「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The data of the command code stored in the NAND type flash memory 1-6 is transferred to the memory pool of an SDRAM 1-4, to run around in the pool memory by a function of a CPU 1-2.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１−６に格納した命令コードのデータは、ＳＤＲＡＭ１−４のメモリプールに転送され、ＣＰＵ１−２の働きによってメモリプール内で走行する。 - 特許庁

A memory n-type MIS transistor QM1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has a memory source-drain region SD1 including a memory extension regions LD1 formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成されたメモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成されたメモリ用エクステンション領域ＬＤ１を含むメモリ用ソース・ドレイン領域ＳＤ１を有している。 - 特許庁

The memory blocks are coupled to the pipeline logic units by a mesh type crossbar and form a combination of virtual memory banks, and memory blocks in arbitrary given physical memory banks may be allocated to a virtual memory bank for arbitrary specified pipeline logic unit.例文帳に追加

該メモリブロックはメッシュ型クロスバーでパイプライン論理ユニットへ結合されており且つ１組の仮想メモリバンクを形成しており、任意の与えられた物理的メモリバンク内のメモリブロックは任意の特定のパイプライン論理ユニットに対する仮想メモリバンクへ割当てることが可能である。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、ＷＯＲＭ(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A non-contact type information reading/writing apparatus 10 can write the predetermined information to a non-contact type information memory apparatus 20 and can also read the information stored in the non- contact type information memory apparatus 20.例文帳に追加

非接触型情報読取／書込装置１０は、非接触型情報記憶装置２０に所定の情報を書き込むことができ、また非接触型情報記憶装置２０に記憶されている情報を読み取ることができる。 - 特許庁

In each of memory cells, an n-type MOS transistor Q10a or a p-type MOS transistor Q10b is formed corresponding to the stored state.例文帳に追加

各メモリセルには、記憶状態に応じてｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１０ａまたはｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１０ｂが形成される。 - 特許庁

As machine type discrimination information, communication data containing a machine type code are transmitted from a printer control part 204 to a memory communication control part 220.例文帳に追加

機種判別情報として、プリンタ制御部２０４からメモリ通信制御部２２０に機種コードを含む通信データを送信する。 - 特許庁

To reduce a leak current at the time of standby being a problem when a semiconductor memory of a current read-out type is made a low voltage and high speed type.例文帳に追加

電流読み出し型の半導体メモリを低電圧・高速化した際に問題となるスタンバイ時のリーク電流を低減すること。 - 特許庁

To provide a pressing hydraulic controller for a toroidal type CVT, capable of reducing a memory volume required for controlling a pressing hydraulic for the toroidal type CVT.例文帳に追加

トロイダル型ＣＶＴの押圧油圧の制御に要するメモリ量を削減するトロイダル型ＣＶＴの押圧油圧制御装置を提供する。 - 特許庁

To electrically isolate a virtual ground type memory cell array region and a virtual ground type dummy cell array region by suppressing increase in the chip size.例文帳に追加

チップサイズの増加を抑えて、仮想接地型メモリセルアレイ領域と仮想接地型ダミーセルアレイ領域とを電気的に分離すること。 - 特許庁

The second conductivity type well tap region is formed in the second conductivity type well of a part of memory cell included in the repeated units.例文帳に追加

繰り返し単位に含まれる一部のメモリセルの第２導電型のウェル内に第２導電型のウェルタップ領域が形成されている。 - 特許庁

The memory cell unit can be applied for an AND type and a divided bit line NOR type as well, and the number of the selection gate lines may be plural.例文帳に追加

メモリセルユニットは、ＡＮＤ型或いは分割ビットラインＮＯＲ型にも適用でき、また選択ゲート線は複数本であってもよい。 - 特許庁

APPARATUS FOR INCREASING MULTI-DIMENSIONAL SHIFT COMMUNICATION SPEED OF DISTRIBUTED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM, METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR例文帳に追加

分散メモリ型マルチプロセッサシステムの多次元シフト通信高速化装置、その方法及びそのプログラム - 特許庁

To make effectively avoidable the loss of an attachement to a portable device such as a card type memory.例文帳に追加

カード型メモリなどの携帯機器などへの装着物の紛失を、効果的に避けることができる。 - 特許庁

To provide a flexible switching element used as a resistance-variation-type random access memory element.例文帳に追加

抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いられるフレキシブルなスイッチング素子を提供する。 - 特許庁

To effectively use a memory without reducing the processing speed in a data driving type information processor.例文帳に追加

データ駆動型情報処理装置において、処理速度を落とさずに、メモリを有効的に使用する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory which prevents an unselected block from being erased by mistake.例文帳に追加

非選択ブロックの誤消去を防止することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising an MONOS type nonvolatile memory, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

MONOS型の不揮発性記憶装置を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has an N-type transistor connected to the read column selection signal.例文帳に追加

