p- aの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 32490件
A ratio P/C of pitch P in the peripheral direction of the blade 32 to a chord length C is in a scope of 1.0≤P/C≤1.2.例文帳に追加
また、ブレード部32の周方向ピッチPとコード長Cとの比P/Cが1.0≦P/C≦1.2の範囲にある。 - 特許庁
A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加
ソース領域7およびドレイン領域9は、n型エピタキシャル層4に接続されている。 - 特許庁
To reduce a computing error rate in a quantum computing technology for computing (a+b)mod p.例文帳に追加
(a+b)mod pの演算を行う量子演算技術において演算誤り率を低減させる。 - 特許庁
A method comprises coating the surface of an article with a polymer comprising monomers of p-xylene and/or a ring halogenated p-xylene and/or p-fluoromethylxylene and absorbing macromolecules thereto.例文帳に追加
p-キシリレン及び/又は環ハロゲン化p-キシリレン及び/又はp-フルオロメチルキシリレンのモノマーを含むポリマーであって巨大分子を吸着し得るものを物品の表面にコーティングする方法について記載する。 - 特許庁
Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加
炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁
In this pipe jacking method, the insert 1 of a precedent pipe P is inserted into a socket 2 of the precedent pipe P to connect the pipes P together for newly arranging a pipeline inside a sleeve pipe P'.例文帳に追加
管Pの挿し口1を先行する管Pの受口2に挿入して継合わせつつさや管P’内に管路を新設する推進工法である。 - 特許庁
A pitch P of the surface 13 to be processed coincides with a pitch P of the grinding worm 3.例文帳に追加
加工面13のピッチPは研削ウォーム3のピッチPに一致する。 - 特許庁
A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加
P型半導体基板7の表面にPウェル4が形成されている。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加
p型半導体層12は、p型ガイド層16、p型AlGaN電子ブロック層17およびp型AlGaNクラッド層18を含む。 - 特許庁
The roots P[R], P[G], P[B] are regarded as primary color data and fed to a color difference matrix circuit 26.例文帳に追加
その根P[R ]、P[G]、P[B]を原色データと見なして色差マトリクス回路26に供給する。 - 特許庁
To convert a nitride semiconductor where a p-type impurity is doped into a low-resistance p-type.例文帳に追加
p型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なp型とする。 - 特許庁
By adding P and S to Pt and Pd, respectively, a PtP catalyst and a PdS catalyst having a grain diameter of less than 5 nm are obtained.例文帳に追加
PtにP、PdにSを添加して粒径5nm未満のPtP触媒およびPdS触媒を得る。 - 特許庁
By adding P to Pd and Pt, a PdP catalyst and a PtP catalyst having a grain diameter of less than 5 nm are obtained.例文帳に追加
PdおよびPtにPを添加して粒径5nm未満のPdP触媒およびPtP触媒を得る。 - 特許庁
Converts an integer into a string representation using characters from the set [A .. P].例文帳に追加
整数を [A .. P] からなる文字集合を用いて表現した文字列に変換します。 - Python
A pipe travel guide tool 10 is fitted in a pipe P in the jacking method wherein the pipe P is inserted into the precedent pipe P to connect the pipes P together for newly arranging a pipeline inside a sleeve pipe P'.例文帳に追加
管Pを先行する管Pに挿入して継合わせつつさや管P’内に管路を新設する推進工法における、管Pに嵌められるその管走行案内器具10である。 - 特許庁
A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加
楕円曲線の有理点群をG,PをGの元、Gの位数をPとし、秘密鍵x∈{1,…,p}に対してQ=xPとし、(G,p,P,Q)を公開鍵とする。 - 特許庁
Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加
p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
The p-side lead-out electrode includes a p-side metal wiring layer and a p-side metal pillar provided on the p-side metal wiring layer.例文帳に追加
p側引き出し電極は、p側金属配線層とp側金属配線層上に設けられたp側金属ピラーとを有する。 - 特許庁
The representative strain is a Rhodococcus erythropolis M-13 strain (FERM P-19716).例文帳に追加
その代表株はロドコッカス エリスロポリス M-13株(受託番号FERM P-19716)である。 - 特許庁
Then, a p-type clad layer 9, p-type contact layer 10, and a p-side electrode 11 are laminated on the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加
そして、p型導波層7上には、順次p型クラッド層9、p型コンタクト層10、p側電極11が積層されている。 - 特許庁
The fuel cell switching part 50 selects the fuel cell 40 a-p as a thermal load 56 a-p which is the most insufficient of the quantity of heat to need for the quantity of heat and a power generation is made to start, and connects the fuel cell 40 a-p to the series circuit 61 a-d.例文帳に追加
燃料電池切替部50は、必要とする熱量が最も不足している熱負荷56a-pに熱量を供給する燃料電池40a-pを選択して発電を開始させ、当該燃料電池40a-pを直列回路61a-dに接続する。 - 特許庁
