAND type flash memory and a RAM.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリとRAMとの間で高速にデータ転送を行うことができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁
To reduce the number of card sockets in a memory card control device capable of responding to a plurality of memory cards differed in type.例文帳に追加
互いに種類が異なる複数のメモリカードに対応可能なメモリカード制御装置においてカードソケット数を減少させる。 - 特許庁
To provide a stack type nonvolatile semiconductor memory device capable of selectively performing an erasing operation in a memory block.例文帳に追加
メモリブロック内で選択的に消去動作を実行することが可能な積層型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The device for managing memory in the diary type electronic wrist watch includes a non-volatile memory 15 connected to a microprocessor unit 14.例文帳に追加
ダイアリ・タイプの電子腕時計のメモリを管理するデバイスに、マイクロプロセッサ・ユニット(14)に接続された不揮発性メモリ(15)が含まれる。 - 特許庁
To provide a DRAM-type memory system and a memory management control method by which a DRAM-type memory is used to implement efficient continuous reading and writing of data, to allow handling of data in a FIFO format.例文帳に追加
DRAM型メモリを用いてデータの効率的な連続読み出しおよび書き込みをを実現し、FIFO形式でのデータの取り扱いを可能にするDRAM型メモリシステムおよびメモリ管理制御方法を提供する。 - 特許庁
A second flash memory 70 is a semiconductor storage part of the same type as the first flash memory 60 and allows data therein to be updated more frequently than the first flash memory 60.例文帳に追加
第2フラッシュメモリ70は、第1フラッシュメモリ60と同種の半導体記憶部であり、第1フラッシュメモリ60と比較して頻繁なデータ更新が可能である。 - 特許庁
To provide a method for formatting a memory medium of a medium exchange type memory device capable of reducing the labor for the physical format processing of the memory medium.例文帳に追加
記憶媒体の物理フォーマット処理の手間を軽減することのできる媒体交換型記憶装置の記憶媒体フォーマット方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
This intelligent type multifunctional compound memory is provided with a volatile memory, a non-volatile memory, and a data conversion circuit and packaged in a single chip or multi-chips.例文帳に追加
本発明に係わるう知能型多機能複合式メモリは、揮発性メモリと、非揮発性メモリとデータ変換回路とを備え、シングル・チップまたはマルチ・チップにパッケージされる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which performs normal read-out even if an excess-written memory cell exists in a NAND type MONOS memory, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加
NAND型MNOSメモリにおいて、過書き込みされたメモリセルがあっても、正常な読み出しを可能とする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To attain the increase of access speed at a read access in a semiconductor memory device provided with memory cell arrays wherein dynamic type memory cells are arrayed in a matrix state.例文帳に追加
ダイナミック型のメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置において、リードアクセスにおけるアクセス速度の高速化を可能とする。 - 特許庁
To realize improving reliability of write-in of a non-volatile semiconductor memory such as especially a single gate type flash memory or the like without changing basic constitution of a memory cell array.例文帳に追加
特に単ゲート型のフラッシュメモリ等、不揮発性半導体メモリの書き込み信頼性向上を、メモリセルアレイの基本構成を代えずに実現することを課題とし、 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory that can reduce the area of a memory cell as compared with the structure of the conventional one-transistor one-capacitor type ferroelectric memory.例文帳に追加
従来の1トランジスタ1キャパシタ型の強誘電体メモリの構造に比べて、メモリセルの面積を小さくすることが可能な強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁
To provide a memory system for reducing the write-in frequency of a NAND type flash memory using a multi-level memory cell, and for preventing its lifetime from being shortened.例文帳に追加
多値のメモリセルを使用したNAND型フラッシュメモリの書き込み回数を低減して、その寿命が短くなることを抑制することができるメモリシステムを提供すること。 - 特許庁
To provide a memory defect treatment device and its method detecting a defect position with respect to a card type memory, and capable of using the memory card irrespective of a defect.例文帳に追加
本発明は、カード型メモリーに対する欠陥位置を検出し、欠陥にかかわらずメモリーカードが使用できるメモリー欠陥処理装置及びその方法に関する。 - 特許庁
To provide a memory system capable of reducing deterioration in a performance of the memory system by reducing a replacement frequency of an address having a high access frequency in a store-in type memory system.例文帳に追加
ストアイン方式のメモリシステムにおいて、アクセス頻度が高いアドレスのリプレース頻度を減らし、メモリシステムの性能悪化を軽減することができるメモリシステムを提供すること - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁
NAND TYPE MEMORY ARRAY, READING METHOD, PROGRAMMING METHOD AND ERASING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
NAND型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法 - 特許庁
FIT IN TYPE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE FOR WRITING AND DELETING VIA CHANNEL, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
