「n channel」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目)

埋め込みｐ（又はｎ）チャネル領域である埋め込みチャネル領域７に於けるｎ（又はｐ）型不純物濃度が図に付記した線図に見られるようにチャネル長方向に於いてｐ^++ソース領域５側及びｐ^++ドレイン領域６側に向かって漸増するように分布している埋め込みｐ（又はｎ）チャネル型ＭＯＳＦＥＴが含まれている。 - 特許庁

Inside the first n-well 3A, a p-well 4A is formed, and inside the p-well 4A, an n-channel type MOS transistor 10 is formed.例文帳に追加

第１のＮウエル３Ａの中には、Ｐウエル４Ａが形成され、このＰウエル４Ａ中にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０が形成されている。 - 特許庁

An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁

Consequently, the n-channel type horizontal MOSFET 100 having the large breakdown voltage at the drain-source junction and reduced in drain-source coupling capacitance can be materialized.例文帳に追加

したがって、ドレイン−ソース間耐圧が大きく、ドレイン−ソース間容量が低減されたNチャネル型横型ＭＯＳＦＥＴ１００を実現できる。 - 特許庁

例文

A p-well 111 as a MOSFET channel region is formed in one side of an n^--layer 110, and an n^+-drain region 118 is formed on the other side.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。 - 特許庁

例文

However, the N channel virtual object sound sources and N sound pickup means correspond to each other uniquely and the virtual sound sources belonging to the input channels are used without fail.例文帳に追加

ただし、Ｎチャネル擬似目的音源と、Ｎ個の収音手段とは、一意に対応し、必ず各入力チャネルに属するものが用いられる。 - 特許庁

The 1st to n-th speakers respectively radiate sonic waves 3 from their sonic wave radiation planes in accordance with the supplied 1st to n-th channel signals.例文帳に追加

第１乃至第ｎスピーカは、供給された第１乃至第ｎチャネル信号に応じてそれぞれが音波放射面より音波３を放射する。 - 特許庁

Consequently, an n- type impurity region can be formed between the channel forming region and the n+ type impurity region of the semiconductor layer.例文帳に追加

この結果、半導体層において、チャネル形成領域と、ｎ+ 型不純物領域との間に、ｎ- 型不純物領域を形成することができる。 - 特許庁

An n+ cathode region 32 and an n-cathode region 34 are provided on a cathode electrode 30, and a p-channel region 36 is provided thereon.例文帳に追加

カソード電極３０上にｎ＋カソード領域３２、ｎ−カソード領域３４が設けられ、さらにｐ−チャネル領域３６が設けられる。 - 特許庁

In P-well regions 152 and 153 arranged in both sides of the N-well region 151, N-channel transistors 108 and 109 and the like are formed.例文帳に追加

Ｎウェル領域１５１の両側に配置されたＰウェル領域１５２，１５３には、Ｎチャネルトランジスタ１０８，１０９等が形成されている。 - 特許庁

An N-channel MOSFET with the protection circuit is composed of the N-channel MOSFET and a diode.例文帳に追加

第１の電源と第２の電源との間に設け、第３の電源電圧を出力する定電圧回路において、その定電圧回路の出力回路を構成するＮチャネルＭＯＳＦＥＴを保護回路付きの構造とする。 - 特許庁

For example, the phase shifter 65 of an (i)-th channel shifts the phase of the signal point position vector by a phase shift quantity θ of the (i)-th channel of 360°, with i/N where the number of channels is N.例文帳に追加

例えば、第ｉチャンネルの移相器６５は、チャンネル数をＮとするとき、第ｉチャンネルの移相量θを３６０^0・ｉ／Ｎとし、該移相量θ分だけ信号点位置ベクトルを移相する。 - 特許庁

The N-channel MOS transistors N8, N12 receive a sense amplifier activation signal S0 for activating the sense amplifier 52 to the gate, and the N-channel MOS transistors N10, N14 receive a column selection signal CSL to the gate.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ８，Ｎ１２は、センスアンプ５２を活性化するセンスアンプ活性化信号Ｓ０をゲートに受け、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１０，Ｎ１４は、コラム選択信号ＣＳＬをゲートに受ける。 - 特許庁