To provide a phosphor-balanced condition estimating method excellent in accuracy by using variables such as the phosphor concentration (Rhm-P) and the final target P (R-P-aim) in a charged molten pig iron as explanatory variables.例文帳に追加
装入溶銑中のりん濃度 (Rhm-P)、終点目標P (R-P-aim)などの変数を説明変数として用いて、精度のよいりん平衡状態の推定方法を提供する。 - 特許庁
In the formulae, A^1 to A^3 are each a cation; X is a halogen; and p^1-p^3 are each a numeral of 0-3 required to neutralize the electric charges of each of the whole complexes with each of the cations A^1 to A^3.例文帳に追加
一般式(I) A^1_p^1[Ir^IVX_6] 一般式(III) A^3_p^3[Ir^IIIX_6] 一般式(II) A^2_p^2[Ir^IIIX_5(H_2O)] (式中、A^1、A^2及びA^3はそれぞれカチオンを表す。Xはハロゲン原子を表す。p^1、p^2及びp^3はそれぞれ錯体全体の電荷をカチオンA^1、A^2及びA^3によって中和するために必要な0〜3の数を表す。) - 特許庁
An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加
p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁
The bioavailability of the azithromycin can be increased by administering the azithromycin in combination with a p-glycoprotein(p-gp) inhibitor.例文帳に追加
アジスロマイシンのバイオアベイラビリティは、アジスロマイシンをp−糖タンパク質(p−gp)阻害剤と併用投与することによって増加させることができる。 - 特許庁
To provide a p-type MgZnO-based thin film which functions as a (p) type, and a semiconductor light-emitting element comprising the p-type MgZnO-based thin film.例文帳に追加
p型として機能するp型MgZnO系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To effectively utilize communication resources on a network for a hand-over between P-CSCFs 30.例文帳に追加
P-CSCF30間のハンドオーバ時にネットワークの通信資源を有効に活用すること。 - 特許庁
A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加
P型基板の表面にPウエル2を形成し、平面視でPウエル2の内部にNウエル3を形成する。 - 特許庁
A peak/hold part 41 detects and retains a peak voltage Vout-p of the voltage Vout.例文帳に追加
ピークホールド部41は、電圧Vout のピーク電圧Vout-p を検出して保持する。 - 特許庁
a chemical compound called {tetrachlorodibenzo-p-dioxin} 例文帳に追加
四塩化ジベンゾダイオキシンという化合物 - EDR日英対訳辞書
In a prediction model memory 201, a proportional expression λ∝P^2/3 is memorized as a prediction model indicative of an increase in a frequency λ of communication between users in relation to an increase in a service coverage P.例文帳に追加
予測モデル記憶部201には、サービス普及率Pの増加に対するユーザ間通信頻度λの伸びを表す予測モデルとして、比例式λ∝P^2/3が記憶されている。 - 特許庁
The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加
リッジ12は第2のp型クラッド層9、p型バンド不連続緩和層10、p型キャップ層11が積層されている。 - 特許庁
The die head 3 for extruding a resin material J is moved to a position adjacent to a transfer part P to introduce the resin material J from the die head 3 to the transfer part P.例文帳に追加
この状態で樹脂材料Jを押出すダイヘッド3を転写部Pに近接する位置に移動させ、ダイヘッド3から転写部Pに樹脂材料Jを導入する。 - 特許庁
To solve the problem, a P-P path is defined between an Ethernet device (3-2) and an Ethernet device (3-3) to perform communication between LANs #A in the Ethernet network (3-1).例文帳に追加
Ethernet網(3−1)にLAN#A間の通信を行うためにEthernet装置(3−2)とEthernet装置(3−3)との間にP−Pのパスを定義することで課題を解決する。 - 特許庁
A p+ region is not formed at a drain region, to which an input signal Din is applied but inteated a p-LDD(low-doped drain) region 101 is used as the drain region.例文帳に追加
入力信号Dinが与えられるドレイン領域にはp+領域を形成せず、代わりに、p-のLDD(Low Doped Drain)領域101をドレイン領域として用いる。 - 特許庁
The exposure system EX exposes a substrate P via a projection optical system PL and a liquid P.例文帳に追加
露光装置EXは、投影光学系PLと液体とを介して基板Pを露光する。 - 特許庁
A P^- region 11 being a P-type body is derived onto the partial surface of a source side.例文帳に追加
P型のボディーであるP^-領域11はソース側の一部表面上に導出される。 - 特許庁
A resist layer R is formed on a film P to be processed, the film P being formed of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加
多結晶シリコン膜からなる被加工膜P上にレジスト層Rを形成する。 - 特許庁
To provide an industrially advantageous method for producing p- dichlorobenzene(p-DCB) with a high activity and a high p-selectivity.例文帳に追加
高活性でp選択性が高くかつ工業的にも有利なp−DCBの製造方法を提供する。 - 特許庁
A check node calculation part 313 simultaneously operates P pieces of check nodes, and a variable node calculation part 319 simultaneously operates P pieces of variable nodes.例文帳に追加
チェックノード計算部313は、チェックノードの演算を、P個同時に行い、バリアブルノード計算部319は、バリアブルノードの演算を、P個同時に行う。 - 特許庁
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