さらに、リード回路内に、リードカラムセレクション信号に接続されたＮ型トランジスタを有する。 - 特許庁

To vary the number of lines that can be used for respective indexes in a set associative-type cache memory.例文帳に追加

セットアソシアティブ方式キャッシュメモリにおいて、インデックス毎に使用可能なラインの数を可変とする。 - 特許庁

There is provided a substrate having a first conductive type well, a device separation structure, and a dummy memory sequence.例文帳に追加

第1の導電型のウェル、デバイス分離構造及びダミーメモリ列を備える基板を提供する。 - 特許庁

To read management information of a plurality of clusters in a short time in an AG-AND type flash memory.例文帳に追加

ＡＧ−ＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、複数のクラスタの管理情報を短時間に読み出す。 - 特許庁

The recording part 3 is composed of a magnetic recording layer, direct-read- after-write type optical recording layer or integrated circuit(IC) memory.例文帳に追加

記録部３は、磁気記録層、追記型光記録層又はＩＣ（集積回路）メモリからなる。 - 特許庁

This lead holding means is moved forward by contraction of the electrically driven type shape-memory alloy 17.例文帳に追加

この芯保持手段を通電駆動型形状記憶合金１７の収縮により前進させる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PRESERVING WORD LINE PASS BIAS USING ROM IN NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ内のＲＯＭを利用したワードラインパスバイアスの保存方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF OPERATING AND CONTROLLING CHARGE TRAP TYPE MEMORY DEVICE, THE SAME DEVICE, AND OPERATION CONTROL PROGRAM例文帳に追加

チャージトラップ型メモリ装置の動作制御方法、チャージトラップ型メモリ装置及び動作制御プログラム - 特許庁

To provide a non-polar type nonvolatile memory element containing neither rare element nor hazardous element.例文帳に追加

稀少元素や有害元素を含有しないノンポーラ型の不揮発性メモリー素子を提供する。 - 特許庁

MULTI-PLANE TYPE FLASH MEMORY DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION AND READ-OUT OPERATION THEREOF例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリ装置並びにそのプログラム動作および読出し動作の制御方法 - 特許庁

A laminate is provided on a silicon substrate in this write-once type semiconductor memory device.例文帳に追加

１回書込型の半導体記憶装置において、シリコン基板上に積層体が設けられている。 - 特許庁

To reduce erroneous discharges in a dot matrix type AC plasma display device having a memory function.例文帳に追加

メモリ機能を有するドットマトリックス型ＡＣプラズマディスプレイにおける誤放電を減少させる。 - 特許庁

MEMORY CARD, PORTABLE TYPE INFORMATION TERMINAL AND INFORMATION PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM AND PROGRAM例文帳に追加

メモリカード、携帯型情報端末装置および情報処理方法、記録媒体、並びにプログラム - 特許庁

To improve the information holding characteristics of a split gate type memory cell adopting a MONOS system.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ方式を採用するスプリットゲート型メモリセルの情報保持特性を向上させる。 - 特許庁

To obtain a new type optical memory device by using an element which excites surface plasmon resonance.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴を励起させる素子を用いて、新しいタイプの光メモリ装置を得る。 - 特許庁

To reduce power consumption of a dynamic type semiconductor memory device and/or to increase operation speed.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置の消費電力の低減及びまたは高速化を図ること。 - 特許庁

To comprehend the electric characteristics of a split gate type non-volatile semiconductor memory with high precision.例文帳に追加

高い精度でスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の電気的特性を把握する。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory device which allow only a small standby current and is resistive to latch-up phenomenon.例文帳に追加

スタンバイ電流が小さく、ラッチアップに強いスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a medicine, beverage and foods for preventing or treating Alzheimer type defect of memory.例文帳に追加

アルツハイマー型記憶障害を予防あるいは治療する薬剤及び飲食品を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR UPDATING TRIE TYPE ASSOCIATIVE MEMORY, AND ROUTER FOR EXECUTING THE METHOD例文帳に追加

ＴＲＩＥタイプの連想メモリを更新する方法およびこのような方法を実行するルータ - 特許庁

To realize stable communication by restraining a communication error made by communication with a contact type IC memory.例文帳に追加

接触型ＩＣメモリとの通信による通信エラーの発生を抑え、安定した通信を行う。 - 特許庁

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, THIN FILM MAGNETIC MEMORY AND THIN FILM MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ - 特許庁

The error location retrieval check symbol is stored in a memory with the interleave type code word.例文帳に追加

その誤り位置探知用検査記号をインターリーブ型符号ワードと共にメモリ内に格納する。 - 特許庁

To make high performance and low power consumption compatible by using a memory element of a DDR type.例文帳に追加

ＤＤＲタイプのメモリ素子を使用して、高いパフォーマンスと低消費電力化を両立する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANODIC OXIDATION, FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

陽極酸化方法および陽極酸化装置および電界放射型電子源およびメモリ素子 - 特許庁