On a primary surface of a semiconductor substrate, a functional n-channel transistor is formed in a p-type impurity region PWL and a functional p-channel transistor is formed in an n-type impurity region NWL.例文帳に追加

半導体基板の主表面上の、ｐ型不純物領域ＰＷＬに機能用ｎチャネル型トランジスタが、ｎ型不純物領域ＮＷＬに機能用ｐチャネル型トランジスタが形成される。 - 特許庁

Each of the channel sections 20_-1 to 20_-n is provided with an arithmetic section 22, that conducts routing arithmetic processing, and resource management and a packet identification section 23, that discriminates whether a packet received from a channel needs routing arithmetic processing.例文帳に追加

回線部２０-1〜２０-nは、経路演算処理およびリソース管理を行う演算部２２と、回線から入力されたパケットが経路演算を要するか否かを判定するパケット識別部２３を備える。 - 特許庁

When the output SO of the sense amplifier 9 in each selector 13 coincides with the data (TAGADD) of the address, the N- channel transistors 15 are turned off, and when they do not coincide with each other, the N-channel transistors 15 are turned on.例文帳に追加

各セレクタ１３におけるセンスアンプ９の出力ＳＯとアドレスのデータ（ＴＡＧＡＤＤ）とが一致したとき、Ｎチャネルトランジスタ１５がオフし、一致しないときＮチャネルトランジスタ１５がオンする。 - 特許庁

A drain of the first N-channel-type MOS transistor 30 is connected to a first external terminal 401, and its source is electrically connected to a source of the second N-channel-type MOS transistor 31 and the P-type well 9.例文帳に追加

第１Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ３０のドレインは第１外部端子４０１に接続され、ソースは第２Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ３１のソースとＰ型ウェル９とに電気的に接続される。 - 特許庁

The gate of the N-channel MOS TRs N3, N4 is connected to the power supply level VDD2, the gate of the N-channel MOS TRs N3S, N4S is connected to the VDD1 and the TRs above are all normally conductive.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＮ３及びＮ４のゲートはＶＤＤ２に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３Ｓ及びＮ４ＳのゲートはＶＤＤ１に接続され、これらのトランジスタは常時オンである。 - 特許庁

The POS probe unit 10 for testing is connected to one end of a POS (PPP Over SONET/SDH) channel N, and a frame generator 20 for transmitting a testing frame to the POS channel N is connected to another end.例文帳に追加

ＰＯＳ（PPP Over SONET/SDH）回線Ｎの一端には試験を行うＰＯＳプローブ装置１０が接続され、他端には試験フレームをＰＯＳ回線Ｎに送信するフレーム発生装置２０が接続されている。 - 特許庁

For example, (k)th scanning operation on some channel in all the channel scanning cycles is started at a temporal position (k-1)/N from the head of the transmission frame period (where, 1<k<N).例文帳に追加

例えば、全チャネル・スキャン周期内でのあるチャネル上でのｋ回目のスキャン動作では、伝送フレーム周期の先頭から（ｋ−１）／Ｎの時間的位置から開始するようにする（但し、１＜ｋ＜Ｎとする）。 - 特許庁

A receiving C/N ratio of registration reference is increased if a classification determination result of an initial search object channel has no hierarchical transmission about a receiving C/N ratio to be registration reference to a channel list when a preset channel is set.例文帳に追加

プリセットチャンネル設定時にチャンネルリストへの登録基準とする受信Ｃ／Ｎ比について、初期サーチ対象チャンネルの種別判定の結果が階層伝送なしであれば、前記登録基準の受信Ｃ／Ｎ比を増加させることを特徴とする。 - 特許庁

The partition region 2, a base region 4 on the first n-channel MOSFET side, and a base region 14 on the second n-channel MOSFET side are separated each other using n-type high-resistance regions 3 and 13, to assure breakdown-strength in both directions.例文帳に追加

仕切り領域２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ側のベース領域４と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ側のベース領域１４とを、ｎ型の高抵抗領域３，１３により互いに分離することによって、双方向に耐圧を確保する。 - 特許庁

