「pinned」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The inspection by the inventors shows that a magnetoresistance change (ΔRA) per unit area increases in at least one of the free magnetic layer 58 and the pinned magnetic layer 56.例文帳に追加

本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。 - 特許庁

A barrier layer of thickness through which an electron passes by tunnel phenomenon is disposed on pinned layers (20, 22) including a ferromagnetic material where a magnetic direction is fixed.例文帳に追加

磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層(20,22)の上に、電子がトンネル現象により透過する厚さのバリア層が配置されている。 - 特許庁

To provide a magnetization method of an MR sensor where directions of pinned magnetization in a reference layer of the nonparallel MR sensor, such as GMR or MTJ, are simultaneously set.例文帳に追加

ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。 - 特許庁

A brooch body 3 is set in such a manner that a brooch pin body is superimposed on the empty part of the center of the doughnut-like shape of a scrunchy body 1, and it is pinned to clothes, a bag or a purse by the brooch pin body.例文帳に追加

ブローチ本体３をシュシュ本体１のドーナツ状の中心にあたる空白部にブローチピン本体が重なる様にセットしてブローチピン本体で衣服やカバン・バックなどに止める。 - 特許庁

The first and second laminates 20, 30 are arrayed on a pinning layer 42, and electrically connected in series by the pinned layer 43 and pinning layer 42.例文帳に追加

第１および第２の積層体２０，３０はピニング層４２上に配列されており、かつ、ピンド層４３およびピニング層４２によって電気的に直列接続されている。 - 特許庁

Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.例文帳に追加

さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁

The body 1 is pinned up on a front end wall 220 of a recessed ring fence 22 of a terminal block 2 through the upright surface of the second latch, and first-step fixing of the body 1 with the terminal block 2 is performed by utilizing the second latch and the terminal block 2.例文帳に追加

本体１は、第二ラッチの直立面を通して、端子台座２の凹リング柵２２の前端壁２２０にピン止めされ、第二ラッチと端子台座２とを利用し、端子台座２との第一段階の固定を行う。 - 特許庁

Around the free layer 23, a magnetic layer 31 is arranged which surrounds the side face of the free layer 23 and has a function of shielding the leakage magnetic field from the pinned layer 21.例文帳に追加

フリー層２３の周囲には、フリー層２３の側面を取り囲み、ピン層２１からの漏れ磁場をシールドする機能を有する磁性層３１が配置される。 - 特許庁

The exchange-coupled structure 110 includes an intermediate ferromagnetic layer 116 between an AF layer 112 and the pinned semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy layer 118 which results in exchange biasing.例文帳に追加

交換結合構造１１０は中間強磁性体層１１６をＡＦ層１１２とピンド半金属強磁性体ホイラー合金層１１８の間に有しており、この結果交換バイアスを形成している。 - 特許庁

An MR(magnetoresistance effect) element 50 as a magnetic conversion element has a laminated body 5 produced by laminating an antiferromagnetic layer 51, pinned layer 52, nonmagnetic metal 53 and free layer 54.例文帳に追加

磁気変換素子であるＭＲ素子５０は、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性金属５３およびフリー層５４を積層してなる積層体５を有している。 - 特許庁

To provide a spin valve structure wherein superior thermal stability can be ensured in a reverse magnetic field, its forming method and a pinned layer which acts as one constituent of the spin valve structure.例文帳に追加

逆磁場中において優れた熱安定性を確保可能なスピンバルブ構造体およびその形成方法並びにこのスピンバルブ構造体の一構成要素をなすピンド層を提供する。 - 特許庁

Control magnetic field in the direction for resetting or sustaining magnetization is applied to such a pinned layer so that magnetization direction of the ferromagnetic film is not reset nor reversed to the original antiparallel direction even if it has been reversed.例文帳に追加

かかるピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与えることで、強磁性膜の磁化方向が反転していても本来の反平行な方向にリセットされ又は反転しないように維持される。 - 特許庁

A TMR element 51 is provided with a TMR film 53 including an antiferromagnetic layer 61, a pinned layer 63, a barrier layer 65, and a free layer 67; and a lower magnetic shield film 55 provided at the lower part in the laminating direction of the TMR film.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５１は、反強磁性層６１、ピンド層６３、バリア層６５及びフリー層６７を含むＴＭＲ膜５３と、ＴＭＲ膜の積層方向下方に設けられた下部磁気シールド膜５５とを備える。 - 特許庁

The magnetic oscillation element includes a magnetic free layer 1 whose magnetizing direction is variable, a magnetic pinned layer 3 whose magnetizing direction is fixed, a spacer layer 2 arranged between them, and a magnetic field generating portion 7 which imparts an external magnetic field to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層１と、磁化方向が不変の磁気ピンド層３と、両者間に配置されるスペーサー層２と、磁気フリー層１に外部磁場を与える磁場発生部７とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming the MTJ cell of a magnetic RAM which is capable of turning the surface structure of a pinned magnetic layer amorphous by applying a physical impact to it.例文帳に追加

