「pinned」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The thumbnail 1410 can be pinned on a display 1401 or hiding.例文帳に追加

また、ディスプレイ１４０１上にサムネイル１４１０をピン留めし、あるいはサムネイル１４１０を消すことができる。 - 特許庁

The ends of her tulle collarette had been carefully disordered and a big bunch of red flowers was pinned in her bosom stems upwards. 例文帳に追加

チュールの襟の端には気をつけていたのに乱れた痕があり、大きな赤い花束が胸にピンで留められて茎は上を向いていた。 - James Joyce『二人の色男』

One day, as the orderly was smoothing out the tablecloth, the officer pinned down his thumb with a pencil, asking: 例文帳に追加

或る日、従卒がテーブルクロスの折り目を伸ばしている最中に、突然、上官はその親指を鉛筆で突き、圧しとどめ、そして、訊ねた。 - D. H. Lawrence『プロシア士官』

A material stack 50 is provided as a material stack containing an antiferromagnetism layer 52, a first pinned layer 54, a nonmagnetic layer 56, and a second pinned layer 58 which generally have the same electrical resistance when there is no magnetic field, as when there is a magnetic filed as well.例文帳に追加

材料スタック５０は、反強磁性層５２、第１のピンド層５４、非磁性層５６、および第２のピンド層５８を含む材料スタックとして与えられ、磁界が存在するときと存在しないときで通常同じ電気抵抗を有する。 - 特許庁

A segment SG1 constituting the TMR element 50 includes: a first laminate 20 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21; and a second laminate 30 formed by laminating at least a pinned layer 43, an insulating layer 44 and a free layer 21.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element for the sensor which detects a change in magnetism given from outside includes the pinned layer 12 of which the direction of magnetization is fixed, a free layer 14 of which the direction of magnetization changes according to an external magnetic field, and an intermediate layer which is provided between the pinned layer 12 and the free layer 14.例文帳に追加

外部から加わる磁気の変化を検知するセンサ用の磁気抵抗効果素子が、磁化方向が固定されたピンド層１２と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層１４と、ピンド層１２とフリー層１４との間に設けられている中間層と、を含んでいる。 - 特許庁

As a result, a magnetic field is applied in the direction shown by arrow B to the magnetic layer forming the elements 11 and 21 by the residual magnetization of the magnetic layer for applying magnetic field, and the magnetization of a pinned layer in the magnetic layer forming the elements 11 and 21 is pinned in the direction shown by the arrow B.例文帳に追加

この結果、磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層には磁場印加用磁性層の残留磁化により矢印Ｂにより示した方向の磁場が印加され、同磁気トンネル効果素子１１，２１となる磁性層のピンド層の磁化が同矢印Ｂにより示した向きにピンされる。 - 特許庁

In the layout of the power unit of an electrically-driven stretcher 1, a battery 27 and a controller 28 are arranged on an upper frame 6, the lower part of a ball screw axis 10 with an electrically-driven motor is pinned on a lower frame 2, and the upper edge thereof is pinned on the appropriate part of a pantograph 11.例文帳に追加

バッテリー２７とコントローラー２８を上部フレーム６に配設するとともに、電動モータ付きボールねじ軸１０の下部を下部フレーム２に、上端をパンタグラフ１１の適所にピン結合した電動昇降式ストレッチャー１のパワーユニットのレイアウト。 - 特許庁

The negative-resistive element has a magneto-resistive element including an magnetic free layer (33), a pinned magnetic layer (31) having larger magnetic moment than the magnetic free layer, and an intermediate layer (32) provided between the magnetic free layer and pinned magnetic layer.例文帳に追加

磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。 - 特許庁

The magnetoresistive effective element 1 includes a magnetoresistive film 1x having a ferromagnetic free layer 14 and a ferromagnetic pinned layer 10 laminated through a nonmagnetic intermediate layer 12, and an anti-ferromagnetic pining layer 8 fixing magnetization of the ferromagnetic pinned layer 10.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、非磁性中間層１２を介して積層された強磁性フリー層１４及び強磁性ピンド層１０と、強磁性ピンド層１０の磁化を固定する反強磁性ピニング層８とを備えた磁気抵抗効果膜１ｘを有している。 - 特許庁

Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁

One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.例文帳に追加

記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁

At least a pinned layer 3 in a ferromagnetic tunnel junction element having a lamination structure consisting of a foundation layer 1/a 0 to 5 nm-thick antiferromagnetic layer 2/the pinned layer 3/an insulating layer 4/a free layer 5 is shaped so that magnetic anisotropy arises more than that in the shape of the free layer 5.例文帳に追加

下地層１／厚さが０〜５ｎｍの反強磁性層２／ピンド層３／絶縁層４／フリー層５からなる積層構造を有する強磁性トンネル接合素子における少なくともピンド層３の形状を上記フリー層５の形状より磁気異方性が現れる形状とする。 - 特許庁