チャネル経由で書込みと消去する嵌入式フラッシュメモリセル構造とその製造方法 - 特許庁
To provide a split gate-type nonvolatile semiconductor memory device and a manufacturing method of the same.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a simple method of directly printing a label on a card type memory device.例文帳に追加
カード型記憶装置に直接ラベルを印刷するための簡便な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a twin MONOS type flash memory that controls disturbance from other control gates.例文帳に追加
他のコントロールゲートからのディスターブを抑制するツインMONOS型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁
DIELECTRIC LAMINATED FILM AND LUMINOUS ELEMENT USING IT OR SIMPLE MATRIX TYPE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
誘電体積層膜、及びこれを用いた発光素子、もしくは単純マトリックス型メモリ素子 - 特許庁
A semiconductor device comprises a memory cell of a SRAM and has a p-type well region W20.例文帳に追加
半導体装置は、SRAMのメモリセルを備え、p型ウエル領域W20を有する。 - 特許庁
To reduce power consumption of a VGA-type semiconductor memory when a bit line is discharged.例文帳に追加
VGA型半導体記憶装置のビット線ディスチャージ時の消費電力を低減する。 - 特許庁
DISTRIBUTED PROCESSING METHOD IN DISTRIBUTED MEMORY-TYPE PARALLEL COMPUTER AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加
分散メモリ型並列計算機における分散処理方法及びコンピュータ可読記録媒体 - 特許庁
A semiconductor device comprises a SRAM memory cell and has a p-type well region W20.例文帳に追加
半導体装置は、SRAMメモリセルを備え、p型ウエル領域W20を有する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory formed on a first conductivity type substrate.例文帳に追加
第1の1つの導電型基板に形成される1つの不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁
This preventing and treating agent for the Alzheimer type defect of memory is provided by using sphingomyelin as an active ingredient of the agent.例文帳に追加
スフィンゴミエリンをアルツハイマー型記憶障害の予防、治療剤の有効成分とする。 - 特許庁
A self-timing type memory core generates a reset signal for resetting a clock input buffer.例文帳に追加
セルフタイム式メモリコアは、クロック入力バッファをリセットするためのリセット信号を生成する。 - 特許庁
The main memory 310 can ensure a buffer region having a size corresponding to a packet type.例文帳に追加
メインメモリ310には、パケット種別に応じた大きさのバッファ領域を確保することができる。 - 特許庁
The hiding type rewriting 2P2N pseudo-SRAM having the array of memory cells is provided.例文帳に追加
メモリセルのアレイを備えた隠ぺい型再書き込み2P2N擬似SRAMを提供する。 - 特許庁
To provide a charge trapping type nonvolatile semiconductor memory for improving a data read-out rate.例文帳に追加
電荷トラップ型の不揮発性半導体メモリのデータ読み出し速度を向上させること。 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY STRUCTURE, TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE REPRODUCING HEAD, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 - 特許庁
To improve data holding characteristics without increasing the size of a latch part of a latch type memory cell.例文帳に追加
ラッチ型メモリセルのラッチ部のサイズを増大させることなく、データ保持特性を改善する。 - 特許庁
The comparison type is converted into data, and stored at the address specified in a specific memory.例文帳に追加
比較タイプはデータ化されて特定のメモリにおける指定されたアドレスに格納されている。 - 特許庁
To improve data retaining characteristic at writing, in a memory device of resistance varying type.例文帳に追加
抵抗変化型の記憶装置において、書き込み時のデータ保持特性を向上させる。 - 特許庁
The use of the cross point type memory cells easily attains large capacity and high integration.例文帳に追加
クロスポイント型メモリセルを用いることにより、容易に大容量化と高集積化が図れる。 - 特許庁
To provide a charge trap type nonvolatile semiconductor memory capable of reducing current consumption.例文帳に追加
電荷トラップ型の不揮発性半導体メモリにおいて、消費電流を低減すること。 - 特許庁
DEVICE, METHOD, SYSTEM AND PROGRAM FOR IMPROVING PERFORMANCE USING MIXED MEMORY TYPE例文帳に追加
混合メモリ・タイプを使用して性能を改善するための装置、方法、システム、およびプログラム - 特許庁
To provide a P-channel type nonvolatile semiconductor memory device capable of mitigating disturb stress.例文帳に追加
ディスターブストレスを緩和できるPチャネル型不揮発性半導体記憶装置提供する。 - 特許庁
RF ELECTROMAGNETIC FIELD HEATING TYPE DIODE FOR THERMALLY SUPPORTING SWITCHING OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
磁気メモリ素子の切替えを熱的に支援するためのRF電磁界加熱式ダイオード - 特許庁
SYNCHRONOUS TYPE MEMORY CARD CONVERSION ADAPTER, DATA TRANSMISSION SYSTEM CONVERTER, AND CLOCK FREQUENCY CONVERTER例文帳に追加
同期式メモリーカード変換アダプタ、データ伝送方式変換器及びクロック周波数変換器 - 特許庁
This memory system includes a cascade type interconnection system spared in the segment level.例文帳に追加
このメモリ・システムはセグメント・レベルで予備化した、カスケード型相互接続システムを含んでいる。 - 特許庁
SYNCHRONIZATION TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH WAVE PIPELINE SCHEME AND DATA BUS CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加
ウェ—ブパイプラインスキムを備える同期型半導体メモリ装置及びそれのデ—タパス制御方法 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|