本発明は、固定磁化層表面に物理的衝突を加えて表面構造を非晶質化させるマグネチックラムのＭＴＪセル形成方法に関する。 - 特許庁

The magnetic memory cell (10) comprises a read-write conductor which is wholly clad with a high-permeability and soft magnetic material for a soft magnetic data layer pinned on the fly.例文帳に追加

オンザフライでピン留めされる軟らかい強磁性データ層用の高透磁率の軟らかい磁性材料で完全にクラッディンク゛された読出し−書込み導体を有する磁気メモリセル(10)。 - 特許庁

The magnetoresistive film 3 comprises a free layer 19, a nonmagnetic layer 17, and a pinned layer 15 having at least two ferromagnetic films 21 and 25 of different thickness.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３は、フリー層１９と、非磁性層１７と、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜２１、２５を少なくとも有するピンド層１５とを備える。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20.例文帳に追加

磁気トンネル接合膜１４は、強磁性フリー層２０と、トンネルバリア層３０と、強磁性ピンド層４０とを有しており、フラックスガイド１０は、強磁性フリー層２０に磁気的に結合している。 - 特許庁

One end of a pressing member 5 is rotatably pinned onto a link bar 4, running through the plate-like spring member and the holding member near the grasping part, on the external surface side of the plate-like spring member and the pressing member has a protruded part 6 near the link position thereof.例文帳に追加

板状バネ部材と保持部材を前記挟持部付近で挿通する連結棒４に押圧部材５の一端が、板状バネ部材の外面側で回転可能にピン連結され、押圧部材は連結位置付近に凸状部６を有している。 - 特許庁

Angle θ formed between the direction of center of magnetizing oscillation of the magnetic free layer 1 and a magnetizing direction of the magnetic pinned layer 3 is in both ranges of 0°≤θ≤70° and 110°≤θ≤180°.例文帳に追加

磁気フリー層１の磁化振動の中心となる方向と磁気ピンド層３の磁化方向とのなす角度θは、０°≦θ≦７０°及び１１０°≦θ≦１８０°の範囲内にある。 - 特許庁

A pinned layer 20 has a synthetic structure, which comprises a first ferromagnetic layer 18, a coupling layer 17 and a second ferromagnetic layer 16, which are sequentially laminated from a free layer 27 side.例文帳に追加

ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。 - 特許庁

The pinned layer 160 contains the high-resistance ferromagnetic film 141 comprising Fe and N, and the film 141 is formed between the metallic film 142 and the film 130.例文帳に追加

ピンド層１６０は、Ｆｅ及びＮを含有する高抵抗強磁性膜１４１を含んでおり、高抵抗強磁性膜１４１は、非磁性金属膜１４２と反強磁性膜１３０との間に設けられる。 - 特許庁

To provide a pinned wiring board which is brazed at its pin junction to a pin with a highly reliable connection intensity.例文帳に追加

基板のピン接合部にピンがロウ付けされた配線基板において、ピンと、ピン接合部との接続強度の信頼性の高いピン付き配線基板を提供する - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element having the structure whereby the corrosion of its anti-ferromagnetic layer for fixing the magnetization of its pinned layer can be prevented, a thin-film magnetic head, a magnetic-head apparatus, and a magnetic recorder/reproducer.例文帳に追加

ピンド層の磁化を固定する反強磁性層の腐食を防止し得る構造を持つＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供すること。 - 特許庁

An MTJ element 2 has an antiferromagnetic layer 16, an SyAP pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18 and a cap layer 19 in this sequence on the top of a seed layer 14 arranged on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＭＴＪ素子２は、下部シールド層１０に設けられたシード層１４の上に、反強磁性層１５と、ＳｙＡＰピンド層１６と、トンネルバリア層１７と、フリー層１８とキャップ層１９とを順に備える。 - 特許庁

A fixed magnetic layer 21 of each of the magnetic resistance effect elements is of a self-pinned type, and sensitivity axis directions P1 through P4 of the magnetic resistance effect elements 13a and 13d (13b and 13c) making up a serial circuit are antiparallel to each other.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。 - 特許庁

To impart a strong switching connection between ferromagnetic films, and to inhibit a shunt loss while effectively increasing a switching connection force from an antiferromagnetic film, in an SV film having a synthetic pinned structure.例文帳に追加

シンセティック・ピンド構造のＳＶ膜において、強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性膜からの交換結合力を実効的に増大させながら、同時に分流損失を抑える。 - 特許庁

The element exhibits negative resistance when change of a magnetization direction of the magnetic free layer is continuously caused as a current applied to the magneto-resistive element so as to make electrons flow in from the side of the pinned magnetic layer increases.例文帳に追加

磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 - 特許庁

The outer pinned layer (AP2 layer) 20 has a laminated structure of a (CoFe)_outer layer 21 (outer CoFe layer 21)/a (CoFe_x)B_y layer 22 (amorphous layer 22)/a (CoFe)_inner layer 23 (inner CoFe layer 23).例文帳に追加

