「planarized」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A resultant structure is planarized, using the chemical and mechanical polishing.例文帳に追加

その結果の構造は、化学的機械研磨を用いて平坦化される。 - 特許庁

In a planarization step, the surface of a soft magnetic powder is planarized.例文帳に追加

平坦化処理工程では、軟磁性粉末の表面を平坦化する。 - 特許庁

An insulation film is deposited and planarized after forming a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ形成後、絶縁膜を蒸着し、平坦化する。 - 特許庁

The retraction of the planarized surface 73 is controlled with high accuracy.例文帳に追加

平坦面７３の後退は高い精度で制御されることができる。 - 特許庁

An inkjet head body 21 is obtained by forming a planarized layer 25 so that the planarized layer can cover the uneven surface 24a of the head 24, so that a surface 25a on a side opposite to a side coming into contact with the surface 24a can be planarized.例文帳に追加

ヘッド部２４の凹凸状の表面部２４ａを覆い、かつ該表面部２４ａに接する側と反対側の表面部２５ａが平坦になるように平坦化層２５を形成してインクジェットヘッド本体２１を得る。 - 特許庁

Surface of the conductor layer 30 is planarized to 0.35 μm or less.例文帳に追加

導体層３０の表面は、０．３５μｍ以下に平坦化処理されている。 - 特許庁

The additional barrier layer is planarized preferably by chemical mechanical polishing.例文帳に追加

この追加のバリア層を、好ましくは化学機械研磨によって平坦化する。 - 特許庁

The dielectric layer and additional layer are planarized preferably by the CMP method.例文帳に追加

誘電層および追加の層を、好ましくはＣＭＰによって平坦化する。 - 特許庁

To form a highly planarized flat layer and a conductive layer by measuring the flatness of a planarized layer when manufacturing a TFT display panel.例文帳に追加

ＴＦＴを有するディスプレイパネルの製造において、平坦化層の平坦度の測定を可能とし、高度に平坦化された平坦層と導電層とを形成する。 - 特許庁

The substrate and the topside of the trench are planarized, and a Schottky metal layer 1 is jointed with them.例文帳に追加

基板及びトレンチ上面を平坦化てショッキー金属層１を接合させる。 - 特許庁

A planarized film 104 comprising a metal layer 105 and an interlayer insulating film 106 is interposed between the planarized region 103 and the LED epitaxial film 110.例文帳に追加

平坦化領域１０３とＬＥＤエピタキシャルフィルム１１０との間には、メタル層１０５や層間絶縁膜１０６等から構成される平坦化膜１０４が介在する。 - 特許庁

The dry film on the surface of the wafer is planarized by a thermo compression effect of the steel plate.例文帳に追加

ウェハの表面のドライフィルムは、鋼板の熱圧着効果により、平坦化される。 - 特許庁

In the method, no specific planarized region is required on the irregular surface of the substrate.例文帳に追加

この方法では、基板のでこぼこな表面に特定の平坦な領域を必要としない。 - 特許庁

Subsequently, a metal layer 17 for bonding is formed on the planarized surface as a metal layer.例文帳に追加

その後、平坦化された面上に金属層たる接合用金属層１７を形成する。 - 特許庁

The surface is planarized, until the silicon nitride film 3 is exposed by a CMP(chemical mechanical polishing) technique.例文帳に追加

ＣＭＰ技術を使ってシリコン窒化膜３が露出するまで表面を平坦化する。 - 特許庁

Then, the surface of an Ir lower-part electrode 4 is planarized by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

その後、ケミカルメカニカルポリッシング法にて、Ｉｒ下部電極４表面の平坦化を行った。 - 特許庁

A base layer 1 is partially separated along a peeling layer formed by ion implantation of material for peeling via the first planarized films 13 or the second planarized film 14.例文帳に追加

基体層１の一部は、第１平坦化膜１３又は第２平坦化膜１４を介して剥離用物質がイオン注入されることにより形成された剥離層に沿って分離されている。 - 特許庁

A second planarized membrane (inside) 32a which is an insulating membrane with a frame shape and a tall second planarized membrane (outside) 32b with a pole shape are formed by covering the surrounding of a pixel electrode 30.例文帳に追加

画素電極３０の周辺を覆って、枠状の絶縁膜である第２平坦化膜（内側）３２ａおよび柱状で背の高い第２平坦化膜（外側）３２ｂを形成する。 - 特許庁

The invention relates to the radiation-curable resin composition for a planarized layer comprising a fluorine-containing polymer containing an ethylenic unsaturated group and a solvent, and relates to the planarized layer obtained by curing the same, and a method for producing the flattened layer position-selectively and the solid-state image sensing device comprising the planarized layer.例文帳に追加

エチレン性不飽和基含有含フッ素重合体及び溶剤を含有することを特徴とする平坦化層用放射線硬化性樹脂組成物；それを硬化させてなる平坦化層；位置選択的に平坦化層を製造する方法及びその平坦化層を含む固体撮像素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor film which is planarized without increasing manufacturing processes and manufacturing time.例文帳に追加

製造工程および製造時間を増加させることなく、平坦化された半導体膜を製造する。 - 特許庁

Thus, the present invention provides a thin film transistor substrate where an organic semiconductor layer is planarized comparatively.例文帳に追加

これにより、有機半導体層が比較的平坦な薄膜トランジスタ基板が提供される。 - 特許庁

(c) Application liquid for forming integrated circuit is applied, and an applied face may be planarized.例文帳に追加

（ｃ）前記集積回路形成用塗布液を塗布した後に、さらに塗布面を平坦化してもよい。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING PLANARIZED COPPER INTERCONNECT LAYER USING ELECTROLESS MEMBRANE DEPOSITION例文帳に追加