At the time of assembly, the boom 7 is pinned to a revolving super structure and then raised by a boom cylinder to adjust an angle between it and the arm, and a pin hole 36 of a piston rod 10b of the arm cylinder 10 and a pin hole of the arm are aligned with each other to be pinned.例文帳に追加

組立時には、上部旋回体にブーム７をピン付けし、ブームシリンダによりブーム７を持ち上げてアームとの角度を調整し、アームシリンダ１０のピストンロッド１０ｂのピン孔３６とアームのピン孔を合わせてピン付けする。 - 特許庁

When a command for requesting release of pinned attribute information by specifying addresses is inputted, an address associated with the pinned attribute information among the addresses specified by the command is changed so that unpinned attribute information is associated with the address.例文帳に追加

アドレスを指定してピンドの属性情報を解除することを要求するコマンドが入力されたとき、そのコマンドで指定されたアドレスのうち、ピンドの属性情報が対応付けられているアドレスをアンピンドの属性情報が対応付けられるように変更する。 - 特許庁

The MTJ structure 100 is formed on a substrate 1 by laminating, in the following order, an antiferromagnetic layer 2, a pinned layer 3, a non-magnetic layer 4, a reference layer 5, a tunneling barrier layer 6, a free layer 7, a non-magnetic layer 8, a drive layer 9, a non-magnetic layer 10 and a pinned layer 12.例文帳に追加

ＭＴＪ構造１００は、基体１の上に、反強磁性層２、ピンド層３、非磁性層４、リファレンス層５、トンネルバリア層６、フリー層７、非磁性層８、ドライブ層９、非磁性層１０、ピンド層１１、反強磁性層１２が順に積層されたものである。 - 特許庁

In the original board exposure apparatus, power supply from a pinned-side terminal board 47 mounted on a vibration elimination board to a transfer-side terminal board 40 mounted on a transfer optical part 19 and the transfer of a signal between the pinned-side terminal board 47 and the transfer-side terminal board 40 are performed by using a flexible substrate 46.例文帳に追加

本発明は、原盤露光装置において、除振台に取り付けられた固定側端子台４７から移動光学部１９に取り付けられた移動側端子台４０への電源供給及び上記固定側端子台４７と上記移動側端子台４０との間の信号の授受をフレキシブル基板４６を用いて行うことにある。 - 特許庁

The magnetoresistive sensor comprises a first antiferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer formed on the first antiferromagnetic layer, a first non-magnetic conductive layer formed on the pinned ferromagnetic layer, a free ferromagnetic layer formed on the first non-magnetic conductive layer, and a second non-magnetic conductive layer formed on the free ferromagnetic layer.例文帳に追加

磁気抵抗センサであって、第１反強磁性層と、該第１反強磁性層上に設けられたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に設けられた第１非磁性導電層と、該第１非磁性導電層上に設けられたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に設けられた第２非磁性導電層とを含んでいる。 - 特許庁

The pinned layer 35 comprises a laminate wherein a nickel chromium alloy layer 32 is interposed between a cobalt iron alloy layer 31 and a cobalt iron alloy layer 33, and especially, the pinned layer 35 is so constituted that the thickness of the cobalt iron alloy layer 31 which is positioned on a near side to a spacer layer 24 becomes about the twice of the cobalt iron alloy layer 33.例文帳に追加

コバルト鉄合金層３１とコバルト鉄合金層３３との間にニッケルクロム合金層３２が挿入された積層体を含み、特に、スペーサ層２４に近い側のコバルト鉄合金層３１の厚みがコバルト鉄合金層３３の厚みの約２倍となるようにピンド層３５を構成する。 - 特許庁

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118.例文帳に追加

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。 - 特許庁

In addition, because the lengths of the each layers in terms of an MR height are the same on the contact area between the pinned layer 34 and the antiferromagnetic layer 33, the pinned layer 34 contacts the antiferromagnetic layer 33 across the whole MR height, exchange coupling is enhanced so much that the tilt of the magnetization direction can be more effectively suppressed.例文帳に追加

しかも、ピンド層３４と反強磁性層３３との接触領域におけるＭＲハイト方向の各層の長さが等しくなっているため、ピンド層３４はＭＲハイト方向全体に渡って反強磁性層３３と接触していることになり、交換結合力が高められて磁化方向の傾きをより効果的に抑制できる。 - 特許庁

The spin bulb magneto-resistive sensor contains a first conductor layer, a free ferromagnetic layer arranged on the first conductor layer, a nonmagnetic intermediate layer arranged on the free ferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer arranged on the nonmagnetic intermediate layer, an antiferromagnetic layer arranged on the pinned ferromagnetic layer and a second conductor layer arranged on the antiferromagnetic layer.例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗センサであって、第１の導体層と、該第１の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第２の導体層を含んでいる。 - 特許庁