An n well area 8 is formed on the p-type low density epitaxial growth layer 4, a p-channel MOS transistor and a p well area 10 are formed in the n well area 8 and an n-channel MOS transistor is formed in the p well area 10.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４にＮウエル領域８が形成され、Ｎウエル領域８内にＰｃｈＭＯＳトランジスタとＰウエル領域１０が形成され、Ｐウエル領域１０内にＮｃｈＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ５内にチャネル層６を構成するためのＮ−型層を形成したのち、このＮ−型層の上にＮ型不純物を高度度で含むＮ＋型層を成膜し、このＮ＋型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜８を形成する。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

A (n) channel transistor is an adjuster coupled to a voltage source (VCC), of which a drain terminal is not adjusted.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタが、ドレイン端子が調整されていない電圧源（「Ｖ_CC」）に結合された調整器となる。 - 特許庁

When the data signal is at an H level, the n-channel TFT is turned on and VSS is supplied to the input terminal of the inverter.例文帳に追加

データ信号がＨレベルの時はオンして、ＶＳＳがインバータの入力端子に供給される。 - 特許庁

A source-follower circuit is used for an offset circuit and an N channel type element is used as a source-follower TR.例文帳に追加

オフセット回路にソ−スフォロワ回路を使用し、かつソ−スフォロワトランジスタとしてＮチャネル型素子を用いる。 - 特許庁

An initializing control signal PWRON1 is inputted to the gate of the N-channel MOS transistor 12.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２のゲートには、初期化制御信号ＰＷＲＯＮ１が入力される。 - 特許庁

To reduce the manufacturing cost, by simplifying a circuit constitution by using a load FET as an FET of an N channel.例文帳に追加

負荷ＦＥＴをＮチャンネルのＦＥＴとして、回路構成を簡素化して製造コストを低減する。 - 特許庁

The connection ends of the B group of transistors 2 are each connected to a ground via N-channel transistors 4-6.例文帳に追加

Ｂ群のトランジスタの各接続端はＮチャネルトランジスタ４〜６を介して接地に接続されている。 - 特許庁

An N-channel transistor 6 as a discharge switch periodically discharges the capacitor 5 of a stored charge.例文帳に追加

放電用スイッチであるＮチャネルトランジスタ６は、周期的にキャパシタ５の充電電荷を放電させる。 - 特許庁

Patterning at the 2nd stage determines the end of a gate electrode 39 in an n-channel well region 34.例文帳に追加

第２段階目のパターニングによりＮ型ウェル領域３４側のゲート電極３９端が規定される。 - 特許庁

In a bias potential generating circuit 11, when a power mode of an SDRAM is released and a signal PWRDN falls to a 'L' level, a potential of two times of threshold potential Vthn of an N channel MOS transistor is given pulsatively to a gate of an N channel MOS transistor 27, and the N channel MOS transistor 27 is conducted pulsatively.例文帳に追加

バイアス電位発生回路１１において、ＳＤＲＡＭのパワーダウンモードが解除されて信号ＰＷＲＤＮが「Ｌ」レベルに立下がると、ＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電位Ｖｔｈｎの２倍の電位がＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のゲートにパルス的に与えられ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７がパルス的に導通する。 - 特許庁

A pair of bit lines are connected to a sense amplifier through an N channel type transistor, memory cells constituting a memory cell array are connected to the bit line pair, and the gate voltage of the N channel type transistor is set lower than a voltage obtained by adding the threshold value voltage amount of the N channel type transistor to the driving voltage of the memory cells.例文帳に追加

センスアンプは、センスアンプに一対のビット線対がＮチャネル型トランジスタ対を介して接続され、ビット線対には、メモリセルアレイを構成するメモリセルが接続され、Ｎチャネル型トランジスタのゲート電圧は、メモリセルの駆動電圧にＮチャネル型トランジスタのしきい値電圧分を加えた電圧よりは低い電圧に設定されている。 - 特許庁

This enables the n-type channel layer 5 to be formed to have a constant film thickness and a constant concentration.例文帳に追加