外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。 - 特許庁

The spin accumulation magnetic sensor includes a pinned layer 5A provided on a first area of a nonmagnetic layer 2 and a free layer 5B provided on a second area of the nonmagnetic layer 2.例文帳に追加

このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。 - 特許庁

An MR (magnetoresistance) element 5 is provided with: a free layer 25 changing the direction of magnetization according to a signal magnetic field; a pinned layer 23 having a fixed direction of magnetization; and a spacer layer 24 that is arranged between them.例文帳に追加

ＭＲ素子５は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。 - 特許庁

In the magneto-resistance effect element, a surface of a spacer layer 150 is adjacent to a surface of a free layer 160, and a surface of a pinned layer 140 is adjacent to another surface of the spacer layer 150.例文帳に追加

スペーサ層１５０は、一面が、フリー層１６０の一面に隣接しており、ピンド層１４０は、一面がスペーサ層１５０の他面に隣接している。 - 特許庁

A TMR device includes a laminate 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。 - 特許庁

With this constitution, the sense current IS is made to flow through the free layer 38, the intermediate layer 37, and the pinned layer 36, and the sense current is basically not made to flow through the antiferromagnetic layer 32.例文帳に追加

この構成により、センス電流Ｉ_Ｓはフリー層３８、中間層３７、及びピンド層３６に流れ、反強磁性層３２には基本的にセンス電流は流れないことになる。 - 特許庁

In the spin valve structure which is provided with the pinned layer 35, deterioration of characteristic which is caused by temperature rise in annealing is restrained, so that superior thermal stability can be ensured in a reverse magnetic field.例文帳に追加

このピンド層３５を備えたスピンバルブ構造体では、アニール温度の上昇に伴う特性劣化が抑制されるため、逆磁場中において優れた熱安定性が確保される。 - 特許庁

A spin valve type magnetoresistive element which has a laminated structure including an antiferromagnetic layer/a pinned magnetic layer/a non-magnetic intermediate layer/a magnetic free layer/and a magnetization stable layer is used, and the magnetization stable layer 11 is arranged adjacent to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。 - 特許庁

The MR element 50 has a free layer 51, a non-magnetic conductive layer 52, a pinned layer 53, an anti-ferromagnetic layer 54 and a protective layer 55 which are stacked one by one on the coupling layer 23.例文帳に追加

ＭＲ素子５０は、結合層２３の上に順に積層されたフリー層５１、非磁性導電層５２、ピンド層５３、反強磁性層５４、保護層５５を有している。 - 特許庁

To arrange an appropriate material in at least one layer of a pinned layer and a free layer to increase a resistance change in a vertical excitation magnetoresistive effect device of a spin-valve structure.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗効果素子において、適当な材料をピン層およびフリー層のうち少なくとも１層に配置することにより、抵抗変化量を大きくする。 - 特許庁

The second magnetic layer F2 is arranged nearer to the pinned layer 23 than the first magnetic layer F1, and the magnetic layers F1 and F2 are coupled with each other in an antiferromagnetic state through the coupling layer 40.例文帳に追加

第２の磁性層Ｆ２は、第１の磁性層Ｆ１よりもピンド層２３に近い位置に配置され、２つの磁性層Ｆ１，Ｆ２は、結合層４０を介して反強磁性的に結合している。 - 特許庁

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

A TMR device has a laminated body 1 on which a seed layer 14, an AFM layer 15, a pinned layer 16, a tunnel barrier layer 17, a free layer 18, and a gap layer 19 are laminated in order on a lower shield layer 10.例文帳に追加

ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。 - 特許庁

In other words, where Japan has the foundations to enjoy the benefits of diversity, East Asia has rather weak foundations at this point at least, with growth pinned on the benefits of specialization.例文帳に追加

つまり、我が国は多様性の利益を享受するための基盤を有しているが、少なくともこれまでの東アジアは、そうした基盤という点では弱く、特化の利益享受による成長の傾向が強いことがわかる。 - 経済産業省

To this was pinned a line in a delicate aristocratic hand saying that the Archbishop would willingly listen to Madam San Croix's statement if she would come to him on Friday morning at eleven. 例文帳に追加

便箋にカードが一枚留められていた。そこには流麗な筆跡で『大司教様は心からサン・クロワ夫人の訴えに耳を傾けます。ついては、金曜日の朝十一時に大司教様の元に来られたし』と綴られていた。 - Melville Davisson Post『罪体』

To provide a solid-state CMOS image sensor, specifically a CMOS image sensor pixel which has only two row lines per pixel, pinned photodiode for sensing light, and one or two column lines, and to provide its array.例文帳に追加

固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つのロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つのカラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。 - 特許庁

The help content viewer may be pinned to a user interface associated with a given application so that the help content viewer remains in a position above the user interface even if a user interface of a different application is launched.例文帳に追加

ヘルプコンテンツビューアは、異なるアプリケーションのユーザーインターフェースが起動された場合でもヘルプコンテンツビューアをユーザーインターフェースの上のある位置に残るように、所与のアプリケーションに関連するユーザーインターフェースに固定する。 - 特許庁