The magneto-resistive head 10 includes a lower magnetic shield 16, an antiferromagnetic layer 22 disposed on the lower magnetic shield 16, a pinned ferromagnetic layer 24 disposed on the antiferromagnetic layer 22, a nonmagnetic intermediate 26 disposed on the pinned ferromagnetic layer 24, and a free ferromagnetic layer 28 disposed on the nonmagnetic intermediate layer 26.例文帳に追加

磁気抵抗ヘッド１０であって、下部磁気シールド１６と、下部磁気シールド１６上に配置された反強磁性層２２と、反強磁性層２２上に配置されたピンド強磁性層２４と、ピンド強磁性層２４上に配置された非磁性中間層２６と、非磁性中間層２６上に配置されたフリー強磁性層２８とを含んでいる。 - 特許庁

A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。 - 特許庁

In the era of the Emperor Reizei, as the first daughter of the naidaijin (minister of the center) (To no chujo), Kokiden no nyogo, was defeated by Itsuki no miya nyogo (later Akiyoshi chugu) in the competition to become the empress, and so he pinned his hope on his second daughter, Kumoi no kari and hoped to make her become the crown princess. 例文帳に追加

冷泉帝の御世、長女の弘徽殿女御が斎宮女御（後の秋好中宮）との立后争いに敗れたことから、内大臣（頭中将）は次女雲居の雁に希望を託して東宮妃にと望む。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

One embodiment is a Schottky barrier diode (10) made from GaN based material whose Fermi level (or surface potential) is not pinned.例文帳に追加

本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位（または表面ポテンシャル）がピン止めされないＧａＮ系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード（１０）である。 - 特許庁

The MTJ element 8 includes: an AFM layer 11, an SyAF pinned layer 12, a tunnel barrier layer 13 comprised of crystalline MgO made by applying natural oxidation process to a magnesium layer, and a free layer 14.例文帳に追加

ＭＴＪ素子８は、ＡＦＭ層１１と、ＳｙＡＦピンド層１２と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のＭｇＯを有するトンネルバリア層１３と、フリー層１４とを含む。 - 特許庁

As a result, a thin film spacer can be formed, and the nano-constricted MR spin valve is formed having low coercivity and low interlayer coupling between the free layer and the pinned layer.例文帳に追加

その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 - 特許庁

The magnetism RAM comprises a switching device and an MTJ cell coupled to the switching device, wherein the MTJ cell comprises a pinned film equipped with a metal film and a magnetic film enclosing the metal film.例文帳に追加

スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたＭＴＪセルとを含む磁気ＲＡＭにおいて、前記ＭＴＪセルは、金属膜と、前記金属膜を取り囲む磁性膜とを備えるピンド膜を含む磁気ＲＡＭ。 - 特許庁

A read magnetic field (HH) does not saturate the ferromagnetic cladding (21), it is almost confined in the cladding (21), and the magnetization direction (M1) is dynamically pinned to a desired direction.例文帳に追加

読出し磁界(Ｈ_R)は強磁性クラッディング(21)を飽和せず、クラッディング(21)内に概ね閉じこめられ、磁化の向き(M1)を所望の方向に動的にピン留めする。 - 特許庁

To normally operate a reproducing element even if the unidirectional anisotropy of a magnetization pinned layer of the reproducing element disappears due to a rise in temperature not lower than a blocking temperature.例文帳に追加

ブロッキング温度以上の昇温によって再生素子の磁化固定層の一方向異方性が消失したときにも、再生素子を正常に動作させる。 - 特許庁

Also, the pinned magnetic layer comprises a magnetic material having a positive magnetostriction constant or a magnetic material having large coercive force, and the end face is exposed at the surface facing a recording medium.例文帳に追加

また固定磁性層は、磁歪定数が正の値を有する磁性材料又は保磁力の大きい磁性材料により形成されていて、記録媒体との対向面側の端面が開放されている。 - 特許庁

By this method, sputtering becomes possible over a wide range on a copper spacer layer for realizing a desirable ferromagnetic coupled magnetic field (HF) between the pinned layers and free layers in a spin valve sensor.例文帳に追加

この方法により、スピン・バルブ・センサにおけるピンド層構造とフリー層構造との間に望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を実現するための、銅スペーサ層のより広範囲な付着時間が可能になる。 - 特許庁

An MTJ element 10 has a pinning layer 2 composed of MnIr, an SyAF pinned layer 345, a crystalline tunnel barrier layer 6 where natural oxidation treatment is applied to a magnesium layer, and a free layer 7.例文帳に追加