無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置 - 特許庁

The surface 11 can be planarized based upon the planarized reverse surface 12 of the SiC wafer 10 as a reference surface, so the SiC wafer 10 with high precision can be obtained in which level difference has removed from the surface 11.例文帳に追加

平坦化されたＳｉＣウェハ１０の裏面１２を基準面として表面１１を平坦化できるため、表面１１から段差が取り除かれた高精度のＳｉＣウェハ１０を得ることができる。 - 特許庁

The bottom and top faces of the gas flow passage can be planarized in the second step, since they are bent inside and then pressed to be planarized from within in the third step.例文帳に追加

第二工程でガス流路の底面および頂面を内側に湾曲させた後、第三工程で内側から平坦に押圧変形するので、セパレータのガス流路の底面と頂面とを平坦に成形できる。 - 特許庁

Finally, the metal plating film 5, and the like, are polished and the surface thereof is planarized thus completing a semiconductor device.例文帳に追加

その後、金属めっき膜５等を研磨し表面を平坦化して半導体装置を完成する。 - 特許庁

Decrease of the growth rate of silicon dioxide results in a formed self-planarized chemical film on a wafer.例文帳に追加

二酸化ケイ素の成長速度の減小は、結果として、ウェーハ上に自己平坦化学膜を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an optical waveguide with which the surface of a core is planarized in a recessed shape process.例文帳に追加

凹型プロセスにおいてコアの表面を平坦化できる光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the second layer 19 is planarized to cause the carbon film 15 to be exposed.例文帳に追加

第２のＴａＮ層１９の表面に対して平坦化処理を行い、カーボン膜１５を露出させる。 - 特許庁

Them silicon dioxide 28 is planarized with respect to the top face of silicon nitride 22 by using the "CMP".例文帳に追加

次に「ＣＭＰ」の使用により二酸化シリコン２８を窒化シリコン２２の上面に対して平坦化する。 - 特許庁

After the copper electric conductor is planarized, at least one element is ion-implanted into these surface layers.例文帳に追加

銅導電体の平坦化後に、これの表面層に少なくとも１つの元素がイオン注入される。 - 特許庁

Next, the CMP polishing of the SOG film 23 is performed by using the cover film 23 as a stopper, and the surface is planarized.例文帳に追加

次いで、カバー膜２２をストッパとしてＳＯＧ膜２３をＣＭＰ研磨し、表面を平坦化する。 - 特許庁

By etching the element isolation film into a predetermined thickness, the top of a semiconductor substrate is planarized.例文帳に追加

また、素子分離膜を所定の厚さにエッチングすることにより、半導体基板上部を平坦化する。 - 特許庁

Even if the surface of the insulation film 15 is planarized, the breakage of the insulation film 15 is avoided.例文帳に追加

絶縁膜１５の表面に平坦化処理が施されても、絶縁膜１５の破損は回避される。 - 特許庁

As shown in step 11, the planarization of a layer to be planarized by a chemical mechanical polishing.例文帳に追加

ステップ１１に示すように、化学的機械的研磨による被平坦化処理層の平坦化を実施する。 - 特許庁

Moreover, the substrate surface is planarized by a second insulation film 5 formed on the pixel electrode 4.例文帳に追加

また、画素電極４上に形成した第２絶縁膜５によって、基板表面が平坦化される。 - 特許庁

Then, the oxide film 4 is planarized by polishing protrusions 8 of the oxide film 4.例文帳に追加

その後、酸化膜４のうち突出した凸部８を研磨することにより、絶縁膜４を平坦化させる。 - 特許庁

The interlayer insulating film 207 is planarized by etchback, using the silicon nitride film 206 as the stopper layer.例文帳に追加

次に、窒化シリコン膜２０６をストッパ層として、層間絶縁膜２０７をエッチバックにより平坦化する。 - 特許庁

An inner wall surface of the via hole 3 is planarized by removing a scallop shape 4 by a dry etching method.例文帳に追加

次に、ドライエッチング法によりスキャロップ形状４を除去し、ビアホール３の内壁面を平坦化させる。 - 特許庁

An upper portion of the embedding insulating film is planarized by a CMP method using the remaining hard mask film as a stopper.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜の上部を、残存するハードマスク膜をストッパとして、ＣＭＰ法により平坦化する。 - 特許庁

Accordingly, generation of the shavings and the dust from the mask can be reduced, and even if the shavings and the dust are generated, they can be trapped between the second planarized membrane (outside) 32b and the second planarized membrane (inside) 32a.例文帳に追加

従って、マスクからの削りかすやダスト発生を低減することができ、削りかすやダストが発生しても、第２平坦化膜（外側）３２ｂと第２平坦化膜（内側）３２ａの間にトラップすることができる。 - 特許庁

Then the side of the surface 11 of the SiC wafer 10 is planarized in parallel to the reverse surface 12 of the SiC wafer 10.例文帳に追加

続いて、ＳｉＣウェハ１０の裏面１２に平行にＳｉＣウェハ１０の表面１１側を平坦化する。 - 特許庁

That is, electrical connection reliability of the bump electrode 106 between the planarized surface 106a and an inner lead 120, is improved.例文帳に追加

このため表面106ａが平坦化したバンプ電極106とインナーリード120との電気的な接続信頼性が向上する。 - 特許庁

The surface roughness of the positive electrode 20's surface in contact with the planarized layer 30 is 0.5 nm or more.例文帳に追加

そして、陽極２０は、その平坦化層３０と接する表面の表面粗さが０．５ｎｍ以上である。 - 特許庁

A sacrifice film 13 is formed on the silicon oxide film 11, and the sacrifice film and the silicon oxide film 11 are planarized.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１上に犠牲膜１３を形成し、犠牲膜とシリコン酸化膜１１を平坦化する。 - 特許庁