ＭＴＪ素子１０は、ＭｎＩｒからなるピンニング層２と、ＳｙＡＦピンド層３４５と、マグネシウム層を自然酸化処理してなる結晶質のトンネルバリア層６と、フリー層７とを有する。 - 特許庁

The AP1 layer in the SyAF pinned layer 27 includes a two-layer structure of an amorphous CoFeB layer and a crystalline CoFe layer laminated in order from the side of the antiferromagnetic layer 26.例文帳に追加

ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。 - 特許庁

The oxygen-added seed layer 11, AFM layer 12, binder layer 14, upper pinned layer 41, and free layer 25 are formed by sputter deposition using oxygen-added argon (Ar) gas.例文帳に追加

これらの酸素が添加されたシード層１１、ＡＦ層１２、結合層１４、上部ピンド層４１およびフリー層２５は、酸素が添加されたアルゴン（Ａｒ）ガスを使用してスパッタ成膜されることにより形成される。 - 特許庁

A new seed layer which consists of NiCr whose Cr(chromium) percentage content is 31at % and has thickness of about 3nm, is used for forming the bottom spin valve magnetometric sensor having a synthetic antiferromagnetic pinned layer.例文帳に追加

クロム（Ｃｒ）含有率が３１ａｔ％であるＮｉＣｒからなり、約３ｎｍの厚みをなす新たなシード層は、シンセティック反強磁性ピンド層を有するボトムスピンバルブ磁気センサを形成するために使用される。 - 特許庁

A magnetoresistive effect element is formed on a semiconductor substrate while sandwiching a nonmagnetic layer between a pinned layer composed of a ferromagnetic material having a fixed magnetization direction and a free layer having a magnetization direction which varies depending on the external magnetic field (a).例文帳に追加

（ａ）半導体基板上に、磁化方向が固定された強磁性材料からなるピンド層と、外部磁場によって磁化方向が変化するフリー層とで非磁性層を挟んだ磁気抵抗効果素子を形成する。 - 特許庁

At least one among the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer has layer thickness thicker than that giving largest resistance change rate or largest resistance variation when electric current is made to flow in an intraplane direction.例文帳に追加

フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有している。 - 特許庁

The cell (10) comprises the ferromagnetic data layer (11), an intermediate layer (13) formed on the layer (11), and a soft ferromagnetic reference layer (17) on the intermediate layer (13) which is not pinned and which comprises a magnetization direction (M1).例文帳に追加

磁気メモリセル(10)は強磁性データ層(11)、その強磁性データ層(11)上に形成された中間層(13)、及び中間層(13)上に形成されたピン留めされない磁化の向き(M1)を有する軟らかい強磁性リファレンス層(17)を含む。 - 特許庁

To provide a pinned photodiode which can increase the depth of a depletion layer further more as compared with a prior art so as to get very high photosensitivity.例文帳に追加

非常に高い光感度を得るために、空乏層の深さを従来技術に比べてより一層増加させることができるピンドフォトダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The direction of magnetization of a pinned layer of each GMR element is fixed by a magnetic field formed in the vicinity of a rectangular part 61b of the yoke of a magnet array by a permanent bar magnet 80 inserted into the square part 61a of the yoke.例文帳に追加

各ＧＭＲ素子のピンド層の磁化の向きは、マグネットアレイのヨークの正方形部６１ａに挿入された永久棒磁石８０が同ヨークの長方形部６１ｂの近傍に形成する磁界により固定される。 - 特許庁

To realize a magnetoresistive element having high sensitivity by making apparent magnetization of a pinned layer of laminated ferrimagnetic structure almost zero, considering reduction of film thickness by alloying, regarding a magnetic head and a magnetic recording device.例文帳に追加

磁気ヘッド及び磁気記録装置に関し、積層フェリ構造のピンド層の見かけ上の磁化を合金化による膜厚のめべりを考慮してほぼ０にすることにより高感度な磁気抵抗効果素子を実現する。 - 特許庁

A TMR element 3 has a free layer 11 formed on a lower gap layer 2, a tunnel barrier layer 12 formed on this free layer 11, and a pinned layer 13 formed on this tunnel barrier layer 12.例文帳に追加

ＴＭＲ素子３は、下部ギャップ層２の上に形成されたフリー層１１と、このフリー層１１の上に形成されたトンネルバリア層１２と、このトンネルバリア層１２の上に形成されたピンド層１３とを有している。 - 特許庁

To provide a pinned photodiode for a solid CMOS image sensor having a small size, high charge accumulation capacity and a low dark current and allowed to be driven by a low operation voltage.例文帳に追加

小さな大きさ、高い電荷蓄積容量、低い暗電流を有し、低い動作電圧で動作できる固体ＣＭＯＳイメージセンサのピンドフォトダイオードを提供すること。 - 特許庁